反相器設(shè)計前仿與后仿流程

1、目錄前端電路設(shè)計與仿真 2第一節(jié)雙反相器的前端設(shè)計流程 21、畫雙反相器的visio 原理圖 22、編寫.sp文件2第二節(jié)后端電路設(shè)計 4一、開啟linux 系統(tǒng) 42、然后桌面右鍵重新打開Terminal 6雙反相器的后端設(shè)計流程 7一、schematic 電路圖繪制 7二、版圖設(shè)計 21畫版圖一些技巧： 30三、后端驗證和提取 31第三節(jié)后端仿真 37其它知識 40前端電路設(shè)計與仿真第一節(jié)雙反相器的前端設(shè)計流程1、畫雙反相器的visio原理圖VDd臼M2HIM3outVDdT_M M0 in -J-faI向1圖1.1其中雙反相器的輸入為in輸出為out, fa為內(nèi)部節(jié)點。電源電壓Vdd=1

2、.8V,MOS 管用的是TSMC的1.8V典型MOS管（在Hspice里面的名稱為pch和nch,在 Cadence里面的名稱為pmos2v和nmos2v）。2、編寫.sp文件新建dualinv.txt文件然后將后綴名改為dualinv.sp文件 具體實例.sp文件內(nèi)容如下：dnakinv - iiLi 4-女薦國I dMiD持式® Itu?事助M卜小皿皿匕JB犁的其隨-U Lb ' F :I J J pu-hgjnuptataXrl llll- L' I I,-subcki dualLnu Lm out qndhq .a In g44 u4d 口5 | -1*91H

3、l fri :ln ynt gnri rich 1-11 IkiAD-1.VHhP 13 .VR>iF 13i FD-I .Hlr TH PX-I.Hf Hd nrH-1.*irH-rH nr-l.rt2 QUK. fa 1 udd pLh I - 1d tn “NJ 仙，3的FD-a.M-M PS-2.iit-iK nnd-«.3K m>5-«>37£m out F> E qnd nth 1-帕Bn，睚X科-1.PB“-忖 FUH木片-酹nrd-1 ,MWW 時斫中法第融. LT.TH以下是加觸后信號ITTT - bdn in «

4、; p«l-se(i 1：B 1m ms tn寫 73 4ns|i 3 vdd » 1 .*«n gnrl riv tl duK 下是 Mji(閡百句aoptlQn p”t ,trjn .Ans.-M金£U尸。CrM AUgpDMr Inq pNlJ Fr««餐二-Hfjsui'r tr-Mi qrlsr TRIOvein)UftL-l.flAlhsrise-1 TRRnuCtlUHL-I.*rjr-1 iwsurt tr M Qf 11* THICWd的UhL-fl.fll-lns* TAROUftL-i.*IKkisfal

5、l-1-nd.lib 'F:Program Filessynopsysrf018.l' TT 是 TSMC 用于仿真的模型文件位置和選擇的具體工藝角*這里選擇TT工藝角*劃紅線部分的數(shù)據(jù)請參考excel文件尺寸對應(yīng)6參數(shù)，MOS管的W不同對應(yīng)的6個尺寸是不同的，但是這六個尺寸不隨著L的變化而變化。劃紫色線條處的端口名稱和順序一定要一致MOS場效應(yīng)晶體管描述語句：（與后端提取pex輸出的網(wǎng)表格式相同）MMX D G S B MNAME <L=val> <W= val > <AD= val > <AS= val > <PD= v

6、al >* PS= val > <NRD= val > <NRS= val >2.1、 在wind owXP開始一程序這里打開 Hspice程序NSPICE Z-2007. 03 Microsaft Office 哥 SPICE Explorer 2007.1 +Avanwaves Z=zD07 03HSPICE MT Z-200T.03HSfICE Z-200T.03HSPICERF Z-2007.03Hspui E-2口葉.032.2、 彈出以下畫面然后進行仿真真按鈕形查看波形按鈕按下后彈出以下對話框如果要查看內(nèi)部節(jié)點的波形，雙擊 Top處如果有多 個子

