2016年中考試試題匯總解析

1、 、電池 1.1 單選 1 下列哪項不是太陽能電池的主要參數(shù)： （D） A 短路電流 B 開路電壓 C 填充因子 D 電阻率 2、 Schmid 二洗不需要用到的化學品是 （C） A. HF B.HNO3 C.HCl D.KOH 3、 目前車間生產(chǎn)的硅片電阻率大致范圍是： （B） A. 0.1-1 B.1-3 C.3-5 D.5-8 4、 對電池電性能沒有影響的是 （C） A. 硅片厚度 B.車間潔凈度 C 測試儀的準確性 D水導電率 5、 能形成 P 型半導體的摻雜元素是（A） A. 硼 B.磷 C.氮 D.砷 6、 本征半導體是指（C）的半導體。 A 電阻率很高 B 電子濃度與空穴濃度相等

2、 C 不含雜質(zhì)與缺陷 D 電子濃度與本征載流子濃度相等 7、如某材料電阻率隨溫度上升而先下降后上升，該材料為（ 8、約束晶體硅效率提升的主要因素有（ D ）。 A. 正面柵線遮光及光的反射 B.光傳導過程中的損失 C.載流子的內(nèi)部及表面復合 D.以上都是 9、SE 電池是在哪一步驟印刷磷漿（ A ）。 A. 一洗后 B.擴散后 C.二洗后 10、在太陽光中的可見光波段，哪種顏色的光所占百分比最高（ A. 紅 B.黃 C.綠 D.紫 11、單晶 SM125 的面積是（A ） cm2。 13、 在我司電池生產(chǎn)線，多晶硅片酸制絨后顯微鏡下觀察其外觀形貌是（ C ）。 A、蜂窩狀 B、金字塔狀 C、蟲

3、孔狀 D、光滑平面 14、 下列關(guān)于多晶硅太陽能電池制絨后表面“暗紋”表述錯誤的是（ C ） A “暗紋”區(qū)域少子壽命降低， EL 及 QE 變差。 B “暗紋”一般出現(xiàn)在晶粒范圍內(nèi)。 C “暗紋”由于 QE 變差會導致電池效率的下降，解決此問題的根本辦法是改善制絨技 術(shù)。 D 在形成初期彼此不相連的腐蝕坑洞，隨著腐蝕的加深，腐蝕坑洞不斷變大，并逐漸 連成一條線，形成“暗紋”。 15、 _ 是衡量電池輸出特性的重要指標， 其值越大表明太陽能電池的輸出特性約好。 _ （A ） 2016 年中考試試題匯總 A.金屬 B.本征半導體 C.摻雜半導體 C ）。 D.高純化合物半導體 D.鍍膜后 A、1

4、54.83 B、148.76 12、電池車間純水電阻率要求在（ A、16 B、16.5 C、243.28 D、238.95 C ) M Q以上才能生產(chǎn)。 C、17 D、17.5 16、一次清洗制絨后的多晶硅片用 去中和殘留的酸液，用鹽酸去除金屬離子，用 去除硅片表面的氧化層，用去離子水通過漂洗的方式去除可溶污染物， 借助工藝氣體將硅片 表面吹干。（D ） C、NaOH HCI D、NaOH HF 17、 多晶一次清洗工藝流程是（ A ）。 A、 去損傷層并制絨T中和殘留酸T去金屬離子、去氧化層T吹干 B、 去損傷層并制絨T吹干T去金屬離子、去氧化層T中和殘留酸 C、 去損傷層并制絨T去金屬離子

5、、去氧化層T中和殘留酸T吹干 D、 去損傷層并制絨T中和殘留酸T形成氧化層T吹干 18、 硅太陽能電池片典型厚度在（ A ）之間。 A、180 m- 260 卩 m B、300 卩 m -450 卩 m C、60 i m -150 i m D、430 1 m- 580 1 m 19、 采用什么方法可以增加電池片對太陽光的吸收？分別體現(xiàn)在哪些工藝段？ （ D ） A、 降低表面反射。清洗制絨 B、 改變光在電池體內(nèi)的路徑。一一制減反射膜 C、 采用背面反射。一一印刷鋁背場 D、 以上都是 20、 單晶硅中，堿腐蝕速度最慢的晶面是 _ 。（ B ） A、（110） B、（111） C、（100）

6、D、（101 ） 21、 _ 光具有 _ 和 兩種特性。（C ） A、波動性、光動性 B、波動性、浮動性 C、波動性、粒子性 D、粒子性、光動性 22、 目前單晶硅太陽電池的實驗室最高效率為 _ ，由澳大利亞新南威爾士大學創(chuàng)造 并保持。（D ） A、17.8% B、30.5% C、20.1% D、24.7% 23、 下列哪項不屬于太陽能開發(fā)利用的特點 ( D ) A、數(shù)量巨大 B、安全 C、分散性 D、效率咼 24、 下列選項中， 不屬于印刷過程常見的印刷不良有（ D )。 A、漏漿 B、斷柵 C、印刷不全 D、色差 25、 二次清洗工藝的作用：用 _ 去除擴散工序在硅片表面形成的磷硅玻璃層。

7、 （B） A、HCl 酸 B、HF 酸 C、NaOH 溶液 D、異丙醇 26、 太陽光譜主要是分布在哪一個波段？（ C ） A、200nm 以下 B、200-900nm C、900nm-1200nm D、1200nm 以上 27、 不是串聯(lián)電阻的來源是 （D） A 半導體的體電阻， B 電極及互聯(lián)金屬電阻， C 電極與半導體之間的接觸電阻 D 旁路電阻 28、 正常生產(chǎn)過程中，擴散源三氯氧磷需要在恒溫 _ 下進行保存。（C ）。 A、25C B、30C C、20C D、15C 29、 太陽電池是利用半導體一的半導體器件（C）。 A.填充因子 B. 短路C. 開路D. 光譜A、NaOH HNO3

8、 B、HF NaOH A .光熱效應 B.熱電效應 C.光生伏特效應 D.熱斑效應 30、 隨著溫度的上升，短路電流有所增加，這是由于半導體的 是隨溫度的上升而減小， 這使得光吸收增加，從而導致載流子的增多，最終使短路電流增加 （B ）。 A 擴散濃度 B 禁帶寬度 C 電子數(shù)量 D 雜質(zhì)濃度 31、 當光照在半導體上時，光所具有的能量被 吸收，使其可以躍遷到更高的能級。（ A） A 電子 B 空穴 C 質(zhì)子 D 少子 32、 電極附著力測試拉力為，電池主柵線焊接引線經(jīng)過不小于（ ）的拉力，背面焊接拉 力不小于（），（C）o A、3N/2N B、2N/3N C、4N/3N D、3N/4N 33

