GB/T 33763-2017藍寶石單晶位錯密度測量方法

ICS77040

H25.

中華人民共和國國家標準

GB/T33763—2017

藍寶石單晶位錯密度測量方法

Testmethodfordislocationdensityofsapphiresinglecrystal

2017-05-31發(fā)布2017-12-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

藍寶石單晶位錯密度測量方法

GB/T33763—2017

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

20176

*

書號

:155066·1-56240

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T33763—2017

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會與全國半導體設(shè)備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位江蘇協(xié)鑫軟控設(shè)備科技發(fā)展有限公司中國科學院上海光學精密機械研究所深

:、、

圳市中安測標準技術(shù)有限公司

。

本標準主要起草人薛抗美黃修康杭寅尹繼剛田野張永波張毅

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T33763—2017

藍寶石單晶位錯密度測量方法

1范圍

本標準規(guī)定了藍寶石單晶位錯密度的測量方法

。

本標準適用于拋光加工后位錯密度為個2個2的藍寶石單晶位錯密度的測量

0/cm~100000/cm,

檢測面為面

{0001}、{1120}、{1012}、{1010}。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

本方法采用擇優(yōu)化學腐蝕技術(shù)顯示位錯當用某些化學腐蝕劑腐蝕晶體表面時在晶體表面上的

。,

位錯線露頭處腐蝕速度較快因而容易形成由某些低指數(shù)面組成帶棱角的具有特定形狀的腐蝕坑可

,,。

用單位面積上的腐蝕坑數(shù)目標識位錯密度N按式計算

d,(1):

n

N=

dS…………(1)

式中

:

N位錯密度單位為個每平方厘米個2

d———,(/cm);

n穿過視場面積S的位錯線數(shù)目單位為個

———,;

S視場面積單位為平方厘米2

———,(cm)。

5化學試劑

51氫氧化鉀ρ3分析純

.(≈2.04g/cm),。

52氫氧化鈉ρ3分析純

.(≈2.13g/cm),。

53二氧化硅ρ3分析純

.(≈2.2g/cm),。

54稀鹽酸