標準解讀

《GB/T 14144-1993 硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法》是一項由中國發(fā)布的國家標準，旨在規(guī)定硅晶體材料中間隙氧含量沿半徑方向變化的測定方法。該標準適用于單晶硅材料，特別是用于半導(dǎo)體器件制造的高純度硅晶片，因為間隙氧含量直接影響到硅片的電性能和可靠性。

標準內(nèi)容概覽

  1. 范圍：明確了本標準適用的硅晶體類型及測量目的，即測定硅晶體內(nèi)部沿徑向分布的間隙氧濃度。

  2. 術(shù)語和定義：對“間隙氧”、“徑向變化”等關(guān)鍵術(shù)語進行了明確界定，以便統(tǒng)一理解和操作。

  3. 原理：介紹了測量的基本原理，通常涉及利用紅外光譜、質(zhì)譜或其他分析技術(shù)來檢測硅晶體內(nèi)不同位置的間隙氧含量。間隙氧是指不占據(jù)正常晶格位置的氧原子，它們可能影響材料的電學(xué)性質(zhì)。

  4. 儀器與設(shè)備：詳細列出了進行該測量所需的儀器設(shè)備規(guī)格和性能要求，包括高精度切割工具、氧含量檢測儀器等，確保測量結(jié)果的準確性和可重復(fù)性。

  5. 樣品制備：規(guī)范了從硅晶體中取樣以進行徑向變化測量的具體步驟，包括樣品的切割、清潔、處理等，以避免外部污染或損傷影響測試結(jié)果。

  6. 測量步驟：詳細描述了測量過程，包括如何在樣品的不同徑向位置取點、如何進行氧含量的精確測量以及數(shù)據(jù)記錄的要求。

  7. 計算與表達：提供了計算間隙氧含量及其徑向分布的方法，以及如何正確表達和報告測量結(jié)果，確保數(shù)據(jù)的標準化和可比性。

  8. 精密度與準確度：闡述了測量過程中可能的誤差來源，并給出了評估測量精密度和準確度的方法，幫助用戶理解結(jié)果的可靠性。

  9. 試驗報告：規(guī)定了試驗報告應(yīng)包含的信息內(nèi)容，如樣品信息、測試條件、測量結(jié)果及必要的數(shù)據(jù)分析等，便于結(jié)果的交流和追溯。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 14144-2009
  • 1993-02-06 頒布
  • 1993-10-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 14144-1993硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法_第1頁
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文檔簡介

UDC669.782H26中華人民共和國國家標準GB/T14144-93硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法Testmethodfordeterminationofradialinterstitialloxygenvariationinsilicon1993-02-06發(fā)布1993-10-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準硅晶體中間隙氧含量徑向變化GB/T14144-93測量方：法Testmethodfordeterminationofradialinterstitialoxygenvariationinsilicon1主題內(nèi)容與適用范圍本標準規(guī)定了硅晶體中間蹤氧含量徑向變化的測量方法。本標準適用于室溫電阻率大于0.12·cm的硅品體中間隙氧含城徑向變化的測量。測量范圍為3.5×10"alt·cm-3至間隙氧在硅中的最大固溶度。2引用標準GB1557硅品體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法GB/T14143300～900pm硅片間隙氧含量紅外吸收測量方法3方法提要根據(jù)待測硅品體的生長工藝特點，在四種測量點選取方案中選擇一種適用的方案。在規(guī)定的測量位置，按（B1557或GB/T14143規(guī)定的方法測定硅中間隙氧含量，并將其值代入計算公式，求出間隙氧含量徑向百分變化。4測量儀器4.1紅外光譜儀。儀器分辯率小于5℃m1。4.2樣品架。具備按選點方案要求作測量位置調(diào)整的功能，其光欄孔徑為5～8mm。“.3厚度測量儀。精度優(yōu)于21m。4.4標準平面平品。4.578K低溫測量裝置5試樣要求5.1試樣厚度約為2mm或0.3~0.9mm。3當間隙氧含量低于1×10at·cm-3時可選用厚度約為5mm或10mm的硅片。5.2試樣經(jīng)雙面機械拋光或化學(xué)拋光（僅適用于單品)，表面呈鏡面,，無桔皮狀皺紋和凹坑。厚度為0.3~0.9mm的試樣表面皮符合GB/T14143中5.1-5.2條的規(guī)定。5.3試樣在測量光欄孔徑范圍內(nèi)，平整度應(yīng)不大于2.2Pm。5.4作差別法測量的試樣，其測量位置的厚度與參比樣品的厚度差小于0.5%5.5仲裁測量的試樣需經(jīng)雙面機械拋光。

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