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文檔簡介
1、知識點1 成膜(第一份)1.Sputter設(shè)備生產(chǎn)FFS產(chǎn)品時,Glass表面溫度約為多少攝氏度( 230 )2.B3 CF Sheet ID:CBM3X9803EFHG-123400,各位號碼意思 ( )3.在B3 CF分廠,下列選項中全部都有6軸(Robot RWL,ICL,ANL,ITO4個)4.各Line與設(shè)備之間的通訊協(xié)議是以下哪一項( )5. CSA、CSB、CSC及CSD中Crane數(shù)量分別為( 1,2,1.1 )6.下列靶材與Sputter背板直接接觸的物質(zhì)是( 氧化銦錫 )7.B3 CF ITO Line共有多少個六軸Robot( 4 )8.正確的防塵服穿著順序是( )9.
2、C/F制作過程中,32寸產(chǎn)品與18.5寸產(chǎn)品主要不同點(TN與FFS模式不同點)10.屬于PM時正確做法的是( )12Unpack裝Glass的是Crate,一般每個Crate裝0.7t的Glass的片數(shù)是( 300 )13. Sputter設(shè)備的腔體有Heater的腔體是( M3.1、M4.1、M5.1、M6.1、M7.1、 M7.2、M6.2、M5.2 )15.B3 CF Sputter設(shè)備每個Carrier上Clamp的數(shù)量為( 18 )16.B3 CF Sputter使用的Carrier上部從玻璃邊緣到第一個Clamp的距離為( 26mm )17.TFT-LCD顯示器的顯示性能指標包括
3、( 分辨率,色度,響應速度 對比度 等 )18. Carrier到達Sputter Process Chamber時Carrier與Carrier之間的間隔為( 重疊 )19. 量產(chǎn)時,Sputter Process Chamber內(nèi)通入的氣體為(氬氣和氧氣 )20. 在生產(chǎn)的過程中,設(shè)備重啟PLC后,哪個部分不需回到原(HOME)點( Magazine )21. B3 CF Sputter設(shè)備Robot Vaccum數(shù)值多少以上為正常( -90 )22.關(guān)于FFS MODE正確工藝流程的是 ( )23. TN Mode時Line Flow中正確流程( )24. 3正5S中屬于3正的是( 正品
4、、正位、正量 )25.潔凈間內(nèi)產(chǎn)生最大的污染源因素是( 人 )26.RWL的全稱是( Rework Line )27.等離子體是整體上呈現(xiàn)( 輝光放電 )28. Sputter設(shè)備中陽極的電壓是( Carrier上, 電勢為零)29. Sputter設(shè)備中作為陽極的是( Carrier接地 )30. TN模式中ITO薄膜的主要作用是( 共同電極)31.FFS模式中ITO薄膜的主要作用是( 電場屏蔽 )32.屬于ITO工藝參數(shù)的是 (溫度、氧氣和氬氣氣體流量及比例、腔體壓力、Power功率 )33. ITO生產(chǎn)模式是( Product Mode )34. ITO的Bake模式是( Standby
5、 mode )35. ITO的Offline首件模式是( Starting Dummy Mode )36. SCS區(qū)的Buffer存放的是( Inner Dummy )37. SCS區(qū)的Buffer一般存放玻璃( 44枚 )38. Online情況下需要ITO特性值確認時,Sample玻璃投入口為( port口 )39.Offline情況下需要首件確認時,Sample玻璃投入口為( SCS的LD口 )40. ITO 首件Sample特性值確認項不包括( 透過率 阻抗 膜厚 )41. TN模式ITO膜厚Spec為( 115-145nm 最大:145NM,最?。?15NM,平均:117130NM)
6、42. TN模式ITO阻抗spec為( <35 最大:50,最?。簾o,平均: 40 )43. FFS模式ITO阻抗spec為( <150 最大:140,最?。簾o,平均: 120)44. 19. TN模式ITO透過率spec為( Peak Wavelength>93% 最大:無,最小:90%,平均:92%)45. TN 模式玻璃鍍膜表面溫度( 120 )46. TN模式ITO膜要經(jīng)過Anneal的PBK工序是為了(使ITO結(jié)晶更完全 )47. TN型產(chǎn)品經(jīng)過Anneal的后的ITO薄膜阻抗值( <35 )48. TN型產(chǎn)品經(jīng)過Anneal的后的ITO薄膜透過率( >
