材料現(xiàn)代分析與測(cè)試技術(shù)-各種原理及應(yīng)用

PGE\*MERGEFORMTPGE\*MERGEFORMT1材料現(xiàn)代分析與測(cè)試技術(shù)-各種原理及應(yīng)用XRD：

1.X射線產(chǎn)生機(jī)理：

（1）連續(xù)X射線的產(chǎn)生：任何高速運(yùn)動(dòng)的帶電粒子突然減速時(shí)，都會(huì)產(chǎn)生電磁輻射。①在X射線管中，從陰極發(fā)出的帶負(fù)電荷的電子在高電壓的作用下以極大的速度向陽(yáng)極運(yùn)動(dòng)，當(dāng)撞到陽(yáng)極突然減速，其大部分動(dòng)能變?yōu)闊崮芏紦p耗掉了，而一部分動(dòng)能以電磁輻射—X射線的形式放射出來(lái)。

②由于撞到陽(yáng)極上的電子極多，碰撞的時(shí)間、次數(shù)及其他條件各不相同，導(dǎo)致產(chǎn)生的X射線具有不同波長(zhǎng)，即構(gòu)成連續(xù)X射線譜。

（2）特征X射線：根本原因是原子內(nèi)層電子的躍遷。

①陰極發(fā)出的熱電子在高電壓作用下高速撞擊陽(yáng)極；

②若管電壓超過(guò)某一臨界值Vk，電子的動(dòng)能（eVk）就大到足以將陽(yáng)極物質(zhì)原子中的K層電子撞擊出來(lái)，于是在K層形成一個(gè)空位，這一過(guò)程稱為激發(fā)。Vk稱為K系激發(fā)電壓。③按照能量最低原理，電子具有盡量往低能級(jí)跑的趨勢(shì)。當(dāng)K層出現(xiàn)空位后，L、M、N……外層電子就會(huì)躍入此空位，同時(shí)將它們多余的能量以X射線光子的形式釋放出來(lái)。

④K系：L,M,N,...─→K，產(chǎn)生Kα、Kβ、Kr...標(biāo)識(shí)X射線

L系：M,N,O,...─→L，產(chǎn)生Lα、Lβ...標(biāo)識(shí)X射線特征X射線譜M系:N,O,....─→M，產(chǎn)生Mα...標(biāo)識(shí)X射線特征譜Moseley定律2)(1

αλ-?=ZZ:原子序數(shù)，、α：常數(shù)

2.X射線與物質(zhì)相互作用的三個(gè)效應(yīng)

（1）光電效應(yīng)

?當(dāng)X射線的波長(zhǎng)足夠短時(shí)，X射線光子的能量就足夠大，以至能把原子中處于某一能級(jí)上的電子打出來(lái)，

?X射線光子本身被汲取，它的能量傳給該電子，使之成為具有一定能量的光電子，并使原子處于高能的激發(fā)態(tài)。

（2）熒光效應(yīng)

①外層電子填補(bǔ)空位將多余能量ΔE輻射次級(jí)特征X射線，由X射線激發(fā)出的X射線稱為熒光X射線。

②衍射工作中，熒光X射線增加衍射花樣背影，是有害因素

③熒光X射線的波長(zhǎng)只取決于物質(zhì)中原子的種類(lèi)(由Moseley定律決定)，利用熒光X射線的波長(zhǎng)和強(qiáng)度，可確定物質(zhì)元素的組分及含量，這是X射線熒光分析的基本原理。

（3）俄歇效應(yīng)

俄歇效應(yīng)是外層電子躍遷到空位時(shí)將多余能量ΔE激發(fā)另一個(gè)核外電子，使之脫離原子。這樣脫離的電子稱為俄歇電子。3.衍射理論

（1）衍射幾何條件：

Brgg公式+光學(xué)反射定律=Brgg定律

Brgg公式：2dSinθ=nλn——整數(shù)，稱為衍射級(jí)數(shù)

d——晶面間距，與晶體結(jié)構(gòu)有關(guān)

θ——Brgg角或半衍射角

2θ衍射角(入射線與衍射線夾角)

光學(xué)反射定律：當(dāng)一束X射線照耀到晶體上時(shí),發(fā)生鏡面反射散射線、入射線與晶面法線共面，且在法線兩側(cè)散射線與晶面的交角等于入射線與晶面的交角。

（2）衍射強(qiáng)度：I相對(duì)=F、P、θ分別為結(jié)構(gòu)因數(shù)、重復(fù)因數(shù)、布拉格角4.應(yīng)用

在無(wú)機(jī)非金屬材料研究中的一些常規(guī)分析測(cè)試中的主要應(yīng)用方面：（1）物相分析（2）晶胞參數(shù)測(cè)定（3）晶體試樣中晶粒大小、應(yīng)力和應(yīng)變測(cè)定（4）相圖或固溶度測(cè)定（5）單晶材料：推斷晶體對(duì)稱性和晶體取向方位、觀察晶體缺陷、研究晶體完整性TEM

1.工作原理：

（1）聚焦電子束作照明光源：電子槍產(chǎn)生的電子束，經(jīng)1-2級(jí)聚光鏡會(huì)聚后，均勻地照耀試樣上的某一待觀察的微小區(qū)域上。

（2）透射電子作為成像信號(hào)：電子束與試樣作用，試樣很薄——透射電子——其強(qiáng)度分布

與試樣的形貌、組成、結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)。（3）透射出的電子經(jīng)一系列透鏡放大投射到熒光屏上。