9、、 費米能級代表電子的填充情況， 摻進的施主雜質(zhì)越多，電子濃度越高， 相應的費米能級 就 _ o （ B ） A、越高 B、越低 C、先升高后降低 D、先降低后升高 34、 黑暗環(huán)境中在太陽電池兩端電極加上反向電壓 V，產(chǎn)生的電流稱之為 _ （ C ） 中 A、反向飽和電流 B、漏電流 C、暗電流 D、以上都不是 35、 硅片在電池工藝過程中受到金屬污染，容易造成的復合是 _ o （ B ） A、俄歇復合 B、復合中心復合 C、輻射復合 D、界面復合 36、 我司太陽能電池多晶制作工藝中，庫特勒一洗 M2 槽的主要作用是（ B） A.清洗硅片 B 去除硅片損傷層并制作絨面 C.去除硅片表面雜質(zhì)

10、 C 去除金屬離子 37、 氣體擴散法是將含有磷的氣體在高溫（ B）度下向硅片進行擴散。 A、 200-400 B、 800-900 C、 1000 1500 D、 2000 5000 38、 我司鍍膜后產(chǎn)生大量大面積發(fā)紅返工片，應（ D） A.減小第一層膜工藝時間 B 增加第一層膜工藝時間 C 減小第二層膜工藝時間 D 增加第二層膜工藝時間 39、 太陽能電池供給負荷的電力在電流流動時從電極到半導體容體內(nèi)的電阻焦耳熱的 （C ）o A.復合損失 B.反射損失 C.串聯(lián)電阻損失 D.體面復合損失 40、 正常生產(chǎn)過程中， PECVD 的石墨舟使用（C）次清洗一次。 A、50 B、70 C、90

11、 D、150 41、 PECVD 減反射的原理是 _ o （ A ） A、利用光程差形成相消干涉。 B、形成陷光效應。 C、利用光程差形成衍射。 D、SiH 膜具有吸光效應 42、 影響金屬電極和硅之間的接觸電阻最直接的工藝是 （C ） A.刻蝕工藝 B.印刷工藝 C.燒結(jié)工藝 D.鍍膜工藝 43、 環(huán)境溫度升高，電池片的電流會 _ 電壓會 _ （ B ） A、不變 降低 B、升高 升高 C、升高 降低 D、降低 不變 44、 電子許可占據(jù)的能帶叫 _ ，允許帶與允許帶間不許可電子存在的范圍 叫 _ o （A ） A、允許帶 禁帶 B、禁帶 允許帶。 C、允許帶 能帶 D、禁帶 能帶 45、

12、電池燒結(jié)過程中出現(xiàn)弓片是由于冷卻過程中漿料的 _ 高于硅。（C） A、揮發(fā)速度 B、結(jié)晶速度 C、熱膨脹系數(shù) D、溫度 46、 太陽能電池開路電壓與光強的關(guān)系（ C ） A.線性關(guān)系 B平行關(guān)系 C.對數(shù)關(guān)系 D.指數(shù)關(guān)系 47、 _ 接觸能形成整流特性接觸和良好的歐姆接觸。 （B ） A、半導體與半導體 B、金屬與半導體63、二洗后檢查是否刻蝕干凈的方法： 冷熱筆測試端必須緊緊靠在 上，看主機面板上 C、金屬與金屬 D、金屬與絕緣體 48、在衡量太陽電池輸出特性參數(shù)中， 表征最大輸出功率與太陽電池短路電流和開路電壓乘 積比值的是 _ 。（ B） 52、 太陽電池方陣安裝時要進行太陽電池方陣測

13、試，其測試條件是太陽總輻照度不低于 （D）MW/CM 2。 C、 600 D、 700 隨著 PREC 技術(shù)的應用，電池轉(zhuǎn)換效率將會明顯提升, ，多晶 ，單晶電池組件的技術(shù)優(yōu)勢將明顯增強 B、0.8%1%, 0.6%0.8% D、0.6%0.8%, 0.8%1% 54、 下面哪個不試驗屬于組件的可靠性實驗（ A、室外曝曬試驗 B、落球沖擊試驗 55、 用 DSC 法進行交聯(lián)度測試時，是利用 A.熵變 B.焓變 56、 在鍍膜工序，什么情況下，可以大概判斷為工藝腔掉片（ A、一橫排膜厚偏低 B、一豎排膜厚偏低 C、一橫排膜厚偏高 D、一豎排膜厚偏高 57、 下列對硅烷的描述中，哪項是錯誤的 （D

14、 ） A、在空氣中自燃 B、可以與氯氟發(fā)生反應 C、吸入后會引發(fā)頭暈、惡心 D、硅烷引起的燃燒可以用水來澆滅 58、 下列哪種情況發(fā)生不會導致漿走不到前限位（ D） A.電極與石墨舟電極孔沒有對準 B.漿的馬達故障 C.石墨舟方向反了 D.爐管內(nèi)溫度沒有到達設(shè)定值 59、 下面關(guān)于蝶閥的敘述不正確的是： （D） A.蝶閥通過控制開度的大小來控制爐管內(nèi)的壓力 B. 蝶閥出現(xiàn)故障時，可以嘗試讓蝶閥自動學習來解除故障 C. 蝶閥卡死，可能是因為管道內(nèi)的氮化硅粉末太多 D. 設(shè)備斷電后，蝶閥最容易卡死 60、 單晶制絨工序中所用到的化學品是（ C） A HCl B HNO 3 C NaOH D HF

15、61、 多晶制絨工序中所用到的化學品是（ B） A、轉(zhuǎn)換效率 B、填充因子 C、光譜響應 49、 太陽能電池片被摻雜了磷的那部分，稱為： A、耗盡區(qū) B、N 區(qū) C、 ( P-N 結(jié) D、P 區(qū) D、方塊電阻 B） 50、 硅的帶隙能量為 （B） A、1.0eV 51、 太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中，（ 負載供電的這一現(xiàn)象。 A、孤島效應 B、光伏效應 B、1.1V C.、1.2eV 指在電網(wǎng)失電的情況下, 1.3eV 發(fā)電設(shè)備仍作為孤立的電源對 C、充電效應 D、霍爾效應 A、 400 B、 500 53、PERC 技術(shù)在行業(yè)刮起一陣颶風, 尤其是在單晶電池上，效率將提高 (A )。 A、0.8%1