7、93% )49. Sputter 正常生產(chǎn)使用Carrier 的數(shù)量為( 11 )50. Sputter中起輝氣體是( Ar )51. Sputter設(shè)備共使用靶材的數(shù)量為(7 )52. Sputter使用的陶瓷靶,其成分In2O3與SnO2的比例為( 9:1 )53. ITO特性值管控項目管控不包括( 管控 透過率 ,阻抗,膜厚 )54. 影響ITO膜厚的因素有( Power )56. 提高成膜溫度對ITO薄膜的影響( 結(jié)晶更完全 )57. 設(shè)定Carrier定期更換的主要作用是( 防止OutGas引起的阻抗超標 )58. carrier更換后要進行必要那些檢查( peak、 Clamp,彈
8、簧 )59. ITO工序外觀檢查設(shè)備是( Visual )60. ITO色差外觀異常產(chǎn)生原因是(成膜不均勻)61. Carrier停滯發(fā)生后玻璃基板應如何處理(Though Mode單獨存放與CST RWK )62. ITO particle多發(fā)時段在(在中期PM和末期PM前 )63. ITO樹狀Mura產(chǎn)生的原因( 放電異常 )64. 靶材中期PM的主要包括( 研磨靶材、shield Box更換 )65. 如果阻抗值超出Spec.值,首先要進行( 停機 )66. Sputter破片發(fā)生應確認( Carrier等于玻璃接觸的位置 )67. 靶材表面凸起(Nodule)較多會影響( ITO的Pa
9、rticle及PH )68. B3 CF Sputter使用靶材厚度為上/中/下( 9、7、9mm)69.下列不良中,肯定不是ICL的洗凈不良造成的是(ICL的Brush會產(chǎn)生豎線 )70.下列Cleaner采用的新設(shè)計中,有利于Clean Room內(nèi)潔凈度保持的是( FFU設(shè)計 )71.在 B3 Layout 中與ICL連接的Stocker是( CSA )72.ICL Cleaner中Air curtain的使用目的是( 分割作用,防止藥液過多流入DIW Chamber )73.Cleaner內(nèi)的Ionizer的作用是( 除靜電 )74.Line中哪條線的清洗機同時帶有上下Brush的是(
10、ICL /ANL )75RWL產(chǎn)生不良主要包括 ( ITO殘留,Pattern殘留等等 )76玻璃基板在RWL流動順序是 ( PS Stripper->ITO Etch->RGB Stripper )77RWL流動影響基板洗凈效果因素有 (溫度,洗凈時間 )78RWL中使用酸性藥液主要是為了 ( 刻蝕ITO層)79RGB Stripper單元有( )個Chamber ( 4個Stripper Chamber )80.Stripper 藥液tank 最高使用溫度 ( 75 )(第二份)1.CF ICL有( 3 )臺Robot。2.TFT-LCD顯示器中,控制各像素電流的器件是( IC
11、驅(qū)動電路,TFT )3.TFT-LCD顯示器的顯示性能指標包括( 分辨率、色彩濃度、可視角度、響應速度、對比度、亮度 )4.屬于Sputter工藝需要關(guān)注的參數(shù)的是( 溫度、氧氣和氬氣氣體流量及比例、腔體壓力、Power功率 ) 5.下列沒有E-UV裝置的Line是( OC、ITO、ANL )6.量產(chǎn)時,Sputter Process Chamber內(nèi)通入的氣體為( Ar、O2 )7.Carrier到達Sputter Process Chamber時Carrier與Carrier之間的間隔為( 重疊 )8.B3 CF一臺Sputter用到的Target的個數(shù)為( 7 )9.UPK的NG口處,N
12、G glass在tilting conveyor上傾斜的角度是( 60° )10.哪條生產(chǎn)線沒有AOI( RWL,ICL,ITO,PRL )11.關(guān)于CF Cleaner的Module 12. CF Cleaner Roller Brush (ICL 4組16個,ANL 1組 4個)13.UPK的NG口處,最多可以容納的NG glass的數(shù)量( 2張 )14.B3 C/F CIM中從Line PC 得到生產(chǎn)計劃并下放到各設(shè)備的是( )15.Array的5Mask工藝流程順序是( )16.TFT LCD中國大陸第一條6代線的量產(chǎn)時間是( 2010年9月16日 )17.AOI可以檢出的D