7、電路 請單擊此 處的Top 查看如果要查看測量語句的輸出結(jié)果請查看.MTO文件（用記事本打開）avgpuwtr aug p(xl) fran=Brs to=6J«ns.measurfi trdn+ TRIG V(ln)* TARG l>(OUt)Qrise UflL-0.9 TD=Dns rise=1 VflL-fl.? TD=9ns rise-1.measure trdn ms u(in)* TARG Xout)Qfall ME.9 UAL-1.9T&-SnsT&-8ns而LITdualinvMTO文件：L KB至此前端仿真教程結(jié)束第二節(jié)后端電路設(shè)計前序（打開

8、Cadence軟件）、開啟linux系統(tǒng)雙擊桌面虛擬機的圖標ELul lihl -Hi ir Linui.。一 Tltiu v VvfIC-kI bI lutvlilt Edit 山 r、Fmrar«d On. Fivcri In技必值匯!白； ；屯二I庖電器爭 51 fteJ Hat Eiitcriirwe1 LlnvifR&cJ Hat Enterprise I iriwc 4StiE：PMcttdoffGuest gWd hWt Erterpriso Liuc 1Lcc*bm:也甘為 Wbjal MBdresledHit EntEq:fwe 5uk MIRe,fefif

9、cn:WnKstetioflS.S加工 vsrt uri sw由irwLcmmarwix) hgw 0 IHf # W rwX心 岫 vtftual dhKlint 謝國 En3 曲IE fwt匕陽(Whdt l£ *CE?)Dewes* HtWPrM«5iX54叫叱區(qū) 0CD/DMXIM： H Fkw% 窗篦也比fifiL理 Ou&B Circle / EojndCa 0匚語NotM選擇Power on thisvirtualmachine開啟linux之后在桌面右鍵選擇Open Terminalrixit' IccalhoM：-Eite Edii 如ew

10、 LerminaJ T 邊s Hdp rootfllocalhMt «# xhost locali|輸入 xhost local:命令按回車CcimpulprTrahicu才予 IncallhcK/rDatEfe &M Mew gtniM TaJzs JjelpLr-MtliiKalhMt shost local:hM-neiwark Local -confteLiMfi b&ing added(o 吧control listr-CKl tOlOTA lhO5 t -Jif 5U XUErucfllDCJilhDst r»t fjrp5hflrr之后輸入su

11、 xue命令按回車，這樣就進入了 xue用戶xue jocalhcstz/noor日 Ie E向 Wew lerminaJ Tajjs HelproDt9loealhogt -# xhost local:non-network local connections being added to access control listroq t©l ocal host T# su Kuexueilocalhost root£ /hone/eda/Mentor/ixl_c a 1_2008. l_20- 15/bin/lmgrd -c /home/da/mentor/ixl_c

12、a 1.200 呂. l_20,15/license, dat1、輸入命令加載calibre 軟件的license ,按回車，等到出現(xiàn)以下畫面再關(guān)閉Terminal 窗口斯時(ngcld) udunlxquadlzbIucukIcZBluoouelB152150 tugeld) ziurezjKax-lMnznedcsin1S: 52: 5D (ngcld) autcheckznchcckaxisKnruheckcrs16:S2: ED (Bgcld) znch吩匚上isznchE-ckidntznchc-ckpldn-50 (PEcld) mcheck«vzwrklrtlznoii

13、ibrwFflrIS:52:50 (ncld) zncwlzdedltorzndecrvrtzndftZL6:醛4口 tngcld) ziwliBacenerzn 卬 gaznfxaiH16:52:5D (ngcld) mintFriuilzniplicgenznloiaiieir16:52: 50 (Bgc ld) Z3mnag.pznnninbamenede1 死 52 : 5口 (becU) 3»nc&ixlls»n已比 rdazriHrHidTraii16r&?;50 (niEcLd mrihtbznmiblinkziwilpcIS: SO CBgc

14、Ld) ziunpeiznimpcixZHMnpctKSO16:52:5D (ngtld) ZMilpoyphylZznBilpusphyUEtuinjMJxphfl可16: S2: ED (ngcld) zj1anqdr2ra.11ziuuirap idioznjinsdrjn16:53： SO (“eld xnmsifuranErwnspigZznfirruEbll(nEcld zawiutoplallZTwnutoplal? znunutopia 13116: 52 5 50 (BgcLd) EiwciutqplaMmianitor&in znsimrt16:52:5D Cnge

