安康功率半導(dǎo)體項(xiàng)目申請報告模板范本

1、泓域咨詢/安康功率半導(dǎo)體項(xiàng)目申請報告目錄第一章 背景、必要性分析8一、 二極管、晶體管行業(yè)的基本情況8二、 TVS產(chǎn)品的行業(yè)基本情況10三、 行業(yè)發(fā)展趨勢（機(jī)遇與挑戰(zhàn)）12四、 激發(fā)市場主體活力16第二章 項(xiàng)目概述17一、 項(xiàng)目名稱及項(xiàng)目單位17二、 項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)17三、 可行性研究范圍17四、 編制依據(jù)和技術(shù)原則18五、 建設(shè)背景、規(guī)模19六、 項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度20七、 環(huán)境影響20八、 建設(shè)投資估算21九、 項(xiàng)目主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)21主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表21十、 主要結(jié)論及建議23第三章 行業(yè)發(fā)展分析24一、 MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)基本情況24二、 行業(yè)基本情況25第四章 產(chǎn)品方案27一、 建設(shè)規(guī)

2、模及主要建設(shè)內(nèi)容27二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)27產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表27第五章 項(xiàng)目選址分析30一、 項(xiàng)目選址原則30二、 建設(shè)區(qū)基本情況30三、 打造三大千億級產(chǎn)業(yè)集群31四、 實(shí)施創(chuàng)新引領(lǐng)發(fā)展32五、 項(xiàng)目選址綜合評價34第六章 法人治理結(jié)構(gòu)35一、 股東權(quán)利及義務(wù)35二、 董事39三、 高級管理人員45四、 監(jiān)事47第七章 發(fā)展規(guī)劃50一、 公司發(fā)展規(guī)劃50二、 保障措施51第八章 節(jié)能方案說明54一、 項(xiàng)目節(jié)能概述54二、 能源消費(fèi)種類和數(shù)量分析55能耗分析一覽表55三、 項(xiàng)目節(jié)能措施56四、 節(jié)能綜合評價57第九章 進(jìn)度實(shí)施計(jì)劃58一、 項(xiàng)目進(jìn)度安排58項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度計(jì)劃一覽表58二

3、、 項(xiàng)目實(shí)施保障措施59第十章 原材料及成品管理60一、 項(xiàng)目建設(shè)期原輔材料供應(yīng)情況60二、 項(xiàng)目運(yùn)營期原輔材料供應(yīng)及質(zhì)量管理60第十一章 勞動安全生產(chǎn)分析62一、 編制依據(jù)62二、 防范措施65三、 預(yù)期效果評價70第十二章 組織機(jī)構(gòu)、人力資源分析71一、 人力資源配置71勞動定員一覽表71二、 員工技能培訓(xùn)71第十三章 投資估算及資金籌措74一、 投資估算的依據(jù)和說明74二、 建設(shè)投資估算75建設(shè)投資估算表79三、 建設(shè)期利息79建設(shè)期利息估算表79固定資產(chǎn)投資估算表81四、 流動資金81流動資金估算表82五、 項(xiàng)目總投資83總投資及構(gòu)成一覽表83六、 資金籌措與投資計(jì)劃84項(xiàng)目投資計(jì)劃與

4、資金籌措一覽表84第十四章 項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益評價86一、 經(jīng)濟(jì)評價財(cái)務(wù)測算86營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表86綜合總成本費(fèi)用估算表87固定資產(chǎn)折舊費(fèi)估算表88無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表89利潤及利潤分配表91二、 項(xiàng)目盈利能力分析91項(xiàng)目投資現(xiàn)金流量表93三、 償債能力分析94借款還本付息計(jì)劃表95第十五章 招投標(biāo)方案97一、 項(xiàng)目招標(biāo)依據(jù)97二、 項(xiàng)目招標(biāo)范圍97三、 招標(biāo)要求98四、 招標(biāo)組織方式100五、 招標(biāo)信息發(fā)布102第十六章 風(fēng)險評估103一、 項(xiàng)目風(fēng)險分析103二、 項(xiàng)目風(fēng)險對策105第十七章 項(xiàng)目綜合評價107第十八章 附表附錄109主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表109建設(shè)投資估算表

5、110建設(shè)期利息估算表111固定資產(chǎn)投資估算表112流動資金估算表113總投資及構(gòu)成一覽表114項(xiàng)目投資計(jì)劃與資金籌措一覽表115營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表116綜合總成本費(fèi)用估算表116利潤及利潤分配表117項(xiàng)目投資現(xiàn)金流量表118借款還本付息計(jì)劃表120報告說明21世紀(jì)初期以來，隨著半導(dǎo)體芯片制程的發(fā)展，集成電路芯片呈現(xiàn)出小型化趨勢，線寬變窄，同時追求更高的集成度和更低的工作電壓，致使集成電路芯片變得更加敏感，極易受到靜電和浪涌沖擊，造成損壞。普通的TVS因性能、精度、靈敏度等方面的限制已無法滿足集成電路芯片發(fā)展中新提出的防靜電和浪涌沖擊的保護(hù)要求，于是新型的具備漏電小、鉗位電壓低

6、、響應(yīng)時間快、抗靜電能力強(qiáng)且兼具防浪涌能力等特點(diǎn)的用于ESD（Electro-Staticdischarge，靜電放電）保護(hù)的TVS（以下簡稱為“ESD保護(hù)器件”）在近十幾年被開發(fā)出來并不斷創(chuàng)新、升級。普通的TVS二極管由單個PN節(jié)結(jié)構(gòu)形成，結(jié)構(gòu)單一，工藝簡單。ESD保護(hù)器件對結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝要求更高，結(jié)構(gòu)更加復(fù)雜，一般設(shè)計(jì)成多路PN結(jié)集成結(jié)構(gòu)，采用多次外延、雙面擴(kuò)結(jié)或溝槽設(shè)計(jì)。ESD保護(hù)器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護(hù)，代表著當(dāng)前TVS的技術(shù)水平和發(fā)展方向。根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)估算，項(xiàng)目總投資8838.90萬元，其中：建設(shè)投資6833.33萬元，占項(xiàng)目總投資的77.31%；建設(shè)期利息158

7、.84萬元，占項(xiàng)目總投資的1.80%；流動資金1846.73萬元，占項(xiàng)目總投資的20.89%。項(xiàng)目正常運(yùn)營每年?duì)I業(yè)收入18200.00萬元，綜合總成本費(fèi)用14708.16萬元，凈利潤2550.69萬元，財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率21.01%，財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值2734.99萬元，全部投資回收期6.00年。本期項(xiàng)目具有較強(qiáng)的財(cái)務(wù)盈利能力，其財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。該項(xiàng)目的建設(shè)符合國家產(chǎn)業(yè)政策；同時項(xiàng)目的技術(shù)含量較高，其建設(shè)是必要的；該項(xiàng)目市場前景較好；該項(xiàng)目外部配套條件齊備，可以滿足生產(chǎn)要求；財(cái)務(wù)分析表明，該項(xiàng)目具有一定盈利能力。綜上，該項(xiàng)目建設(shè)條件具備，經(jīng)濟(jì)效益較好，其建設(shè)是可行的。本報告為模板參考范文，