16、%, 0.5%0.6% C、0.8%1%, 0.5%0.8% D） C、熱循環(huán)試驗 EVA 交聯(lián)反應前后的 C 基辛 質(zhì)量差 D、電性能試驗 （B）來計算其交聯(lián)度的。 D.耗氮量 B） 63、二洗后檢查是否刻蝕干凈的方法： 冷熱筆測試端必須緊緊靠在 上，看主機面板上 A HCl B HF/HNO 3 C NaOH D H 2O2 62、 一洗制絨的最主要目的是（ B） A 清洗硅片表面臟污 B 硅片表面形成陷光結(jié)構(gòu) C 增加硅片的反射率 D 在硅片表面形成一層保護膜 顯示“ _ ”為合格，否則不合格。（A ） A 硅片邊緣/P B 硅片中心/N C 硅片中心/P D 硅片邊緣/N 64、 多晶

17、一次清洗的工藝流程是（ D ） A 去損傷層并制絨T中和殘留酸T形成氧化層T吹干 B 去損傷層并制絨T吹干T去金屬離子、去氧化層T中和殘留酸 C 去損傷層并制絨T去金屬離子、去氧化層T中和殘留酸T吹干 D 去損傷層并制絨T中和殘留酸T去金屬離子、去氧化層T吹干 65、 在我司電池生產(chǎn)線， 現(xiàn)行單晶硅片酸制絨后減薄量范圍以及其在顯微鏡下呈現(xiàn)的外觀形 貌是 （A ） A 0.5-0.75g/ 金字塔 B 0.5-0.75g/ 蟲孔狀 C 0.75-1.0g/ 金字塔 D 0.75-1.0g/ 蟲孔狀 66、 多晶制絨工藝中正常要求減薄量范圍為 3.4-3.6 卩 m,若生產(chǎn)過程中減薄量為 3.9

18、卩 m, 鍍膜時間需如何調(diào)整（B ） A 鍍膜時間增加 B 鍍膜時間減少 C 鍍膜時間不變 D 以上答案均不對 67、 太陽能晶體硅電池，正常工藝條件下反射率最低的波長范圍以及屬于什么波段（ B ） A 300-400nm/ 紫外光 B 550-700nm/ 可見光 C 400-500nm/ 可見光 D 800-1000nm/ 紅外光 68、 多晶一次清洗工序中 HF/HCI 酸洗槽的主要作用是（ D ） A 去損傷層 B 形成絨面 C 漂洗 D 去金屬離子和氧化層 多選 1、 機械損傷層包括：（ABC ） A.碎晶層 B.位錯網(wǎng)絡(luò)區(qū) C.彈性應變區(qū) D 摻雜區(qū) 2、 腐蝕效果的主要影響方式：

19、 （ABCD ） A 腐蝕液的類型 B 腐蝕液的配比 C 腐蝕溫度 D 硅片放置的方式 3、 減反射層薄膜材料的要求有： （ABCD ） A.透光性好 B 對光吸收系數(shù) C 良好的耐化學腐蝕性 D 良好的硅片粘結(jié)性 4. 常用的減反射膜制備方法有： （ABCD ） A.硅材料的禁帶寬度 Eg=1.12ev B.鍺材料的禁帶寬度 Eg=0.67ev 7、.擴散后出現(xiàn)麻點或小藍點，可能是什么原因?qū)е拢?（ ADE ） A、一洗未甩干或未吹干 B、擴散氣流量過大 C、爐管密封性不好 D、環(huán)境濕度過大 E、爐管長時間未清洗 8、 鍍膜顏色不均勻，以下哪種說法正確？（ ABCD ） A、硅片表面形貌差異

20、過大 B、插片未插好 C、工藝氣體流量不足 D、石墨舟未及時清洗 9、 多晶二次清洗工藝減薄厚度與哪些因素有關(guān)？ （ ABCD ） A 化學氣相沉積（CVD ） C 噴涂熱解 5. 下面哪些是間接帶隙B 等離子化學氣相沉積（ D 濺射 （AB） PECVD ) C.磷化銦材料的禁帶寬度 Eg=1.35ev 6. 制作絨面主要原理是（ AC ） A、降低反射率 D. 化鎵材料的禁 A、帶速 B、槽內(nèi)溫度 C、槽內(nèi)溶液配 10、 單晶制絨后花斑的主要原因有以下幾點： （ABC ）D、外圍抽風 A、硅片在切片后沒有徹底地清洗干凈，表面殘留有機物，殘留有機物的地方與化學藥品反 應速度比較慢，造成絨面不

21、均勻，出現(xiàn)花斑的現(xiàn)象。 B、制絨液在長時間使用，制絨液里硅酸鈉的濃度過高，阻礙制絨液與硅片的反應，造成花 斑。 C、由于制絨液的濃度和溫度不均勻，使得化學藥液與片的反應速度不一致，造成絨面不均 勻，出現(xiàn)花斑的現(xiàn)象。 D、制絨時純水的電阻率偏低 11、低并聯(lián)報廢產(chǎn)生的原因可能(ABCD ) A、二洗刻蝕不良 B、 絲印漿料污染 C、片子存在隱裂 D、 過燒 12、背電場的功能有哪幾種？（ ABC ) A、收集載流子 B、 形成 P+ P 層 C、對長波形成反射 D、 形成電極 13、 絲網(wǎng)的技術(shù)參數(shù)一般包括絲 _ 等。（ABCD ） A、網(wǎng)版目數(shù) B、絲網(wǎng)絲徑 C、絲網(wǎng)開口率 D、絲網(wǎng)的厚度 1

22、4、 鋁漿的主要成份有哪些 （ABCD ） A、鋁粉 B、無機粘合相 C、添加劑 D、有機載體 15、 測試儀反應出串聯(lián)電阻偏高，可能與那些元素有關(guān)？ （ ACD ） A、擴散方塊電阻較高 B、二洗減薄偏低 16、 背電場的功能有哪幾種？ （ ABC ） A、收集載流子 B、形成 P+ P 層 C、對長波形成反射 D、形成電極 17、 以下屬于導致擴散后方塊電阻值偏高的原因的有（ ABCD ） A、擴散溫度偏低 B、源量不夠 C、源溫低于 20 C D、石英管未飽和 18、 半導體的哪些參數(shù)決定了方塊電阻？（ BD ） A、缺陷 B、摻雜濃度 C、晶體結(jié)構(gòu) D、結(jié)深 19、 下列太陽能電池照度

23、特性的敘述正確的是（ A、 短路電流 Isc 與照度成正比 B、 填充因子 FF 與照度成反比 C、 開路電壓 Voc 隨照度的增加而緩慢增加 D、 最大處理功率 Pmax幾乎與照度成比例增加 20、 載流子在半導體內(nèi)的運動方式有哪幾種？（ A、漂移 B、擴散 C、無規(guī)則熱運動 21、 本征缺陷包括（ABC ）中 A、格點位置上缺少一個原子的空位缺陷 C、較大尺寸范圍的有位錯 22、最近兩三年來，有關(guān)第三代太陽電池的報道很多，而高效、薄膜新概念太陽電池被稱為 第三代太陽電池。新概念太陽電池包括以下幾種類型（ ABCD ） C、絲印網(wǎng)版使用壽命過長 D、測試儀測試探針壓合存在問題 ACD )。

