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文檔簡介
1、習(xí)題一1使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷? (7分) 2用正弦半波電壓測(cè)試晶體管時(shí),其正反向漏電流的波形是否也為正弦半波形狀?晶體管導(dǎo)通時(shí)流過正弦半波電流,其正向電壓的波形是正弦半波嗎?(8分) 3如圖一所示的電路,若U2220V,Ld¥,Ed-120V,R1W,當(dāng)b60°時(shí)能否實(shí)現(xiàn)有源逆變?并計(jì)算這時(shí)電動(dòng)機(jī)制動(dòng)電流為多少?(10分) 圖一4單相橋式全控整流電路,大電感負(fù)載,U2 = 110V,R =2W ,試計(jì)算當(dāng)a = 30° 時(shí),輸出電壓,電流平均值 Ud和 Id 。如接續(xù)流二極管, Ud和
2、 Id又各為多少?繪出二種情況的電壓、電流波形,兩種情況電源側(cè)的功率因數(shù)各為多少?(20分) 5三相半波變流器,反電勢(shì)阻感負(fù)載,R1W,L¥,U2100V,LB1mH,當(dāng)E150V,b=30°時(shí)求Ud,Id和換相重疊角g 的數(shù)值,并畫出Ud的波形(考慮換相重疊角)。(20分) 6圖二所示斬波電路中,US120V,UC150V,R2.5W,T的開關(guān)頻率為f5KHz,從電源輸入到電池UC中的功率為3KW,試求:(15分)圖二 (1)T的導(dǎo)通時(shí)間tON (2)平均輸入電流IS (3)畫出uC、uT、iS、iT的波形 7圖三所示B型兩象限斬波器中
3、,CH1和CH2的理想控制脈沖為ig1、ig2,試畫出以下(a)、(b)兩種情況下uLD、iA、Em、iCH1、iCH2的波形。(20分) 圖四習(xí)題一答案1.使晶閘管導(dǎo)通的條件是:有正向陽極電壓并且有觸發(fā)脈沖; 維持晶閘管導(dǎo)通的條件是保證通態(tài)電流大于維持電流; 當(dāng)通態(tài)電流小于維持電流時(shí),晶閘管管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷。 2.不是;不是 3.可以實(shí)現(xiàn)有源逆變。 Id21(A) 4.不接續(xù)流管時(shí) Ud85.74(V)
4、 Id42.87(A) cosj0.779 接續(xù)流管時(shí) Ud92.37(V) Id46.2(A) cosj0.92 Ud、Id波形略。 5.Ud-107.67(V) Id42.33(A) g17° Ud波形
5、略。 6.ton80us Is33.3(A) 波形略。 7.波形略。習(xí)題二1使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?(10分) 2列表對(duì)可關(guān)斷晶閘管(GTO)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)的下述性能進(jìn)行比較。(10分) (1).用哪種信號(hào)驅(qū)動(dòng)(2).驅(qū)動(dòng)功率(3).通態(tài)壓降 (4).開關(guān)速度(5).通過電流能力 3單相橋式全控整流電路 a60
6、176;,U2220V,求: 1)電阻負(fù)載R10W和 2)電阻電感負(fù)載R10W,L¥ 情況下的整流電壓Ud,負(fù)載電流Id,晶閘管的電流平均值Idk,有效值Ik與電源輸入電流I2。 (20分) 4如圖一所示的三相橋式可控整流電路a0° ,三相電源對(duì)稱,Ld¥。如果 T2斷開,試?yán)L出ud的波形和uT1的波形。(20分) 圖一5如圖二所示的電路,若U2220V,Ld¥,Ed-120V,R1W,當(dāng)b60°時(shí)能否實(shí)現(xiàn)有源逆變?并計(jì)算這時(shí)電動(dòng)機(jī)制動(dòng)電流為多少?(20分) 圖二6三相半波變流器,反電勢(shì)阻感負(fù)載,R1W,L¥,U2100V,LB1mH