13、efect的全部信息( size等 )18.CF工場中Sheet ID:CBM3X9803EFHG-123400,其中的“1234”指的是( Sheet ID ) 19.Rework藥劑的說法錯誤的是( )20.ANL Postbake設(shè)備Buffer多少層( 28層 )21.Rework設(shè)備基本作業(yè)流程( PS Stripper->ITO Etch->RGB Stripper )22.哪種情況在ITO Line中不會產(chǎn)生Particle( )23.TFT-LCD顯示器中,需要偏光片的數(shù)量是( 2 )24.以下Line中,Tact 最短的是( ITO )25.下面廣視角技術(shù)中,屬于
14、BOE獨有專利的是( FFS或ADS )26.在CF基板上負責形成金屬膜層的設(shè)備是( Sputter )27. B3 CF工場一臺Sputter設(shè)備的Tact Time為( 39.5 )28. CF UPK 1個Crate裝0.7t Bare Glass的數(shù)量是( 300 )29.下列Line中沒有LD口的是( ICL ) 31.FFS模式中ITO薄膜的主要作用是( 屏蔽電場 )32.屬于ITO工藝參數(shù)的是 ( 溫度、氧氣和氬氣氣體流量及比例、腔體壓力、Power功率 )33. ITO生產(chǎn)模式是( product Mode )36. SCS區(qū)的Buffer存放的是( Inner Dummy )
15、37. SCS區(qū)的Buffer一般存放玻璃( 44s )38. Online情況下需要ITO特性值確認時,Sample玻璃投入口為(Port口) 39.Offline情況下需要首件確認時,Sample玻璃投入口為( SCS LD口 )40. ITO 首件Sample特性值確認項不包括( 管控 透過率 ,阻抗,膜厚 )41. Sputter設(shè)備檢漏使用的氣體是( He氣 )42. 等離子體是整體上呈現(xiàn)( 輝光放電 )43. Sputter設(shè)備中陽極的電壓是( 0 伏特 )44. Sputter設(shè)備中作為陽極的是( carrier )50.ITO的Bake模式是( stand-by mode )5
16、4.Online情況下需要ITO特性值確認時,Sample玻璃投入口為( Port口 )55. Offline情況下需要首件確認時,sample玻璃投入口為( SCS LD口 )56. ITO 首件sample特性值確認項不包括( 管控 透過率 ,阻抗,膜厚 )57. TN模式ITO膜厚Spec為( 115-145nm 最大:145NM,最小:115NM,平均:117130NM) )58. Stripper 藥液tank 最高使用溫度 ( 75 ) 59. TN模式ITO阻抗spec為(<35 最大:50,最?。簾o,平均: 40 )62玻璃基板在RWL流動順序是( PS Stripper
17、->ITO Etch->RGB Stripper )63RWL流動影響基板洗凈效果因素有 ( 藥液溫度,洗凈時間 )64RWL中使用酸性藥液主要是為了 (刻蝕ITO層 )67. TN模式ITO膜要經(jīng)過Anneal的PBK工序是為了( 使ITO結(jié)晶更完全 )68. TN型產(chǎn)品經(jīng)過Anneal的后的ITO薄膜阻抗值 ( <35 )69. TN型產(chǎn)品經(jīng)過Anneal的后的ITO薄膜透過率( >93% )70. Sputter 正常生產(chǎn)使用carrier 的數(shù)量為( 11 )71. Sputter中起輝氣體是( 氬氣 )72. Sputter設(shè)備共使用靶材的數(shù)量為 ( 7 )
18、73. Sputter使用的陶瓷靶,其成分In2O3與SnO2的比例為( 9:1 )74. ITO特性值管控項目管控不包括 ( 管控 透過率 ,阻抗,膜厚 )76. 下列說法正確的是( )77. 提高成膜溫度對ITO薄膜的影響( 使ITO結(jié)晶更完全 )78. 不屬于ITO工序管理項目是( 管控 透過率 ,阻抗,膜厚 )79. 設(shè)定Carrier定期更換的主要作用是( 防止產(chǎn)生樹狀MURA )80. carrier更換后要進行必要那些檢查( peak、 Clamp,彈簧 )知識點2-光刻(第一份)1. PS 高度設(shè)備中無法進行測量的項目是( ITO電阻 ) 2. 使用于Clean 設(shè)備中2流體的
19、原材料是( DIW, CDA )3. BML上正確的曝光機Process順序是(Pre Alignment Gap 制御 Alignment 曝光_)4. 工程設(shè)備順序?qū)Φ氖牵?)5. 以下受升華物影響發(fā)生的問題點中受影響最少的是( Tact Time 縮短_ )6. 在全數(shù)檢查機里無法確認的是( mura_ )7、( PSL ) 8、CF工廠的LOT 號是13位的,比如B15C126050000,其中第四個字母C表示(B3工廠基板)9、CF分廠使用的PR膠中只有( OCL )不是光固化材料。 10、Sputter 的Chamber 內(nèi),靶材是以( 原子 )狀態(tài)運動并沉積到Glass表面的。
