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1、14.TCSC 可以視為和支路的并聯(lián)組合A.固定電容器;TCRC.TSC;固定電抗器B.固定電容器;固定電抗器D.TSCTCR15.在相控整流和相控交流調(diào)壓電路中,晶閘管是依靠進(jìn)行換流A.交流電源電壓周期性反向C.負(fù)載諧振電路B.負(fù)載反電勢(shì)D.外增強(qiáng)迫關(guān)斷電路、單項(xiàng)選擇共20題,每題2分,共40分1 .與過(guò)載保護(hù)相比,電力電子裝置短路保護(hù)的閾值2 .根據(jù)熱歐姆定律,不同介質(zhì)之間的溫差是耗散功率與的乘積3 .相控有源逆變電路有可能產(chǎn)生換相失敗故障的根本原因是4 .采用技術(shù),可以真正減小而不是轉(zhuǎn)移開(kāi)關(guān)損耗,提升系統(tǒng)效率5.IGBT、MOSFET!限制型元件,BJT、GTO限制型元件.6.APFC
2、技術(shù)不僅可以減少交流輸入諧波,還可以顯著提升交流輸入端的B.等于D.不確定,與具體限制角有關(guān)8.STATCOM 直流側(cè)為電容器,可以實(shí)現(xiàn)無(wú)功的9 .P-MOSFET 易于使用,由于其導(dǎo)通電阻具有溫度系數(shù)特性10 .沖量等效原理是指慣性系統(tǒng)對(duì)波形不同但相等的窄脈沖鼓勵(lì)的響應(yīng)等效11 .三相全橋電壓源型逆變器的最大輸出線電壓基波有效值為E.0.866VD12 .HVDC 采用,交流側(cè)諧波豐富,功率因數(shù)低、響應(yīng)時(shí)間A.低;短B.低;長(zhǎng)C.高;長(zhǎng)D.高;短A.風(fēng)阻B.熱阻C.水阻D.電阻A.直流側(cè)存在電源B.交流側(cè)存在電感C.電路存在換相電阻D.電路存在換相壓降A(chǔ).硬開(kāi)關(guān)B.慢開(kāi)關(guān)C.軟開(kāi)關(guān)D.快開(kāi)關(guān)
3、A.電流;電壓B.電壓;電流C.電壓;電壓D.電流;電流A.電流;功率因數(shù)B.電壓;畸變因數(shù)C.電壓;功率因數(shù)D.電流;畸變因數(shù)7.晶閘管三相全控整流電路的平均直流輸出電壓 交流輸入線電壓的峰值A(chǔ).不大于C.不小于A.容性和感性;連續(xù)B.容性;斷續(xù)C.容性和感性;斷續(xù)D.容性;連續(xù)補(bǔ)償A.并聯(lián);負(fù)B.串聯(lián);正C.串聯(lián);負(fù)D.并聯(lián);正A.峰峰值B.瞬時(shí)值C.有效值D.積分值A(chǔ).0.78VDB.0.612VDC.VDD.1.1VDA.半控器件B.不控器件C.全控器件D.輕型器件13.緩沖電路可以改變開(kāi)關(guān)軌跡,減少開(kāi)關(guān)功耗,改善平安工作區(qū)A.未必能夠B.一定能夠C.一定不能夠D.未必不能夠16 .在
4、 DCM 莫式下,BOOS 磔變換器的輸入電流是的A.不變B.連續(xù)C.斷續(xù)D.交流17 .采用晶閘管和二極管構(gòu)成的半控整流電路,工作在有源逆變狀態(tài)A.完全不可以B.某些條件下不可以C.無(wú)條件可以D.條件具備時(shí)可以18 .對(duì)于 LC 型二階 LPF,幅值頻率特性的高頻段斜率是A.40dB/decadeB.20dB/decadeC.+40dB/decadeD.+20dB/decade19 .電力半導(dǎo)體器件的過(guò)載水平,比相同容量的接觸器、斷路器等機(jī)械式開(kāi)關(guān)要A.強(qiáng)B.弱C.不確定D.相當(dāng)20 .單相交流電壓限制器,阻感性負(fù)載,負(fù)載阻抗角為,當(dāng) a 在時(shí),輸出最大功率A.0B.不確定,與導(dǎo)電角有關(guān)C.