24、AB ） D、化學鍵替位 B、格點上原子排列倒置的反位缺陷 D、雜質(zhì)原子代替晶體的基質(zhì)原子的雜質(zhì)缺陷 A、中性、 B、高能量 C、離子化的氣體， D、包含中性原子或分子、帶電離子和自由電子 25、 用于太陽能電池的半導體材料有（ ABC） A. 單晶硅 B. 多晶硅 C. 非晶硅 D. 微晶硅 26、 PECVD 沉積減反射膜的優(yōu)點是：（ AB） A. 襯底溫度低 B. 淀積速率高 C. 襯底溫度高 D. 淀積速率低 27、 印刷出現(xiàn)漏漿是由于以下原因?qū)е拢?A、B、D） A. 印刷間隙過小 B. 回料刮刀下壓位置過低 C. 印刷速度過慢 D. 網(wǎng)版破損 28、 .為了使太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率

25、高，必須具備（ ABC） A.高電流 B.高電壓 C.低的寄生串聯(lián)電阻 D.低的寄生并聯(lián)電阻 29、 我司用到的擴散設(shè)備有哪幾種？ （ ABC ） A、四十八所擴散爐 B、捷佳偉創(chuàng)擴散爐 C、centretherm 擴散爐 D、tempress 擴散爐 30、 背電場的功能有哪幾種？ （ ABC ） A、收集載流子 B、形成 P+ P 層 C、對長波形成反射 D、形成電極 31、 .更改 CT PEDVD 的 TAP 模式，設(shè)備哪個參數(shù)會發(fā)生變化（ A、B） A、電流 B、電壓 C、功率 D、占空比 32、 PECVD 鍍膜發(fā)白，以下說法正確的是 _ 。（ BC ） A、 如膜厚過厚，應調(diào)整第

26、一層鍍膜時間。 B、 如膜厚過厚，應調(diào)整第二層鍍膜時間。 C、 如薄膜折射率過高，應調(diào)整第一層鍍膜時間。 D、 如薄膜折射率過高，應調(diào)整第二層鍍膜時間。 33、 擴散摻雜濃度會對光的量子效應造成影響，以下說法正確的是 _ 。（ A、B ） A、 輕摻雜可以提高短波響應。 B、 重摻雜可以提高長波響應。 C、 輕摻雜可以提高長波響應。 D、 重摻雜可以提高短波響應。 34、 組件抗 PID 性能在近幾年來備受客戶關(guān)注 ，其主要影響因素有（ ABCD ） A、外部環(huán)境（高溫、高濕） B、系統(tǒng)接地方式 C、電池片生產(chǎn)工藝 D、組件封裝材料和工藝 35、 可靠性試驗是對產(chǎn)品進行可靠性調(diào)查、分析和評價的

27、一種手段。試驗結(jié)果為故障分析、 研究采取的糾正措施、判斷產(chǎn)品是否達到指標要求提供依據(jù)。 通常慣用的分類法，是把它歸 納為五大類（ABCDE ） A、環(huán)境試驗 B、壽命試驗 C、篩選試驗 D、現(xiàn)場使用試驗 E、鑒定試驗 36、.隨著風沙環(huán)境加劇，越來越多的客戶開始關(guān)注組件抗風沙能力，為了能更好模擬不同 地區(qū)風沙情況，在設(shè)計實驗時須考慮（ ABD ）等關(guān)鍵變量。 A 沙子粒徑 B.沙子硬度 C.沙子形狀 D.輸沙量 A、量子阱、量子點太陽電池 C、熱載流子太陽電池 23、 鋁背場的作用是（BCD ）。 A、作為背面的金屬電極 C、提高電池的開路電壓 24、 等離子體的含義（ ABCD B、多帶隙太

28、陽電池 D、碰撞離化太陽電池 B、形成良好的歐姆接觸 D、提高太陽光的收集效率 ）。 37、 近年來，N 型硅太陽電池由于其優(yōu)越的性能越來越受產(chǎn)業(yè)界的關(guān)注，其主要優(yōu)勢有 （ABCD ） A、發(fā)電量高 B、無光致衰減 C、質(zhì)量可靠性高 D、弱光響應好 38、 一次清洗與二次清洗都會用到 HF，主要是因為其具有 _ 、 _ 、 _。（ BCD ） A 較強的酸性 B 較弱的酸性 C 揮發(fā)性 D 較強的腐蝕性 E 較弱的腐蝕性 39、 二次清洗的主要目的是（ AB ） A 去除磷硅玻璃，降低表面復合 B 去除背面擴散到的磷，防止短路 C 形成絨面，降低表面反射率 D 形成保護膜 E 去除機械損傷層

29、40、 多晶一次清洗和二次清洗工藝減薄量與哪些因素有關(guān)（ ABCD ） A 帶速 B 槽內(nèi)溫度 C 槽內(nèi)溶液配比 D 外圍抽風 E 硅片自身厚度 41、 采用何種方法可以增加電池片對太陽光的吸收（ BCD） A 擴散時采用 POCI3源在硅片表面形成一層磷原子 B 一次清洗時利用 HNO3/HF 或者 NaOH，在多晶或者單晶硅片表面形成絨面, C PECVD 工序利用 SiH4/NH3在硅片表面形成 SiNx膜 D 印刷工序在電池背面印刷鋁漿 判斷 1一洗減薄量偏低加 HF 酸，減薄量偏高加 HNO3 o （X） 2擴散磷源快用完時硅片方阻會偏高。 （V） 3二洗過刻只與刻蝕槽液位有關(guān)。 （

30、X） 4鍍膜 SiNx顏色是由膜厚決定的。（X） 5絲印工段的印刷質(zhì)量對電池片串阻、并阻、短路電流等都有影響。 （V） 13、 燒結(jié)溫度過高會導致串聯(lián)電阻升高，燒結(jié)溫度過低會導致串聯(lián)電阻降低。 （X） 14、 方阻越高，結(jié)深就越淺，在燒結(jié)時電池片越容易燒穿。 （V ） 15、 二次印刷提升效率主要是提升了開路電壓。 （X） 16、 甩干過程中，為節(jié)省時間，可以在未到設(shè)定時間的情況下強行停止甩干。 （X） 17、 一洗生產(chǎn)過程中出現(xiàn)疊片，可以用無塵紙擦干水珠后正常流入擴散。 （X） 18、 HF 酸和硅有緩慢反應，也會對硅片有腐蝕，擴散后如濃度太高或時間過長，硅片表面 也會腐蝕掉一些，會導致方塊

