筆記本電路基礎(chǔ) 最新

1、由實際元器件構(gòu)成的由實際元器件構(gòu)成的可將其他形式的能量轉(zhuǎn)換成電能、向可將其他形式的能量轉(zhuǎn)換成電能、向電路提供電能的裝置。電路提供電能的裝置?？蓪㈦娔苻D(zhuǎn)換成其他形式的能量、在可將電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能量、在電路中接收電能的設(shè)備。電路中接收電能的設(shè)備。電源和負載之間不可缺少的連接、電源和負載之間不可缺少的連接、控制和保護部件統(tǒng)稱為中間環(huán)節(jié)，控制和保護部件統(tǒng)稱為中間環(huán)節(jié)，如導(dǎo)線、開關(guān)及各種繼電器等。如導(dǎo)線、開關(guān)及各種繼電器等。的電路可對電信號進行傳遞、變的電路可對電信號進行傳遞、變換、儲存和處理。換、儲存和處理。的電路可對電能進行傳輸、分配的電路可對電能進行傳輸、分配和轉(zhuǎn)換。和轉(zhuǎn)換。死區(qū)時間, 上下

2、管驅(qū)動信號均為低電平發(fā)光二極管的工作電流很小，為了防止其燒毀或延長電源的使用時間，要將電路的電流限制在其工作電流范圍內(nèi)，根據(jù)歐姆定律可以計算出R1的值。 I=V/（R1+RD）(此時的I值應(yīng)該是發(fā)光二極管的工作電流值),相信不難求出電阻的值。電容器電容器：capacitor 1、符號和單位：符號： C、（TC、CT、CB、BC、CM、MC、CE、EC、CC、CN、CP）單位：法（F）、微法（F=10-6F）、納法（nF=10-9F）、皮法（pF=10-12F）電容的常用單位是微法、納法和皮法；電容 的默認(rèn)單位是微法；特性和作用：a、特性：電容是一種能夠儲存電能的元件，通過充電和放電來儲存和釋放

3、電能；有如下特性：）充放電儲存和釋放能量；）通交流而隔直流；）通高頻交流電而阻礙低頻交流電；）電容不允許加在其兩端的電壓發(fā)生突變，電容的充放電需符合一定的規(guī)律，其充放電常數(shù)=RC 5）容抗：電容對交流電的阻礙作用，用Xc表示，單位為。 XC =1/（2f c)其中2為常數(shù)，f為頻率，c為容量電容的作用電容的作用C1、C2是耦合電容，傳輸音頻交流信號，C2同時有隔直流的作用，防止直流燒壞揚聲器；電感：電感：1、符號和單位：、符號和單位： 符號：符號：L單位：單位：1亨（亨（H）=1000 毫亨（毫亨（mH） 1mH =1000 微亨（微亨（H）作用：a、濾波：電感的濾波作用與電容非常相似，只不過

4、電容是并聯(lián)在電路中，而電感是串聯(lián)在電路中，它相當(dāng)于一個電源，這兩個電源是串聯(lián)關(guān)系。單獨電感做濾波的情況比較少，一般與電容配合使用組成L型或型濾波電路，濾波效果才更佳。L型濾波和型濾波b、儲能：二極管：二極管：a、符號：b、分類： 按功能分：1）整流二極管： 普通、快恢復(fù)、超快恢復(fù)、肖特基 2）穩(wěn)壓二極管：3）開關(guān)二極管：4）發(fā)光二極管：5）光電二極管：按材料分： 硅管、鍺管按封裝形式分：玻璃封裝、塑料封裝c、特性與作用：1、特性：單向?qū)щ娦裕弘娏髦荒軓恼龢O流向負極而不能從負極流向正極；正向?qū)〞r有壓降，普通硅管為0.6-0.7V； 普通鍺管為0.2-0.3V 發(fā)光二極管的壓降1-5V反向電壓大

5、于定值時會擊穿；如1N4001 1A 50V 1N4007 1A 100V 場管場管N溝道增強型MOSFET的結(jié)構(gòu)P型襯底BSiO2N+N+SDG 取一塊P型半導(dǎo)體作為襯底，用B表示。 用氧化工藝生成一層SiO2 薄膜絕緣層。 然后用光刻工藝腐蝕出兩個孔。 擴散兩個高摻雜的N型區(qū)。從而形成兩個PN結(jié)。（綠色部分） 從N型區(qū)引出電極，一個是漏極D，一個是源極S。 在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。 N溝道增強型MOSFET的符號如左圖所示。左面的一個襯底在內(nèi)部與源極相連，右面的一個沒有連接，使用時需要在外部連接。DGSBDGSBD S GB襯襯底底 N溝道增強型圖符號溝道增強型圖

6、符號D S GB襯襯底底 P溝道增強型圖符號溝道增強型圖符號SI4435SI48356986SG1S2G2D1D2/S14816G1S1S2G2D14814D24235 N溝道增強型MOSFET的工作原理 對N溝道增強型MOS場效應(yīng)三極管的工作原理，分兩個方面進行討論，一是柵源電壓UGS對溝道會產(chǎn)生影響，二是漏源電壓UDS也會對溝道產(chǎn)生影響，從而對輸出電流，即漏極電流ID產(chǎn)生影響。 1柵源電壓UGS的控制作用SDGPN+N+SiO型襯底DSUGSU2=0空穴正離子電子負離子+ 先令漏源電壓UDS=0，加入柵源電壓UGS以后并不斷增加。 UGS帶給柵極正電荷，會將正對SiO2層的表面下的襯底中的

7、空穴推走，從而形成一層負離子層，即耗盡層，用綠色的區(qū)域表示。 同時會在柵極下的表層感生一定的電子電荷，若電子數(shù)量較多，從而在漏源之間可形成導(dǎo)電溝道。 溝道中的電子和P型襯底的多子導(dǎo)電性質(zhì)相反，稱為反型層。此時若加上UDS ，就會有漏極電流ID產(chǎn)生。反型層0DSU 當(dāng)UGS較小時，不能形成有效的溝道，盡管加有UDS ，也不能形成ID 。當(dāng)增加UGS，使ID剛剛出現(xiàn)時，對應(yīng)的UGS稱為開啟電壓，用UGS(th)或UT表示。N溝道導(dǎo)通條件溝道導(dǎo)通條件: UG US典型應(yīng)用電路典型應(yīng)用電路16V 輸入控制信號5V輸出16VP溝道導(dǎo)通條件: UG VB;Q2為N溝道MOS管,導(dǎo)通條件為 UG US，當(dāng)Q2導(dǎo)通時, VA VB,故Q1也導(dǎo)通,VC輸出16V,當(dāng)Q2截止時, VA = VB,故Q2也截止,VC無輸出.VAVBP P溝道導(dǎo)通條件：溝道導(dǎo)通條件： VG VSVC典型應(yīng)用電路典型應(yīng)用電路 AYY=AAY0011同相門真值表如下AYY=AAY0110反相門真值表如下 AC