8、不作為投資建議，僅供參考。報告產(chǎn)業(yè)背景、市場分析、技術(shù)方案、風(fēng)險評估等內(nèi)容基于公開信息；項(xiàng)目建設(shè)方案、投資估算、經(jīng)濟(jì)效益分析等內(nèi)容基于行業(yè)研究模型。本報告可用于學(xué)習(xí)交流或模板參考應(yīng)用。第一章 背景、必要性分析一、 二極管、晶體管行業(yè)的基本情況1、二極管、晶體管簡介半導(dǎo)體二極管是一種使用半導(dǎo)體材料制作而成的單向?qū)щ娦远似骷?，其產(chǎn)品結(jié)構(gòu)比較簡單，一般為單個PN節(jié)結(jié)構(gòu)，只允許電流從單一方向流過。自20世紀(jì)50年代面世至今，陸續(xù)發(fā)展出整流二極管、開關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管、肖特基二極管、TVS二極管等系列的二極管，廣泛應(yīng)用于整流、穩(wěn)壓、檢波、保護(hù)等電路中。二極管的應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了消費(fèi)類電子、網(wǎng)絡(luò)通訊、安防

9、、工業(yè)等，是電子工程上用途最廣的電子元器件之一。晶體管是一種使用半導(dǎo)體材料制作而成的三端器件，具有放大、開關(guān)、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓或輸入電流控制輸出電流。晶體管根據(jù)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和功能主要分為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)和雙極性結(jié)型晶體管（Bipolarjunctiontransistor,BJT，俗稱三極管）。 2、二極管、晶體管行業(yè)的市場規(guī)模及競爭格

10、局2018年全球二極管市場規(guī)模達(dá)63.93億美元，市場空間廣闊。根據(jù)中國電子信息產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計(jì)年鑒數(shù)據(jù)，中國二極管銷量從2014年的2,856億只增長到了2018年的16,950億只。根據(jù)芯謀研究的有關(guān)數(shù)據(jù)，2020年全球二極管營收前十大廠商中以歐、美、日廠商為主。晶體管主要分為雙極性結(jié)型晶體管（三極管）、MOSFET和IGBT。根據(jù)三種晶體管的市場規(guī)模估算，2019年，晶體管總的市場規(guī)模約為138.27億美元；2020年，晶體管總市場規(guī)模約為147.88億美元。由于雙極性結(jié)型晶體管存在功耗偏大等問題，隨著全球節(jié)能減排的推行，其市場規(guī)模總體趨于衰退，正在被MOSFET所取代；IGBT市場規(guī)模則以較高

11、速度增長。市場競爭格局方面，三極管、MOSFET和IGBT三類產(chǎn)品的市場競爭格局有所不同。其中，全球三極管市場比較分散，MOSFET和IGBT市場集中度較高。3、二極管、晶體管行業(yè)的未來發(fā)展趨勢二極管的應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了消費(fèi)類電子、網(wǎng)絡(luò)通訊、安防、工業(yè)等，隨著市場的擴(kuò)展而成長。二極管在部分細(xì)分領(lǐng)域的中高端產(chǎn)品，對技術(shù)創(chuàng)新要求較高，會隨著應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)要求不斷提升，推動產(chǎn)品的技術(shù)升級，尤其是在消費(fèi)類電子領(lǐng)域。晶體管中，雙極性結(jié)型晶體管（三極管）是電流型功率開關(guān)器件，價格低、功耗大，在少數(shù)價格敏感、感性負(fù)載驅(qū)動等應(yīng)用中還有一定需求，但其正在被功率MOSFET替代。近二十年來，消費(fèi)類電子、網(wǎng)絡(luò)通訊、工業(yè)

12、、安防等領(lǐng)域?qū)β势骷碾妷汉皖l率要求越來越嚴(yán)格，MOSFET和IGBT逐漸成為主流。中國MOSFET、IGBT市場規(guī)模增長迅速。二、 TVS產(chǎn)品的行業(yè)基本情況1、TVS/ESD保護(hù)器件簡介普通的TVS二極管在20世紀(jì)80年代開始出現(xiàn)，與大多數(shù)二極管正向?qū)ǖ奶匦圆煌?，其基于反向擊穿特性，通過對浪涌的快速泄放，可以起到對電子產(chǎn)品的保護(hù)作用，對初級浪涌防護(hù)效果較好。普通TVS二極管也是采用單個PN節(jié)結(jié)構(gòu)，主要采用臺面結(jié)構(gòu)技術(shù)。21世紀(jì)初期以來，隨著半導(dǎo)體芯片制程的發(fā)展，集成電路芯片呈現(xiàn)出小型化趨勢，線寬變窄，同時追求更高的集成度和更低的工作電壓，致使集成電路芯片變得更加敏感，極易受到靜電和浪涌沖

13、擊，造成損壞。普通的TVS因性能、精度、靈敏度等方面的限制已無法滿足集成電路芯片發(fā)展中新提出的防靜電和浪涌沖擊的保護(hù)要求，于是新型的具備漏電小、鉗位電壓低、響應(yīng)時間快、抗靜電能力強(qiáng)且兼具防浪涌能力等特點(diǎn)的用于ESD（Electro-Staticdischarge，靜電放電）保護(hù)的TVS（以下簡稱為“ESD保護(hù)器件”）在近十幾年被開發(fā)出來并不斷創(chuàng)新、升級。普通的TVS二極管由單個PN節(jié)結(jié)構(gòu)形成，結(jié)構(gòu)單一，工藝簡單。ESD保護(hù)器件對結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝要求更高，結(jié)構(gòu)更加復(fù)雜，一般設(shè)計(jì)成多路PN結(jié)集成結(jié)構(gòu)，采用多次外延、雙面擴(kuò)結(jié)或溝槽設(shè)計(jì)。ESD保護(hù)器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護(hù)，代表著當(dāng)前

14、TVS的技術(shù)水平和發(fā)展方向。目前，功率半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)部分國際企業(yè)已將ESD保護(hù)器件在內(nèi)的TVS單獨(dú)分類。比如，安世半導(dǎo)體已將ESD保護(hù)、TVS單獨(dú)分類，將其與二極管、MOSFET、邏輯和模擬IC等產(chǎn)品類別共同列為主要產(chǎn)品類別；安森美將ESD保護(hù)單獨(dú)分類，與二極管、MOSFET、晶體管等產(chǎn)品類別并列為安森美的主要產(chǎn)品類別；英飛凌、意法半導(dǎo)體、商升特等亦將ESD保護(hù)等單獨(dú)分類。2、TVS/ESD保護(hù)器件的市場規(guī)模及競爭格局根據(jù)OMDIA發(fā)布的研究報告TVS-ESDComponentsMarketAnalysis2021，2020年全球TVS市場規(guī)模約為16.21億美元，預(yù)計(jì)2021年全球TVS市場規(guī)

15、模約為18.19億美元。2020年全球ESD保護(hù)器件市場規(guī)模約為10.55億美元，預(yù)計(jì)2023年全球ESD保護(hù)器件市場規(guī)模約為13.20億美元。根據(jù)韋爾股份2019年年度報告，在TVS領(lǐng)域，韋爾股份在消費(fèi)類市場中的出貨量穩(wěn)居國內(nèi)第一，其主要競爭對手是外資器件廠家，包括英飛凌（Infineon），安森美（ONSemiconductor），恩智浦半導(dǎo)體（NXP），商升特半導(dǎo)體（Semtech）等。根據(jù)韋爾股份2020年年度報告，其2020年TVS銷售額為5.03億元。ESD保護(hù)器件的市場目前主要由歐美廠商主導(dǎo)，根據(jù)OMDIA發(fā)布的研究報告，全球前五大廠商分別為安世半導(dǎo)體（Nexperia）、意法半

