[精品]模電復(fù)習(xí)

1、沒(méi)有空位，這是2） 面 接觸型二極管PN 結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。3） 平 面型二極管往往用于集成電路制造藝中PN 結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開(kāi)關(guān)電路中第二章1、本征半導(dǎo)體：完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。在絕對(duì)0度（T=OK ）和沒(méi)有外界激發(fā)時(shí)，價(jià)電了完全被共價(jià)鍵束縛著，本征半導(dǎo)體中可以運(yùn)動(dòng)的帶電粒子（即載流子），它的導(dǎo)電能力為0,相當(dāng)于絕緣體。常溫下， 由于熱激發(fā)， 使一些價(jià)電子獲得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為自由電子， 同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)稱為空穴。溫度越高，載流子的濃度越高。因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)，溫度是影響半導(dǎo)體性能的一個(gè)重要的外

2、部因素， 半導(dǎo)體的一大特點(diǎn)。本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成：（本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。） . 自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流。. 空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流。2、N 型半導(dǎo)體一摻入五價(jià)雜質(zhì)元素（如磷）的半導(dǎo)體。P 型半導(dǎo)體一摻入三價(jià)雜質(zhì)元素（如硼）的半導(dǎo)體。在 N 型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子，它主要由雜質(zhì)原子提供；空穴是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成。在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子，它主要由摻雜形成；自由電子是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成。3、 當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)中P區(qū)電位高于N區(qū)的電位，稱為加正向電壓，簡(jiǎn)稱正偏；反之為加反向電壓，簡(jiǎn)稱反偏。PN 結(jié)加正向電壓時(shí)低電阻大的正向擴(kuò)散電流PN 結(jié)加反向電

3、壓時(shí) 高電阻 很小的反向漂移電流由此可以得出結(jié)論： PN 結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?、在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少了濃度是一定的，故少了形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向 壓的大小無(wú)關(guān)，這個(gè)電流也稱為反向飽和電流。5、（ 1）點(diǎn)接觸型二極管PN 結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。第三章1、三極管結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：, 發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最局；?集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大； ?基區(qū)很薄，一般在幾個(gè)微米至幾十個(gè)微米，且摻雜濃度最低。2、發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流了 基區(qū)：傳送和控制載流子 集電區(qū)：收集載流子T（ yT3、當(dāng) Ic ?ICEO 時(shí)， = 工一般 a=0.90.99” = 如1

4、-Q姊4、放大過(guò)程的兩個(gè)條件是：（ 1）內(nèi)部條件：發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，且基區(qū)很薄。（ 2）外部條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。5、 飽和區(qū)：ic明顯受VCE控制的區(qū)域，一般 VCB0.7V （硅管）。此時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏或反偏電壓很小。 放大區(qū)：ic平行于VCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。此時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)偏。截止區(qū)： ic 接近零的區(qū)域，相當(dāng) iB=0 的曲線的下方。此時(shí)， VBE 小于死區(qū)電壓。6、直流電源：內(nèi)阻為零 耦合電容：通交流、隔直流 直流電源和耦合電容對(duì)交流相當(dāng)于短路。7、一般硅管 VBE=0.7V, 銬管 VBE=0.3Vo住流血戦線8 , b

5、e= rb + (1+ )”e其中對(duì)于低頻小功率管M200QK(mV) 26(mV)r =-= -(T=300K)c 焰(mA) LQ(曲)*2009、 溫度T T T輸岀特性曲線上移(/ cbo = /CBQ"25? ? e"E ) ?DU 匕 J J溫度TT t輸入特性曲線左移(Vbe =A 0=25, 0) -(T-7 ； )X2.2X1O-3V )溫度TT -?輸岀特性曲線族間距增大(溫度每升高1 °C, 0要增加0.5%1.0%)10、共射電路：較高電壓和電流增益，輸入與輸岀阻抗中等，輸岀電壓與輸入電壓反相。共基電路：電流增益小于或等于 1,電壓增益較大

6、，輸入阻抗低，輸出阻抗高，輸出電壓與輸入電壓同相 共集電路：電壓增益小于或等于 1,電流增益較大，輸入阻抗高，輸出阻抗低，輸出電壓與輸入電壓同相11、總的放大增益等于各個(gè)單級(jí)增益的乘積。AA- T*第五早1、甲類：一個(gè)周期內(nèi)均導(dǎo)通乙類：導(dǎo)通角等于 180°甲乙類：導(dǎo)通角大于180。丙類：導(dǎo)通角小于180。4二琮+烏=§（圣盆_凹地）Rl兀4Pn=Po+Pi= 2VCGVemTTRl時(shí),h=*2,乙更雙電源帀補(bǔ)劉稱功率放人電路1/ (v-* CkS 2p-VIKmV 2_ omp =4i f .OO。V2&RL 2%LHIL1A2鳥(niǎo)2%p71 Vjr =2 =221K

