標準解讀
《GB/T 32280-2022 硅片翹曲度和彎曲度的測試 自動非接觸掃描法》與《GB/T 32280-2015 硅片翹曲度測試 自動非接觸掃描法》相比,在內容上進行了若干調整和補充,主要體現在以下幾個方面:
-
標準名稱的變化:從“硅片翹曲度測試”更改為“硅片翹曲度和彎曲度的測試”,增加了對硅片彎曲度測量的要求,這表明新版標準不僅關注于硅片表面形態(tài)的平面外變形(即翹曲),同時也強調了沿硅片中心軸方向發(fā)生的變形(即彎曲)。
-
測試方法的擴展:除了原有的針對翹曲度的自動非接觸掃描技術外,新版本還引入了適用于彎曲度檢測的方法。這意味著現在可以使用同一套設備或流程來同時獲取兩種關鍵參數信息,從而為用戶提供更加全面的數據支持。
-
參數定義及計算公式的更新:對于某些特定條件下如何準確地定義并量化硅片的翹曲度與彎曲度給出了更為詳細的規(guī)定,并可能修訂了部分計算公式以確保結果的一致性和準確性。
-
測量條件與環(huán)境要求的細化:為了保證不同實驗室之間測試結果的可比性,《GB/T 32280-2022》可能加強了對實驗環(huán)境(如溫度、濕度等)以及樣品準備階段的具體指導,明確了最佳實踐指南。
-
數據處理與報告格式:新版標準或許改進了數據記錄方式及最終報告的形式,使其更加符合當前工業(yè)界的需求,便于用戶理解和應用測試成果。
-
術語和定義部分的增補:隨著行業(yè)技術的發(fā)展,一些新的專業(yè)詞匯被納入到標準之中,有助于統(tǒng)一行業(yè)內對于相關概念的理解。
這些變化反映了我國在半導體材料檢測領域技術水平的進步以及對產品質量控制要求的提高。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經官方授權發(fā)布的權威標準文檔。
....
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- 現行
- 正在執(zhí)行有效
- 2022-03-09 頒布
- 2022-10-01 實施




文檔簡介
ICS77040
CCSH.21
中華人民共和國國家標準
GB/T32280—2022
代替GB/T32280—2015
硅片翹曲度和彎曲度的測試
自動非接觸掃描法
Testmethodforwarpandbowofsiliconwafers—
Automatednon-contactscanningmethod
2022-03-09發(fā)布2022-10-01實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標準化管理委員會
中華人民共和國
國家標準
硅片翹曲度和彎曲度的測試
自動非接觸掃描法
GB/T32280—2022
*
中國標準出版社出版發(fā)行
北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號
2(100029)
北京市西城區(qū)三里河北街號
16(100045)
網址
:
服務熱線
:400-168-0010
年月第一版
20223
*
書號
:155066·1-69770
版權專有侵權必究
GB/T32280—2022
前言
本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件代替硅片翹曲度測試自動非接觸掃描法與相
GB/T32280—2015《》,GB/T32280—2015
比除結構調整和編輯性改動外主要技術變化如下
,,:
更改了范圍見第章年版的第章
a)(1,20151);
增加了彎曲度的相關內容見第章第章第章第章第章
b)“”(1、4、6、9、10);
增加了術語參考片見
c)“”(3.2);
增加了的探頭傳感器尺寸見
d)2mm×2mm(7.3);
刪除了校準用參考片見年版的
e)(20158.2)。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任
。。
本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準
(SAC/TC203)
化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本文件起草單位有研半導體硅材料股份公司山東有研半導體材料有限公司合肥中南光電有限
:、、
公司浙江金瑞泓科技股份有限公司洛陽鴻泰半導體有限公司浙江海納半導體有限公司上海合晶硅
、、、、
材料股份有限公司開化縣檢驗檢測研究院天津中環(huán)領先材料技術有限公司義烏力邁新材料有限公
、、、
司有色金屬技術經濟研究院有限責任公司
、。
本文件主要起草人孫燕蔡麗艷賀東江李素青王可勝徐新華張海英王振國潘金平曹雁
:、、、、、、、、、、
樓春蘭張雪囡皮坤林
、、。
本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂
2015,。
Ⅰ
GB/T32280—2022
硅片翹曲度和彎曲度的測試
自動非接觸掃描法
1范圍
本文件描述了利用兩個探頭在硅片表面自動非接觸掃描測試硅片的翹曲度和彎曲度的方法
。
本文件適用于直徑不小于厚度不小于的潔凈干燥的硅片包括切割研磨腐蝕
50mm,100μm、,、、、
拋光外延刻蝕或其他表面狀態(tài)的硅片也可用于砷化鎵碳化硅藍寶石等其他半導體晶片翹曲度和
、、,、、
彎曲度的測試
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
硅片彎曲度測試方法
GB/T6619
硅片翹曲度非接觸式測試方法
GB/T6620
半導體材料術語
GB/T14264
確定晶片坐標系規(guī)范
GB/T16596
3術語和定義
界定的以及下列術語和定義適用于本文件
GB/T14264。
31
.
典型片representativewafer
利用翻轉的方法進行重力校正的與被測晶片具有相同的標稱直徑標稱厚度基準結構和結晶取向
、、
的代表性晶片
。
32
.
參考片referencewafer
用以確定是否符合測試設備操作說明中重復性要求的標有翹曲度和彎曲度參數值的晶片
。
注參數值是使用測試設備通過大量重復測試獲得的平均值或者是基于設備重復性研究的統(tǒng)計值
溫馨提示
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