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文檔簡介
聊城市2025年普通高中學業(yè)水平等級考試模擬卷11.答卷前,考生務(wù)必將自己的姓名、考生號等填寫在答題2.回答選擇題時,選出每小題答案后,用鉛筆把答題卡上需改動,用橡皮擦干凈后,再選涂其他答案標號?;卮鸱沁x擇寫在本試卷上無效。置。號涂黑。如E答題卡上。3.考試結(jié)束后,將本試卷和答題卡一并交回。1.“沉睡三千年,一醒驚天下”,三星堆遺址考古已人選世界重大考古發(fā)現(xiàn)??脊殴ぷ髡呓?jīng)常運用碳14定年技術(shù)推測文物年代。碳14具有放射性,發(fā)生β衰變的半衰期約為5730年。以下說法正確的是A.地下遺址溫度較低會影響碳14的半衰期B.100個碳14原子核經(jīng)過5730年后,一定還剩50個C.碳14發(fā)生β衰變后新核質(zhì)子數(shù)比碳14多1D.某出土稻米樣品中碳14含量不到現(xiàn)代作物的一半,說明該稻米樣品距今不到5730年2.如圖所示,A、B兩點分別固定電荷量為—3Q、+Q的兩個點電荷,以B為圓心的圓交A、B中垂線于C、D兩點,交AB延長線于P點,下列說法正確的是A.C、D兩點電勢不同B.C、D兩點電場強度相同C.將一正電荷從C點沿上方圓弧移至P點,電勢能減小D.將一正電荷從P點沿下方圓弧移至D點,電場力做正功3.如圖所示,一輛運沙車在平直公路上以速度v勻速行駛時,車廂底部不慎有沙子連續(xù)漏出。忽略沙子漏出瞬間相對車的初速度,沙子落到地面后立即停止。已知單位時間內(nèi)漏出的沙子質(zhì)量恒定為Q,出沙口距水平地面的高度為H,重力加速度為g,不計空氣阻力。在已經(jīng)有沙子剛好落地時開始計時,下列說法正確的是A.地面上的人看到在空中的沙子形成的幾何圖形是一條拋物線B.在空中的沙子的總質(zhì)量為C.不同時刻漏出的兩粒沙子落地前的豎直距離保持不變D.漏出的某粒沙子落地前在相等時間內(nèi)速度的變化量逐漸增大4.警用鋼叉是一種常用的防暴器械,其前端為半圓形的叉頭,后端為握柄。現(xiàn)將鋼叉豎直放接。初始時小球b在外力作用下靜止在豎直桿上,此時小球a靜止在離半圓環(huán)最低點較近A.一直增大B.一直減小C.先增大后減小D.先減小后增大5.開有凹槽的斜面固定在地面上,斜面與水平軌道OA平滑連接,OA長度為6r。槽內(nèi)上端緊A.球4的機械能守恒B.球1處在OA段時動量不變C.四個球最終的落地點各不相同D.四個小球中球1離開軌道時的速度最小6.如圖所示,空間中存在一勻強磁場(圖中未畫出,大小、方向未知)。兩條平行金屬導軌間距l(xiāng)=1m,與水平面成傾角θ=37°固定,在兩導軌上同一高度處各有一絕緣豎直短桿。將質(zhì)量m=0.5kg的金屬棒AB置于短桿處,金屬棒與金屬導軌間的動摩擦因數(shù)μ=0.5。現(xiàn)將兩導軌與恒流電源相連接,金屬棒中電流大小為I=3A,重力加速度的大小取10m/s2,a=2m/s2的加速度做勻加速直線運動,則磁感應(yīng)強度的最小值為7.如圖所示,某發(fā)電機的線圈在豎直向下的勻強磁場中從中性面開始勻速轉(zhuǎn)動,理想電壓表接在線圈兩端。已知該線圈匝數(shù)N=500匝,線圈面積S=0.4m2,轉(zhuǎn)速為n=50r/s,電阻不計,磁感應(yīng)強度大小。線圈通過阻值R=100Ω的電阻與理想變壓器原線圈串聯(lián),副線圈連接電阻R=3Ω的燈泡和最大阻值為5Ω的滑動變阻器R′。已知理想變壓器原、副線圈匝數(shù)比為5:1,則A.電壓表的示數(shù)為40VB.初始位置線圈產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢最大D.在調(diào)節(jié)滑動變阻器滑片的過程中變壓器輸出的最大功率為2W8.如圖甲所示,紙面內(nèi)存在上、下寬度均為L的勻強電場與勻強磁場,勻強電場豎直向下,勻強磁場垂直紙面向里,磁感應(yīng)強度大小為B。現(xiàn)有一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電粒子(不計重力)從電場的上邊界的a點由靜止釋放,運動到磁場的下邊界的b點時正好與下邊界相切。