15、ld)打mrfl1B:52:5D (ngcld)uiurnmvhdl6:52: 50 (ngrld) Licon3s ar-o- 1 翼二雕：5。(BK?ld)ca&a sc-nsitiw for Bgcld1S:S2:5O (Bgcld> EXTERNAL FILTERS are OFFlfi：:52s5D 門iigEJ 想打白 using TCF-gft 12771既 &ih Mjew RiithM T曲 tldp2、然后桌面右鍵重新打開 Terminal進入學(xué)用戶，開啟 Cadence軟件，如下圖rQOtdlQCaIhost su xuexuelocalhost r

16、oatS icfb&1 4637fxue0localhost roatS然后出現(xiàn)cadence軟件的界面關(guān)閉這個help窗口，剩下下面這個窗口，這樣 cadence軟件就開啟了如果在操作過程中關(guān)閉了 cadence,只需要執(zhí)行步驟2即可，步驟1加載calibre 的license只在linux重啟或者剛開啟的時候運行一次就可以了。雙反相器的后端設(shè)計流程、schematic電路圖繪制1、注息在Cadence中畫schematic電路圖時，每一個節(jié)點都需要命名，不然在參數(shù)提取之后沒有命名的那些節(jié)點會被系統(tǒng)自動命名，導(dǎo)致用HSPICE看內(nèi)部節(jié)點波形時難以迅速找到自己需要的節(jié)點。2、打開Cad

17、ence軟件新建庫和單元 Cell View用命令icfb&打開Cadence軟件后彈出以下CIW窗口選才F Flie-New-Libirary之后彈出以下窗口這里我們新建一個名為ttest的庫。（注意：在新建library的時候要attach to an existing techfile點擊OK以后彈出以下窗口在 technology library 這里選擇我們的 TSMC 庫 tsmc18f然后點擊OK在CIW窗口的tools菜單中選擇第二個library manager之后彈出以下窗口我們可以看到左邊Library里面有我們之間建立的ttest庫，用鼠標左鍵選擇ttest,

18、發(fā)現(xiàn)它的Cell和View都是空的。然后在該窗口的File-New-Cell View新建一個單元Cell View彈出以下窗口在窗口的Cell name中輸入我們需要取的名字，這里取的是dualinv。點擊OK后自動彈出畫schematic的窗口3、畫schematic電路圖點擊上面的這個作圖版面，在鍵盤上按快捷鍵i會出現(xiàn)添加器件的窗口點擊Browse后彈出以下窗口這里選中TSMC的庫tsmc18rf,在Cell中選中pmos2v, view中選中symbol 然后鼠標移到外面的畫圖板上，就會出現(xiàn)一個 PMOS管，左鍵點擊就可以放上 去了，按ESC回到正常的光標狀態(tài)。中點u，I:伯階I fi

19、ngersr1同理，選中TSMC庫中的nmos2v,就可以添加NMOS管。（按快捷鍵M ,然后 再點擊一下（選中）器件即可以移動器件）制陰戳nniv currnnl mxljvicnODF PwwmH翊以即6YMade! iignwpchOffdtiKEripiliuniOffMWKtfft* (M)3 kndlWliflfe(M)加tfrffNimifieror FindersgOffMulliiilivr4MTMiDfHiHb Mbririy接下來修改MOS管的尺寸，我們看到上述MOS管的默認尺寸都是L=180n W=2u我們這里將PMOS管修改為 W=720n NMOS管修改為 W=22

20、0n（注意：TSMC 0.18um庫nmos2V和pmos2V最小的 W 只能設(shè)置到220nm,而 不能設(shè)置到180nm）鼠標左鍵選中一個器件（如M0）,然后按快捷鍵Q （property）,出現(xiàn)以下調(diào)整MOS管屬性窗口：3hnwsystem user CPFPh9a 打陽帕DuplaybfcE X®匕穌1如4NTSI Nara羽但加valueIflnw Hianft酬吐口LMfhi削Slfttfi Nfiilf算網(wǎng)口打在w（M）的文本框中修改前面的2u修改成我們需要的720n然后點擊OK即可 同理修改NMOS管的W=220n。之后開始連線 按快捷鍵 W （wire）即可然后添加PI