20、11、CF工廠有兩個CWS的line 是( BGR )。12、液晶行業(yè)中使用的glass是無堿 glass,其特點不包括( )13BML AOI檢查一張glass時的掃描次數(shù)為( 1 )14、( BML / PSL )的Post-bake后面設(shè)計有BF.15.哪一部件在 UV Asher有,而EUV沒有( _IR紅外照射燈或IR Heater_ )16.哪一項不是common defect發(fā)生的原因_17、顯影機使用HPMJ的產(chǎn)線是( BML ) 18、設(shè)備中不能發(fā)出Stop Signal的是( )19、關(guān)于B3曝光機的說法,錯誤的是( )20、G6曝光機的光源( 超高壓水銀燈 )21、不屬于
21、Coater CWS系統(tǒng)的是( )22.當今在顯示領(lǐng)域處于主導地位的是( TFT-LCD )23.不屬于CF著色層的是( OCL )24.TFT-LCD顯示器中,控制顯示色彩的器件是( CF )25.CF包括哪些層( _BM、BGR、OC、ITO、PS_ )26.BOE使用的CF制備工藝屬于( 濕刻 )應該是顏料分散法27.BOE HF使用的基板Size是( 1500X1850 )28.CF膜層中起保護、平坦化作用的是( OCL )29.Glass在OCL的post-bake中處理的時間是 ( 40min+5min_ ) 30.請找出 FFS Model中,Line 進行 Flow中正確的一項
22、是( ) 31.OC的Mura檢查要使用( Na )lamp進行檢查。 32.G6 line中,LD和ULD不是都和CSB相連的是( ICL、IAL、IBL、BLU、FIL_)33.Cleaner設(shè)備中最后除水氣的設(shè)備是( A/K ) 34.為什么要對新員工進行安全教育?下列錯誤的是( )35.Visual的功能不包括以下哪項( )36. BGR光阻所要求的主要特性是( )37.以下材料形成的膜不是透明是( )38、雙手臂同時取放Glass的設(shè)備是( PBK )39、Coater機主要的Recipe不包括_. 40、下列部件或系統(tǒng)不屬于Stocker的是_41、已登錄過的制造作業(yè)日報,還能繼續(xù)
23、進行的操作不包括_42、CIM系統(tǒng)中,BC(Block Controller)與設(shè)備的PLC進行聯(lián)接的協(xié)議是( MELSECNET_ )43. PS光阻所要求的主要特性是_44.下面廣視角技術(shù)中,屬于BOE獨有專利的是( FFS )45.哪些項目是在做PM時的注意事項_46.CF分廠使用的涂布機生產(chǎn)廠家是( TOK )47. ( PSL )Line上的VCD是一個Chamber采用兩組Dry Pump進行抽真空。48.有DH-Bake(脫水Bake)的是( OCL )49.Pre-Bake的HP有( 9 )塊Heater。50.BML Pre-Bake最多可以以容納( 31 )張Glass。5
24、1、正確的防塵服穿著順序是_52、最大的污染源是( 人 )53、哪條生產(chǎn)線沒有AOI( ITO/ ICL /RWL )54、BML AOI的BM CD測量功能中一般對基板測量( 3處 )。55、FIL AOI接受基板正面反射光的CAMERA的檢出力是( _7um _ )。56、ITO靶材的主要成分是( _氧化銦錫 )57、18.5寸產(chǎn)品中TP mark總共有(96 )個58、對B10、B40產(chǎn)品CF工廠分別采用( 4SHOT. 6SHOT )曝光59、CF工場NSK曝光機采用的曝光方式是( 接近式曝光_)60、均有Reverser的Line為( _ICL、IAL、IBL、ANL、RWL、OIA
25、_)61. 與洗凈機不相關(guān)的用語 _62. Coater用到的清洗液的主要成份是( _PGMEA_ )63Pattern Repair的功能中,不包括( _檢查 )64.Crack 檢查機在( _LD_ )位置。 65、不屬于B3 C/F CIM中 Report System 功能的是( )66、哪項不屬于CF CIM系統(tǒng)的硬件_67、不同型號制品,在ITO生產(chǎn)切換時,lot start特別需要確認的信號為_Line Code( dummy填充信號 )68、設(shè)備Input Status=2意義是( process )69、不是倒角檢查機判NG標準是_70、CF 工廠采用的PR膠的特性是( 負性