31、電阻偏小。 （X） 19、 鍍膜顏色越深表示膜越薄，顏色越淺表示膜越厚。 （V） 20、 庫特勒二洗每個槽作用和斯密德二洗一樣。 （X） 21、 多晶硅片酸制絨后比單晶堿制絨硅片要暗。（ X ） 22、 清洗工序涉及到的危險化學品中沒有 H2SO4。（ V ） 23 單面擴散的片子在二洗擴散面放反的話燒結(jié)后效率為 0. （ X） 24、 一洗減薄量的下限是由機械損傷層來決定的。 （ V ） 25、 各向異性腐蝕主要用于單晶硅絨面制備。 （V） 26、 我司多晶制絨后絨面是蟲孔狀。（V） 6、 7、 二洗后硅片表面殘留有水跡，用無塵紙擦干后可正常流入 濕法刻蝕與等離子刻蝕機原理是一樣的。 （X

32、） 單晶減薄量過低若不調(diào)整鍍膜工藝，則鍍膜后的硅片會發(fā)紅。 過刻會導致短路電流的下降。 （V） PECVD o ( X ) (V) 10、 二次清洗后如硅片放置時間過長， 表面會被氧化， 從而影響 膜時，膜越厚薄膜的顏色越深，膜越淺薄膜顏色也越淺。 PECVD 效果, ) PECVD 鍍 11、燒結(jié)溫度過低可能致鋁珠和鋁包。 （X ） 12、燒結(jié)的目的：干燥硅片上的漿料，燃盡漿料的有機組分, 使?jié){料和硅片形成良好的歐姆 27、 電池生產(chǎn)中化學用品 HNO3 的主要作用是去除金屬離子。（X） 28、 PECVD 設(shè)備報警退舟后，能通過補鍍來完成完整的氮化硅膜沉積。（V） 29、 處理絲印返工片時

33、，可將有異常的一面漿料擦凈后，單獨流下。（X） 30、 在所有電性能參數(shù)中，只有電壓和電流是測量值，其他參數(shù)均是計算值。（V） 31 逆變器是通過二極管的導通和截止作用來實現(xiàn)整流交換作用。 32.串聯(lián)電阻越大，填充因子越小，并聯(lián)電阻越大，填充因子越大。 （“ 33可逆流聯(lián)網(wǎng)型光伏發(fā)電系統(tǒng)允許通過供電區(qū)變壓器向主電網(wǎng)供電。 （“ 34使用絕緣耐壓測試進行絕緣實驗時， 其電壓上升速率不得大于不大于 300V J. （X） 35我司依據(jù) IEC61215 開展的環(huán)境測試項目有濕熱試驗、濕凍試驗、熱循環(huán)試驗、加速老化 試驗和紫外預處理試驗。 （X） 36、 二次清洗后如果硅片放置時間過長，表面會被氧化

34、，從而影響 PECVD 效果。（V ） 37、 單晶一次清洗絨面不良硅片表面有白斑是因為 NaOH 濃度偏高，腐蝕過度造成的。（X ） 38、 單晶制絨采用的腐蝕原理是各向異性；多晶的腐蝕原理是各向同性。 （V ） 39、 從二洗清洗去 PSG 槽后的風干槽取一片硅片，觀察硅片表面是否沾水，若沾水則表明 PSG 去除干凈，反之未去除干凈。 （V ） 40、 增大多晶制絨的腐蝕量可以使 Voc 和 Isc 提升。（X ） 填空 1太陽能電池理論效率最高為 75%。 2太陽能能量轉(zhuǎn)換方式主要分為光化學轉(zhuǎn)化、太陽能光熱轉(zhuǎn)化和太陽能光電轉(zhuǎn)化三種方式。 3、 磷擴散的工藝：氣態(tài)磷擴散、固態(tài)磷擴散和液態(tài)磷

35、擴散等形式。 4、 單晶硅熔煉方法包括區(qū)熔單晶硅 FZ 和直拉單晶硅CZ。 5、 制絨是利用硅在堿中 各向（異）性腐蝕 特性而在酸中 各向（同）性腐蝕 特性，在 表面刻出類似于金字塔或者是蟲孔狀的結(jié)構(gòu)。 14、 多晶硅片鑄錠工藝主要摻雜元素為 此，而多晶擴散工藝主要摻雜元素為 磷。 15、 等離子體（Plasma）是一種由 自由電子和帶電 離子為主要成分的物質(zhì)形態(tài)，廣泛存在 于宇宙中，常被視為是物質(zhì)的第四態(tài)，被稱為等離子態(tài)，或者 超氣態(tài)” 16、 硅的電阻率與 摻雜濃度 有關(guān)，在一定范圍內(nèi)，電池的 開路電壓 隨著基體電阻的下降 而增加，材料電阻較低時，能得到時較高的開路電壓， 短路電流 則低,

36、總的轉(zhuǎn)換效率較高。 17、 電池表面方塊電阻是由摻雜濃度和 結(jié)深 決定的。 18、 擴散工藝所用的工藝氣體有 pods 02 和 N2 o 19、 擴散的原理是物質(zhì)分子從高濃度區(qū)域向低濃度區(qū)域轉(zhuǎn)移，直到均勻 分布的現(xiàn)象。 20、 太陽電池起源于半導體中的（ ）o當能量（）半導體材料的禁帶寬度的一束光垂直 入射到 PN 結(jié)的表面，6、 添加劑可以使反應均勻，得到細小的金字塔絨面，減小反射率，提升效率，因為添加劑 可以使溶液的 表面張力 _變得很小。 7、 清洗制絨的目的是為了在硅片上獲得 絨面 結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)對降低晶體硅對光的 射率有著重要作用。 &濕法刻蝕水膜不宜過多也不宜過少。 過多

37、時，多余的水流入刻蝕槽導致刻蝕槽 _腐 蝕量下降；過少時, PN 結(jié)不能得到良好的保護。以上都將會導致 增加，影響電池片的性能。 9、 單晶制絨添加劑可以使絨面更均勻，金字塔絨面覆蓋率較大，可減小 是添加劑使溶液的 張力或粘稠度 變得很小。 10、 常見晶體硅太陽電池的正面是 負 極， 11、 燒結(jié)工藝 是將印刷在電池片的正面電極， 燒結(jié)爐燒結(jié)完成其表面電接觸。 12、 分選機將電池片分到錯誤檔的幾個主要原因有 13、 電池串聯(lián)電阻的四大組成部分分別是 觸電阻 。 反向漏反射率，原因 背面 背面電極以及背面場集中在一起通過快速 （光強） 體電極。 ,（溫度），（接觸不良）。 薄層電阻、金屬電阻

