《模擬集成電路設(shè)計(jì)》復(fù)習(xí)

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上模擬集成電路設(shè)計(jì)復(fù)習(xí)答疑安排：第13周星期二（5月29日），上午9:00-11:30，下午14:30-17:00，工三310考試題型：七道大題：第2章一題，第3、4章各兩題，第5章一題，第6、7章共一題考試注意事項(xiàng)：所有題目采用課本P32表2.1的數(shù)據(jù)，VDD=3V，COX=3.8410-7F/cm2，忽略漏/源橫向擴(kuò)散長度LD。試題會(huì)給出所需參數(shù)值。時(shí)刻區(qū)分大信號(hào)、小信號(hào)。時(shí)刻注意是否考慮二級效應(yīng)。題目有“推導(dǎo)”兩字時(shí)，需給出求解過程。必考：畫小信號(hào)等效電路復(fù)習(xí)題例2.2 補(bǔ)充問題：（1）分析MOS工作區(qū)間變化情況；（2）畫出ID-VDS曲線；（3）推導(dǎo)線性區(qū)跨導(dǎo)表

2、達(dá)式。習(xí)題2.2 注意：跨導(dǎo)的單位。習(xí)題2.3補(bǔ)充問題：給定參數(shù)值，計(jì)算本征增益的數(shù)值。注意：畫曲線時(shí)需考慮l與L的關(guān)系。例3.5 補(bǔ)充問題：畫出圖3.21(b)電路的小信號(hào)等效電路，推導(dǎo)增益表達(dá)式。習(xí)題3.2 問題（b）刪去。補(bǔ)充問題：求Rout。習(xí)題3.12 解題思路：I1VoutVGS2(W/L)2Av習(xí)題3.14 輸出擺幅=VDD-VOD1-|VOD2|。解題思路：Av，Routgm1(W/L)1VOD1|VOD2|(W/L)2第4章課件第49頁的題目 差模增益-gm1(ro1|ro3)，共模增益0，共模抑制比+例4.6習(xí)題4.18 只要求圖4.38(a)-(d)。補(bǔ)充問題：畫出半邊電

3、路。注意：畫半邊電路時(shí)去掉電流源M5。習(xí)題4.25 計(jì)算過驅(qū)動(dòng)電壓VOD時(shí)忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)。注意雙端輸出擺幅為單端時(shí)的2倍。習(xí)題5.1問題（e）刪去。問題（c）和（d）有簡單的計(jì)算方法。習(xí)題5.5問題（b）（c）刪去。l=0。例6.4補(bǔ)充問題：畫出低頻小信號(hào)等效電路，推導(dǎo)低頻小信號(hào)增益；寫出CD、CS分別包含哪些MOS電容。習(xí)題6.9 只要求圖6.39(a)(b)(c)。例7.11只計(jì)算熱輸入?yún)⒖荚肼曤妷骸Ａ?xí)題7.11補(bǔ)充問題：推導(dǎo)小信號(hào)增益。4道作業(yè)題1. 對下圖電路（1）分析是否可作為放大器應(yīng)用；若可作為放大器，繼續(xù)回答下述問題：（2）畫出小信號(hào)等效電路，并推導(dǎo)小信號(hào)增益Av；（3）推導(dǎo)輸出阻抗Rout。2. 圖中電路(W/L)1=50mm/0.5mm，RD=2kW，mn=350cm2/Vs，COX=3.8410-7F/cm2，l=0，VDD=3V，VTH=0.6V（1）如果M1工作在飽和區(qū)，且ID1=1mA，求電路的小信號(hào)增益；（2）若大信號(hào)VDS=0.1V，求電路的小信號(hào)增益。1. 下圖電路中，l=g=0，gm1=gm2，gm3=gm4，gm5=gm6，差模輸入（1）畫出半邊電路圖；（2）求小信號(hào)差動(dòng)增益。2. 圖中電路所有晶體管工作于飽和區(qū)，l=0（1）求X點(diǎn)的小信號(hào)電壓VX；（2）求M2的小信號(hào)漏電流ID