26、膠_ )71 .BML tact time 為20s時,cleaner的搬送速度為( 7200_mm/min _ )72. VCD的主要作用是(真空干燥,去除Coater后PR膠里的大部分溶劑_)73. BLU Line上 HCP Buffer給曝光機 Stop Signal信號的情況是(HCP出現(xiàn)Glass堆積,超過set值)74. 不屬于Coater Mura的是( 共同Mura、蝴蝶、顯影Mura等)75. Coater管路中主要用于排除PR內(nèi)氣體的結(jié)構(gòu)單元是( 脫泡器_ )76. 下列設(shè)備中哪種設(shè)備是PSL所有的( PSM_ )77. 顯影液的成分是( KOH_ )78.CF膜層中起液
27、晶層Spacer作用的是( PSL_ )79.CF膜層中起擋光作用的是( BML_ )80. PS 高度設(shè)備的測量原理是( 白光干涉_ )(第二份)1. 利用Hot Plate除去Coating后殘留的Solvent成分并增加Resist和Glass之間的緊密性, 且通過Cool Plate把Resist和Glass的溫度冷卻到常溫的工程是( HPCP ) 2. 不屬于影響工程能力的主要要因(4M)的是( )3. BGR Line的設(shè)備排序中正確的一項( )4.不屬于BGR重點管理標準的是( ) 5. 整體工序進行期間, 關(guān)于Reject的Glass的收率定義是( FAB 收率 )6.曝光機U
28、nit說明中不對的是( )7.受升華物影響發(fā)生的問題點中受影響最少的是( tact time )8 Line中Post bake之后有Buffer的Line是( BMLPSL )9不屬于縮短Coater中的PR的Job Change時間的方法是( )11Pattern Repair的功能中,不包括( AOI檢查 )12表示檢查的特性值是( 位置精度 )13顯影機使用HPMJ的產(chǎn)線是( BML )14BML Pattern Repair的修正情報來自( AOI )15關(guān)于B3曝光機的說法,錯誤的是( )16V-PAD的作用( 清潔nozzle )17B3 Coater機Tip的材質(zhì)(超硬合金 )
29、18當今在顯示領(lǐng)域處于主導地位的是( TFT-LCD )19TFT-LCD顯示器中,控制顯示色彩的器件是( CF )20TFT-LCD顯示器的顯示性能指標包括(分辨率、灰度和色度、亮度、對比度、響應速度、可視角度、開口率 )21BOE B3工廠使用的CF制備工藝屬于( 濕刻 )22OCL上Future Area會安裝部分設(shè)備,作為Test Line使用,不包括( )23Coater中異物檢查sensor的位置在哪里? ( nozzle前面 )24OC的mura檢查要使用什么lamp?( NA燈 )25B3 line中,ULD未與CSB相連的是?( ICL、IAL、IBL、RPL、BML、BLU
30、、OIB、PSL、FIL )26OC層的作用是( 起保護、平坦化作用 )27為什么要對新員工進行安全教育?下列錯誤的是( )28員工在安全性生產(chǎn)方面的權(quán)利有( )29下列顏色中,不屬于安全色的有( 安全色:紅、綠、黃色 )30下列部件或系統(tǒng)不屬于Stocker的是( )31C/F CIM中從Line PC 得到生產(chǎn)計劃并下放到各設(shè)備的是( BC )32下列哪項不屬于CF CIM系統(tǒng)的硬件( )33CIM系統(tǒng)中,BC(Block Controller)與設(shè)備的PLC進行聯(lián)接的協(xié)議是( MELSEC NET/G )34Report System的登錄網(wǎng)址是( /BOE
31、/login.html )35已登錄過的制造作業(yè)日報,還能繼續(xù)進行的操作不包括( )36產(chǎn)線內(nèi)Force Judge的操作界面位于哪臺PC( BM位置、office )37BM PR的功能不包括下列哪項?( 具有提高對比度、阻隔BGR、減小反射率的作用 )38哪項不是BGR光阻所要求的主要特性?(BGR需有高的色純性、顯像后無殘留、好的圖案平整度 )39哪項不是PS光阻所要求的主要特性?(PS需要有涂布均一性、較好的彈性性能、高感光性和解析度 )40下面廣視角技術(shù)中,屬于BOE獨有專利的是:( ADS(即FFS) )41LCD相關(guān)性能指標中描述不正確的是:(高的透過率和色純度 、高對比度 、低
