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1+X集成電路理論試題一、單選題(共43題,每題1分,共43分)1.晶圓切割的作用是()。A、切除電氣性能不良的晶粒B、對(duì)晶圓邊緣進(jìn)行修正C、在完整的晶圓上劃出切割道的痕跡,方便后續(xù)晶粒的分離D、將完整的晶圓分割成單獨(dú)的晶粒正確答案:D答案解析:晶圓切割將整片晶圓切割成一顆顆獨(dú)立的晶粒,用于后續(xù)集成電路的制造。2.脫水烘烤是在()的氣氛中進(jìn)行烘烤。A、真空或干燥氮?dú)釨、真空C、清潔的空氣D、干燥氮?dú)庹_答案:A答案解析:脫水烘烤是在真空或干燥氮?dú)獾臍夥罩羞M(jìn)行。3.采用全自動(dòng)探針臺(tái)對(duì)晶圓進(jìn)行扎針調(diào)試時(shí),若發(fā)現(xiàn)單根探針發(fā)生偏移,則對(duì)應(yīng)的處理方式是()。A、相關(guān)技術(shù)人員手動(dòng)撥針,使探針移動(dòng)至相應(yīng)位置B、更換探針測(cè)試卡C、調(diào)節(jié)扎針深度D、利用微調(diào)檔位進(jìn)行調(diào)整正確答案:A答案解析:當(dāng)發(fā)現(xiàn)單根探針發(fā)生偏移時(shí),由于是全自動(dòng)探針臺(tái)進(jìn)行扎針調(diào)試,不能用微調(diào)檔位進(jìn)行調(diào)整,更換探針測(cè)試卡也不能解決探針偏移問(wèn)題,調(diào)節(jié)扎針深度與探針偏移無(wú)關(guān),所以通常是相關(guān)技術(shù)人員手動(dòng)撥針,使探針移動(dòng)至相應(yīng)位置。4.通常被用于深紫外光刻膠的準(zhǔn)分子激光器的光源材料是()。A、KrFB、F2C、ArFD、XeF正確答案:A答案解析:通常被用于深紫外光刻膠的準(zhǔn)分子激光器的光源材料是氟化氪KrF。5.{平移式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí),芯片在該區(qū)域的操作完成后會(huì)進(jìn)入()區(qū)域。}A、上料B、待測(cè)C、測(cè)試D、分選正確答案:D答案解析:該圖紅色所框區(qū)域有L字型的測(cè)壓手臂,為平移式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝的測(cè)試區(qū)域。測(cè)試完成后,會(huì)根據(jù)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分選。6.芯片封裝工藝中,下列選項(xiàng)中的工序均屬于前段工藝的是()。A、晶圓切割、引線鍵合、塑封、激光打字B、晶圓貼膜、晶圓切割、芯片粘接、引線鍵合C、晶圓貼膜、芯片粘接、激光打字、去飛邊D、晶圓切割、芯片粘接、塑封、去飛邊正確答案:B答案解析:封裝工藝流程中前段工藝包括晶圓貼膜、晶圓切割、芯片粘接以及引線鍵合,后段工藝則包括塑封、激光打字、去飛邊、電鍍以及切筋成型。7.窄間距小外形封裝的英文簡(jiǎn)稱為()。A、SIPB、SOPC、SSOPD、QFP正確答案:C答案解析:SIP-單列直插式封裝;SOP-小外形封裝;SSOP-窄間距小外形封裝;QFP-四側(cè)引腳扁平封裝。8.植球時(shí),球和焊盤金屬形成冶金結(jié)合,此時(shí)形成的焊點(diǎn)為()。A、第一焊點(diǎn)B、第二焊點(diǎn)C、第三焊點(diǎn)D、芯片焊點(diǎn)正確答案:A答案解析:劈刀下降到芯片焊點(diǎn)表面,加大壓力和功率,使球和焊盤金屬形成冶金結(jié)合,形成第一焊點(diǎn)。9.載帶的預(yù)留長(zhǎng)度一般是()。