《模擬電子技術(shù)》模擬試題四.docx

1、精品文檔模擬電子技術(shù)模擬試題四模擬電子技術(shù)模擬試題四.填充題1按擊穿的機(jī)理區(qū)分，PN結(jié)的擊穿分為擊穿和2016全新精品資料-全新公文范文全程指導(dǎo)寫作-獨(dú)家原創(chuàng)2 /42.電路如附圖所示，當(dāng) V=5V時(shí)測(cè)得ID = 2mA；若V增大到10V, ID的值；若 V不變，而環(huán)境溫度降低時(shí)，ID的值。3.由晶體管共射極輸出特性可見(jiàn)， 在放大區(qū)iB不變時(shí),iC隨uCE的增大而略增加，原因是 uCE增大時(shí)基區(qū)有效寬效應(yīng)。4.使直接耦合放大電路產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的原因主要是和元件的5若增大固定偏置共射極放大電路中晶體管的IBQ,該放大電路大減小。6.共集電極放大電路中的輸出電壓頂部被削平時(shí)，電路產(chǎn)生的是失真；乙類功

2、放電路的主要缺點(diǎn)是輸出有7.負(fù)反饋放大電路的fHf(l AF)fH ,適用于反饋環(huán)內(nèi)只有一的電路；負(fù)反饋改善放大電路的性能是為代價(jià)。8. 電容三點(diǎn)式正弦波振蕩電路的主要優(yōu)點(diǎn)是精品文檔主要缺點(diǎn)是9. 為了抑制零點(diǎn)漂移，集成運(yùn)放的輸入級(jí)一般選用放大電路，因此由半導(dǎo)體三極管組成輸入級(jí)的集成運(yùn)放，兩 個(gè)輸入端的外接電阻應(yīng)10. 用集成運(yùn)放組成的非正弦信號(hào)發(fā)生器一般由兩個(gè)部分組成。二.分析計(jì)算題1. 有兩個(gè)相同的基本放大電路，負(fù)載開(kāi)路時(shí)的電壓放大倍數(shù)Aul Au2 50、輸入電阻 R訂Ri2 2k Q、輸出電阻 RolRo2 10k 0,現(xiàn)用這兩個(gè)基本放大電路組成一個(gè)多級(jí)放大電路，并用內(nèi)阻 Rs 2k

3、Q的正弦波信號(hào)源驅(qū)動(dòng)，輸出端接 10kQ的負(fù)載電阻 RL。試求該多級(jí)放大電路的輸入電阻Ri、2016全新精品資料-全新公文范文-全程指導(dǎo)寫作-獨(dú)家原創(chuàng)5/4出電阻Ro、電壓放大倍數(shù) Au及源電壓放大倍數(shù)輸Aus。內(nèi)容需要下載文檔才能查看2. 電路如附圖所示，設(shè) T1、T2特性相同，IDSS=4mA、UGS(off) =- 4V；調(diào)零電位器RW= 2k0,其滑動(dòng)端調(diào)在中點(diǎn)。試計(jì)算:靜態(tài)工作點(diǎn)的值;Aud Ro；若電路改為從 T1的漏極與“地”之間輸出，求這種八青況下的差模電壓放大倍數(shù)、共模電壓放大倍數(shù)、共模抑制比 以及輸出電阻。精品文檔內(nèi)容需要下載文檔才能查看內(nèi)容需要下載文檔才能查3. 電路如附

4、圖所示，已知集成運(yùn)放的性能理想,T2性能一致，輸入電壓是一個(gè)幅度為IV的正弦波信及每個(gè)功放管的功耗 PT。說(shuō)出R2引入什么類型的反饋;試求輸出功率 Po、功放級(jí)的電源消耗功率PV、4.電路如附圖所示。已知集成運(yùn)放性能均理想,R1 R2R、R3 R4 R5 O 試求:內(nèi)容需要下載文檔才能查看內(nèi)容需要下載文檔才能查Aul(s)Uol(s)/Ui(s)的表達(dá)式；A(s) Uo(s)/Ui(s) 的表達(dá)式；U試問(wèn)運(yùn)放A1組成什么電路？整個(gè)電路又是什么電路?5一比較器如附圖所示已知硅穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)定電壓UZ=6V,正向?qū)〞r(shí)的電壓降為，UR= 12V,集成運(yùn)放性能理想。試求輸出高電平UOH、低電平UOL和閾值電壓值；畫出 電壓傳輸特性曲線。2-lu4u 3uKlVOn6 .試用一個(gè)性能理想的集成運(yùn)放和的模擬乘法器設(shè)計(jì)一個(gè)運(yùn)算電路，實(shí)現(xiàn)的運(yùn)算功能。要求畫出電路，標(biāo)出各電阻之間的比例關(guān)系。7.電路如附圖所示，設(shè)集成運(yùn)放性能理想,UI足夠大。精品