32、反射率 、高平整度 、良好的耐受性 )42C/F制作過程中,ADS(即FFS)產(chǎn)品與TN產(chǎn)品主要不同點:( ADS有背面ITO )43CF Coater設(shè)備使用的Nozzle長度為:( 小于1497mm )44哪條Line上的VCD是一個Chamber采用兩組Dry Pump進行抽真空:(PSL )45 Line DCV均沒有ID Reader的是:( BML、BLU )。46關(guān)于HP與CP說法錯誤的是( ) 47BML Pre-Bake最多可以以容納多少張Glass?( 31 )。48下列關(guān)于CF Cassette Cleaner說法中錯誤的是:( )49ADS(即FFS)模式下,CF的工藝
33、流程是( )50防塵服穿著順序是( )51一卷研磨帶的長度及報警長度( 100m、5m )52FIL AOI接受基板正面反射光的Camera的檢出力是多少微米( 7um )53判斷NSK曝光機的號機別及L、R Type( )54對于M/C 移動時,Cassette處的坐標為( )55曝光機Fly eye Lens的作用是? (使光強度均一后送入下一個Mirror )56PSL曝光機不同于其他Line的結(jié)構(gòu)? (DUV filter )57目前CF工場的Mask Size是多少( 1200×850 )58BML 曝光機與B/G/R/PS Line曝光機的主要區(qū)別是什么:(對位方式不一樣
34、 )59以下特性值測長機不能測量的是( OD )60測長機測量的完整順序為(LD ->Lift Pin Down->對位,吸真空,測量,Pin UP,ULD )61CF 工廠采用的PR膠的特性是 (負性膠 )62CF工廠內(nèi),ULD處設(shè)有NG Port的Line為?(Red,RPL,BML,FIL )63關(guān)于 Coater SPL部的裝置不正確的是? ( )64Coater SPL 部 Cleaning時不包括哪項? ( )65由Exposure Photo Mask引起的不良名稱是? ( 共同缺陷 )66哪條LINE均有Reverser( ICL、IAL、IBL、ANL、RWL、O
35、IA_ )67CF工場中,BUFFER CV中Buffer容量為80s的Line數(shù)量及Line別為( BM )68 Robot Teaching說法正確的是?( )69RED ULD,GR基板未進入SCS Port的可能原因,不包括( )70假設(shè)Line Tact 20sec,PBK烘烤時間18min, PBK Oven至少需要(54 )層71關(guān)于OIA的作用(測量色度、透過率、段差、阻抗、外觀等特性值)72Rework設(shè)備基本作業(yè)流程:( 剝離PS蝕刻ITO剝離RGB/BM-清洗 )73Mask Cleaner 的Stock及Manual Inspection作用分別是:(存放、外觀檢查MA
36、SK )74VCD裝置工作的前1015sec緩慢抽真空的原因是?(防止抽真空時產(chǎn)生氣泡 )75CF工廠各Line均在生產(chǎn)過程中,廠務(wù)供電端突然跳閘斷電2sec,EXP Mask掉落與正在曝光的Glass粘連到一起,請問怎么分開Mask減少損失?(先放入水池中浸泡,再分離 )76FIL檢出多張21.5inch Glass背面局部泛紅泛綠,最可能原因是(Overlay偏小 )77 Line有打標設(shè)備的是( BML、RWL )78BM/BGR/PSL的PBK烘烤時間都20min,而OCL的PBK烘烤時間為40min的原因是( OCL屬于整體涂布,PR含量較高 )79Sharp四色技術(shù)中新加入了哪個色
37、層? (yellow )80下列參數(shù)中可控制Glass涂布前端膜厚,實現(xiàn)膜厚均勻性的是(Pump rate/Gap )知識點3-評價(第二份)1. 使用于Clean 設(shè)備中2流體的原材料是( 離子水 DIW和CDA )2. Line ULD中沒有 NG Port 的 Line 是( 有NG Port的Line為 BM、RPL、RED )3. 在全數(shù)檢查機里無法確認的是( Mura )。4.受升華物影響發(fā)生的問題點中受影響最少的是( Tact Time )。5. BML運營中,曝光完畢后進入的工序是( TTL )。6. 不屬于Exposure CP功能的是( 功能包含冷卻、預對位、檢查異物 )。