A、10-30cmB、30-50cmC、50-70cmD、70-90cm正確答案:C10.以全自動(dòng)探針臺(tái)為例,上片過(guò)程中,當(dāng)承重臺(tái)下降到指定位置時(shí),()。A、紅色指示燈亮B、綠色指示燈亮C、綠色指示燈滅D、紅色指示燈滅正確答案:D答案解析:以全自動(dòng)探針臺(tái)為例,承重臺(tái)前的兩個(gè)按鈕指示燈:綠色表示上升,紅色表示下降。承重臺(tái)下降到指定位置后,下降指示燈滅,即紅色指示燈滅。11.重力式分選機(jī)進(jìn)行自動(dòng)上料時(shí),進(jìn)入上料架,上料夾具準(zhǔn)備夾取的料管中的芯片位置()要求:()。A、無(wú);進(jìn)入上料的芯片位置沒(méi)有要求B、有;芯片印章在下面C、有;芯片印章在上面D、無(wú);需要等待料管篩選正確答案:C答案解析:重力式分選機(jī)進(jìn)行上料時(shí),進(jìn)入上料架,上料夾具準(zhǔn)備夾取的料管中的芯片位置要求芯片印章朝上,便于后期操作。12.芯片檢測(cè)工藝中,管裝裝內(nèi)盒時(shí),在內(nèi)盒上貼有()種類型的標(biāo)簽。A、3B、1C、2D、4正確答案:C13.重力分選機(jī)手動(dòng)裝料要操作人員取下待測(cè)料管一端的(),并將料管整齊地?cái)[放在操作臺(tái)上。A、擋板B、料盤C、螺母D、塞釘正確答案:D14.晶圓檢測(cè)工藝的測(cè)試車間符合()潔凈區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。A、10萬(wàn)級(jí)B、100萬(wàn)級(jí)C、千級(jí)D、萬(wàn)級(jí)正確答案:D答案解析:晶圓檢測(cè)工藝對(duì)環(huán)境的要求:測(cè)試車間符合10萬(wàn)級(jí)潔凈區(qū)標(biāo)準(zhǔn),溫度常年保持在22±3℃,濕度保持在45±15%。15.芯片檢測(cè)工藝中,進(jìn)行管裝包裝時(shí),將真空包裝的編帶盤放入內(nèi)盒、合上蓋子后,需要在內(nèi)盒的封口邊()處貼上“合格”標(biāo)簽。A、中央B、左側(cè)C、任意位置D、右側(cè)正確答案:A答案解析:芯片檢測(cè)工藝中管裝包裝時(shí),將真空包裝的編帶盤放入內(nèi)盒、合上蓋子后,在內(nèi)盒封口邊中央處貼上“合格”標(biāo)簽是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)或常規(guī)操作要求,這樣能保證標(biāo)簽位置醒目且符合工藝規(guī)范,放置在其他位置可能會(huì)影響標(biāo)簽的展示效果或不符合相關(guān)工藝規(guī)定。16.電鍍工序中完成前期清洗后,下一步操作是()A、后期清洗B、裝料C、高溫退火D、電鍍正確答案:D答案解析:電鍍流程:裝料→前期清洗→電鍍槽電鍍→后期清洗→高溫退火。17.待測(cè)芯片的封裝形式?jīng)Q定了測(cè)試、分選和包裝的不同類型,而不同的性能指標(biāo)又需要對(duì)應(yīng)的測(cè)試方案進(jìn)行配套完成測(cè)試,測(cè)試完成后,經(jīng)()即可進(jìn)入市場(chǎng)。A、人工目檢、包裝B、機(jī)器檢測(cè)、人工目檢C、人工目檢D、運(yùn)行測(cè)試后包裝正確答案:A答案解析:芯片測(cè)試完成后,首先要經(jīng)過(guò)人工目檢,檢查芯片外觀等是否合格,之后再進(jìn)行包裝,這樣才能進(jìn)入市場(chǎng)。選項(xiàng)B中機(jī)器檢測(cè)一般不是進(jìn)入市場(chǎng)前的直接環(huán)節(jié);選項(xiàng)C只提到人工目檢,缺少包裝步驟;選項(xiàng)D運(yùn)行測(cè)試后包裝不全面,缺少人工目檢環(huán)節(jié)。