21、N腳（即與外部信號相連的端口，從圖1.1可以看出這個雙反相器電路涉及到的PIN腳有in out vdd gnd）注意：由于目前的工藝是P阱襯底，所以全部NMOS管的襯底即B端要接gnd, 而PMOS管的襯底可以接自己的S端或者vdd, 一般只接VDD不接S 知識補充：MOS管的襯底B端接S才能不引起襯偏，襯偏了會造成閾值電壓增大按快捷鍵P就可以添加PIN腳在pin name中輸入名稱 Direction中選中pin腳的方向（其中in的direction是input out 的 direction 是 output gnd 和 vdd 的 direction 是 inputoutput）然后按回

22、車，光標上就會出現(xiàn)一個 pin的光影，點擊鼠標左鍵即可擺放擺放pin腳之后，將PIN腳與電路相連，同樣用快捷鍵 W來連線由于圖1.1中還有一個內(nèi)部節(jié)點fa,這里我們就需要給內(nèi)部節(jié)點命名。按快捷鍵L,出現(xiàn)命名窗口在names這里輸入fa,然后按回車然后鼠標上出現(xiàn)fa光影，將fa移到內(nèi)部需要命名的線上點擊左鍵即可。然后保存電路通用，也可以用快捷鍵L來連接兩個單元：這樣就不用連線，卻能保證兩個單元連接到一起。n12llNM5*口121 產(chǎn)w:12Gnl:60nE：1n12llw:120胸elkm： "nl2llMw:120nl:60nTuul D括i£在畫圖板左邊工具欄里面選中第

23、一個check and save4、將電路圖創(chuàng)建成為一個symbol ,用于仿真電路v I Qnci:Set: 0VirtuoseToolsDesign Window Edit AddQieck Sheet 0才Oieck and SaveXSave (not neededSSave As.飛HierarchyOrate CellviewrFrom GeiMew.New.From 科楫 List.怦Open.From Instance.'Open SymboL.=蹣SK決f啜更襟區(qū)Makje Read Only.怦Probe RotRenumber Instances.選擇 Desig

24、nCreate Cellview- From Cellview 彈出以下窗口點擊OK彈出以下窗口這里主要是Top Pins和Botton Pins這里需要修改，修改成如下圖UinuosiF- SyMtaol EMng. ncsi diullnv s)-nibalUml;K*. uTmta MH小 幅向f Edt 修M Qvck點擊OK彈出以下電路fn&tanceNamebartr<omeTools Iw點擊save按鈕保存這樣我們就會看到在library manager里面就多出了一個該電路的symbol5、用spectre仿真器仿真電路（這里仿真一下電路主要是驗證一下自己電路有

25、沒有畫錯，如果電路邏輯功能正確，那么基本上可以保證自己剛才畫的電路是正確的）新建一個名為 dualtest 的 Cell View 單元（在 Library Manager下）|回OK按快捷鍵i添加我們之前給雙反相器電路創(chuàng)建的 symbol然后出現(xiàn)下圖接下來就要給各個端口加激勵信號和電源了按I添加器件，在analoglib中首先選擇直流電壓 Vdc,另外還要選擇vpwl作為 線性分段信號源。按Q修改vdc的屬性hoursystum usnr CDFR*Wt *啟坳忙 L中帕愴伊劃3V口卸1納ft*刖yVtdiieUHrar NameCt!i NtanitH.l 口中可 wdc。而nrrKtew

26、 N»hr5kbdlferr網(wǎng)orrAddUdetcHadirUur Prn parlyMute glu口1 uud VakiRnteplaytvlgwmIKUE0vrrCDF 'ETOtfr州詡MUI鑿A£ jih»5«DC voflagt*IkKC flilc mimeUfeutKr nt nntsnd'FEbq paars 口Vf rviinu-liAjiLn1口腳相Yerrorrnrorrnrrnrr"0鵬 Cancel Ap0y 口的皿幅（Yewiciiia HeM在DC voltage這里將電壓值設(shè)置為1.8v（注意

27、，只要填入1.8即可，不要帶入單位）即6個點），如下圖同樣修改vpwl的屬性（這里我們設(shè)置一個3段線性信號,CDF PBraiiieterValueDisptayInuiubvr uf 網(wǎng)憎 tlF puirnbeWorrAC muuiiUMiRkMTAC plkas«IoffDC V阿BrDfFTime-1口*10 0 £MrTlrrtB- 2:后tei 3vfHVoH曄 20 0 ?.»TFTimu- 3ss.m 4陽¥由利押3tfffTlrw 4non. 4啪VMl曄 4i g三DflTTwine- 5>130 Oln *arr0 口耳時rT