若把電場下移至磁場所在區(qū)域,如圖乙所示,粒子從上邊界c點由靜止釋放,經(jīng)過一段時間粒子第一次到達最低點d(圖中位置僅為示意),下列說法正確的是B.勻強電場的場強大小為D.粒子從c點到d二、多項選擇題:本題共4小題,每小題4分,共16分。每小題有多個選項符合題目要求,全部選對的得4分,選對但不全的得2分,有選錯的得0分。9.不同波長的電磁波具有不同的特性,在生產(chǎn)生活中具有不同的應(yīng)用。a、b兩單色光在電磁波譜中的位置如圖所示。下列說法正確的是A.若a、b兩光分別作為同一雙縫干涉實驗裝置的光源,a光產(chǎn)生的條紋間距較大B.若a、b兩光都是由氫原子能級躍遷產(chǎn)生的,產(chǎn)生a對應(yīng)的能級差更大C.若a、b兩光照射同一個光電管時都能發(fā)生光電效應(yīng),b光的遏止電壓更大◎自轉(zhuǎn)周期T白地球的質(zhì)量為M,半徑為R,引力常量為G。to時刻,衛(wèi)星恰好經(jīng)過◎地球赤道上PA.衛(wèi)星距地面的高度為C.每次經(jīng)最短時間實現(xiàn)衛(wèi)星距P點最近到最遠的行程,衛(wèi)星繞地心轉(zhuǎn)過的角度比地球的多πD.每次經(jīng)最短時間實現(xiàn)衛(wèi)星距P點最近到最遠的行程,衛(wèi)星繞地心轉(zhuǎn)過的角度比地球的多3π源產(chǎn)生的機械波均能以波源為圓心在xOy平面內(nèi)向各個方向傳播,振動周期均為T=2s,波速均為v=1m/s。t=0時刻波源S?開始沿z軸正方向振動,振幅A?=2cm;同D.在xoy平面內(nèi),分別在x=3.6m和x=4.4m處畫平行于12.如圖所示,水平面上固定著兩組足夠長平行光滑金屬導軌PQ和MN,寬度分別為2L,兩組導軌用導線交叉連接(導線不接觸),導軌區(qū)域內(nèi)存在豎直向下的勻強磁場,磁感應(yīng)強度大小均為B。PQ導軌上垂直放置導體棒a,MN導軌上垂直放置導體棒b,兩棒質(zhì)量均為m,接入電路的電阻均為R。某時刻兩導體棒同時獲得向右的初速度vo,導A.通過導體棒的最大電流為C.導體棒b上產(chǎn)生的熱量為D.整個過程中通過導體棒a的電荷量13.(6分)某同學用如圖甲所示的雙線擺測量當?shù)氐闹亓铀俣取筛鶓揖€下端系于小球物理試題(二)(共8頁)第4頁(2)使雙線擺做小幅度擺動,某時刻起手機磁傳感器測得磁感應(yīng)強度隨時間變化的規(guī)律14.(8分)工業(yè)上經(jīng)常用“電導儀”來測定液體的電阻率,其中一個關(guān)鍵部件如圖甲所示,兩片金屬放到液體中形成一個電容器形狀的液體電阻,而中間的液體即電阻的有效部分。小明想測量某導電溶液的電阻率,在一透明塑料長方體容器內(nèi)部左右兩側(cè)正對插入與容器等寬、與導電溶液等高的電極,兩電極的正對面積為S=10cm2,電極電阻不計。實驗提供的器材如下:電壓表(量程15V,內(nèi)阻約為30kΩ);電池組(電動勢E=12V,內(nèi)阻r=6Ω);單刀單擲開關(guān)一個;圖甲圖丁(1)小明先用歐姆表粗測溶液電阻,選擇歐姆×100擋后測量結(jié)果如圖乙所示,為了使讀A.將紅表筆和黑表筆接觸B.把選擇開關(guān)旋轉(zhuǎn)到×1k擋C.把選擇開關(guān)旋轉(zhuǎn)到×10擋D.調(diào)節(jié)丙圖中a旋鈕,使指針指到歐姆零點F.進行測量并得出阻值大小算出對應(yīng)的電阻R。某次測量中,兩板間距d=20cm,測量并計算出該溶液電阻R=2×10?Ω。將該點在圖戊的坐標紙上補充完整并描繪出R-d圖線,根據(jù)圖像可得該導電溶圖戊15.(8分)氣墊鞋是通過在鞋底內(nèi)置密閉氣墊(通常填充高壓氮氣或空氣)來提供緩震功能的運動鞋。氣墊內(nèi)氣體可視為理想氣體,氣墊導熱良好。某款氣墊跑鞋在靜態(tài)未穿著時每個氣墊中氣體體積為V?=30cm3,壓強為p=1.5atm,假設(shè)大氣壓強恒為po=1atm,室溫恒為27℃。(1)某同學穿該跑鞋運動,一段時間后由于摩擦等因素鞋內(nèi)溫度升高5℃,氣墊體積被壓縮為原來的,求此時氣墊內(nèi)氣體壓強。(結(jié)果保留三位有效數(shù)字)(2)長時間穿著導致氣墊損壞漏氣,靜置于室內(nèi)足夠長的時間后,體積仍為V,求漏出氣墊的氣體和剩余氣體的質(zhì)量之比。