（4）熒光屏把電子強(qiáng)度分布轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢?jiàn)光強(qiáng)度分布———圖像（陰極射線發(fā)光過(guò)程）工作過(guò)程概括：①電子槍發(fā)出電子束→②經(jīng)會(huì)聚透鏡會(huì)聚→③照耀并穿透試樣→④經(jīng)物鏡成像→⑤中間鏡投影鏡放大→⑥電子顯微像(屏或底片)

2.應(yīng)用

在無(wú)機(jī)材料中的應(yīng)用：

（1）納米材料：確定粉末顆粒的外形輪廓、輪廓清楚度、顆粒尺寸大小和厚薄、粒度分布和聚焦或準(zhǔn)疊狀態(tài)

（2）薄膜形貌：表面形貌及結(jié)構(gòu)

（3）陶瓷材料：研究陶瓷材料晶粒、晶界及斷口形貌

（4）晶體缺陷觀察：晶界位錯(cuò)及其他界面，表面結(jié)構(gòu)的TEM觀察，在高壓電鏡中晶體缺陷的動(dòng)態(tài)觀察和晶體缺陷的精細(xì)結(jié)構(gòu)研究

（5）靜態(tài)及晶格結(jié)構(gòu)的確定

3.影響因素

（1）試樣SEM

1.工作原理：

(1)電子槍→電子束（交叉斑為電子源）→聚焦→微細(xì)電子束（一定能量、束流強(qiáng)度、束斑直徑）；

(2)在試樣表面掃描（時(shí)間、空間順序柵XX式掃描）

(3)產(chǎn)生二次電子、背散射電子、汲取電子、特征X射線及其它物理信號(hào)；

(3)探測(cè)器收集背散射電子、二次電子等信號(hào)→電訊號(hào)→視頻放大→顯像管成像。

2

3

220220001()()32()2:

::MeIIeVmcRVSVIVλθπθμλθ-=????=式中符號(hào)意義:入射X光束強(qiáng)度,為非偏振光入射X的波長(zhǎng);

R:觀察點(diǎn)與試樣之間的距離（衍射儀半徑）;晶胞體積;

e,m,c分別為電子的電荷、質(zhì)量；光速;,F,P分別為布拉格角、結(jié)構(gòu)因數(shù)、重復(fù)因數(shù);S、V:受X光照耀θ-2M的試樣面積和體積;(),e分別為汲取因數(shù)、溫度因數(shù);

2.應(yīng)用

（1）粉末顆粒觀察：確定粉末顆粒的外形輪廓、輪廓清楚度、顆粒尺寸大小和厚薄、粒度分布和聚焦或準(zhǔn)疊狀態(tài)

（2）薄膜形貌觀察

（3）陶瓷斷口形貌觀察

（4）缺陷觀察

DSC

1.工作原理

功率補(bǔ)償型DSC：在試樣和參比物容器下各裝有一組補(bǔ)償。

當(dāng)出現(xiàn)溫差（ΔT）時(shí)：

試樣吸熱，補(bǔ)償放大器使試樣熱絲電流增大；至ΔT=0

試樣放熱，則使參比物熱絲電流增大，至ΔT=0。

DSC常與DT組裝在一起，用更換樣品桿和增加功率補(bǔ)償單元達(dá)到既可作DSC，又可作DT。

2.應(yīng)用

(1)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的測(cè)定

(2)熔融和結(jié)晶溫度的測(cè)定

(3)確定水在化合物中的存在狀態(tài)

(4)轉(zhuǎn)變點(diǎn)的測(cè)定

(5)潔凈度的測(cè)定

(6)二元相圖的測(cè)繪

3.影響因素

（1）試樣特性：樣品用量、粒度、試樣幾何形狀

（2）實(shí)驗(yàn)條件：升溫速率、氣體性質(zhì)

IR

1.工作原理

物質(zhì)因受光的作用，引起分子或原子基團(tuán)的共振，從而產(chǎn)生對(duì)光的汲取。

如果將透過(guò)物質(zhì)的光輻射用單色器加以色散，使波長(zhǎng)按長(zhǎng)短依次排列，同時(shí)測(cè)量在不同波長(zhǎng)處的輻射強(qiáng)度，得到的是振動(dòng)光譜，又叫汲取光譜。

（1）如果用的光源是紅外光波，即0.76～1000μm，就是紅外汲取光譜。

（2）如果用的是強(qiáng)單色光，例如激光，產(chǎn)生的是激光拉曼光譜。

2.應(yīng)用

無(wú)機(jī)：（1）物質(zhì)化學(xué)組成的分析：

①定性分析：根據(jù)譜的汲取頻率的位置和形狀來(lái)推斷定未知物；

②定量分析：按其汲取的強(qiáng)度來(lái)測(cè)定它們的含量。

（2）作分子結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)研究：測(cè)定分子的鍵長(zhǎng)、鍵角大小，并推斷分子的立體構(gòu)型；或根據(jù)所得的力常數(shù)，間接得知化學(xué)鍵的強(qiáng)弱；也可以從正則振動(dòng)頻率來(lái)計(jì)算熱力學(xué)函數(shù)等。

3.影響因素

（1）試樣制備：純度、穩(wěn)定性、含水量

（2）測(cè)試條件對(duì)紅外光譜的影響：

1）物理狀態(tài)：對(duì)