28、ime- E20Qn 4時iaije£0 a EttfFFfe甲川:fii:y rwunn- fcr 1 UnwindJOffHol腳 W HEVTC1時rHu面her nT iMds«m«q pairs更OfliXF iTi.iliiUi 版r»rrrn:irnii!li iripoff此外我們還要添加一個gnd器件作為基準地信號（在analoglib中選擇）添加完器件之后如下圖（注意：電路的gnd與標準地gnd之間要添加一個0V的直流電壓）接下來連線以及給輸出端添加一個PIN,如下圖然后按check and sav嘛存ScheimaticSimula

29、tion選擇 tools 中的 Analog environmentcm。：Sel: 0Tools Design Window Edit Add CheiAMS Opts.Analog EnvironmentDesign Symthssins DivaRnorjilari/SclieifTiatjcsHierarchy Editor Mixed Signal Opt樂 PCD彈出以下窗口Virtuosox Analog Design EnviroiamQnr Cl)Ubraj7# TypeAcgunentfl.c . EnsbleDesign網(wǎng)ViewSlalus: Uitinilialire

30、dRjEaatw二 spectreflSirasiuh SEtlip Ansdyss gwiabl日& Outpuls Siniiulaliun Re苫nils TuatsHelp> Welcome W Virtuoso© Analog Design Eiwironnieiit口喝l典 VwtablesOulput選擇右邊工具框中的第二個 生，彈出以下窗口-ViflHOW1.ign Envirnnn這里設(shè)置仿真的停止時間（該時間根據(jù)自己具體需要填寫），然后點OK接下來設(shè)置需要看波形的那些端口Analog iksign Environment (1)outputs To

31、Be Plotted Select On SchematicT=Z7 C Simulatees Outputs Simulation Results ToolsSetupMysesrYP1 To Be Saved3tl 30JOn1g He HuttedSelect On SchematicSave Ail .趣武1：建然后在要看波形的線條上單擊鼠標左鍵點一下即可點元之后該線條會變顏色以及閃爍，之刖的 Analog environment窗口的outputs 中也會出現(xiàn)相應(yīng)的名稱1二1上|包V|；riuos£>nj Anilc Dtslgn £1M2口瓶上，值）T-2

32、7 C siftiMiabjr: spectreDesignAnalyses»Jh«ury ttest# lypeJhigiu4nti： EnahLeGel dualtits t1 trsn0前如yeaffw schenatic。制gw WfcjjiicsM帆嶼¥烤UWly：# 出酬邛單LvaPLo< 5.e 用單F/h*1M號tEyea 社13 :nu2 outyea： allo noHntUtti miNJe:Rngjiace> Sslecl oh Sehetmattc Outputs Id He Flotlfd施碗口 h 3副印 Ah 壯加蜷 V

33、汨山蝙 OnlpiJil Sirv Hi lotion RimilK ToolsWGili國 Z 3 8然后點擊右邊工具欄中得倒數(shù)第三個Netlist and Run電路正確的話就會有波形點擊該圖標是分離重疊的波形其他快捷鍵E看symol里面的電路Ctrl+E退出看內(nèi)部電路F讓原理圖居中P PIN管腳快捷鍵W連線L命名連線C Q MU復(fù)制器件屬性 移動 撤銷 其他相關(guān)設(shè)置：設(shè)置回退次數(shù) CIW 窗口 -options-user preferenceUiixId Limit多個器件屬性一起修改，用shift選中以后然后選all selected以先是only current)Edit objec

34、t PrTo <onty currentin:51ao匚日al SBlectEdShowal user CDF、版圖設(shè)計打開 dualinv 的 schematic 電路圖，然后 Tools-Design Synthesis-Layout XLCreate New File點擊OK就會自動彈出畫layout的版面此時鍵盤上按E鍵，出現(xiàn)設(shè)置窗口«|這里修改分辨率，將X Snap Spacing和Y Snap Spacing修改為0.005,方便之 后的畫圖。點擊OK在畫layout版面的菜單中選擇 Design-Gen From source(F)3*Tools Desufik