5、nD.0Tt二、多項(xiàng)選擇共5題,每題2分,共10分1.SPWM 技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)是A.消除高次諧波B.消除低次諧波C.消除直流分量D.消除指定諧波E.提升開(kāi)關(guān)頻率F.提升直流電壓利用率2 .相控整流電路能夠?qū)崿F(xiàn)有源逆變的條件必須是A.直流電源極性適宜,處于放電狀態(tài)B.觸發(fā)限制角小于 n/2C.交流側(cè)存在交流電源D.觸發(fā)限制角大于 Tt/2E.交流側(cè)存在電路電感F.直流側(cè)存在直流電源3 .可以實(shí)現(xiàn)升壓-降壓功能的 DC/DC 變換器有A.CU 儂換器B.單端反激變才器C.單端正激變換器D.BUC 儂換器E.BUCK-BOOS 變換器FBOOS 侵換器4 .在高壓、大功率應(yīng)用場(chǎng)合,可以采用以提升裝置
6、容量A.二極管鉗位型多電平技術(shù)B.多相多重多脈波技術(shù)C.級(jí)聯(lián)型多電平技術(shù)D.飛跨電容型多電平技術(shù)E.開(kāi)關(guān)器件直接串并聯(lián)技術(shù)F模塊化多電平技術(shù)5 .電流限制型器件有A.電力二極管 DB.晶閘管 SCRC.門(mén)極可關(guān)斷晶閘管 GTOD.電力三極管 BJTE.絕緣門(mén)極雙極型晶體管 IGBTF.電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管 P-MOSFET一、單項(xiàng)選擇共20題,每題2分,共40分1 .標(biāo)準(zhǔn)答案:D2 .標(biāo)準(zhǔn)答案:B3 .標(biāo)準(zhǔn)答案:B4 .標(biāo)準(zhǔn)答案:C6 .標(biāo)準(zhǔn)答案:A7 .標(biāo)準(zhǔn)答案:A8 .標(biāo)準(zhǔn)答案:A9 .標(biāo)準(zhǔn)答案:D10 .標(biāo)準(zhǔn)答案:D11 .標(biāo)準(zhǔn)答案:A12 .標(biāo)準(zhǔn)答案:A13 .標(biāo)準(zhǔn)答案:B14 .標(biāo)準(zhǔn)答案
7、:A15 .標(biāo)準(zhǔn)答案:A16 .標(biāo)準(zhǔn)答案:C17 .標(biāo)準(zhǔn)答案:A18 .標(biāo)準(zhǔn)答案:A19 .標(biāo)準(zhǔn)答案:B20 .標(biāo)準(zhǔn)答案:A、多項(xiàng)選擇共5題,每題2分,共10分1 .標(biāo)準(zhǔn)答案:B,E2 .標(biāo)準(zhǔn)答案:A,C,D,F3 .標(biāo)準(zhǔn)答案:A,B,E4 .標(biāo)準(zhǔn)答案:A,B,C,D,E,F5 .標(biāo)準(zhǔn)答案:B,C,D、單項(xiàng)選擇共20題,每題2分,共40分1 .電壓源型半橋逆變器輸出無(wú)隔直電容器的原因在于A.橋臂上、下開(kāi)關(guān)管互補(bǔ)導(dǎo)通,占空比相等B.在限制中采取了抗直流偏磁舉措C.直流側(cè)上、下電容器電壓嚴(yán)格相等D.輸出電壓正負(fù)半波伏秒值能夠自動(dòng)平衡2 .在 DCM 模式下,BUC 儂變換器的輸出電壓輸入電壓A.不
8、低于B.等于C.不確定,與占空比有關(guān)D.不高于3 .在開(kāi)關(guān)器件上串聯(lián)小電感和并聯(lián)小電容,可以分別改善開(kāi)關(guān)管的A.開(kāi)通;開(kāi)通B.開(kāi)通;關(guān)斷C.關(guān)斷;開(kāi)通和軌跡D.關(guān)斷;關(guān)斷4 .采用晶閘管和二極管構(gòu)成的半控整流電路,工作在有源逆變狀態(tài)A.條件具備時(shí)可以B.某些條件下不可以C.可以無(wú)條件D.完全不可以5 .在相控整流和相控交流調(diào)壓電路中,晶閘管是依靠進(jìn)行換流A.負(fù)載反電勢(shì)B.負(fù)載諧振電路C.交流電源電壓周期性反向D.外增強(qiáng)迫關(guān)斷電路6 .電力半導(dǎo)體器件的過(guò)載水平,比相同容量的接觸器、斷路器等機(jī)械式開(kāi)關(guān)要A.相當(dāng)B.強(qiáng)C.不確定D.弱7 .采用和技術(shù),可以分別消除開(kāi)關(guān)電路中開(kāi)關(guān)管的和損耗A.零流開(kāi)通