16、導(dǎo)體（STMicroelectronics）、商升特（Semtech）、安森美（ONSemiconductor）、晶焱（Amazing）。上述前五大廠商2020年銷售額為7.08億美元，占全球市場份額約為67.12%。3、TVS/ESD保護(hù)器件的未來發(fā)展趨勢TVS/ESD保護(hù)器件的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，隨著在5G基礎(chǔ)設(shè)施和5G手機(jī)、電動汽車充電樁、個人電腦、工業(yè)電子等市場的推動下，預(yù)計(jì)TVS/ESD保護(hù)器件將以較大幅度增長。在消費(fèi)類電子領(lǐng)域，由于產(chǎn)品集成度高，技術(shù)要求不斷提升，產(chǎn)品更新?lián)Q代較快，相應(yīng)地對ESD保護(hù)器件的技術(shù)創(chuàng)新要求也較高，未來的發(fā)展趨勢為小型化、集成化。ESD保護(hù)器件通常具有響應(yīng)時間短

17、、具備靜電防護(hù)和浪涌吸收能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可用于保護(hù)設(shè)備電路免受各類靜電及浪涌的損傷，順應(yīng)了集成電路芯片發(fā)展的趨勢和需要，市場前景廣闊。三、 行業(yè)發(fā)展趨勢（機(jī)遇與挑戰(zhàn)）1、全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展態(tài)勢和電子系統(tǒng)產(chǎn)品市場將是帶動全球半導(dǎo)體市場發(fā)展的主要因素ICInsights發(fā)布的麥克林報告（McCleanReport2019）公布了最新的全球半導(dǎo)體市場與全球GDP總量增長的關(guān)系圖，指出全球經(jīng)濟(jì)增長狀況是影響全球半導(dǎo)體市場起伏的最主要因素，特別是2010年以后，全球半導(dǎo)體市場增長與全球GDP總量增長呈現(xiàn)高度相關(guān)性，2010-2018年的相關(guān)系數(shù)高達(dá)0.86。2016年、2017年、2018年全球GDP總量增速分

18、別為2.4%、3.1%、3.0%左右，而推動全球半導(dǎo)體市場增速分別達(dá)3.0%、25%、16%左右。ICInsights預(yù)測2019-2023年全球半導(dǎo)體市場增長與全球GDP總量增長的相關(guān)系數(shù)為0.93。ICInsights認(rèn)為原因來自兩個，一是越來越多的兼并和收購事件導(dǎo)致主要半導(dǎo)體制造商和供應(yīng)商數(shù)量減少，這是供應(yīng)基礎(chǔ)的一個重大變化，也說明了該行業(yè)愈發(fā)成熟，這有助于促進(jìn)全球GDP成長與半導(dǎo)體市場之間更密切的關(guān)聯(lián)性。二是消費(fèi)者驅(qū)動的IC市場持續(xù)轉(zhuǎn)型。20年前大約60%的半導(dǎo)體市場是由商務(wù)應(yīng)用程序推動、40%是由消費(fèi)者應(yīng)用程序驅(qū)動的，如今這兩者所占百分比已經(jīng)互換。因此，隨著消費(fèi)者為導(dǎo)向的環(huán)境推動電子

19、系統(tǒng)銷售和半導(dǎo)體市場的作用愈顯重要。2、國家出臺多項(xiàng)政策驅(qū)動產(chǎn)業(yè)繁榮發(fā)展國家高度重視半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展，近年來出臺了多項(xiàng)扶持產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策，鼓勵技術(shù)進(jìn)步。2014年6月，國務(wù)院發(fā)布國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要，以設(shè)計(jì)、制造、封裝測試以及裝備材料等環(huán)節(jié)作為集成電路行業(yè)發(fā)展重點(diǎn)，提出到2020年，集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進(jìn)水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷售收入年均增速超過20%；到2030年，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達(dá)到國際先進(jìn)水平，一批企業(yè)進(jìn)入國際第一梯隊(duì)，實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展。2014年9月24日，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司（簡稱“大基金一期”）正式設(shè)立；2019年10月22日，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期

20、股份有限公司（簡稱“大基金二期”）注冊成立。大基金一期和大基金二期重點(diǎn)投資集成電路芯片制造業(yè)，兼顧芯片設(shè)計(jì)、封裝測試、設(shè)備和材料等產(chǎn)業(yè)，實(shí)施市場化運(yùn)作、專業(yè)化管理，充分展現(xiàn)了國家扶持半導(dǎo)體行業(yè)的信心，將大力促進(jìn)行業(yè)增長。功率半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要組成部分，將大受裨益。國家的政策支持為行業(yè)創(chuàng)造了良好的政策環(huán)境和投融資環(huán)境，為功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展帶來了良好的發(fā)展機(jī)遇，促進(jìn)行業(yè)發(fā)展的同時加速產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移進(jìn)程，國內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)有望進(jìn)入長期快速增長通道。3、下游終端產(chǎn)品的功能多樣化將增加功率器件的產(chǎn)品需求功率器件應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，下游終端產(chǎn)品類別繁多，隨著社會發(fā)展和技術(shù)發(fā)展，下游終端產(chǎn)品對電能轉(zhuǎn)換效率

21、、穩(wěn)定性、高壓大功率提出了更高的需求，產(chǎn)品設(shè)計(jì)將更加復(fù)雜化，產(chǎn)品功能將更加多樣化。下游終端產(chǎn)品的功能多樣化將增加功率器件的需求，促進(jìn)功率器件的技術(shù)發(fā)展，促使功率器件朝著更高性能、更快速度、更小體積方向發(fā)展。4、新興產(chǎn)業(yè)需求和技術(shù)創(chuàng)新將引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展隨著汽車電子、智能制造、人工智能、5G、高端應(yīng)用處理器、高性能計(jì)算、汽車駕駛輔助系統(tǒng)、虛擬貨幣等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，相關(guān)IC產(chǎn)品將被更為廣泛地應(yīng)用在各類智能移動終端、工業(yè)機(jī)器人、新能源汽車、可穿戴設(shè)備等新興產(chǎn)品中。這些需求將刺激我國IC產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，對我國IC設(shè)計(jì)、制造企業(yè)帶來增長機(jī)遇。同時，我國功率半導(dǎo)體企業(yè)一直緊跟國際先進(jìn)技術(shù)發(fā)展

22、，通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新不斷推動產(chǎn)品升級，并積極向中高端市場滲透，與國際廠商展開競爭。隨著計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信、智能家居、汽車電子等行業(yè)的技術(shù)發(fā)展和市場增長，我國功率半導(dǎo)體技術(shù)水平也將不斷提升，為國內(nèi)功率半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)贏得更多的發(fā)展機(jī)遇。5、市場空間巨大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是全球性產(chǎn)業(yè)，全球產(chǎn)業(yè)景氣度是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大前提，但中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的內(nèi)生力更值得關(guān)注。半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)源于歐美，日韓及中國臺灣在產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移中亦建立了先進(jìn)的半導(dǎo)體工業(yè)體系。中國半導(dǎo)體起步晚，但近年來，國家高度重視半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，不斷出臺多項(xiàng)鼓勵政策大力扶持包括功率半導(dǎo)體在內(nèi)的半導(dǎo)體行業(yè)。隨著國內(nèi)大循環(huán)、國內(nèi)國際雙循環(huán)格局發(fā)展，國內(nèi)功率半導(dǎo)體