16.(8分)某景區(qū)計劃建造一個圓柱體形狀的景觀淺水池,水池底部正中央安裝點狀景觀燈,使水池裝滿水后燈光剛好可以照亮整個水面。已知水池深度設(shè)計為h=0.5m,水對燈光的折射率取2.65。(結(jié)果保留兩位有效數(shù)字)(1)水池半徑R應(yīng)設(shè)計為多大?(2)由于工人在施工過程中出現(xiàn)失誤,完工后發(fā)現(xiàn)水池半徑R′=1m,為了達到相同效若圓形平面鏡的半徑r約為0.5m,求光源離平面鏡的豎直距離△h至少為多少?(不考慮光的二次反射)L=0.5m的水平粗糙部分AB和半徑R=0.4m的六分之一光滑圓弧BC組成,質(zhì)量mz=1kg的滑塊P與AB之間的動摩擦因數(shù)為μ=0.5。將P置于滑板上表面的A點。長度L?=0.8m的細線水平伸直,一端固定于0點,另一端系一質(zhì)量m?=0.6kg的光滑小取10m/s2,細線不可伸長。(2)求P與Q碰后經(jīng)多長時間P第一次到達滑板上的B處(計算結(jié)果可用根號表示);(3)碰后P能否從C點滑出?若能滑出,請計算出P離開C處后上升的最大高度;若不18.(16分)華為麒麟芯片(又稱海思麒麟芯片),是華為旗下海思半導體公司自主研發(fā)的系列芯片之一,是業(yè)界領(lǐng)先的智能手機處理器。在芯片制造過程中,離子注入是一道重要工序,如圖所示是離子注入部分工作的原理示意圖。從離子源M處連續(xù)飄出帶正電的離子(初速度不計),經(jīng)勻強電場加速后,從P點以速度v。沿半徑方向射入圓形磁分析器。磁分析器中存在垂直于紙面向外的勻強磁場B?(大小未知),與長方體離子控制區(qū)相切于Q點,其中abcd為該控制區(qū)中間豎直平面(與圓形磁分析器處于同一豎直平面),離子從Q點離開磁分析器。由于邊緣效應(yīng),離子進入控制區(qū)的速度方向會有一定波動(速度大小不變),波動范圍在以垂直ab方向為軸的θ角范圍內(nèi)。若控制區(qū)無任何荷量為q,加速電場兩極板間的距離為d,在圓形磁分析器中運動的時間為t,圖中a、P、Q三點連線正好可構(gòu)成一個等邊三角形,ad邊長為L,bQ足夠長。不計離子的重力和(1)求加速電場的電場強度E?和圓形磁分析器的半徑r;能有效注入,現(xiàn)在控制區(qū)加上沿ad方向的勻大小可調(diào)),則勻強電場的場強大小應(yīng)滿足什么條件?離子有效注入硅片上的面積最大(3)若在控制區(qū)撤去B?和E?加上垂直于紙面向里磁場B?,其磁感應(yīng)強度大小沿ad方聊城市2025年普通高中學業(yè)水平等級考試模擬卷物理(二)參考答案及評分說明一、單項選擇題:本題共8小題。每小題3分,共24分。在每小題給出的四個選項中,只有一項是符合題目要求的。二、多項選擇題:本題共4小題。每小題4分,共16分。在每小題給出的四個選項中,有多項符合題目要求。全部選對的得4分,選對但不全的得2分,有選錯的得0分。②13.(1)6.578(6.577~6.579均可)②評分標準:每空各2分14.(1)BAEF(2)如右圖(3)96(95~100均可)(4)等于評分標準:實物連線2分,其于每空各2分由理想氣體狀態(tài)方程有………………①(2)以漏氣前氣墊內(nèi)的氣體為研究對象由玻意耳定律有解得V?=45cm3漏出氣墊的氣體和剩余氣體的質(zhì)量之比為…………④解得…………評分標準:①③④式每式2分,②⑤式每式1分。代人數(shù)據(jù)可解得………③(2)底面鑲嵌平面鏡后將光源上移到P點,做出光路圖如圖2所示代入數(shù)據(jù)得△h=0.38m…………………此時對應(yīng)平面鏡的半徑r'=R′-R=0.43m<0.5m,符合題意,所以光源離平面鏡的豎直距離至少為0.38m⑥解得vo=4m/s對Q在碰后瞬間,由牛頓第二定律得 ④解得拉力的大小T=6.75N ⑤可解得:(另舍去)…………………⑧(3)假設(shè)未滑出,P與滑板共速時設(shè)最大高度為H,速度為v共,根據(jù)動量守恒定律和能量守恒定律得m?v?=(m?+m?)v共……………………⑨解得v共=1m/s,H=0.05m由于H<R(1-cos?0°),滑塊P最終相對
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