38、和接 光子將在離表面一定深度的范圍內(nèi)被吸收，如果結(jié)深（ ）光吸收系 數(shù)a的倒數(shù) 1/ a，入射光在結(jié)附近產(chǎn)生電子空穴對。 光生伏特效應 大于 小于 中 21、 載流子從（）濃度向（）濃度的擴散運動是載流子的重要運輸方式。高 低 簡單 22、 目前我司擴散工藝采用的是（ ）摻（）結(jié)。高 淺簡單 23、 多晶硅片鑄錠工藝主要摻雜元素為 也，而多晶擴散工藝主要摻雜元素為 磷。簡單 24、 刻蝕主要分兩類： _ 和 _ 干法刻蝕 濕法腐蝕 簡單 25、 太陽能利用的基本方式可以分為四大類，分別為（ 光熱效應）、（光電效應）、光化學利 用以及光生物利用。 26、 一洗制絨時添加劑可以使反應均勻， 得到細

39、小的金字塔絨面， 減小反射率，提升效率， 因為添加劑可以使溶液的（ 表面張力）變得很小。 27、 氮化硅膜的作用是（ 減反射）和（鈍化）。 28、 自由電子在運動的過程中如果與空穴相遇就會填補空穴，使兩者同時消失，這種 現(xiàn)象稱為（復合）。 （難） 29、 電池鍍膜工序，自動插片機上片時，花籃的（ U ）型面朝上。 30、 電子空穴對復合是哪三種方式： 輻射復合 、 俄歇復合 、 陷阱復合 31、 N 型半導體主要含有一種 施主 ，如果施主的能級是 ED，施主濃度為 ND，在足 夠低的溫度下，載流子主要是從 施主能級 激發(fā)到導帶的電子。當溫度很低時，只有 很少的 施主 被電離。當溫度足夠高時，施

40、主幾乎全部被電離， 導帶中的電子數(shù)接近于 施主數(shù) 。 32、 擴散摻雜的方式是哪兩種？ 間隙摻雜 、 替位摻雜 33、 雜質(zhì)在帶隙中提供帶有 電子的能級，能級略低于導帶底的能量，和價帶中的電子相 比較，很容易激發(fā)到導帶 中,稱為 電子載流子 。主要含有施主雜質(zhì) 的半導 體，主要依靠 施主 熱激發(fā)到導帶的電子導電 N型半導體。 34、 方塊電阻是由薄層的哪兩個測試參數(shù)決定的？ 摻雜濃度 和 結(jié)深 。 35、 光伏組件光致衰減可分為兩個階段：初始光致衰減和老化衰減。導致初始光致衰減的 主要原因是 P 型（摻硼）晶體硅片中的硼氧復合體降低了少子壽命。 36、 PERC 電池的關(guān)鍵技術(shù)之一的背鈍化，

41、其背鈍化層主要是 AIOx 和 SiNx 。 37、 擴散制結(jié)是生產(chǎn)晶硅太陽能電池不可或缺的一環(huán)， 一般認為，摻雜的物質(zhì)在硅中有兩種 擴散機制： 間隙式擴散 和替位式擴散 。 38、 產(chǎn)品的可靠性包含了 耐久性 、 可維修性 、 設(shè)計可靠性 三大要素。 39、 鈍化技術(shù)中 SiNx、SiO2、AIOx是常見的鈍化薄膜，而場鈍化的實現(xiàn)主要依賴于薄膜中 高 密度的固定電荷。 40、 多晶一次清洗所涉及到的化學品包括 HF、 HNO 3、 KOH、 HCI。 41、 制絨溶液的表面張力減小，反應更加 均勻，從而減少 PECVD 邊角色差的返工片。 42、 濕法刻蝕時，水膜的不易過多也不易太少。過多時

42、， 多余的水流入刻蝕槽導致刻蝕槽藥 液濃度下降，進而 腐蝕量降低：過少時，PN 結(jié)不能得到良好的保護。上述兩種情況均會導 致反向漏電流 的增加，影響電池片的性能。 43、 單晶制絨的化學反應方程式 Si + 2NaOH + H 2O = Na 2SQ3 + 2H?f多晶制絨的化學反應 方程式 3Si + 4HNO 3 = 3SiO2 + 4NO f + 2H?O： 6HF + SiOg = HgSiF + 2H?O。 44、 目前所使用的基底多晶硅片， 其主要的摻雜元素為 硼，而擴散工藝的主要摻雜元素為 磷。 簡答題 1簡述太陽常數(shù)的含義？ 答：太陽常數(shù)：是指大氣層外垂直于太陽光線的平面上，

43、單位時間、單位面積內(nèi)所接受的太 陽能輻射。也就是說，在日地平均距離的條件下，在地球大氣上界，垂直于光線 1cm2的面 2簡述三氯氧磷擴散的原理？ 答：P0CI3 高溫下，分解成 PCI5, PC進一步與氧氣反應生成 P2O5，并放出 CI2, P2O5 淀積在硅片表面與硅反應生成 SiO2和磷原子，并在表面形成一層磷硅玻璃，然后磷原子再 向硅中擴散，形成 N 型層。 3、 晶體結(jié)合的方式有哪些？ 答： 晶體結(jié)合的四種基本方式： 1.離子結(jié)合：原子間交換電子，形成正負離子，之間相互庫侖 作用結(jié)合成固體。2.共價結(jié)合：相鄰原子共用電子對形成共價鍵。 3.金屬結(jié)合：價電子共 有化形成負電子云，正離子

44、浸泡在電子云中。 4.范德瓦爾結(jié)合：發(fā)生在飽和電子結(jié)構(gòu)中， 相互作用靠很弱的瞬時偶極矩。 4、 請簡述制絨的作用： (1) 清除硅片表面沾污； (2) 去除機械損傷層； (3 )進行表面織構(gòu)降低硅片表面反射率。 5、 采用什么方法可以增加電池片對太陽光的吸收？分別體現(xiàn)在哪些工藝段？ 答：(1 )降低表面反射。 一一清洗制絨 (2)改變光在電池體內(nèi)的路徑。 一一制減反射膜 (3 )采用背面反射。一一印刷鋁背場 6、 簡述清洗制絨中異丙醇、添加劑、 HF 酸、HCL 各種藥液的作用？ 答：異丙醇：降低硅片表面張力，減少氣泡在硅片表面的吸附，使金字塔更加均勻一致。 添加劑：a、降低硅表面張力，促進氫