23、產(chǎn)品需求繼續(xù)增加，國內(nèi)功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)不斷成長，未來發(fā)展空間巨大。根據(jù)顧問機(jī)構(gòu)InternationalBusinessStrategies（IBS）預(yù)測，到2030年中國的半導(dǎo)體市場供應(yīng)將達(dá)到5,385億美元。2020-2030年中國市場的半導(dǎo)體供應(yīng)量來自中國本土企業(yè)的比例將逐漸上升，到2030年將達(dá)到39.8%。預(yù)計(jì)到2030年，69%的消費(fèi)量將來自中國本土公司，需求主要來自數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子、汽車、醫(yī)療等應(yīng)用領(lǐng)域。四、 激發(fā)市場主體活力深化國資國企改革，加快完善國有企業(yè)法人治理結(jié)構(gòu)和市場化經(jīng)營機(jī)制，做優(yōu)做大做強(qiáng)國有資本和國有企業(yè)。深化混合所有制經(jīng)濟(jì)改革，鼓勵有條件的公共服務(wù)類和功能類國

24、有企業(yè)實(shí)施混合所有制改革。鼓勵、支持、引導(dǎo)非公有制經(jīng)濟(jì)發(fā)展，推動建立面向民營企業(yè)的救助補(bǔ)償機(jī)制，依法保護(hù)企業(yè)家合法權(quán)益，促進(jìn)企業(yè)家公平競爭、誠信經(jīng)營，尊重和激勵企業(yè)家干事創(chuàng)業(yè)，激發(fā)企業(yè)家創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)活力，構(gòu)建“親”“清”政商關(guān)系。積極發(fā)揮工商聯(lián)和商會的作用，培育和發(fā)展地方特色商會組織，支持組建域外安康商會。第二章 項(xiàng)目概述一、 項(xiàng)目名稱及項(xiàng)目單位項(xiàng)目名稱：安康功率半導(dǎo)體項(xiàng)目項(xiàng)目單位：xx（集團(tuán)）有限公司二、 項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)本期項(xiàng)目選址位于xxx（待定），占地面積約21.00畝。項(xiàng)目擬定建設(shè)區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，非常適宜本期項(xiàng)目建設(shè)。三、 可行性研究范圍

25、依據(jù)國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和有關(guān)部門的行業(yè)發(fā)展規(guī)劃以及項(xiàng)目承辦單位的實(shí)際情況，按照項(xiàng)目的建設(shè)要求，對項(xiàng)目的實(shí)施在技術(shù)、經(jīng)濟(jì)、社會和環(huán)境保護(hù)等領(lǐng)域的科學(xué)性、合理性和可行性進(jìn)行研究論證。研究、分析和預(yù)測國內(nèi)外市場供需情況與建設(shè)規(guī)模，并提出主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)，對項(xiàng)目能否實(shí)施做出一個比較科學(xué)的評價，其主要內(nèi)容包括如下幾個方面:1、確定建設(shè)條件與項(xiàng)目選址。2、確定企業(yè)組織機(jī)構(gòu)及勞動定員。3、項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度建議。4、分析技術(shù)、經(jīng)濟(jì)、投資估算和資金籌措情況。5、預(yù)測項(xiàng)目的經(jīng)濟(jì)效益和社會效益及國民經(jīng)濟(jì)評價。四、 編制依據(jù)和技術(shù)原則（一）編制依據(jù)1、國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展第十三個五年計(jì)劃綱要；2、投資項(xiàng)目可行性研究指南；3、

26、相關(guān)財(cái)務(wù)制度、會計(jì)制度；4、投資項(xiàng)目可行性研究指南；5、可行性研究開始前已經(jīng)形成的工作成果及文件；6、根據(jù)項(xiàng)目需要進(jìn)行調(diào)查和收集的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)資料；7、可行性研究與項(xiàng)目評價；8、建設(shè)項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)評價方法與參數(shù)；9、項(xiàng)目建設(shè)單位提供的有關(guān)本項(xiàng)目的各種技術(shù)資料、項(xiàng)目方案及基礎(chǔ)材料。（二）技術(shù)原則堅(jiān)持以經(jīng)濟(jì)效益為中心，社會效益和不境效益為重點(diǎn)指導(dǎo)思想，以技術(shù)先進(jìn)、經(jīng)濟(jì)可行為原則，立足本地、面向全國、著眼未來，實(shí)現(xiàn)企業(yè)高質(zhì)量、可持續(xù)發(fā)展。1、優(yōu)化規(guī)劃方案，盡可能減少工程項(xiàng)目的投資額，以求得最好的經(jīng)濟(jì)效益。2、結(jié)合廠址和裝置特點(diǎn)，總圖布置力求做到布置緊湊，流程順暢，操作方便，盡量減少用地。3、在工藝路線及公用工

27、程的技術(shù)方案選擇上，既要考慮先進(jìn)性，又要確保技術(shù)成熟可靠，做到先進(jìn)、可靠、合理、經(jīng)濟(jì)。4、結(jié)合當(dāng)?shù)赜欣麠l件，因地制宜，充分利用當(dāng)?shù)刭Y源。5、根據(jù)市場預(yù)測和當(dāng)?shù)厍闆r制定產(chǎn)品方向，做到產(chǎn)品方案合理。6、依據(jù)環(huán)保法規(guī)，做到清潔生產(chǎn)，工程建設(shè)實(shí)現(xiàn)“三同時”，將環(huán)境污染降低到最低程度。7、嚴(yán)格執(zhí)行國家和地方勞動安全、企業(yè)衛(wèi)生、消防抗震等有關(guān)法規(guī)、標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范。做到清潔生產(chǎn)、安全生產(chǎn)、文明生產(chǎn)。五、 建設(shè)背景、規(guī)模（一）項(xiàng)目背景MOSFET問世于1980年左右，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管，用于將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化，起到開關(guān)或放大等作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，溝槽結(jié)構(gòu)MOSF

28、ET于1990年左右逐步研發(fā)成功。2008年，英飛凌（Infineon）率先推出屏蔽柵功率MOSFET。對國內(nèi)市場而言，MOSFET產(chǎn)品由于其技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，很大程度上仍依賴進(jìn)口，國產(chǎn)化空間巨大。（二）建設(shè)規(guī)模及產(chǎn)品方案該項(xiàng)目總占地面積14000.00（折合約21.00畝），預(yù)計(jì)場區(qū)規(guī)劃總建筑面積20998.63。其中：生產(chǎn)工程14032.93，倉儲工程1964.20，行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施2194.40，公共工程2807.10。項(xiàng)目建成后，形成年產(chǎn)xx件功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)能力。六、 項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度結(jié)合該項(xiàng)目建設(shè)的實(shí)際工作情況，xx（集團(tuán)）有限公司將項(xiàng)目工程的建設(shè)周期確定為24個月，其工作內(nèi)容

29、包括：項(xiàng)目前期準(zhǔn)備、工程勘察與設(shè)計(jì)、土建工程施工、設(shè)備采購、設(shè)備安裝調(diào)試、試車投產(chǎn)等。七、 環(huán)境影響本項(xiàng)目將嚴(yán)格按照“三同時”即三廢治理與生產(chǎn)裝置同時設(shè)計(jì)、同時施工、同時建成使用的原則，貫徹執(zhí)行國家和地方有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)。積極采用先進(jìn)而成熟的工藝設(shè)備，最大限度利用資源，盡可能將三廢消除在工藝內(nèi)部，項(xiàng)目單位及時對生產(chǎn)過程中的噪音、廢水、固體廢棄物等都要經(jīng)過處理，避免造成環(huán)境污染，確保該項(xiàng)目的建設(shè)與實(shí)施過程完全符合國家環(huán)境保護(hù)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)。八、 建設(shè)投資估算（一）項(xiàng)目總投資構(gòu)成分析本期項(xiàng)目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動資金。根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)估算，項(xiàng)目總投資8838.90萬元，其中：建設(shè)投資6