9、、零壓關(guān)斷;關(guān)斷、開(kāi)通B.零壓開(kāi)通、零流關(guān)斷;關(guān)斷、開(kāi)通C.零流開(kāi)通、零壓關(guān)斷;開(kāi)通、關(guān)斷D.零壓開(kāi)通、零流關(guān)斷;開(kāi)通、關(guān)斷8 .P-MOSFET 易于使用,由于其導(dǎo)通電阻具有溫度系數(shù)特性A.并聯(lián);負(fù)B.串聯(lián);正C.串聯(lián);負(fù)D.并聯(lián);正9 .沖量等效原理是指慣性系統(tǒng)對(duì)波形不同但相等的窄脈沖鼓勵(lì)的響應(yīng)等效A.積分值B.瞬時(shí)值C.有效值D.估計(jì)值10 .輕型直流輸電系統(tǒng)采用,諧波小,功率因數(shù)高A.不控器件B.全控器件C.輕型器件D.半控器件11 .三相全橋電壓源型逆變器的最大輸出線電壓基波有效值為A.0.78VDB.0.866VDC.0.612VDD.1.1VDE.VD12 .晶閘管三相全控整流電
10、路的平均直流輸出電壓交流輸入線電壓的峰值A(chǔ).不確定,與具體限制角有關(guān)B.不大于C.不小于D.等于13 .PFC 技術(shù)不僅可以減少交流輸入諧波,還可以顯著提升交流輸入端的A.電壓;畸變因數(shù)B.電流;功率因數(shù)C.電流;畸變因數(shù)D.電壓;功率因數(shù)14 .采用技術(shù),可以真正減小而不是轉(zhuǎn)移開(kāi)關(guān)損耗,提升系統(tǒng)效率A.硬開(kāi)關(guān)B.慢開(kāi)關(guān)C.軟開(kāi)關(guān)D.快開(kāi)關(guān)15 .在 CCM 模式下,BOOSTS 變換器的輸入電流都是的A.斷續(xù)B.交流C.連續(xù)D.不變16 .緩沖電路可以改善開(kāi)關(guān)特性,減少開(kāi)關(guān)功耗,提升變換器的效率A.一定能夠B.未必能夠C.一定不能夠17 .只有當(dāng)觸發(fā)電流脈沖上升到以上,晶閘管才可以穩(wěn)定導(dǎo)通A
11、.維持電流B.額定電流C.浪涌電流D.擎住電流18 .STATCOM 直流側(cè)為電容器,可以實(shí)現(xiàn)無(wú)功的補(bǔ)償,響應(yīng)快、精度高A.容性;連續(xù)B.容性和感性;斷續(xù)C.容性和感性;連續(xù)D.容性;斷續(xù)19 .晶閘管限制串聯(lián)電容器 TCSC際上就是和的并聯(lián)組合A.TSC;固定電抗器B.TSCTCRC.固定電容器;TCRD.固定電容器;固定電抗器20 .單相交流電壓限制器,阻感性負(fù)載,負(fù)載阻抗角為中,當(dāng) a 在時(shí),輸出最大功率A.SnB.不確定,與導(dǎo)電角有關(guān)C.0中D.中允二、多項(xiàng)選擇共5題,每題2分,共10分1 .在高壓、大功率應(yīng)用場(chǎng)合,可以采用以提升裝置容量A.飛跨電容型多電平技術(shù)B.級(jí)聯(lián)型多電平技術(shù)C.
12、模塊化多電平技術(shù)D.二極管鉗位型多電平技術(shù)E.開(kāi)關(guān)器件直接串并聯(lián)技術(shù)F.多相多重多脈波技術(shù)2 .相控整流電路能夠?qū)崿F(xiàn)有源逆變的條件必須是A.直流側(cè)存在直流電源B.觸發(fā)限制角大于 Tt/2C.交流側(cè)存在交流電源D.交流側(cè)存在電路電感E.直流電源極性適宜,處于放電狀態(tài)F.觸發(fā)限制角小于TI/23 .電流限制型器件有A.電力三極管 BJTB.電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管 P-MOSFETC.絕緣門(mén)極雙極型晶體管 IGBTD.電力二極管 DE.門(mén)極可關(guān)斷晶閘管 GTOF.晶閘管 SCR4 .SPWM 技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)是A.消除直流分量B.消除指定諧波C.消除高次諧波D.提升直流電壓利用率E.消除低次諧波F.提升開(kāi)關(guān)頻率5 .可以實(shí)現(xiàn)升壓-降壓功能的 DC/DC 變換器有A.BOOS 侵換器B.單端反激變換器C.BUCK-BOOS 變換器D.CU 儂換器E.單端正激變換器F.BUC 儂換器一、單項(xiàng)選擇共20題,每題2分,共40分1 .標(biāo)準(zhǔn)答案:D2 .標(biāo)準(zhǔn)答案:D3 .標(biāo)準(zhǔn)答案:B4 .標(biāo)準(zhǔn)答案:D5 .標(biāo)準(zhǔn)答案:C6 .標(biāo)準(zhǔn)答案:D7 .標(biāo)準(zhǔn)答案:D8 .標(biāo)準(zhǔn)答案:D
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