35、Window Create Edit 'X： -12.1¥: 9.5王I然后彈出以下窗口點擊OK即可，版面上就生成與原schematic電路圖相對于尺寸的MOS管，如下圖注：可以不gen from source而直接在畫版圖的版面按快捷鍵I添加layout器件， 再修改尺寸，這樣也可以通過 LVS（經(jīng)過測試即使版圖中MOS的編號和schemati4的不同，但是最終輸出子電路中 MOS管編號跟schematic1相同的）選擇那四個綠色的方Ig和紫色的線，按 delete刪除，刪除后就剩下四個MOS管。按shift+F將MOS管轉(zhuǎn)換為可視的layout結(jié)構(gòu)，并用M快捷鍵來移動MO

36、S管, 此時整個版面上就剩下四個 MOS管了， （ Ctrl+F可以還原為Schematic結(jié)構(gòu)） 如下圖自二期工具欄左邊的放大鏡可以放大和縮小，或者使用快捷鍵Z（放大），shift+z縮?。ò戳?Z鍵要選某一個區(qū)域才能放大，不是直接放大與縮小）接下來開始畫圖:1、 畫PMOS管和NMOS管相連的柵極（用LSW窗口中得POLY1來畫）選中POLY1 drw然后點版圖，然后按R（畫方框），Q屬性可以看到是dg（在空白處）按S鍵，鼠標移到矩形框的邊，就能修改矩形框。修改之后讓矩形框與PMOS管NMOS管的柵極對齊。（一定要對齊，不然DRC 報錯）放大可以看到他們是否對齊，這樣的是對齊的。這樣就是沒

37、對齊。畫好POLY1以后如下圖2、畫金屬走線LSW 中的 metallP（走線），然后按F3（設(shè)置線CONT忖E |OK OncK | Apply 陋 AUnbuUrCi削板閥皿凱 帆加由于該電路簡單，只需要一層金屬即可，所以只需要 在LSW中選中METAL1 drw ,然后點版圖，然后按 寬為0.5） , Q屬性可以看到是dg畫完后如下圖（注意金屬要整個覆蓋住 MOS管的D端，接觸面積大才能保證電 流）3、畫POLY1和metall之間的連接不同材料之間相連要打孔。比如Metall和polyl相連，就選M1_POLY1 , Metall 和Metal2相連就選M2_M1 , NMOS的襯底接

38、觸和體相連用 M1_SUB, PMOS 管的襯底接觸和體相連而 M1_NWELLLSW中選中poly1-drw,按P,按F3,設(shè)置為0.5寬度，畫一段poly然后在這段poly上打孔，按字母。鍵,彈出以下窗口在Contact Type這里選擇 M1_POLY1,Rows這里輸入2,然后回車 （鼠標右鍵可以旋轉(zhuǎn)器件）將這個通孔放于之前的polyl上然后metall與這個通孔相連即實現(xiàn)了金屬1層與polyl之間的連接I也接下來輸入信號in這里也要這樣畫，畫好之后的整體圖如下4、畫襯底接觸這里要分別畫PMOS管的襯底接觸和NMOS管的襯底接觸。按快捷鍵字母O, 在Contact Type這里選擇 M

39、1_SUB,這個是NMOS管的襯底接觸。按快捷鍵字母O,在Contact Type這里選擇M1_NWELL ,這個是PMOS管的襯 底接觸。5、給PMOS管打阱因為現(xiàn)在是P阱工藝，整個畫圖的版面就是一個 P型襯底，而NMOS管是做在 P型襯底上面的，所以畫NMOS管的時不需要畫阱，而畫PMOS管時要畫nwell（即 它的襯底），nwell要包圍住PMOS管和它的襯底接觸。hvw訴TI在LSW中選中NWELL-drw，按R,畫矩形框，如下圖6、畫管腳PIN在LSW 中選中metall pin.1一一 二， | 卜I 購 METAL1|pin11 H METALSpin L彈出以下窗口接著點擊空白

