《電子電路分析與實踐》課件-半導(dǎo)體三極管_第1頁
《電子電路分析與實踐》課件-半導(dǎo)體三極管_第2頁
《電子電路分析與實踐》課件-半導(dǎo)體三極管_第3頁
《電子電路分析與實踐》課件-半導(dǎo)體三極管_第4頁
《電子電路分析與實踐》課件-半導(dǎo)體三極管_第5頁
已閱讀5頁，還剩3頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

電子電路分析與實踐半導(dǎo)體三極管張家口職業(yè)技術(shù)學(xué)院《電子電路分析與實踐》教學(xué)團隊類型：NPN型、PNP型半導(dǎo)體三極管是具有電流放大功能的元件高頻管、低頻管頻率：小、中、大功率管功率：硅管、鍺管材料：半導(dǎo)體三極管發(fā)射結(jié)

集電結(jié)基極發(fā)射極

集電極晶體三極管是由兩個PN結(jié)組成的發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)半導(dǎo)體三極管發(fā)射結(jié)加正偏時，從發(fā)射區(qū)將有大量的電子向基區(qū)擴散，形成的電流為IEN。從基區(qū)向發(fā)射區(qū)也有空穴的擴散運動，但其數(shù)量小，形成的電流為IEP。進入基區(qū)的電子流因基區(qū)的空穴濃度低很快進入集電結(jié)的結(jié)電場區(qū)域，被集電極所收集，形成集電極電流ICN。在基區(qū)被復(fù)合的電子形成的電流是IBN。

很小的基極電流IB，就可以控制較大的集極電流IC，從而實現(xiàn)了放大作用。三極的工作原理共集電極接法：集電極作為公共端共發(fā)射極接法：發(fā)射極作為公共端共基極接法：基極作為公共端IE=IC+IB三極管的電流關(guān)系國家標準對半導(dǎo)體三極管的命名如下:3

D

G

110B

材料器件的種類同種器件型號的序號同一型號中的不同規(guī)格三極管第二位：A鍺PNP管；B鍺NPN管；

C硅PNP管；D硅NPN管。第三位：X低頻小功率管D低頻大功率管G高頻小功率管A高頻大功率管K開關(guān)管半導(dǎo)體三極管的型號參

數(shù)型

號

PCM

mW

ICM

mAVR

CBO

VVR

CEO

VVR

EBO

V

IC

BO

μA

f

T

MHz3AX31D

125

125

20

12≤6*≥83BX31C

125

125

40

24≤6*≥

83CG101C

100

30

450.1

1003DG123C

500

50

40

300.353DD101D

5A

5A

300

2504≤2mA3DK100B

100

30

25

15≤0.1

3003DKG23250W

30A

400

325

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論