GB/T 17473.3-1998厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定

!CS77.040.01H21中華人民共和國國家標準GB/T17473.3-1998厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定Testmethodsofpreciousmetalpastesusedforthickfilmnmicroelectronicseterminationoffsheetresistance1998-08-19發(fā)布1999-03-01實施國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國園家標準厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料試方法方阻測定GB/T17473.3-1998中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號郵政編碼：10X45電話：63787337、637874471999年3月第一版2005年1月電子版制作書號：155066·115491版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報電話：（010）68533533

GB/T17473.3-1998前方阻是貴金屬漿料的一個重娶參數(shù)，也是漿料在產(chǎn)品生產(chǎn)、科研和使用中質(zhì)世控制的一個重要指標。目前我國尚未制定出漿料方阻的測試方法標準，也沒有查閱到有關(guān)該測試方法的國際標準或國外先進標準。本標準主要參照有關(guān)的技術(shù)資料,結(jié)合對漿料的方阻測最實際情況而制定的。本標準的附錄A是標準的附錄。本標準由中國有色金屬工業(yè)總公司提出。標準由中國有色金屬工業(yè)總公司標準計量研究所歸口。本標準由昆明貴金屬研究所負責起草。本標準主要起草人：陳一、金勿毀。

中華人民共和國國家標準厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定GB/T17473.3-1998Testmethodsofpreciousmetalpastesusedforthickfilmmicroelectronics-Determinationofsheetresistance1范圍本標準規(guī)定了貴金屬漿料方阻的測試方法。本標準適用于貴金屬燒結(jié)型漿料方阻的測定。非貴金屬漿料亦可參照使用2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構(gòu)成為本標準的條文。本標準出版時.所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應(yīng)探討使用下列標準最新版本的可能性。GB/T2421—1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程總則GB/T8170—1987數(shù)值修約規(guī)則3原理將漿料用絲網(wǎng)印刷在陶瓷基片上，經(jīng)燒成后，膜層在一定溫度及其厚度、寬度不變的情況下，其電阻與膜層帶的長度成正比。通過測量規(guī)定膜層長度下的電阻，可計算出方阻，4材料4.1試樣基片為Al.O），含量不少于95%的陶瓷基片，其表面粗糙度范圍為0.5～1.5m(在測量距離為10mm的條件下測量)。5儀器與設(shè)備5.1數(shù)字式電阻/電壓多用表，范圍為100g0～100M0,分牌率為6→位有效數(shù)字，可四線量測。5.2超高值絕緣電阻測量儀：范圍為1×10°～1×10"0,精度為±2%。5.3光切顯微測厚儀:最程為0～5mm,精度為0.001mm.5.4厚膜印刷機。5.5紅外干燥箱:溫度范圍為室溫～300C，控溫精度為士1C。5.6S隧道燒結(jié)爐：溫度范圍為室溫～1000℃，控溫精度為士2