標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 14144-2009 硅晶體中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法》與之前的《GB/T 14144-1993 硅晶體中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法》相比,主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新和改進(jìn):
-
技術(shù)內(nèi)容的修訂:2009版標(biāo)準(zhǔn)對(duì)硅晶體中間隙氧含量的測(cè)量原理、儀器設(shè)備、樣品制備、測(cè)試步驟及數(shù)據(jù)處理等方面的技術(shù)要求進(jìn)行了詳細(xì)修訂和完善,以適應(yīng)近年來(lái)硅材料技術(shù)和測(cè)試技術(shù)的發(fā)展。
-
測(cè)量精度提升:新標(biāo)準(zhǔn)可能引入了更精確的測(cè)量技術(shù)和校準(zhǔn)方法,旨在提高測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和重復(fù)性,減少測(cè)量誤差,滿足高純度硅材料生產(chǎn)及應(yīng)用的更高要求。
-
適用范圍調(diào)整:雖然具體調(diào)整內(nèi)容未直接說(shuō)明,但通常新版標(biāo)準(zhǔn)會(huì)根據(jù)行業(yè)需求和科技進(jìn)步,對(duì)測(cè)試對(duì)象的種類(lèi)、規(guī)格或應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行適當(dāng)擴(kuò)展或明確,以增強(qiáng)標(biāo)準(zhǔn)的適用性和實(shí)用性。
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術(shù)語(yǔ)和定義更新:為了與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)接軌并反映學(xué)科最新進(jìn)展,2009版標(biāo)準(zhǔn)對(duì)相關(guān)專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行了修訂或新增,確保了術(shù)語(yǔ)使用的準(zhǔn)確性和一致性。
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試驗(yàn)方法優(yōu)化:可能包括對(duì)樣品預(yù)處理流程、測(cè)試條件(如溫度、氣氛)的設(shè)定以及數(shù)據(jù)分析方法的改進(jìn),以提高檢測(cè)效率和降低操作復(fù)雜度。
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質(zhì)量控制要求加強(qiáng):新標(biāo)準(zhǔn)可能增設(shè)了關(guān)于實(shí)驗(yàn)室質(zhì)量控制、測(cè)量不確定度評(píng)估及數(shù)據(jù)報(bào)告的具體要求,強(qiáng)調(diào)了實(shí)驗(yàn)過(guò)程的標(biāo)準(zhǔn)化和規(guī)范化。
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參考文獻(xiàn)和標(biāo)準(zhǔn)對(duì)比:2009版標(biāo)準(zhǔn)引用了更多最新的科研成果和國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),為用戶提供更全面的參考依據(jù),增強(qiáng)了標(biāo)準(zhǔn)的權(quán)威性和國(guó)際兼容性。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2009-10-30 頒布
- 2010-06-01 實(shí)施



文檔簡(jiǎn)介
犐犆犛29.045
犎80
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
犌犅/犜14144—2009
代替GB/T14144—1993
硅晶體中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法
犜犲狊狋犻狀犵犿犲狋犺狅犱犳狅狉犱犲狋犲狉犿犻狀犪狋犻狅狀狅犳狉犪犱犻犪犾犻狀狋犲狉狊狋犻狋犻犪犾狅狓狔犵犲狀
狏犪狉犻犪狋犻狅狀犻狀狊犻犾犻犮狅狀
20091030發(fā)布20100601實(shí)施
中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局
發(fā)布
中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
書(shū)
犌犅/犜14144—2009
前言
本標(biāo)準(zhǔn)修改采用SEMIMF11881105《用紅外吸收法測(cè)量硅中間隙氧原子含量的標(biāo)準(zhǔn)方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF11881105相比,主要有如下不同:
———增加了測(cè)量點(diǎn)選取方案;
———標(biāo)準(zhǔn)編寫(xiě)按GB/T1.1格式,部分SEMI標(biāo)準(zhǔn)中的章節(jié)進(jìn)行了合并和整理。
本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T14144—1993《硅晶體中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比,主要有如下變化:
———氧含量測(cè)量范圍進(jìn)行了修訂;
———增加了“測(cè)量?jī)x器”、“術(shù)語(yǔ)”和“干擾因素”章節(jié);
———增加了采用經(jīng)認(rèn)證的硅中氧含量標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)對(duì)光譜儀進(jìn)行校準(zhǔn)的內(nèi)容;
———將原標(biāo)準(zhǔn)中“本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于0.1Ω·cm的硅晶體”改為“本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電
阻率大于0.1Ω·cm的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω·cm的p型硅單晶”;
———樣品厚度范圍修改為“0.04cm~0.4cm”。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:峨嵋半導(dǎo)體材料廠。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:楊旭、江莉。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:
———GB/T14144—1993。
Ⅰ
書(shū)
犌犅/犜14144—2009
硅晶體中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)采用紅外光譜法測(cè)定硅晶體中間隙氧含量徑向的變化。本標(biāo)準(zhǔn)需要用到無(wú)氧參比樣品和一
套經(jīng)過(guò)認(rèn)證的用于校準(zhǔn)設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)樣品。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于0.1Ω·cm的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω·cm的p型硅
單晶中間隙氧含量的測(cè)量。
本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量氧含量的有效范圍從1×1016at·cm-3至硅晶體中間隙氧的最大固溶度。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有
的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究
是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
GB/T1557硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法
GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)
3術(shù)語(yǔ)
GB/T14264規(guī)定的及以下術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn):
3.1
色散型紅外光譜儀犱犲狆狉犲狊狊犻狏犲犻狀犳狉犪狉犲犱狊狆犲犮狋狉狅狆犺狅狋狅犿犲狋犲狉
一種使用棱鏡或光柵作為色散元件的紅外光譜儀。它通過(guò)振幅波數(shù)(或波長(zhǎng))光譜圖獲取數(shù)據(jù)。
3.2
傅立葉變換紅外光譜儀犉狅狌狉犻犲狉狋狉犪狀狊犳狅狉犿犻狀犳狉犪狉犲犱狊狆犲犮狋狉狅狆犺狅狋狅犿犲狋犲狉
一種通過(guò)傅立葉變換將由干涉儀得到的干涉譜圖轉(zhuǎn)換為振幅波數(shù)(或波長(zhǎng))光譜圖來(lái)獲取數(shù)據(jù)的
紅外光譜儀。
3.3
參比光譜狉犲犳犲狉犲狀犮犲狊狆犲犮狋狉狌犿
參比樣品的光譜。當(dāng)用雙光束光譜儀測(cè)量時(shí),它可以通過(guò)直接將參比樣品放入樣品光路,讓參比光
路空著獲得;在用單光束光譜儀測(cè)量時(shí),它可以通過(guò)由紅外光路中獲得的參比樣品的光譜計(jì)算扣除背景
光譜后獲得。
3.4
樣品光譜狊犪犿狆犾犲狊狆犲犮狋狉狌犿
測(cè)試樣品的光譜。當(dāng)用雙光
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