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華為硬件機(jī)試題目〔2023版本〕1.(推斷題)DRAM0Flash1(4分)正確B.錯(cuò)誤2.(推斷題)眼圖可以用來分析高速信號(hào)的碼間干擾、抖動(dòng)、噪聲和衰減。(4分)A.正確錯(cuò)誤3.(推斷題)以太網(wǎng)交換機(jī)將沖突域限制在每個(gè)端口,提高了網(wǎng)絡(luò)性能。(4分)A.正確B.錯(cuò)誤4.(推斷題)(4分)正確B.錯(cuò)誤5.(推斷題)180000_0001,-18位二進(jìn)制補(bǔ)碼是1111_1111。(4分)A.正確錯(cuò)誤6.(推斷題)洗衣機(jī),電冰箱等家用電器都使用三孔插座,是由于假設(shè)不接地,家用電器是不能工作的。(4分)正確B.錯(cuò)誤7.(推斷題)0x5a0xa5的同或運(yùn)算結(jié)果為:0x00。(4分)A.正確錯(cuò)誤8.(推斷題)硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的大(4分)A.正確B.錯(cuò)誤9.(單項(xiàng)選擇題)一空氣平行板電容器,兩級(jí)間距為d,充電后板間電壓為u。然后將電源斷開,在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)?4分)A.U/3B.2U/3C.3U/4D.不變10.(單項(xiàng)選擇題)8086CPU內(nèi)部包括哪些單元(4分)A.ALU,EUB.ALU,BIUC.EU,BIUD.ALU,EU,BIU11.(單項(xiàng)選擇題)50Hz的電網(wǎng)電壓干擾放大器,應(yīng)當(dāng)用那種濾波器:(4分)帶阻濾波器B.帶通濾波器C.低通濾波器12.(單項(xiàng)選擇題)關(guān)于SRAM和DRAM,下面說話正確的選項(xiàng)是:(4分)A.SRAM需要定時(shí)刷,否則數(shù)據(jù)會(huì)喪失B.DRAM使用內(nèi)部電容來保存信息C.SRAM的集成度高于DRAMD.只要不掉點(diǎn),DRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)不會(huì)喪失13.(單項(xiàng)選擇題)在RS232串口中,承受哪一種校驗(yàn)方式:(4分)A.CRC校驗(yàn)B.海明碼校驗(yàn)C.多種校驗(yàn)方式的組合D.奇偶校驗(yàn)14.(單項(xiàng)選擇題)對(duì)于D觸發(fā)器來說,為了保證牢靠的采樣,數(shù)據(jù)必需在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿到來之前連續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間,這個(gè)時(shí)間稱為:(4分)保持時(shí)間B.恢復(fù)時(shí)間C.穩(wěn)定時(shí)間15.(單項(xiàng)選擇題)本征半導(dǎo)體中參加〔〕元素可形成N型半導(dǎo)體(4分)A.五價(jià)四價(jià)D.二價(jià)16.(單項(xiàng)選擇題)模擬信號(hào)數(shù)字化的過程是(4分)A.采樣->量化->編碼B.采樣->編碼->量化C.編碼->采樣->量化D.量化->編碼->采樣17.(單項(xiàng)選擇題)在Buck電路中,不能起到減小紋波作用的措施是(4分)A.承受多項(xiàng)并聯(lián)的模式B.開關(guān)管內(nèi)置,提高電源的開關(guān)頻率C.輸出濾波電容由陶瓷電容改為容量電解電容D.增大輸出濾波電感量18.(18.(單項(xiàng)選擇題)圖示電路中a、b端的等效電阻Rab在開關(guān)K翻開與閉合時(shí)分別為:(4分)A.10Ω,8ΩB.8Ω,10ΩC.10Ω,10ΩD.10Ω,16Ω19.(單項(xiàng)選擇題)關(guān)于PCI總線的描述,錯(cuò)誤的選項(xiàng)是:(4分)A.PCI16位寬的總線B.PCI的地址線與數(shù)據(jù)線是復(fù)用的C.PCI是一種獨(dú)立于處理器的總線標(biāo)準(zhǔn),可以支持多種處理器D.PCI支持即插即用功能20.(單項(xiàng)選擇題)中繼器、以太網(wǎng)交換機(jī)、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上:(4分)A.物理層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層B.物理層、網(wǎng)絡(luò)層、鏈路層C.物理層、鏈路層、傳輸層D.鏈路層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層21.(單項(xiàng)選擇題)某電路,對(duì)100KHz以下低頻信號(hào)干擾敏感,為削減干擾,應(yīng)承受〔〕濾波器。(4分)高通B.低通D.帶通22.(單項(xiàng)選擇題)捕獲毛刺用最正確觸發(fā)方式〔〕進(jìn)展觸發(fā)(4分)A.WidthB.EdgeC.GlitchD.State23.(單項(xiàng)選擇題)以下哪種信號(hào)特別能用規(guī)律測(cè)試(4分)A.信號(hào)占空比超標(biāo)信號(hào)上升緩慢C.6個(gè)信號(hào)的特別組合D.