所以正確答案是[A]。18.()包裝形式在入庫(kù)及之后的工藝中操作方便,比較省時(shí)。A、花籃內(nèi)盒包裝B、防靜電鋁箔袋包裝C、花籃外盒包裝D、晶圓盒包裝正確答案:C答案解析:花籃外盒包裝形式在入庫(kù)及之后的工藝中操作方便,比較省時(shí)。19.使用重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測(cè),當(dāng)遇到料管卡料時(shí),設(shè)備會(huì)()。A、會(huì)自動(dòng)處理B、停止運(yùn)行并報(bào)警C、只進(jìn)行報(bào)警D、繼續(xù)操作正確答案:B答案解析:重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí),如果遇到料管滿管或者卡料時(shí),會(huì)出現(xiàn)設(shè)備自動(dòng)停測(cè)并報(bào)警提示。20.打點(diǎn)時(shí),合格的墨點(diǎn)必須控制在管芯面積的()大小。A、1/4~1/3B、1/3~1/2C、1/4~1/2D、1/5~1/3正確答案:A答案解析:打點(diǎn)時(shí),合格的墨點(diǎn)必須控制在管芯面積的1/4~1/3大小,且墨點(diǎn)不能覆蓋PAD點(diǎn)。21.若進(jìn)行打點(diǎn)的晶圓規(guī)格為5英寸,應(yīng)選擇的墨盒規(guī)格為?()A、10milB、8milC、5milD、30mil正確答案:C22.Cadence中庫(kù)管理由高到低分別是()。A、庫(kù)-單元-視圖B、庫(kù)-視圖-單元C、單元-庫(kù)-視圖D、單元-視圖-庫(kù)正確答案:A答案解析:在Cadence中,庫(kù)管理的層次結(jié)構(gòu)是庫(kù)-單元-視圖,所以正確答案是A。23.該圖是()的版圖。A、D觸發(fā)器B、一位全加器C、傳輸門D、與非門正確答案:A24.激光打字在打標(biāo)前需要調(diào)整()的位置。A、場(chǎng)鏡和收料架B、顯示器和收料架C、場(chǎng)鏡和光具座D、光具座和顯示器正確答案:C答案解析:激光打字打標(biāo)前需要調(diào)整場(chǎng)鏡和光具座的位置,場(chǎng)鏡的位置準(zhǔn)確與否影響激光聚焦效果從而影響打標(biāo)精度,光具座的位置調(diào)整能確保光路的正確,使激光準(zhǔn)確地打到指定位置進(jìn)行打標(biāo)。而收料架和顯示器與打標(biāo)前調(diào)整位置并無(wú)直接關(guān)聯(lián)。25.最大不失真輸出電壓測(cè)試,輸入信號(hào)步進(jìn)值(),但測(cè)試時(shí)間會(huì)隨輸入電壓步進(jìn)值()。A、越小越好、增加而增加B、越小越好、減小而增加C、越大越好、增加而減小D、越大越好,減小而減小正確答案:B26.()是芯片制造過(guò)程中在元器件表面上淀積金屬薄膜以及隨后刻印圖形以便形成互連線和集成電路填充塞的過(guò)程。A、刻蝕B、金屬化C、填充D、薄膜制備正確答案:B答案解析:金屬化是芯片制造過(guò)程中在元器件表面上淀積金屬薄膜以及隨后刻印圖形以便形成互連線和集成電路填充塞的過(guò)程。27.防靜電點(diǎn)檢的目的是()。A、檢測(cè)進(jìn)入車間人員的體重與身體狀況B、指紋檢測(cè)C、檢測(cè)人體帶有的靜電是否超出進(jìn)入車間的標(biāo)準(zhǔn)D、防止灰塵或靜電的產(chǎn)生正確答案:C答案解析:防靜電點(diǎn)檢的目的是檢測(cè)人體帶有的靜電是否超出進(jìn)入車間的標(biāo)準(zhǔn),沒(méi)有A、B、D選項(xiàng)所述的功能;規(guī)范著裝的目的是防止人體灰塵的散落或靜電的產(chǎn)生。