30、833.33萬元，占項(xiàng)目總投資的77.31%；建設(shè)期利息158.84萬元，占項(xiàng)目總投資的1.80%；流動資金1846.73萬元，占項(xiàng)目總投資的20.89%。（二）建設(shè)投資構(gòu)成本期項(xiàng)目建設(shè)投資6833.33萬元，包括工程費(fèi)用、工程建設(shè)其他費(fèi)用和預(yù)備費(fèi)，其中：工程費(fèi)用5849.14萬元，工程建設(shè)其他費(fèi)用820.78萬元，預(yù)備費(fèi)163.41萬元。九、 項(xiàng)目主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)（一）財(cái)務(wù)效益分析根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)測算，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后每年?duì)I業(yè)收入18200.00萬元，綜合總成本費(fèi)用14708.16萬元，納稅總額1698.84萬元，凈利潤2550.69萬元，財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率21.01%，財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值2734.99萬元，全部

31、投資回收期6.00年。（二）主要數(shù)據(jù)及技術(shù)指標(biāo)表主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表序號項(xiàng)目單位指標(biāo)備注1占地面積14000.00約21.00畝1.1總建筑面積20998.631.2基底面積8540.001.3投資強(qiáng)度萬元/畝314.312總投資萬元8838.902.1建設(shè)投資萬元6833.332.1.1工程費(fèi)用萬元5849.142.1.2其他費(fèi)用萬元820.782.1.3預(yù)備費(fèi)萬元163.412.2建設(shè)期利息萬元158.842.3流動資金萬元1846.733資金籌措萬元8838.903.1自籌資金萬元5597.163.2銀行貸款萬元3241.744營業(yè)收入萬元18200.00正常運(yùn)營年份5總成本費(fèi)用萬元147

32、08.16""6利潤總額萬元3400.92""7凈利潤萬元2550.69""8所得稅萬元850.23""9增值稅萬元757.69""10稅金及附加萬元90.92""11納稅總額萬元1698.84""12工業(yè)增加值萬元5715.95""13盈虧平衡點(diǎn)萬元7604.80產(chǎn)值14回收期年6.0015內(nèi)部收益率21.01%所得稅后16財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值萬元2734.99所得稅后十、 主要結(jié)論及建議經(jīng)分析，本期項(xiàng)目符合國家產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策，項(xiàng)目建設(shè)及投產(chǎn)的各

33、項(xiàng)指標(biāo)均表現(xiàn)較好，財(cái)務(wù)評價的各項(xiàng)指標(biāo)均高于行業(yè)平均水平，項(xiàng)目的社會效益、環(huán)境效益較好，因此，項(xiàng)目投資建設(shè)各項(xiàng)評價均可行。建議項(xiàng)目建設(shè)過程中控制好成本，制定好項(xiàng)目的詳細(xì)規(guī)劃及資金使用計(jì)劃，加強(qiáng)項(xiàng)目建設(shè)期的建設(shè)管理及項(xiàng)目運(yùn)營期的生產(chǎn)管理，特別是加強(qiáng)產(chǎn)品生產(chǎn)的現(xiàn)金流管理，確保企業(yè)現(xiàn)金流充足，同時保證各產(chǎn)業(yè)鏈及各工序之間的銜接，控制產(chǎn)品的次品率，贏得市場和打造企業(yè)良好發(fā)展的局面。第三章 行業(yè)發(fā)展分析一、 MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)基本情況1、MOSFET簡介MOSFET問世于1980年左右，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管，用于將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化，起到開關(guān)或放大等作用。

34、隨著技術(shù)的發(fā)展，溝槽結(jié)構(gòu)MOSFET于1990年左右逐步研發(fā)成功。2008年，英飛凌（Infineon）率先推出屏蔽柵功率MOSFET。對國內(nèi)市場而言，MOSFET產(chǎn)品由于其技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，很大程度上仍依賴進(jìn)口，國產(chǎn)化空間巨大。2、MOSFET的市場規(guī)模及競爭格局2019年全球MOSFET市場規(guī)模達(dá)76億美元，2016-2023年復(fù)合增速達(dá)5%；中國大陸MOSFET市場規(guī)模達(dá)36億美元，中國市場在全球占比約48%。2020年，全球MOSFET市場規(guī)模達(dá)80.67億美元，2021年在全球尤其是中國的5G基礎(chǔ)設(shè)施和5G手機(jī)、PC及云服務(wù)器、電動汽車、新基建等市場推動下，全球MOSFET增速將以

35、較高速度增長。預(yù)計(jì)2021年至2025年，MOSFET每年的增速將不低于6.7%，預(yù)計(jì)2025年將達(dá)到118.47億美元。根據(jù)有關(guān)數(shù)據(jù)，2020年，全球MOSFET營收前十的廠商仍然以歐、美、日廠商為主，其中英飛凌以29.7%的市場份額遙遙領(lǐng)先，位居全球功率MOSFET市場第一，前2大廠商英飛凌和安森美營收之和占比為40.9%，前10大公司營收之和占比高達(dá)80.4%。3、MOSFET的未來發(fā)展趨勢近二十年來，各個領(lǐng)域?qū)β势骷碾妷汉皖l率要求越來越嚴(yán)格，MOSFET和IGBT逐漸成為主流，技術(shù)上MOSFET朝著低阻抗發(fā)展。中國MOSFET市場規(guī)模增長迅速，據(jù)統(tǒng)計(jì)，2016年-2019年MOSF

36、ET市場的復(fù)合增長率為12.0%。MOSFET增速與全球功率器件增速接近，占據(jù)功率器件22%的市場份額，長期來看仍將保持重要地位。全球功率器件市場規(guī)模穩(wěn)步增長，MOSFET需求長期穩(wěn)定。二、 行業(yè)基本情況半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體是整個信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展基石，是電子產(chǎn)品的核心組成部分。從應(yīng)用領(lǐng)域看，半導(dǎo)體產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域集中于PC、消費(fèi)類電子、手機(jī)、汽車電子等領(lǐng)域。此外，隨著電子產(chǎn)品的升級，半導(dǎo)體在電子產(chǎn)品的含量將逐步提高，未來在下游電子產(chǎn)品市場需求增長的帶動下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將保持較好的增長態(tài)勢。半導(dǎo)體器件是利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件。功率半導(dǎo)體

37、是對功率進(jìn)行變頻、變壓、變流、功率放大及管理的半導(dǎo)體器件，不但實(shí)施電能的存儲、傳輸、處理和控制，保障電能安全、可靠、高效和經(jīng)濟(jì)的運(yùn)行，而且將能源與信息高度地集成在一起。雖然功率半導(dǎo)體器件在電力電子裝置中的成本占比通常僅20%-30%，但是對設(shè)備的使用性能、過載能力、響應(yīng)速度、安全性和可靠性影響極為重大，是決定其性價比的核心器件。在日常生活中，凡涉及發(fā)電、輸電、變電、配電、用電、儲電等環(huán)節(jié)的，均離不開功率半導(dǎo)體。功率半導(dǎo)體器件作為不可替代的基礎(chǔ)性產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于國民經(jīng)濟(jì)建設(shè)的各個領(lǐng)域。從產(chǎn)品類型來看，功率半導(dǎo)體可以分為功率器件和功率IC。功率器件屬于分立器件，可進(jìn)一步分為二極管、晶體管、晶閘管等

