GB/T 36357-2018中功率半導體發(fā)光二極管芯片技術規(guī)范

ICS31260

L53.

中華人民共和國國家標準

GB/T36357—2018

中功率半導體發(fā)光二極管芯片技術規(guī)范

Technicalspecificationformiddlepowerlight-emittingdiodechips

2018-06-07發(fā)布2019-01-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T36357—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

要求

3………………………1

檢驗方法

4…………………3

檢驗規(guī)則

5…………………5

包裝運輸和儲存

6、…………………………9

附錄規(guī)范性附錄中功率半導體發(fā)光二極管芯片的目檢

A()…………11

附錄規(guī)范性附錄人體模式和機器模式的靜電放電敏感度分級及標志

B()…………14

GB/T36357—2018

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部電子歸口

()。

本標準起草單位中國電子技術標準化研究院廈門市三安光電科技有限公司中國電子科技集團

:、、

公司第十三研究所

。

本標準主要起草人劉秀娟趙英張戈蔡偉智張瑞霞趙敏張晨朝

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T36357—2018

中功率半導體發(fā)光二極管芯片技術規(guī)范

1范圍

本標準規(guī)定了中功率半導體發(fā)光二極管芯片產(chǎn)品以下簡稱芯片的技術要求檢驗方法檢驗規(guī)

()、、

則包裝運輸和儲存等

、、。

本標準適用于中功率半導體發(fā)光二極管芯片

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第部分試驗方法試驗交變濕熱

GB/T2423.4—20082:Db:(12h+

循環(huán)

12h)

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第部分試驗方法試驗和導則穩(wěn)態(tài)加

GB/T2423.15—20082:Ga:

速度

環(huán)境試驗第部分試驗方法試驗溫度變化

GB/T2423.22—20122:N:

半導體器件第部分分立器件和集成電路總規(guī)范

GB/T4589.1—200610:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分總則

GB/T4937.1—20061:

半導體發(fā)光二極管測試方法

SJ/T11394—2009

半導體發(fā)光二極管芯片測試方法

SJ/T11399—2009

所有部分半導體器件機械和氣候試驗方法

IEC60749()(Semiconductordevices—Mechanical

andclimatictestmethods)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分芯片剪切強度

IEC60749-19:201019:(Semicon-

ductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part19:Dieshearstrength)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分鍵合強度

IEC60749-22:200222:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part22:Bondstrength)

3要求

31通則

.

311優(yōu)先順序

..

芯片應符合本標準和相關詳細規(guī)范的要求本標準的要求與相關詳細規(guī)范不一致時應以相關詳

。,

細規(guī)范為準

。

312對詳細規(guī)范的引用

..

本標準中使用按規(guī)定一詞而未指明引用的文件時即指引用相關詳細規(guī)范

“”,。

32材料和結構

.

321材料

..

應采用