AI應(yīng)用側(cè)深度滲透驅(qū)動(dòng)國產(chǎn)先進(jìn)封裝技術(shù)尋求突破

l效率提升≠需求下降：本質(zhì)上，算法優(yōu)化并非削弱算力產(chǎn)業(yè)重構(gòu)需求結(jié)構(gòu)打開更大市場空間——從集中式訓(xùn)練向分布式推理延展，從通部存儲(chǔ)器之間高效傳輸，嚴(yán)重制約了AI請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-1-請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-2-DeepSeek從模型的輸入處理階段到計(jì)算階段再到模型的輸出階策略使推理階段復(fù)雜度從0(n2)降至0(n)，大幅減少冗余計(jì)算。KV緩存快速存取，以及更強(qiáng)的并行計(jì)算能力處理動(dòng)態(tài)增請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-3-），請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-4-圖表2:MHAvsGQAvsMQAvsMLA著降低計(jì)算負(fù)載:），請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-5-l反向傳播：梯度更新僅作用于被激活的專家及路由網(wǎng)絡(luò)，參關(guān)，長文本處理效率提升3-5倍片請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-6-405B-InstArchitecture圖表4:MoE基礎(chǔ)架構(gòu)請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-7-圖表5:共享專家+無額外損耗負(fù)載均衡策略請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-8-請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-9-請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-10-請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-11-圖表7:DeepSeekR1Zero推理能力顯著提升，達(dá)到了與OpenAI-o1-0912相當(dāng)?shù)男阅芩秸垊?wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-12-秩壓縮技術(shù)（KV緩存減少90%）的協(xié)同作用。但總量需求仍大。打開更大市場空間——從集中式訓(xùn)練向分布式推理延展，從通用計(jì)算向場景專用架構(gòu)升級，最終形成萬億級算力市場的多級增長請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-13-圖表8:更多用戶和場景化采用AI，形成規(guī)?；?yīng)服務(wù)騰訊微信灰度測試“AI搜索”功能，接入DeepSeek-能教育、科研微博智搜教育、技術(shù)研發(fā)請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-14-性增加，訓(xùn)練數(shù)據(jù)集規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。根據(jù)ZheweiYao、SehoonKim等人研究發(fā)現(xiàn)，大型Transformer模型中的參數(shù)數(shù)量呈指數(shù)圖表9:DeepSeekR1Zero推理能力顯著提升，達(dá)到了與OpenAI-o1-0912相當(dāng)?shù)男阅芩秸垊?wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-15-在一定程度上使得摩爾定律放緩,高性能芯片的可靠性及功耗成圖表10:Moore定律放緩，且規(guī)?；?yīng)銳減請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-16-請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-17-芯片整體能效比的重要因素。系統(tǒng)級互連的電阻損耗、請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-18-圖表12:高端AI加速器對先進(jìn)封裝技術(shù)的需求請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-19-圖表13:傳統(tǒng)封裝技術(shù)（左為塑料封裝及常見封裝技術(shù)，右圖為引線鍵合）請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-20-間的帶寬，也縮短了信號傳輸?shù)木嚯x，減少請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-21-請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-22-實(shí)現(xiàn)芯片與基板之間的電氣連接。FCBG如ABF（AjinomotoBuild-upFilm）材料，提供更高的布線）：請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-23-請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-24-運(yùn)而生。2.5D封裝技術(shù)的核心要素在于中介層(interpose請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-25-圖表19:Interposer及2.5D封裝結(jié)構(gòu)請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-26-封裝，最終形成3D晶圓堆疊封裝的關(guān)鍵技術(shù)，包括臺積電的CoWoS-R和新一代高帶寬存儲(chǔ)器(High-BandwidthMemory,HBM)TSV刻蝕主要方法分為兩種，一種是深反應(yīng)離子刻蝕（Deep），比度性蝕好好高高m差差低低請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-27-分為刻蝕和鈍化兩個(gè)步驟，先通過siF6刻蝕氣體各向同性刻蝕至緣層材料一般采用sio2、siNx和其他聚合物。sio2、siNx等無機(jī)請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-28-光CMP（ChemicalMechanicalPolish）工藝來去除芯片表面的請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-29-以構(gòu)建低阻抗的電源分配網(wǎng)絡(luò)，為芯片提供穩(wěn)定的輸入/輸出電請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-30-請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-31-圖表24:CoWoS-S\CoWoS-R\CoWos-L請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-32-為復(fù)雜且層數(shù)較多的情況下，最終良率往往不能滿足要求。而圖表25:CoWoS-S\CoWoS-R\CoWos-L請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-33-請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-34-應(yīng)用落地，對于高帶寬、低延遲的封裝技術(shù)要求更高。受益于請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-35-請務(wù)必仔細(xì)閱讀本報(bào)告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-36-增持：股票價(jià)格在未來6個(gè)月內(nèi)相對大盤變動(dòng)幅度為5%～15%；商業(yè)、財(cái)務(wù)、稅收等方面