金太陽示范工程基本要求-“金太陽示范工程”應用產(chǎn)品的指標

1、金太陽示范工程基本要求（2009年）系統(tǒng)集成要要求并網(wǎng)光伏發(fā)發(fā)電項目目符合光光伏電站站接入電網(wǎng)網(wǎng)技術(shù)規(guī)規(guī)定（試試行）的的要求。并網(wǎng)光伏發(fā)發(fā)電項目目須配置現(xiàn)現(xiàn)地數(shù)據(jù)據(jù)采集系系統(tǒng)，能能夠采集集項目的的各類運運行數(shù)據(jù)據(jù)，并按按規(guī)定的的協(xié)議通通過GPPRS/CDMMA無線線通道、電電話線路路或Innterrnett公眾網(wǎng)網(wǎng)上傳。系統(tǒng)整體質(zhì)質(zhì)保期不不低于22年。支持在光伏伏系統(tǒng)中中采用新新產(chǎn)品和和新技術(shù)術(shù)。關(guān)鍵設(shè)備要要求（一）電池池組件1晶體硅硅組件最最高限價價14元/峰峰瓦，非非晶硅薄薄膜組件件最高限限價9元/峰峰瓦。2單晶硅硅組件效效率不低低于155%，多多晶硅組組件效率率不低于于14%，非晶晶硅薄

2、膜膜組件效效率不低低于6%。3組件使使用壽命命不低于于25年年。4晶體硅硅組件衰衰減率22年內(nèi)不不高于2%、100年內(nèi)不不高于100%、225年內(nèi)不不高于20%；非晶硅硅薄膜組組件衰減減率2年內(nèi)不不高于4%、100年內(nèi)不不高于10%、255年內(nèi)不不高于20%。5晶體硅硅和非晶晶硅薄膜膜組件須須分別按照照GB/T95535（或或IECC612215）和GB/T1889111（或IEEC6116466）標準要要求，通通過國家家批準認認證機構(gòu)構(gòu)的認證證。6組件整整體質(zhì)保保期不低于于5年，功功率衰減減質(zhì)保期期不低于于25年年。7采用化化合物薄薄膜、聚聚光等新新型太陽陽電池技技術(shù)須有有成功案案例。（二）

3、并網(wǎng)網(wǎng)逆變器器1單相逆逆變器最最高限價價5元/瓦瓦；三相相逆變器器最高限限價3元元/瓦。2最大逆逆變效率率不低于于94%。3平均無無故障時時間不低于5年，使用壽壽命不低于20年。4須按照照CNCCA/CCTS000044:20009認認證技術(shù)術(shù)規(guī)范要要求，通通過國家家批準認認證機構(gòu)構(gòu)的認證證。5單相逆逆變器質(zhì)質(zhì)保期不不低于55年；三三相逆變變器質(zhì)保保期不低低于2年年。（三）獨立立逆變器器（5千瓦以上上獨立光光伏發(fā)電電系統(tǒng)所所用逆變變器）1最高限限價為33元/瓦瓦。2直流電電壓等級級不低于于48VV。3功率不不低于55kW。4正弦波波輸出，波波形失真真度不低低于5%。5逆變效效率不低低于85%。

4、6整機質(zhì)質(zhì)保期不不低于22年。7平均無無故障時時間不低低于3年，使用壽壽命不低低于122年。8按照GGB/TT190064標標準要求求，通過國家家批準認認證機構(gòu)構(gòu)的認證證。（四）獨立立控制器器（5千瓦以上上獨立光光伏發(fā)電電系統(tǒng)所所用控制制器）1最高限限價為22元/瓦瓦。2直流電電壓等級級不低于于48VV。3功率不不低于55kW。4平均無無故障時時間不低低于3年，使用壽壽命不低低于122年。5按照GGB/TT190064標標準要求求，通過國家家批準認認證機構(gòu)構(gòu)的認證證。6整機質(zhì)質(zhì)保期不不低于22年。（五）控制制逆變一一體機 1最高限限價為44元/瓦瓦（以逆逆變部分分容量確確定）。2直流電電壓等級級為244V。3逆變效效率不低低于80%。4平均無無故障時時間不低低于3年，使用壽壽命不低低于122年。5按照GGB/TT190064標標準要求求，通過國家家批準認認證機構(gòu)構(gòu)的認證證。6整機質(zhì)質(zhì)保期不不低于22年。（六）用于于獨立光光伏系統(tǒng)統(tǒng)的鉛酸蓄電電池1最高限限價為11.3元元/瓦時時。2直流電電壓等級級為2VV、122V