7、m"cc 時(shí)，=彳刃8.5%Pv4 Vcc第八早l.瓦催h(yuǎn)如共模抑制比反映抑制零漂能力的指標(biāo)差分式放大電 路Vci 與 1反相*2與同相pci與皿同相VC2 與 Pi2反相VO與反相Uo與阪同相第七章1、并聯(lián)：反饋量文 f和輸入量文接于同一輸入端串聯(lián)：反饋量Xf和輸入量R接于不同輸入端電壓：將負(fù)載短路，反饋量為零。 電流：將負(fù)載短路，反饋量仍然存在。A. 電壓串聯(lián)串聯(lián)反饋：輸入端電壓求和B, 電流并聯(lián)并聯(lián)反饋：輸入端電流求和2、信號(hào)源對(duì)反饋效果的影響： 串聯(lián)反饋：vi最好為恒壓源，即信號(hào)源內(nèi)阻 并聯(lián)反饋：ii最好為恒流源，即信號(hào)源內(nèi)阻(KVL)(KCL)Rs越小越好Rs越大越好。電壓

8、負(fù)反饋：穩(wěn)定輸出電壓電流負(fù)反饋：穩(wěn)定輸出電流If/甲A1電踣i«jT jfI-V戶=反饋系數(shù)X。V6、人=1開(kāi)環(huán)增益（考慮反饋網(wǎng)絡(luò)的負(fù)載效應(yīng)）X'd=KXS)s人=Q閉環(huán)增益人FS=Q=KAf (XjFS X, XJK信號(hào)、在四種反饋?zhàn)钁B(tài)中的具體形式電壓串聯(lián)電壓并聯(lián)電流串聯(lián)電流并聯(lián)V. idV.AA4ytAA;AA7、&=| I +AF|稱為反饋深度1+AF|1+人戶| 1時(shí)，國(guó)|網(wǎng)，一般負(fù)反饋|1 + AF|? 1時(shí)，深度負(fù)反饋|1 + AF|1時(shí)，國(guó)14，正反饋(4) |1 +Af| = 0時(shí)，國(guó)T8，自激振蕩8、負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的改善：閉環(huán)增益只取決于反饋網(wǎng)

9、絡(luò)。當(dāng)反饋網(wǎng)絡(luò)由穩(wěn)定的線性元件組成時(shí)，閉環(huán)增益將有很高的穩(wěn)定性。 閉環(huán)時(shí)增益減小，線性度變好。減少非線性失真。擴(kuò)展頻帶：上限頻率擴(kuò)展1+AF倍；下限頻率降低 1+AF倍。對(duì)輸入電阻和輸岀電阻的影響：串聯(lián)負(fù)反饋一增大輸入電阻并聯(lián)負(fù)反饋減小輸入電阻電壓負(fù)反饋一減小輸出電阻，穩(wěn)定輸出電壓電流負(fù)反饋-增大輸出電阻，穩(wěn)定輸出電流9、為改善性能引入負(fù)反饋的一般原則：要穩(wěn)定直流量一引直流負(fù)反饋要穩(wěn)定交流量一一引交流負(fù)反饋要穩(wěn)定輸出電壓一引電壓負(fù)反饋要穩(wěn)定輸出電流一引電流負(fù)反饋要增大輸入電阻一引串聯(lián)負(fù)反饋要減小輸入電阻一引并聯(lián)負(fù)反饋第八章1、理想運(yùn)放的條件 、由于&= 8有：皿="_ “虛短

10、路”u+ -u_ 、由于有：id “ = o “虛斷路” riRr0+RL 、由于 T0有：Mo= UOC = UOC "放大倍數(shù)與負(fù)載無(wú)關(guān)(電壓反饋) .頻帶寬度F=8 ; .共模抑制比 CMRR=8 ; .失調(diào)、漂移和內(nèi)部噪聲為零2、 當(dāng)U+>U-時(shí)，Uo為正飽和值當(dāng)U+vU-時(shí)，Uo為負(fù)飽和值3、反相比例運(yùn)算電路V。= V輸岀與輸入反相Rlrof=Oo反相放大器的輸入電阻if = Ri，輸岀電阻4、同相比例運(yùn)算電路rRuR2VI O殊防J> wV。輸岀與輸入同相=(1 +同相放大器的輸入電阻Ef = 8,輸岀電阻rof=05、電壓跟隨器6、積分電路7、微分運(yùn)算u _

11、 RC _ o At若輸入：=sinM貝U :uo = -RC cos cot - RC sin（ 6iX-90°）第九章1、自激振蕩條件:(1)振幅條件：IA "1=1 (2 相位條件：(pA+(pF =17171相位條件意味著振蕩電路必須是正反饋；振幅條件可以通過(guò)調(diào)整放大電路的放大倍數(shù)達(dá)到-VEE2、?=）= 或 f = f 0=-0 RC0 271RC3、單門限電壓比較器v 0=一式中，負(fù)號(hào)表示 Vo與Vs在相位上是相反的當(dāng)Vs為階躍電壓時(shí)，有vo=一里 fTVi >V REF 時(shí)，Vomax = +VCCVI < V REF 時(shí),Vomax = "VEE1. 電路簡(jiǎn)單。2. 當(dāng)Ao不夠大時(shí)，輸岀邊沿不陡。3. 容易引入干擾。4、反相端輸入遲滯比較器祀 範(fàn)A叫1 二 61:MbnUR? uRt +R2 RUl = u R1+R2 '+ 全一uOM Rx+ R2 R5、同相端輸入遲滯比較器穴 "&am