40、處，然后按快捷鍵在Label這里輸入名稱（注意這個名稱要與schematic圖中節(jié)點的名稱要相同），Height這里設(shè)置字體的高度，F(xiàn)ont這里設(shè)置 字體的樣式，然后按回車，將 PIN腳擺放到正確位置7、補全其它連線因為上圖并不完整，還有很多連線沒有連。在熟悉版圖畫法之后這一步是放在 前面做的，因為我們熟悉畫法后就知道哪里是VDD、gnd、輸入和輸出畫完這個7步驟以后點左邊工具欄的SAVE保存，然后就可以進行后面的DRC、 LVS 和 PEX 了。補充知識-多層金屬連線:（以下講解兩層金屬 metall和metal2的布線）由于金屬走線經(jīng)常會交叉，所以單層金屬是不夠的，這就涉及到多層金屬的布線

41、metal2 drw是金屬層2metall和metal2之間用通孔 M2_M1畫版圖一些技巧：1、所有的MOS管最好同方向（豎方向），不要有有橫有豎。最好是PMOS管放 一起（比如一起放上面），NMOS管放一起（一起放下面），不一定是按照schematic 電路圖上的MOS管順序來擺放。2、走線不要穿過MOS管，要繞過去。3、單排襯底接觸最長不要超過100um,比較敏感的管子要多加些接觸（兩排或多 排），襯底接觸少了電阻會大。一般情況我們采用單排襯底（即rows或columns=1） 4、橫線用金屬2,豎線用金屬1,金屬越寬電阻越小。我們一般取0.5u寬度。寄生電容與發(fā)生寄生電容的兩導(dǎo)體面積成

42、正比，因此線寬就0.5u夠了（能承受1mA）,不需要再大。（TED）5、版圖的PMOS管和NMOS管 源極和漏極是不區(qū)分的，上下的 poly1都是柵 極。6、襯底接觸一般在下面畫一排接觸即可，對于數(shù)?；旌想娐纺硞€MOS管是特 別敏感的那用襯底全包圍。7、走線盡可能短，盡量畫的緊湊，減少延時 。8、盡量不用POLY來走線，如果兩個柵極之間具體太長，中間用金屬走線。poly 的長度最多是 3-5um。9、同一層Metal之間的距離要大于最小值 0.23um, 一般是設(shè)置成大于0.5um。比如兩條metall走線之間的距離要大于0.5um。10、PMOST的襯底全部接VDD NMOST的襯底全部接地

43、各種器件之間的距離：1、PMOS管和NMOS管之間的距離一般控制在1um以上，太近DRC報錯2、兩個不同電壓nwell之間的距離要大于1.4u,因此一開始要預(yù)留5um3、Nwell和NMOS管之間的距離推薦是大于1u4、Nwell和襯底接觸以及PMOS管的距離0.5u左右5、襯底接觸和mos管距離一般設(shè)置為0.5u電容和電阻器件不選擇analoglib里面的cap和res（這兩個是理想電容電阻），電 容一般選擇tsmc里面的mimcap,電阻則要看電阻率等具體要求。（TED&黃）快捷鍵K尺寸距離（shift + k撤銷尺寸）S修整M移動選上后右鍵可旋轉(zhuǎn)Z放大（ctrl+z放大兩倍，sh

44、ift +z縮小兩倍）Shift選擇多個器件Shift+F顯示NMOS和PMOS器件的版圖O 打孔（pmos管襯底屬性選擇 M1_NWELL nmos管選擇M1_SUB 金屬和poly 打孔屬性選擇M1_POLY1）三、后端驗證和提取后端仿真首先要DRC,然后LVS,然后PEX提取寄生參數(shù)。最后用Hspice仿 真器仿真提取參數(shù)后的網(wǎng)表。這里主要用到的是calibre工具1、 DRC（上面工具欄中 calibre一選才i Run DRC彈出下面窗口Runset File是RUN DRC時需要填入的一些設(shè)置，方便于下次 RUN,可直接取 消掉DRC主要設(shè)置rules的位置和DCR Run的路徑其

45、余的都默認Rules這里選擇TSMC庫文件中calibre文件下的calibre.drc（這里的DRC Run Directory是自己創(chuàng)建的一個文件夾，su xuecd /home/xue mkdir drc）這里 dcr 改為 verify/dcr"Calibre Interactive - nmDRC v2011.2 34.26然后點擊Run DRC 彈出以下窗口Topee'll inv . a Rg/uiw in B ar mb ChEcks）早 Cell Inv - B Redlte OD erteck F.凡3 -1 %白euiiLl 匐 Cltack Ml.R.