38、，其中二極管主要包括TVS二極管、肖特基二極管、整流二極管等，晶體管主要包括MOSFET、IGBT、雙極性晶體管等；功率IC屬于集成電路中的模擬IC，可進(jìn)一步分為AC/DC、DC/DC、電源管理IC、驅(qū)動IC等。第四章 產(chǎn)品方案一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容（一）項(xiàng)目場地規(guī)模該項(xiàng)目總占地面積14000.00（折合約21.00畝），預(yù)計(jì)場區(qū)規(guī)劃總建筑面積20998.63。（二）產(chǎn)能規(guī)模根據(jù)國內(nèi)外市場需求和xx（集團(tuán)）有限公司建設(shè)能力分析，建設(shè)規(guī)模確定達(dá)產(chǎn)年產(chǎn)xx件功率半導(dǎo)體，預(yù)計(jì)年?duì)I業(yè)收入18200.00萬元。二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)本期項(xiàng)目產(chǎn)品主要從國家及地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策、市場需求狀況、資源

39、供應(yīng)情況、企業(yè)資金籌措能力、生產(chǎn)工藝技術(shù)水平的先進(jìn)程度、項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益及投資風(fēng)險性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據(jù)市場需求狀況進(jìn)行必要的調(diào)整，各年生產(chǎn)綱領(lǐng)是根據(jù)人員及裝備生產(chǎn)能力水平，并參考市場需求預(yù)測情況確定，同時，把產(chǎn)量和銷量視為一致，本報告將按照初步產(chǎn)品方案進(jìn)行測算。產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表序號產(chǎn)品（服務(wù)）名稱單位單價（元）年設(shè)計(jì)產(chǎn)量產(chǎn)值1功率半導(dǎo)體件xxx2功率半導(dǎo)體件xxx3功率半導(dǎo)體件xxx4.件5.件6.件合計(jì)xx18200.00ICInsights發(fā)布的麥克林報告（McCleanReport2019）公布了最新的全球半導(dǎo)體市場與全球GDP總量增長的關(guān)系圖，指出全球經(jīng)濟(jì)增長狀況是影響全

40、球半導(dǎo)體市場起伏的最主要因素，特別是2010年以后，全球半導(dǎo)體市場增長與全球GDP總量增長呈現(xiàn)高度相關(guān)性，2010-2018年的相關(guān)系數(shù)高達(dá)0.86。2016年、2017年、2018年全球GDP總量增速分別為2.4%、3.1%、3.0%左右，而推動全球半導(dǎo)體市場增速分別達(dá)3.0%、25%、16%左右。ICInsights預(yù)測2019-2023年全球半導(dǎo)體市場增長與全球GDP總量增長的相關(guān)系數(shù)為0.93。ICInsights認(rèn)為原因來自兩個，一是越來越多的兼并和收購事件導(dǎo)致主要半導(dǎo)體制造商和供應(yīng)商數(shù)量減少，這是供應(yīng)基礎(chǔ)的一個重大變化，也說明了該行業(yè)愈發(fā)成熟，這有助于促進(jìn)全球GDP成長與半導(dǎo)體市場

41、之間更密切的關(guān)聯(lián)性。二是消費(fèi)者驅(qū)動的IC市場持續(xù)轉(zhuǎn)型。20年前大約60%的半導(dǎo)體市場是由商務(wù)應(yīng)用程序推動、40%是由消費(fèi)者應(yīng)用程序驅(qū)動的，如今這兩者所占百分比已經(jīng)互換。因此，隨著消費(fèi)者為導(dǎo)向的環(huán)境推動電子系統(tǒng)銷售和半導(dǎo)體市場的作用愈顯重要。第五章 項(xiàng)目選址分析一、 項(xiàng)目選址原則所選場址應(yīng)避開自然保護(hù)區(qū)、風(fēng)景名勝區(qū)、生活飲用水源地和其他特別需要保護(hù)的環(huán)境敏感性目標(biāo)。項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域地理?xiàng)l件較好，基礎(chǔ)設(shè)施等配套較為完善，并且具有足夠的發(fā)展?jié)摿?。二?建設(shè)區(qū)基本情況安康市，陜西省地級市。位于陜西省東南部，北依秦嶺，南靠巴山，漢水橫貫東西，河谷盆地（安康盆地）居中，幅員在北緯31°4233

42、76;49、東經(jīng)108°01110°01之間，下轄1區(qū)、8縣、1縣級市。安康地處秦巴腹地，漢水之濱，被譽(yù)為“西安后花園”。根據(jù)第七次人口普查數(shù)據(jù)，截至2020年11月1日零時，安康市常住人口為2493436人。安康市面積23529平方千米，耕地28.9萬公頃。該地區(qū)為中國北亞熱帶動植物典型代表區(qū)，有羚牛、朱鹮、大熊貓、云豹、大鯢等珍稀動物。是陜西省及西北地區(qū)最主要的茶葉、蠶繭、油桐、生漆主產(chǎn)區(qū)。因境內(nèi)土壤含硒元素豐富，又被譽(yù)為“中國硒谷”。隨著西康高速、西康鐵路（雙線）全線貫通，安康全面融入西安2小時經(jīng)濟(jì)圈。2020年，安康市全年生產(chǎn)總值1088.78億元。安康是南水北調(diào)中

43、線工程的核心水源區(qū)，承擔(dān)著“一江清水供北京”的光榮使命和政治責(zé)任。安康是中國十大宜居小城、國家森林城市、中國十大節(jié)慶城市、全國發(fā)展改革試點(diǎn)城市、國家主體功能區(qū)建設(shè)試點(diǎn)示范市、全國綠化模范城市、中國精彩城市、中國新聞傳播十強(qiáng)市、陜西最美綠色園林城市、陜西省園林城市、國家衛(wèi)生城市。2020年10月，被評為全國雙擁模范城（縣）。未來五年乃至更長時期是安康推動高質(zhì)量發(fā)展的重要戰(zhàn)略機(jī)遇期，發(fā)展的時和勢總體有利，加快追趕超越的基礎(chǔ)支撐和有利條件依然較多。全市上下要樹立戰(zhàn)略眼光，保持戰(zhàn)略定力，堅(jiān)持發(fā)展第一要務(wù)不動搖，牢牢抓住新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革帶來的戰(zhàn)略性機(jī)遇，切實(shí)用好新時代國家和省上重大戰(zhàn)略帶來的政策

44、性機(jī)遇，堅(jiān)定信心、以干克難，凝心聚力、奮勇前進(jìn)，奮力開創(chuàng)安康全面建設(shè)社會主義現(xiàn)代化的新局面。到二三五年基本實(shí)現(xiàn)社會主義現(xiàn)代化，到本世紀(jì)中葉把我國建成富強(qiáng)民主文明和諧美麗的社會主義現(xiàn)代化強(qiáng)國。三、 打造三大千億級產(chǎn)業(yè)集群按照“擴(kuò)充總量、優(yōu)化存量、提高質(zhì)量”的思路，推動產(chǎn)業(yè)融合發(fā)展、提質(zhì)增效，聚力打造富硒產(chǎn)業(yè)、旅游康養(yǎng)、新型材料三大千億級主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)集群，構(gòu)建綠色循環(huán)發(fā)展的核心產(chǎn)業(yè)支撐。四、 實(shí)施創(chuàng)新引領(lǐng)發(fā)展圍繞創(chuàng)新型城市建設(shè)，推動企業(yè)創(chuàng)新、人才創(chuàng)業(yè)、政府創(chuàng)優(yōu)，促進(jìn)科技與經(jīng)濟(jì)緊密結(jié)合、創(chuàng)新成果與產(chǎn)業(yè)發(fā)展密切對接，實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新鏈、產(chǎn)業(yè)鏈、資金鏈、政策鏈有機(jī)結(jié)合，讓創(chuàng)新驅(qū)動成為高質(zhì)量發(fā)展的核心引擎。構(gòu)建協(xié)同創(chuàng)

