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第一種:可以使用如下公式估算：Ig=Qg/Ton其中：Ton=t3-t0td(on)+trtd(on)：MOS導通延遲時間，從有駛?cè)腚妷荷仙?0%開頭到VDS下降到其幅值90%的時間。Tr：上升時間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） 其次種：（第一種的變形）密勒效應(yīng)時間（開關(guān)時間）Ton/off=Qgd/Ig；Ig=Vb-Vgs(th)/Rg；Ig：MOS柵極驅(qū)動電流；Vb：穩(wěn)態(tài)柵極驅(qū)動電壓； 第三種：以IR的IRF640為例，看DATASHEET里有條Total Gate Charge曲線。該曲線先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開通（密勒效應(yīng)）假定你期望在0.2us內(nèi)使管子開通，估量總時間（先上升然后水平再上升）為0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A，當然，這是峰值，僅在管子開通和關(guān)短的各0.2us里有電流，其他時間幾乎沒有電流，平均值很小，但假如驅(qū)動芯片不能輸出這個峰值，管子的開通就會變慢。3歡迎下載

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