38、7. 哪條線的AOI具有背面異物檢查功能( BML、FIL )。8. Coater涂布后,第一時間去除PR膠中溶劑的設(shè)備是( VCD )。9. 在FIL進行的關(guān)于Glass 檢查的收率定義是(FIL Input-PD-前工程Force NG-FIL NG)/(FIL Input- PD-前工程Force NG) )。10. Cleaner設(shè)備中最后除水氣的設(shè)備是( A/K )。11. TFT-LCD顯示器中,需要偏光片的數(shù)量是( 2 個 )。12. 不屬于Coater CWS系統(tǒng)的是( )。13. V-PAD的作用( 將Nozzle先端部用清洗液和Air洗凈并干燥 )。14. 關(guān)于B3曝光機的
39、說法,錯誤的是( )。15. Titler在基板上打出的ID個數(shù)為( 2 )。16. PSL 工程設(shè)備正確的順序為( 預洗、涂布、預烘、曝光、顯影、檢查 )。17. 把涂布在Glass上 PR成分中的SOLVENT成分在真空狀態(tài)下汽化使 Coating面的平坦度及固化程度維持在一定水準的減壓干燥裝置是( VCD )。18. 利用Hot Plate 除去 Coating 后殘留的 Solvent 成分并增加 Resist 和Glass之間的緊密性, 且通過Cool Plate 把 Resist 和 Glass的溫度冷卻到常溫的工程是( HPCP (預烘)Pre-Bake )。19. BLU Li
40、ne正確的曝光Process順序是( Pre Alignment Gap 制御> Alignment 曝光 )。20.不屬于縮短Coater中的PR的 Job Change時間的方法是( )。21. BML上正確的曝光機Process順序是( Pre Alignment Alignment> Gap 制御 曝光 仔細看曝光Shot順序 Front側(cè)和Back側(cè))。22. Line中Post bake之后有Buffer的Line是( BML PSL )。23.哪一項不是common defect發(fā)生的原因( 發(fā)生原因根本:Mask被污染 )。24. EUV使用的光源是( Xe 氣燈
41、)。25. 利用CDA的濕設(shè)備部件是( A/K (優(yōu)先)Air Curtain )。26. 反映BM Pattern寬度的特性值(CD )。27. Pattern Repair的功能中,不包括(包含:laser、ink、uv固化)。28. TD相關(guān)的是( Nozzle拆解,Nozzle的調(diào)整等等 )。29. BML Pattern Repair的修正情報來自( BM AOI )。30.設(shè)備中不能發(fā)出Stop Signal的是( 能發(fā)的 HPCP 后面的Buffer,顯影機buffer,Visual檢查機,ULD,AOI等 )。31. B3曝光機采用下列哪種形式( 接近式曝光 )。32. B3
42、Coater采用( SPL,Spinless Coater,Priming Plate,不是Priming Roller )。33. B3 Coater機Tip的材質(zhì)( 超硬合金 )。34. 當今在顯示領(lǐng)域處于主導地位的是( LCD )。35. TFT-LCD顯示器中,控制顯示色彩的器件是( CF )。36. TFT-LCD顯示器的顯示性能指標包括(LCD顯示器主要性能指標: 響應時間; 可視角度;分辨率;色彩濃度;亮度;對比度 等 )。37. CF工場的基本工藝流程是( ICL->BML->BLU->GRN->RED->RPL->ITO-PSL->F
43、IL )。38. CF膜層中起液晶層Spacer作用的是( PS 全稱Photo Spacer )。39. BOE HF的顯示產(chǎn)品應用領(lǐng)域不包括( MP3/手機 )。40. Crack 檢查機在哪個位置( LD 注意ANL ITO LD及FIL LD口沒有Crack檢查機 )。41. 在下列工程中,選擇與其他工程不一樣的工程( 注意OC、FIL、ICL、ITO-ANL、BGR/BM、RWL、MCL之間是有區(qū)別的 )。42. 影響Pre-bake的最重要參數(shù)是( 排氣壓Exhaust,接近及接觸加熱時間、加熱溫度 )。43.哪一個不是Coater涂布使用的( )。44. Visual的功能不包括
44、以下哪項( Visual可以區(qū)別Coater和曝光機別,可以發(fā)送Stop Single及外觀檢查 )。45. 下面物流裝置中哪一個是直接裝載Glass的( CST即 Cassette )。46. TFT-LCD的結(jié)構(gòu)不包含以下哪一個( MASK )。47. 制作過程中,F(xiàn)FS產(chǎn)品與TN產(chǎn)品主要不同點( 在背面做ITO )。48. Repair 動作順序正確的是( 先測,再磨,再測, )。49.不屬于FIL不良檢查項目的是( PS高度 )。50. FIL上不需要重新再檢查的 FIL Code是( OK 0000,0001等 )。51. TN模式的制品經(jīng)過RPL后流向( ITO )。52. FFS