45、新體系。強(qiáng)化創(chuàng)新要素保障、創(chuàng)新主體培育、創(chuàng)新平臺支撐，推動國家高新區(qū)、省級高新區(qū)、省級經(jīng)開區(qū)、省級農(nóng)高區(qū)以及縣域工業(yè)集中區(qū)、現(xiàn)代農(nóng)業(yè)園區(qū)建設(shè)，發(fā)揮在創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展中的支撐引領(lǐng)作用，以管理創(chuàng)新推動各類開發(fā)區(qū)（園區(qū)）擴(kuò)容增效，打造秦巴區(qū)域創(chuàng)新高地。推動校企協(xié)同創(chuàng)新，支持企業(yè)與高等院校、科研院所開展技術(shù)合作，建設(shè)提升重點(diǎn)科研平臺、創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)平臺及院士專家工作站等科研資源共享平臺。支持企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)、高等院校聯(lián)合組建富硒食品、生物醫(yī)藥、旅游康養(yǎng)、新型材料、智能制造等產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟和知識聯(lián)盟。突出企業(yè)創(chuàng)新主體地位，推廣“四主體一聯(lián)合”創(chuàng)新模式，鼓勵企業(yè)加大研發(fā)投入，支持企業(yè)組建創(chuàng)新聯(lián)合體，帶動中小企業(yè)創(chuàng)新

46、。建立創(chuàng)新型企業(yè)成長的持續(xù)推進(jìn)機(jī)制和全程孵化體系，構(gòu)建企業(yè)全生命周期梯度培育鏈條，培育一批高新技術(shù)企業(yè)、瞪羚企業(yè)和“單項(xiàng)冠軍”企業(yè)。加強(qiáng)知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)。到2025年，全市高新技術(shù)企業(yè)總數(shù)達(dá)到120家。推動創(chuàng)新鏈產(chǎn)業(yè)鏈深度融合。建立科技創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)發(fā)展協(xié)同對接機(jī)制，把創(chuàng)新嵌入產(chǎn)業(yè)發(fā)展各領(lǐng)域、各環(huán)節(jié)，推進(jìn)創(chuàng)新鏈與產(chǎn)業(yè)鏈“兩鏈”融合、閉環(huán)發(fā)展。圍繞產(chǎn)業(yè)鏈部署創(chuàng)新鏈，圍繞創(chuàng)新鏈布局產(chǎn)業(yè)鏈，在富硒食品、新型材料、智能制造、生物醫(yī)藥等領(lǐng)域?qū)嵤┲攸c(diǎn)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新工程，在現(xiàn)代農(nóng)業(yè)、生物提取、儲能產(chǎn)品以及資源循環(huán)利用、動植物育種、電子信息等方面實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵環(huán)節(jié)技術(shù)突破。支持富硒食品、蠶桑、茶葉、釩新材料和先進(jìn)儲能等創(chuàng)新平臺建

47、設(shè)，促進(jìn)新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化、規(guī)模化應(yīng)用，培育電子信息、智能制造等高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)集群。著力打造“雙創(chuàng)”升級版。圍繞大眾創(chuàng)業(yè)和萬眾創(chuàng)新，加快建設(shè)眾創(chuàng)空間、星創(chuàng)天地、科技企業(yè)孵化器等平臺載體，統(tǒng)籌建立集科技成果轉(zhuǎn)化、科技成果交易、科技人才培訓(xùn)、科技資源共享、科技倫理體系建設(shè)、科學(xué)技術(shù)評價等功能于一體的綜合性科技資源統(tǒng)籌服務(wù)平臺，探索形成各具特色的“雙創(chuàng)”示范模式，打造一批“雙創(chuàng)”示范基地。完善“眾創(chuàng)空間+孵化器+加速器+產(chǎn)業(yè)園區(qū)”鏈條，強(qiáng)化創(chuàng)新、創(chuàng)業(yè)、創(chuàng)投、創(chuàng)客“四創(chuàng)聯(lián)動”，促進(jìn)眾創(chuàng)、眾包、眾扶、眾籌“四眾發(fā)展”，為創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)主體提供“一站式”服務(wù)。實(shí)行科研項(xiàng)目“揭榜比拼”和科研經(jīng)費(fèi)包干等制度，大力開展創(chuàng)新創(chuàng)

48、業(yè)大賽、論壇、培訓(xùn)等活動，培育創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)文化，鼓勵創(chuàng)新、寬容失敗，培樹一批創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)示范典型。支持設(shè)立創(chuàng)業(yè)投資引導(dǎo)基金、天使投資引導(dǎo)基金和科技成果轉(zhuǎn)化基金，拓寬小微企業(yè)和創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)者融資渠道。到2025年，全市創(chuàng)建50個創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)示范基地。五、 項(xiàng)目選址綜合評價項(xiàng)目選址應(yīng)統(tǒng)籌區(qū)域經(jīng)濟(jì)社會可持續(xù)發(fā)展，符合城鄉(xiāng)規(guī)劃和相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，保證城鄉(xiāng)公共安全和項(xiàng)目建設(shè)安全，滿足項(xiàng)目科研、生產(chǎn)要求，社會經(jīng)濟(jì)效益、社會效益、環(huán)境效益相互協(xié)調(diào)發(fā)展。 第六章 法人治理結(jié)構(gòu)一、 股東權(quán)利及義務(wù)1、公司建立股東名冊，股東名冊是證明股東持有公司股份的充分證據(jù)。股東按其所持有股份的種類享有權(quán)利，承擔(dān)義務(wù)；持有同一種類股份的股東，享有

49、同等權(quán)利，承擔(dān)同種義務(wù)。2、公司在召開股東大會、分配股利、清算及從事其他需要確認(rèn)股東身份的行為時，由董事會決定某一日為股權(quán)登記日。3、公司股東享有下列權(quán)利：（1）依照其所持有的股份份額獲得股利和其他形式的利益分配；（2）依法請求、召集、主持、參加或者委派股東代理人參加股東大會，并行使相應(yīng)的表決權(quán)；（3）對公司的經(jīng)營進(jìn)行監(jiān)督，提出建議或者質(zhì)詢；（4）依照法律、行政法規(guī)及本章程的規(guī)定轉(zhuǎn)讓、贈與或質(zhì)押其所持有的股份；（5）查閱本章程、股東名冊、公司債券存根、股東大會會議記錄、董事會會議決議、監(jiān)事會會議決議、財(cái)務(wù)會計(jì)報告；（6）公司終止或者清算時，按其所持有的股份份額參加公司剩余財(cái)產(chǎn)的分配；（7）對股

50、東大會作出的公司合并、分立決議持異議的股東，要求公司收購其股份；（8）法律、行政法規(guī)、部門規(guī)章或本章程規(guī)定的其他權(quán)利。4、股東提出查閱前條所述有關(guān)信息或者索取資料的，應(yīng)當(dāng)向公司提供證明其持有公司股份的種類以及持股數(shù)量的書面文件，公司經(jīng)核實(shí)股東身份后按照股東的要求予以提供。股東從公司獲得的相關(guān)信息或者索取的資料，公司尚未對外披露時，股東應(yīng)負(fù)有保密的義務(wù)，股東違反保密義務(wù)給公司造成損失時，股東應(yīng)當(dāng)承擔(dān)賠償責(zé)任。5、公司股東大會、董事會決議內(nèi)容違反法律、行政法規(guī)的，股東有權(quán)請求人民法院認(rèn)定無效。股東大會、董事會的會議召集程序、表決方式違反法律、行政法規(guī)或者本章程，或者決議內(nèi)容違反本章程的，股東有權(quán)自

