第四節(jié)晶體三極管

1、第四節(jié)第四節(jié) 晶體三極管晶體三極管 的伏安特性曲線的伏安特性曲線 晶體三極管的理論伏安特性曲線，可以根據(jù)埃伯爾斯莫爾方程直接畫出來。 理論伏安特性曲線： 是不考慮中性區(qū)所固有的體電阻、制造工藝上的離散性以及其它的寄生影響等因素。 如果考慮到這些影響，則實際的伏安特性曲線將偏離理論伏安特性曲線。一般都采用實驗方法逐點描繪出來或用晶體三極管測試儀直接側(cè)得。雙口網(wǎng)絡(luò)V1I2I1V2共基極VEBICIEVCBCEB共發(fā)射極共集電極VBCIEIBVBCEBCVCEICIBVBEBCE 以共發(fā)射極為例： 根據(jù)電路可知： 有四個變量 IB 、VBE 、IC 、VCE 輸入特性曲線族 CEVBEEBVfI）（

2、1 輸出特性曲線族 BICEECVfI）（2或 BEVCEECVfI）（2VCEICIBVBEECB 在某些應(yīng)用場合下，還需要其它形式的特性曲線，這些特性曲線都可以從上述的輸入和輸出特性曲線轉(zhuǎn)換得到。 例如：轉(zhuǎn)移特性曲線族 CEVBECVfI）（電流放大特性曲線族 CEVBCIfI）（一、輸入特性曲線族：一、輸入特性曲線族：實際測量得到的輸入特性曲線族。 0IEBO +ICBOV(BR)BEOIB /AVCE = 10VVCE = 0.3VVCE = 00.70.60.5VBE /V0.8基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)： WBVCEWBOIBNPNWBO 二、輸出特性曲線族：二、輸出特性曲線族：實際測量得到

3、的輸出特性曲線族。 放放大大區(qū)區(qū)擊擊穿穿區(qū)區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)截止區(qū)IC /mAIB=-ICBO(IE=0)V(BR)CBOV(BR)CEOIC=ICBOIC=ICEOVCE/V10AIB=040A30A20A 根據(jù)外加電壓大小的不同，整個曲線族可劃分為四個區(qū)，即放大區(qū)、截止區(qū)、飽和區(qū)、擊穿區(qū)。1、放大區(qū)： 晶體三極管工作在放大模式，即 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 IC 與 IB 之間滿足直流傳輸方程，即 CEOBCIII 特點： （1）、若設(shè) 為常數(shù)，當(dāng) IB 等量增加時，輸出特性曲線也將等間隔的平行上移。由于基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)，當(dāng)VCE 增大時，基區(qū)復(fù)合減小，導(dǎo)致 和相應(yīng)的 略有增大。 Ecn

4、II11因此，每一條以 IB 為參變量的曲線都隨VCE 增大而略有上翹。（2）、若取VBE 為參變量，作特性曲線 IC VBE4VBE3VBE2VBE1VCE0AVA VA 稱為厄爾利電壓，其值的大小可用來表示輸出特性曲線得上翹程度。 VA 越大，上翹程度就越小?？紤]厄爾利電壓的影響，則TBEVVSCeII應(yīng)該加以修正為 ）（ACEVVSCVVeIITBE10VCEIC IC IC2IC1 2、截止區(qū)： 晶體三極管工作在截止模式，即 發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。 從輸出特性曲線上看，工程上，可規(guī)定 IB = 0 （相應(yīng)地 IC = ICEO ）以下的區(qū)域稱為截止區(qū)。 特點： （1）、VCE 很大，

5、其值接近偏置電壓。（2）、 嚴格的說，截止區(qū)應(yīng)該是 IE = 0 以下的區(qū)域。 當(dāng) IE = 0 時 IC = ICBO ，IB = - ICBO 3、飽和區(qū)： 晶體三極管工作在飽和模式，即 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。 特點： （1）、VCE 很小，其值小于0.3V。（僅適合小功率管） （2）、IC 與 IB 之間不滿足直流傳輸方程，并且有IC V(BR)CEO 當(dāng)基極開路，即 IB = 0 ，IC = ICBO 時 ，擊穿電壓為V(BR)CEO 。當(dāng) IE = 0 ，即IC = ICBO ，IB = - ICBO 時，擊穿電壓最大用 V(BR)CBO表示。 三、極限參數(shù)：三、極限參數(shù)： PCM VCE0V