28.封裝工藝中,()工序后的合格品進(jìn)入塑封工序。A、引線鍵合B、芯片粘接C、第三道光檢D、第二道光檢正確答案:C29.利用平移式分選機(jī)進(jìn)行芯片分選時(shí),吸嘴從()上吸取芯片,然后對(duì)芯片進(jìn)行分選。A、出料梭B、收料盤C、入料梭D、待測(cè)料盤正確答案:A30.使用測(cè)編一體的轉(zhuǎn)塔式分選設(shè)備進(jìn)行芯片測(cè)試時(shí),如果遇到需要編帶的芯片,在測(cè)試完成后的操作是()。A、上料B、測(cè)試C、編帶D、外觀檢查正確答案:C答案解析:在使用測(cè)編一體的轉(zhuǎn)塔式分選設(shè)備進(jìn)行芯片測(cè)試時(shí),流程一般是上料、測(cè)試、編帶等。當(dāng)遇到需要編帶的芯片,在測(cè)試完成后就應(yīng)該進(jìn)行編帶操作,所以答案是[C]。31.主控有較多的選擇空間,這里主要考慮檢測(cè)方案是()。A、是否需要A/D轉(zhuǎn)換B、工作頻率高低C、能耗大小D、輸入、輸出數(shù)量正確答案:A答案解析:主控有較多選擇空間時(shí),檢測(cè)方案主要考慮是否需要A/D轉(zhuǎn)換,這直接關(guān)系到對(duì)模擬信號(hào)的處理能力等諸多方面,而工作頻率高低、能耗大小、輸入輸出數(shù)量相對(duì)來(lái)說(shuō)不是在此情況下主要考慮的檢測(cè)方案因素。32.芯片的耐壓度是指(),主要取決于絕緣間隙和絕緣材料的性能以及絕緣結(jié)構(gòu)。A、所能承受的極限載荷B、所能承受的最大應(yīng)力C、所能承受的最大壓強(qiáng)D、承受電壓的能力正確答案:D答案解析:耐壓度是承受電壓的能力,主要取決于絕緣間隙和絕緣材料的性能以及絕緣結(jié)構(gòu)。33.下列對(duì)芯片檢測(cè)描述正確的是()。A、集成電路測(cè)試是確保產(chǎn)品良率和成本控制的重要環(huán)節(jié)B、所有芯片的測(cè)試、分選和包裝的類型相同C、測(cè)試完成后直接進(jìn)入市場(chǎng)D、測(cè)試機(jī)分為數(shù)字測(cè)試機(jī)和模擬測(cè)試機(jī)正確答案:A34.濕度卡的作用是()。A、可以防止靜電B、起到防水的作用C、去潮濕物質(zhì)中的水分D、顯示密封空間的濕度狀況正確答案:D答案解析:濕度卡是用來(lái)顯示密封空間濕度狀況的卡片。35.LK32T102單片機(jī)內(nèi)部有一個(gè)()ADC。A、8位B、12位C、18位D、24位正確答案:B答案解析:該單片機(jī)內(nèi)部有一個(gè)10位逐次逼近型ADC,10位大于8位,所以答案選B。36.在淀積時(shí),反應(yīng)氣體的多少會(huì)影響淀積的速率及均勻性,因此需嚴(yán)格控制氣體流量,通常采用()來(lái)實(shí)現(xiàn)精確控制。A、質(zhì)量流量計(jì)B、電磁流量計(jì)C、液體流量計(jì)D、氣體流量計(jì)正確答案:A答案解析:質(zhì)量流量計(jì)能夠精確測(cè)量和控制氣體的質(zhì)量流量,不受氣體壓力、溫度等因素的影響,可實(shí)現(xiàn)對(duì)反應(yīng)氣體流量的精確控制,從而保證淀積的速率及均勻性。氣體流量計(jì)一般只能測(cè)量體積流量,受溫度、壓力影響較大,不能精確控制。液體流量計(jì)用于測(cè)量液體流量,與反應(yīng)氣體無(wú)關(guān)。電磁流量計(jì)主要用于測(cè)量導(dǎo)電液體的流量,也不適用于反應(yīng)氣體流量控制。37.在電子電路方案設(shè)計(jì)中最簡(jiǎn)單的顯示平臺(tái)是()。A、OLEDB、LCDC、LEDD、數(shù)碼管正確答案:C38.