51、決議作出之日起60日內(nèi)，請求人民法院撤銷。6、董事、高級管理人員執(zhí)行公司職務(wù)時違反法律、行政法規(guī)或者本章程的規(guī)定，給公司造成損失的，連續(xù)180日以上單獨(dú)或合并持有公司1%以上股份的股東有權(quán)書面請求監(jiān)事會向人民法院提起訴訟；監(jiān)事執(zhí)行公司職務(wù)時違反法律、行政法規(guī)或者本章程的規(guī)定，給公司造成損失的，前述股東可以書面請求董事會向人民法院提起訴訟。監(jiān)事會、董事會收到前款規(guī)定的股東書面請求后拒絕提起訴訟，或者自收到請求之日起30日內(nèi)未提起訴訟，或者情況緊急、不立即提起訴訟將會使公司利益受到難以彌補(bǔ)的損害的，前款規(guī)定的股東有權(quán)為了公司的利益以自己的名義直接向人民法院提起訴訟。他人侵犯公司合法權(quán)益，給公司造成

52、損失的，本條第一款規(guī)定的股東可以依照前兩款的規(guī)定向人民法院提起訴訟。7、董事、高級管理人員違反法律、行政法規(guī)或者本章程的規(guī)定，損害股東利益的，股東可以向人民法院提起訴訟。8、公司股東承擔(dān)下列義務(wù)：（1）遵守法律、行政法規(guī)和本章程；（2）依其所認(rèn)購的股份和入股方式繳納股金；（3）除法律、法規(guī)規(guī)定的情形外，不得退股；（4）不得濫用股東權(quán)利損害公司或者其他股東的利益；不得濫用公司法人獨(dú)立地位和股東有限責(zé)任損害公司債權(quán)人的利益；公司股東濫用股東權(quán)利給公司或者其他股東造成損失的，應(yīng)當(dāng)依法承擔(dān)賠償責(zé)任。公司股東濫用公司法人獨(dú)立地位和股東有限責(zé)任，逃避債務(wù)，嚴(yán)重?fù)p害公司債權(quán)人利益的，應(yīng)當(dāng)對公司債務(wù)承擔(dān)連帶責(zé)

53、任。（5）法律、行政法規(guī)及本章程規(guī)定應(yīng)當(dāng)承擔(dān)的其他義務(wù)。9、持有公司5%以上有表決權(quán)股份的股東，將其持有的股份進(jìn)行質(zhì)押的，應(yīng)當(dāng)自該事實(shí)發(fā)生當(dāng)日，向公司作出書面報告。10、公司的控股股東、實(shí)際控制人不得利用其關(guān)聯(lián)關(guān)系損害公司利益。違反規(guī)定的，給公司造成損失的，應(yīng)當(dāng)承擔(dān)賠償責(zé)任。公司控股股東及實(shí)際控制人對公司和公司其他股東負(fù)有誠信義務(wù)。控股股東應(yīng)嚴(yán)格依法行使出資人的權(quán)利，控股股東不得利用利潤分配、對外投資、資金占用、借款擔(dān)保等方式損害公司和其他股東的合法權(quán)益，不得利用其控制地位損害公司和其他股東的利益。公司應(yīng)防止控股股東及關(guān)聯(lián)方通過各種方式直接或間接占用公司的資金和資源，不得以下列方式將資金直接或

54、間接地提供給控股股東及關(guān)聯(lián)方使用：（1）有償或無償?shù)夭鸾韫镜馁Y金給控股股東及關(guān)聯(lián)方使用；（2）通過銀行或非銀行金融機(jī)構(gòu)向控股股東及關(guān)聯(lián)方提供委托貸款；（3）委托控股股東及關(guān)聯(lián)方進(jìn)行投資活動；（4）為控股股東及關(guān)聯(lián)方開具沒有真實(shí)交易背景的商業(yè)承兌匯票；（5）代控股股東及關(guān)聯(lián)方償還債務(wù)；（6）以其他方式占用公司的資金和資源。公司財(cái)務(wù)部門應(yīng)分別定期檢查公司與控股股東及關(guān)聯(lián)方非經(jīng)營性資金往來情況，杜絕控股股東及關(guān)聯(lián)方的非經(jīng)營性資金占用情況的發(fā)生。在審議年度報告的董事會會議上，財(cái)務(wù)總監(jiān)應(yīng)向董事會報告控股股東及關(guān)聯(lián)方非經(jīng)營性資金占用和公司對外擔(dān)保情況。股東大會授權(quán)董事會制定防止大股東、實(shí)際控制人及關(guān)聯(lián)方

55、占用公司資金的具體管理制度。公司董事、監(jiān)事、高級管理人員有義務(wù)維護(hù)公司資金不被控股股東占用。公司董事、高級管理人員協(xié)助、縱容控股股東及其附屬企業(yè)侵占公司資產(chǎn)時，公司董事會應(yīng)視情節(jié)輕重對直接責(zé)任人給予處分和對負(fù)有嚴(yán)重責(zé)任的董事予以罷免。發(fā)生公司股東及其關(guān)聯(lián)方以包括但不限于占用或轉(zhuǎn)移公司資金、資產(chǎn)及其他資源的方式侵犯公司利益的情況，公司董事會應(yīng)立即以公司的名義向人民法院申請對股東所侵占的公司資產(chǎn)及所持有的公司股份進(jìn)行司法凍結(jié)。凡股東不能對所侵占公司資產(chǎn)恢復(fù)原狀或現(xiàn)金清償或現(xiàn)金賠償?shù)?，公司有?quán)按照有關(guān)法律、法規(guī)、規(guī)章的規(guī)定及程序，通過變現(xiàn)控股股東所持公司股份償還所侵占公司資產(chǎn)。二、 董事1、公司設(shè)董

56、事會，對股東大會負(fù)責(zé)。2、董事會由12人組成，其中獨(dú)立董事4名；設(shè)董事長1人，副董事長1人。3、董事會行使下列職權(quán)：（1）負(fù)責(zé)召集股東大會，并向股東大會報告工作；（2）執(zhí)行股東大會的決議；（3）決定公司的經(jīng)營計(jì)劃和投資方案；（4）制訂公司的年度財(cái)務(wù)預(yù)算方案、決算方案；（5）制訂公司的利潤分配方案和彌補(bǔ)虧損方案；（6）在股東大會授權(quán)范圍內(nèi)，決定公司對外投資、收購出售資產(chǎn)、資產(chǎn)抵押、對外擔(dān)保事項(xiàng)、委托理財(cái)、關(guān)聯(lián)交易等事項(xiàng)；（7）決定公司內(nèi)部管理機(jī)構(gòu)的設(shè)置；（8）聘任或者解聘公司總裁、董事會秘書，根據(jù)總裁的提名，聘任或者解聘公司副總裁、財(cái)務(wù)總監(jiān)及其他高級管理人員，并決定其報酬事項(xiàng)和獎懲事項(xiàng)；擬訂并向股東大會提交有關(guān)董事報酬的數(shù)額及方式的方案；（9）制訂公司的基本管理制度；（10）制訂本章程的修改方案；（11）管理公司信息披露事項(xiàng)；（12）向股東大會提請聘請或更換為公司審計(jì)的會計(jì)師事務(wù)所；（13）聽取公司總裁的工作匯報并檢查總裁的工作；（14）決定公司因本章程規(guī)定的情形收購本公司股份事項(xiàng)；（15）法律、行政法規(guī)、部門規(guī)章或本章程授予的其他職權(quán)。公司董事會設(shè)立審計(jì)委員會，并根據(jù)需要設(shè)立戰(zhàn)略、提名、薪酬