46、l - 1 ResultE： 3 Check. M2.B.1 - 1 ResuH-西 Chflck. M3.P 1 -1 RbwR- W ChflCk M4 R 1 -1 ResuH-F 國 CMck M5,R1 - 1F Ckeck Mg.R-1 - i R©如修-m H Check UTMZOKRJ - 1 Resun（運行完成之后的彈出的窗口）比如點開看，如果是area coverage那就是覆蓋率的問題，這種錯誤不用理會。 上圖中得這8個錯誤是沒關(guān)系的2、Run LVS同樣Runset File點取消 設(shè)置 rules 和 input 的 netlist日伯 Iranscrl

47、plgslupit1 vs 埼r lipRUl«$inputs海WHO幽Ue/|Mk/C9NbE限ilbr號小色. I Vi&w LOOutputsLVS Run DirmcMryRun 日nfngl *|一二一 :(【新】lvs改為verify/lvs【新】lvs改為verify/lvs Calibre Interactive - nmLVS v2011.2 34,26 Calibre Interactive - nmLVS v2011.2_3426帥utsll Layom 壯 N酬夙Nsllrstvs NeUistNgHIM 日衣ad10rlQuip MsRun Cont

48、rolLayout | Netiisfi | H-Cells |TranscriptFlies：mv.sn'.riftl1| 2| 喇BW |Rum LVSF oriTtHt：aPICE Export (roin schematic viewerInputs Netlist 這里選擇 Export from schematic viewer點擊run LVS后彈出以下窗口如果是綠色笑臉則表示LVS通過，表示版圖和schematic原理圖是匹配的，說明 我們的版圖沒有畫錯。如果是紅色臉蛋，表示有錯誤，那要點開看具體的錯誤說 明，再排除錯誤。3、Run PEX同樣Runset File點取

49、消Rules設(shè)置新/home/gengliang/ic/verify/pexInputs-netlist 設(shè)置 Export from schematic view 選上Outputs- extraction type選擇R+C（即提取寄生電阻和電容），format這里選擇 hspice（用于Hspice仿真器仿真）（如果后仿是用spectre仿真器仿真，那么format這里選擇CALIBREVIEW ）SVD6view£iie Iran script 瑩elupRulesExtractian Mode xRC /.ccurac1： 200'Calibre Interacti

50、ve - PEX v2011.2_34.26Accuracy 200No InductanceNetllstNets ReportsSVD 日Exiraction Mode： xRCTransistor Level R + CRun EEXStar! RVERun PEXFormat ELDQ Usa Names Fra h Nd R/C View nefllsl after fex finishesExtraction Type：CALIBREVIEWFile： dindg中EKjnetflstRun ControlTranscriplExtractian Tjjpe： Transiista

51、i Level R * C Nd InduclanceSlart RVEFile Hcff.pex JKtlistViewFile： Icf DSPF> ELDOF PRIMETIME HSIMF ADITRAILTranscnptFormat HSPics Ufe Nam&s From： schematicRun REXSlartRi£E Viewnelllst altar PEX Hn4$hesNEW£ile Iranscript elupQutpuhNets. | ReportsNelli式 | Net GeometryRulesInputsErirac

52、ton Type： mnql第lar Lwl| R C| 即 Mductai聞QulpuURun £.CinlralNeilEEthlels j RBporis SWDB |R + C + CCRulasInputsOutputsRun £ontralTranscriptHbHICtFormat； hshceUse Names From：SCHEMATIC IRun£an|nol |Tr即翔nmNEWOutputs reports這里 選上 generate PEX report和 View report after PEX finishesMM Mels 罔5VD0 Gemal? P£：K 叫EPEX depart Ale vtvjmk.fupdfI Viow Hapcrt srRar FWX InishetLUS Rs-nort Fla invJvx-reportJ V1M ftepal 兩f LS 題甲lw$然后run PEX之后在/home/xue/pex文件夾下面生成三個我們需要用到的文件list （里面是電路的網(wǎng)表）list.pex （里面是各個節(jié)點的寄生參數(shù)）list.DUALINV.pxi （里面是一些