45、模式的制品經(jīng)過RPL后流向( OC )。53. FIL AOI判定OK的進入以下哪臺設(shè)備( FIL VIS )。54. RPL Repair運行模式( Auto )。55. FIL Repair運行模式( Manual )。56. RPL repair由幾臺PC管理( 2 )。57. PRL ULD有幾個PORT口( 1 )。58. Repair機中測量異物高度在原理是( 測高Sensor物理測定 )。59. Repair可修補的缺陷( 黑缺陷 )。60. Pattern repair的ink是在幾倍物鏡下進行的(10 )。61. Pattern repair的Laser是在幾倍物鏡下進行的(
46、 20 )。62. FIL出荷檢查的基板是之前被判定為( RP,GR )。64.哪項不會影響研磨效果( 測高Senor偏差,研磨帯問題等會影響 )。65.敘述錯誤的是( )。66. FIL AOI敘述正確的是( )。67. PS 高度設(shè)備中無法進行測量的項目是( 可以測PS 高度 Size等 )。 68. 在BM, BLU, GRN, RED, PSL Line使用的顯像液是( KOH 類顯影液 )。69. 請找出以下 BGR Line的設(shè)備排序中正確的一項( )。 70.不屬于 BGR 重點管理標準的是( 屬于色度、線幅、位置精度、外觀、膜厚. )。 71. Coater用到的清洗液的主要成
47、份是( 異丙醇- PGMER )。72.曝光機 Unit 說明中不對的是( )。73. 當 BM TP 及 CD 發(fā)生 NG 時,需要用什么設(shè)備測量( 測長機 )。74. line中那條線的清洗機帶有Brush( ICL ,ANL )。75. BML AOI檢查一張glass時的掃描次數(shù)為( 1 )。76. 下面哪一部件在 UV Asher有,而EUV沒有( O3 killer即臭氧消除器 或IR紅外加熱裝置 )。77. 下列特性值中,不能在測長機中測量的是( 能測得是,BM TP、CP、CD )。78. 使PR膠發(fā)生反應的工序是( 曝光 期間發(fā)生光化學反應 )。80. OCL上的全數(shù)檢查機不
48、能測量的項目有( OC 膜厚 )。(第二份)3. V-PAD的作用( 同上 )。4. Repair照明裝置有(金屬鹵素燈 等等)。5. Line ULD中沒有NG Port的Line是(有的Line是:BML、RED、RPL、FIL)。6. 不屬于Exposure CP功能的是( 冷卻、預對位、檢查異物 )。7. 哪條線的AOI具有背面異物檢查功能(BML,FIL )。8. Coater涂布后,第一時間去除PR膠中溶劑的設(shè)備是(VCD)。9. 在FIL進行的關(guān)于Glass 檢查的收率定義是(檢查收率)。10. Cleaner設(shè)備中最后除水氣的設(shè)備是(A/K)。11. TFT-LCD顯示器中,需
49、要偏光片的數(shù)量是(2)。12. 不屬于Coater CWS系統(tǒng)的是()。13. 在全數(shù)檢查機里無法確認的是(異物種類)。14. 關(guān)于B3曝光機的說法,錯誤的是()。15. Titler在基板上打出的ID個數(shù)為(2)。16. Pattern Repair的功能中,不包括(AOI檢查)。17. 把涂布在Glass上 PR成分中的SOLVENT成分在真空狀態(tài)下汽化使 Coating面的平坦度及固化程度維持在一定水準的減壓干燥裝置是(VCD)。18. 利用Hot Plate 除去 Coating 后殘留的 Solvent 成分并增加 Resist 和Glass之間的緊密性, 且通過Cool Plate
50、 把 Resist 和 Glass的溫度冷卻到常溫的工程是(HCP)。19. BLU Line正確的曝光Process順序是()。20. 在顯影過程中由于BM顯影機漏液造成,直徑為23mm 左右,且發(fā)生隨機的Mura是(BM小黑點)。21. BML上正確的曝光機Process順序是()。22. 以下Line中Post bake之后有Buffer的Line是(BML/PSL)。23. Repair設(shè)備的Process動作是(測量-研磨-測量)。24. EUV使用的光源是(紫外線)。25. 外部BM盲失檢查區(qū)域是(<2mm)。26. 反映BM Pattern寬度的特性值( CD )。27. 請找出以下 B
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