信號(hào)抖動(dòng)過大24.(單項(xiàng)選擇題)842110010111表示的十進(jìn)制數(shù)是〔〕(4分)A.98B.151C.97D.22725.(單項(xiàng)選擇題)晶體管能夠放大的外部條件是〔4分〕A.放射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏B.放射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏C.放射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏D.放射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏其次套1.(單項(xiàng)選擇題)以下哪種信號(hào)特別能用規(guī)律測(cè)試(4分)A.信號(hào)抖動(dòng)過大B.6個(gè)信號(hào)的特別組合C.信號(hào)上升緩慢D.信號(hào)占空比超標(biāo)2.(推斷題)眼圖可以用來分析高速信號(hào)的碼間干擾、抖動(dòng)、噪聲和衰減。(4分)A.正確B.錯(cuò)誤3.(單項(xiàng)選擇題)通常狀況下,電磁波在介質(zhì)中的傳播速度比在真空中的傳播速度要(4分)A.快B.一樣C.慢4.1mV0dBmV30dBuV(4分)A.對(duì)B.錯(cuò)5.(單項(xiàng)選擇題)中繼器、以太網(wǎng)交換機(jī)、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上:(4分)A.物理層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層B.物理層、網(wǎng)絡(luò)層、鏈路層C.物理層、鏈路層、傳輸層D.鏈路層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層6.(4分)A.正確B.錯(cuò)誤7.(單項(xiàng)選擇題)設(shè)計(jì)一個(gè)同步十進(jìn)制計(jì)數(shù)器,需要多少個(gè)觸發(fā)器:(4分)A.3B.4C.6D.58.(單項(xiàng)選擇題)下面的規(guī)律工藝中,哪一種速度最快(4分)AOSB.ECLC.TTLD.NMOS9.(單項(xiàng)選擇題)對(duì)于D觸發(fā)器來說,為了保證牢靠的采樣,數(shù)據(jù)必需在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿到來之前連續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間,這個(gè)時(shí)間稱為:(4分)A.恢復(fù)時(shí)間B.建立時(shí)間C.保持時(shí)間10.(單項(xiàng)選擇題)8〔D7-D0〕,輸出為0-25.5V的模擬電壓。假設(shè)數(shù)字信號(hào)的最低三位是“1”其余各位是“0”,則輸出的模擬電壓為A.1.4VB.2.8VC.0.7VD.0.35V11.將兩輸入的或非門當(dāng)非門使用時(shí),另一端的揭露應(yīng)當(dāng)是:懸空接低電平C.接高電平12.3-8譯碼器屬于:A.組合規(guī)律電路B.時(shí)序規(guī)律電路兩個(gè)TTL電平輸出的信號(hào)可以承受線與的方式實(shí)現(xiàn)這兩個(gè)信號(hào)相與的功能A.正確B.錯(cuò)誤承受奇偶校驗(yàn)可以覺察兩個(gè)比特的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤A.正確B.錯(cuò)誤15.(單項(xiàng)選擇題)關(guān)于PCI總線的描述,錯(cuò)誤的選項(xiàng)是:(4分)A.PCI16位寬的總線B.PCI支持即插即用功能C.PCI的地址線與數(shù)據(jù)線是復(fù)用的D.PCI是一種獨(dú)立于處理器的總線標(biāo)準(zhǔn),可以支持多種處理器16.指令MOVAX,[3070H]中,源操作數(shù)的尋址方式為直接尋址存放器間接尋址C.馬上尋址變址尋址I/O設(shè)備必需通過適配器〔接口〕才能接到系統(tǒng)總線上和CPU進(jìn)展信息交換A.正確B.錯(cuò)誤24.圖示電路中24.圖示電路中a、b端的等效電阻Rab在開關(guān)K翻開與閉合時(shí)分別為:A.工作頻率越低,電容值越小則電容的阻抗越小B.工作頻率越低,電容值越大則電容的阻抗越小C.工作頻率越高,電容值越小則電容的阻抗越小D.工作頻率越高,電容值越大則電容的阻抗越小19.三極管是_器件,MOS管是_器件。都不是單極型/雙極型C.雙極型/單極型20.N型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電A.正確B.錯(cuò)誤(4分)A.正確B.錯(cuò)誤為了安全的操作示波器,應(yīng)當(dāng)A.在接觸示波器和探頭前,先佩戴靜電手環(huán),將身份的靜電進(jìn)展泄放B.學(xué)會(huì)識(shí)別可能存在危急的電氣元件C.通過適宜的三管腳的電源線將示波器接地

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