45、氣泡的釋放，是金字塔更加均勻一致。 b、增加溶液的 粘稠度，減弱 NaOH 溶液對硅片的腐蝕力度，增強腐蝕的各向異性。 HF 酸：去除硅的氧化物，使硅片更易脫水。 HCL :去除金屬離子。 7、 太陽電池的光譜響應的意義是什么？請簡答光譜響應的大小取決于哪兩個因素？ 答：太陽電池的光譜響應是指一定量的單色光照到太陽電池上， 產(chǎn)生的光生載流子被收集后 形成的光生電流的大小。因此，它不僅取決于光量子的產(chǎn)額，而且取決于收集效率。 8、 試論述在二次印刷技術(shù)提升電池轉(zhuǎn)換效率的原理。 目前使用的網(wǎng)版主要由不銹鋼編織網(wǎng)制備， 在柵線開口的地方存在不銹鋼經(jīng)緯線交接形 成的結(jié)點，在印刷時由于結(jié)點的阻擋導致柵線

46、高低起伏， 而柵線的電阻由柵線高度最低點決 定，而二次印刷的原理是通過印刷兩次正電極銀漿， 通過結(jié)點錯位來填補柵線高度偏低的地 方，使柵線電阻降低，并且能增加柵線的總體高度，從而降低串聯(lián)電阻。另一方面是在以上 觀點的基礎(chǔ)上可實現(xiàn)更細線條的印刷 ，減少遮光面積，提高短路電流。 9、 簡述光生電流的產(chǎn)生 1、入射光在結(jié)附近產(chǎn)生電子空穴對，離結(jié)區(qū)小于擴散長度內(nèi)的光生載流子通過擴散到達結(jié) 區(qū)，然后和產(chǎn)生于積上，在1分鐘內(nèi)所接受的太陽能輻射能量；約為( 1367 + 1-7)W 加。 結(jié)區(qū)內(nèi)的光生載流子匯集， 在結(jié)電場的作用下 P 區(qū)的電子飄移到 N 區(qū)，N 區(qū)空穴飄移到 P 區(qū)，形成自 N 區(qū)向 P

47、區(qū)的光生電流。 10、 簡述干法刻蝕原理 干法刻蝕是采用高頻輝光放電反應， 使反應氣體激活成活性粒子子或游離基， 這些活性粒子 擴散到需刻蝕的部位，在那里與被刻蝕材料進行反應，形成揮發(fā)性生成物而被去除。它的優(yōu) 勢在于快速的刻蝕速率同時可獲得良好的物理形貌 （這是各向同性反應） 11、 簡述太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng) 太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)是利用光生伏特效應原理制成的太陽電池將太陽能直接轉(zhuǎn)換為電能， 也 叫做太陽電池發(fā)電系統(tǒng)。 太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)有太陽能電池組 （方陣）、控制器、蓄電池組、 直流-交流逆變器、測試儀表和計算機等電力設(shè)備或其他輔助發(fā)電設(shè)備組成。 12、 論述擴散少子壽命偏低的原因 硅片材質(zhì)本身

48、少子壽命低 擴散過程中，PN 結(jié)不均勻或磷吸雜效果不佳 裸手接觸污染硅片 污爐管污染，清潔不及時 環(huán)境潔凈度不達標 13、 測試中的串聯(lián)電阻主要由哪幾個方面組成？ 1材料體電阻（可以認為電阻率為 p的均勻摻雜半導體） 2正面電極金屬柵線體電阻 3. 正面擴散層電阻 4背面電極金屬層電阻 5. 正背面金屬半導體接觸電阻 6. 外部因素影響，如探針和片子的接觸等 14、請畫出太陽能電池等效電路圖 答案： 15、在有氧氣的條件下，磷源擴散的原理。 答案：在有氧氣的存在時， POCI3熱分解的反應式為： 4 POCI3 + 302 _ 2P2O5 + 6CI 2 POCI3分解產(chǎn)生的 P2O5淀積在硅

49、片表面，P2O5與硅反應生成 SiO2和磷原子，并在硅片表面 形成一層磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中進行擴散，反應式如前所示： 2P2O5 + 5Si 5SiO2 + 4P （主要是兩個反應方程式） + 16、 簡述電池片短路電流的損失有哪幾個方面？ 參考答案： 主要有四個方面的原因會造成短路電流的損失。 2. 硅表面的反射使電池對光的吸收減少 ； 3. 上表面的金屬柵電極的遮光 ； 4. 電池的厚度不夠，使得進入電池的一部分具有合適能量的光線從電池背面直接穿出去 ； 第四，太陽電池半導體內(nèi)及表面的復合，以及包括旁路的漏電。 17、 造成捷佳創(chuàng)管式 PECVD 氣體無流量或流量達不到設(shè)定值的原

50、因？（最少列舉 6 條） 答：1.氣體壓力不足。2管道堵塞。3流量計與工控機沒有通訊。 4啟動閥門或電磁閥門未打 開。5流量計線路虛接或折斷。6流量計本身故障 18、 簡述絲網(wǎng)印刷工序中出現(xiàn)的邊緣漏漿和表面漏漿， 并分析晶體硅硅片及電池生產(chǎn)階段可 能產(chǎn)生的漏電原因。 答：邊緣漏漿是指電池片四周沾到漿料，造成 pn型導通，發(fā)生漏電，邊緣漏漿和刻蝕不完 全只看 IR 圖像很難區(qū)分，必須在 SEM 或者基恩士下觀察方能準確判斷；表面漏漿是指電 池片在印刷前有隱裂，印刷時隱裂處沾染上鋁漿，燒結(jié)時鋁漿隨銀漿一起被燒進 PN 結(jié)，而 導致 PN 結(jié)被燒穿，引起的漏電。 產(chǎn)生原因：1）刻蝕不完全或未刻蝕 2

51、）點狀燒穿 3）印刷擦片或漏漿 4）晶界缺陷等。 19、 畫出單晶制絨后的光反射圖并簡述說明該結(jié)構(gòu)的原理。 入射光 原理簡介：此結(jié)構(gòu)主要利用陷光原理。 當光入射到一定角度的斜面時， 光會反射到另一角度 的斜面，形成二次或者多次的光吸收，從而增加硅片本身對光的吸收，提升光電轉(zhuǎn)化效率。 20、請簡述制絨的作用。 答：清除硅片表面的臟污；去除機械損傷層；進行表面織構(gòu)降低硅片表面的反射率， 增加其對光的吸收。 計算題 1、以下是目前 SCHMID 制絨槽以及二次清洗刻蝕槽的化學品的配液、 補液方案，且制絨槽 為 60 萬片更換一次液；刻蝕槽液 100 萬片更換一次啊，請計算經(jīng)過一次清洗和二次清洗每 片