7、,當(dāng)E150V,b=30°時(shí)求Ud,Id和g 的數(shù)值。(20分) 試卷二答案1.使晶閘管導(dǎo)通的條件是:有正向陽極電壓并且有觸發(fā)脈沖; 維持晶閘管導(dǎo)通的條件是保證通態(tài)電流大于維持電流; 當(dāng)通態(tài)電流小于維持電流時(shí),晶閘管管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷。 2. GTO IGBT MOSFET
8、60; 信號(hào)驅(qū)動(dòng) 電流 電壓 電壓 驅(qū)動(dòng)功率 大 中 小 通態(tài)壓降
9、60; 小 中 大 開關(guān)速度 低 中 高 通過電流 大 中 小
10、; 3.R10W時(shí) Ud148.5(V) Id14.85(A) Idk7.43(A) Ik13.95(A) I219.73(A) R10W,L¥時(shí) Ud99(V) Id9.9(A) Idk4.95(A)
11、160; Ik7.0(A) I29.9(A) 4.波形略。 5.可以實(shí)現(xiàn)有源逆變; Id21(A) 6.Ud-107.67(V) Id42.33(A) g17°試卷三一、 列表對(duì)晶閘管SCR、可關(guān)斷晶閘管GTO、絕緣柵雙極晶體管IGBT和功率場(chǎng)效應(yīng)管Power MOSFET的下述性能進(jìn)行比較。 (1)用哪種信號(hào)驅(qū)動(dòng);(2)驅(qū)動(dòng)功率;(3)通態(tài)壓降;(4)開關(guān)速度;(5)通過電流能力。( 10分
12、) 二、三相半波可控整流電路,電阻反電勢(shì)負(fù)載,R1W,E70.7V,U2100V,a60°。畫出電路圖及ud和id波形,并求Ud、Id的值。( 15分 ) 三、單相全控橋接反電勢(shì)阻感負(fù)載,工作在有源逆變狀態(tài),已知U2220V,R2W,L¥,E110V,a=120°。求Ud、Id的值,并畫出ud的波形。( 15分 ) 四、列出直流斬波器的三種時(shí)間比控制方式,簡要說明其控制特點(diǎn),并分別用波形圖表示。( 15分 ) 五、畫出第一象限降壓斬波器主電路圖及主要波形圖;寫出輸入、輸出電壓的關(guān)系式;如果要減小輸入、輸出電流脈動(dòng),有哪幾種方法。( 20分 ) 六、畫出單相交流調(diào)壓
13、器的三種基本電路形式,及其在電阻負(fù)載下的輸出電壓波形。( 10分 ) 七、IGBT三相無源逆變器工作在180°導(dǎo)通方式下,畫出完整的主電路圖,以及在負(fù)載滯后角>60°時(shí)的uAO、uAO、uAB、iA、iT1、iD4、id的波形。( 15分) 習(xí)題四4圖11. (15分) 在圖1所示直流斬波器中,各元件的主要作用是什么?假設(shè)負(fù)載回路的電阻可忽略不計(jì),試求負(fù)載電流脈動(dòng)量的表達(dá)式;當(dāng)斬波頻率一定時(shí),最大電流脈動(dòng)量為多少? 2. (20分) 在三相三相交交變頻器中,為什么會(huì)產(chǎn)生環(huán)流?有環(huán)流運(yùn)行方式與無環(huán)流運(yùn)行方式有哪些區(qū)別?圖 23. (10分) 簡述IGBT柵極控制電路的基本功能;在圖2所示IGBT柵控電路中,下列元件的主要作用是什么:OC1、T1、T2、RG、15V、5V、C1、 4、 (20分) 圖1所示直流斬波器屬于哪種類型?簡述其工作原理并畫出主要電路波形;如果要使直流電機(jī)交替工作于第一象限和第二象限,直流斬波器應(yīng)如何設(shè)計(jì)?(畫出相應(yīng)電路圖)
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