52、硅片共消耗 的 HNO3的量。 制絨槽 刻蝕槽 配槽 補液 配槽 補液 HNO 3 186L 100mL/25 片 HNO 3 126L 280mL/50 片 HF 43L 80mL/25 片 HF 18L 150mL/50 片 H2O 120L H2O 55L 答：一次清洗 HN03 的單耗為： 60 V 1=(186+25 *0.1)/60=0.00431 L 二次清洗 HNO3 的單耗為： 100 V2=(126+ 50 *0.28)/100=0.00573 L 總的單耗量： V=V 什 V 2=0.01004 L 2、對于一個多晶 MM156 電池片，鋁背場的厚度為 50um,金屬鋁的

53、電阻率為 2.83 氷 0-8 m, 求該鋁背場金屬電阻為多少？ 解：鋁背場金屬電阻 R=p l/s ,而對于 MM156 電池片，所以有： R=p l/s=50umx 2.83 X 10-8 2 -15 Q - m/243.36cm =3.4435 X 10 Q 3、 . PECVD 所鍍氮化硅薄膜具有減反射作用，如果電池片的氮化硅膜厚為 90nm,折射率 為 2.1,那么太陽光在哪一個波長的反射為最少？ 解： 光程差公式為：N=n*d=90*2 仁 189 在理想減反射情況下有： N = 4 ,那么 Q4N=4*189=756 即太陽光在 756nm 這個波長反射為最少。 4、 效率提升是

54、我司研發(fā)的主要方向，請問我多晶硅電池 MM156 效率絕對值提升 0.1%能給 公司帶來多大收益？(產(chǎn)量按每月 700 萬片算，電池片價格按 1.70 元/瓦)。 答： 2 2 0.10%*243.28cm *(0.1W/cm )*700 萬片 /月 *12 月 *1.70 元/W=347.4 萬/年 5、 1000 片多晶硅片經(jīng)過制絨后共減重 450g，求消耗硝酸的總量？ (Si 原子量 28, HNO3 分子量 63) 解：硅片經(jīng)過制絨槽與硝酸和氫氟酸反應，反應方程式是： Si + 4HNO 3 + 6HF = 4NO 2 + 4H2O + SiF6 + H2 所以消耗硝酸的總量為 450

55、 X 4X 63- 28=4050 (g) 6、 以下為目前 SCHMID 制絨槽及二洗刻蝕槽的化學品配、補方案，且制絨槽液 60 萬片更 換一次，刻蝕槽液 100 萬片更換一次，請計算 HNO3 的單耗。 制絨槽 刻蝕槽 配槽 補液 配槽 補液 HNO 3 186L 100mL/25 片 HNO 3 126L 280mL/50 片 HF 43L 80mL/25 片 HF 18L 150mL/50 片 H20 120L - H20 55L - - 答：HN03= （186+60 萬*0.1/25 ） /60 萬 + （126+100 萬*0.28/50 ） /100 萬 =0.00431+0.

56、00573 =0.01004L/ 片 7、 我司電池線一次清洗工序使用化學藥品與硅片表面反應，去除硅片表面的機械切割損傷 層。已知某批次多晶硅片（ MM156 ）的平均厚度 200 微米，表面損傷層厚度為 5 微米（兩 面一樣），硅片密度為 2.33 克/cm3.我司用減重法來監(jiān)控減薄量，請問每片硅片減重多少才能 有效去除損傷層？ 計算：硅片面積=15.6*15.6=243.36 （平方厘米） 減重=硅片面積 x密度 x 損傷層厚度=243.36x2.33x（ 0.0005x2）=0.567（克） 答：每片硅片減重 0.567 克才能有效去除損傷層。 8、 假設(shè)廣東地區(qū)全年平均日照幅度 110

57、0W/m2,每天折合 STC 條件的日照時間為 3 小時，效 率為 17.2%的多晶電池片一年平均可發(fā)多少度電？（假設(shè)發(fā)電功率與輻射量成正比， 156 多 晶電池面積 243.28cm2） 17.2% X 243.28/10 X 1100/1000 X 3 X 365/1000=5.04Kwh 9、 多晶 156 電池片正面電極采用 90 根的細柵線設(shè)計，最邊上的柵線到硅片邊緣的距離為 1.5mm，請計算兩條細柵線之間的距離是多少。如果正面采用 3 根寬度為 1.5mm 的直主柵 設(shè)計，細柵線長度為 154.4mm，寬度為 40um，請問柵線的理論遮光面積是多少。 S=156 - （1.5 X

58、 2） - （90-1）=1.719 mm 2 S=1.5X 153X 3+90 X 154.4X 0.04=1244.34 mm 10、 太陽內(nèi)部處于高溫、高壓狀態(tài)，不停地進行著熱核反應，由氫聚變成氦。據(jù)測算，每秒 約有 6*1011 Kg 的氫轉(zhuǎn)變?yōu)楹?，井質(zhì)量虧損約為 4*10 3Kg。根據(jù)愛因斯坦相對論，通過熱核 反應，質(zhì)量可以轉(zhuǎn)化為能量，求解進行熱核反應每秒鐘所生成的能量。 （c 為真空中的光速 8 3*10 m/s） 根據(jù) E=mc2每秒鐘熱核反應所產(chǎn)生的能量 E=4*10 3* （3*10 8m/s） 2=3.6*1020J 11、 下表為 4D 測試擴散后同一爐硅片的方塊電阻測試

59、值， 根據(jù)該表給出的數(shù)據(jù)計算出： 同 一爐硅片方塊電阻的不均勻度與第三片硅片片內(nèi)方塊電阻不均勻度， 并說明是否在控制要求 范圍內(nèi)。（其中 5 號點為中心點方阻） 第一片 第二 片 第三 片 第四 片 第五 片 1 53 55 54 48 56 2 56 56 55 55 54 3 52 54 52 53 53 4 55 53 51 50 52 5 59 60 59 56 63 6 53 53 54 52 56 7 52 54 53 53 55 8 53 53 56 55 54 9 57 54 55 52 56 參考答案： 同一爐方塊電阻不均勻度 =（最大值-最小值）/ （最大值+最大值）*10

60、0% =（63-48）/（ 63+48）X 100%=13.51% 片內(nèi)方塊電阻不均勻度=（最大值-最小值）/ （最大值+最大值）*100% =（59-51 ） / （ 59+51 ）X 100%=7.27% 控制范圍：同一爐硅片方塊電阻不均勻度 10%，同一硅片方塊電阻不均勻度 15kg/m 3 26kg/m 3 。 14、 我司常規(guī)木托盤的靜載要求是：組件包裝用托盤上面放置 1500kg 的重物，24 小時之后 無明顯變形。 15、 我司常規(guī)木箱使用杉木、白松、榆木、桉木以及高強度的白楊膠合板。 16、 EVA 膠膜是乙烯與醋酸乙烯脂的共聚物，它是一種受熱發(fā)生交聯(lián)反應，形成熱固性凝 膠樹脂的熱固性