編帶過(guò)程中,在進(jìn)行熱封處理后,需要進(jìn)行()環(huán)節(jié)。A、芯片放入載帶B、光檢C、編帶收料D、密封正確答案:C答案解析:轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行編帶的步驟是:芯片光檢→載帶移動(dòng)→熱封處理→編帶收料→清料。39.用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測(cè)的第二個(gè)環(huán)節(jié)是()。A、測(cè)試B、外觀檢查C、編帶D、上料正確答案:A答案解析:轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝的操作步驟一般為:上料→測(cè)試→編帶→外觀檢查→真空包裝。40.進(jìn)行芯片檢測(cè)工藝中的編帶外觀檢查時(shí),其步驟正確的是()。A、編帶固定→固定卷盤→歸納放置→檢查外觀→編帶回料B、檢查外觀→歸納放置→固定卷盤→編帶回料→編帶固定C、歸納放置→固定卷盤→檢查外觀→編帶回料→編帶固定D、固定卷盤→歸納放置→檢查外觀→編帶回料→編帶固定正確答案:C41.若想取下藍(lán)膜上的晶圓或晶粒,需要照射適量(),能降低藍(lán)膜的黏著力。A、紫外線B、藍(lán)色光源C、太陽(yáng)光D、紅外線正確答案:A答案解析:對(duì)需要重新貼膜或加工結(jié)束后的晶圓,需要從藍(lán)膜上取下,此時(shí)只需照射適量紫外線,就能瞬間降低藍(lán)膜黏著力,輕松取下晶圓或晶粒。42.濕法刻蝕中,()的腐蝕液是以氫氟酸為基礎(chǔ)的水溶液。A、鋁B、硅C、二氧化硅D、砷化鎵正確答案:C答案解析:二氧化硅腐蝕液是以氫氟酸為基礎(chǔ)的水溶液。43.模塊電路外觀檢查時(shí)如果發(fā)現(xiàn)有疑似管腳不良的電路,要用()進(jìn)行驗(yàn)證。A、基準(zhǔn)塊B、直尺C、通止規(guī)D、游標(biāo)卡尺正確答案:C答案解析:模塊電路外觀檢查時(shí)如果發(fā)現(xiàn)有疑似管腳不良的電路,通常要用通止規(guī)進(jìn)行驗(yàn)證。二、多選題(共29題,每題1分,共29分)1.集成電路的性能指標(biāo)有哪些()。A、集成度B、特征尺寸C、功耗D、可靠性正確答案:ABCD答案解析:集成度是指集成電路中包含的電子元件數(shù)量,集成度越高,性能可能越強(qiáng);功耗直接影響集成電路的工作效率和發(fā)熱等情況;特征尺寸越小,通常能帶來(lái)更高的性能;可靠性是衡量集成電路能否穩(wěn)定工作的重要指標(biāo)。這幾個(gè)都是集成電路重要的性能指標(biāo)。2.以下屬于抽真空質(zhì)量不合格的情況的是()。(多選題)A、防靜電鋁箔袋周邊存在空氣殘留B、防靜電鋁箔袋外形整齊C、防靜電鋁箔袋破損D、防靜電鋁箔袋褶皺正確答案:ACD答案解析:如果發(fā)現(xiàn)真空包裝好的卷盤不整齊或不光滑,有彎曲、變形現(xiàn)象或鋁箔袋周邊存在明顯的空氣殘留、褶皺、破損等現(xiàn)象,需要重新抽真空。3.屬于氧化層表面缺陷的是()。A、斑點(diǎn)B、白霧C、層錯(cuò)D、針孔正確答案:AB答案解析:氧化層缺陷包括表面缺陷、體內(nèi)缺陷。表面缺陷有斑點(diǎn)、裂紋、白霧等,可用目檢或顯微鏡檢驗(yàn);體內(nèi)缺陷主要有針孔和氧化層錯(cuò)。4.下列情況中,需要更換點(diǎn)膠頭的有()。A、點(diǎn)膠頭工作超過(guò)2小時(shí)B、更換銀漿類型C、點(diǎn)膠頭堵塞D、點(diǎn)膠頭損壞正確答案:BCD答案解析:當(dāng)更換銀漿類型時(shí),不同銀漿可能對(duì)出膠效果有影響,需要更換點(diǎn)膠頭;點(diǎn)膠頭堵塞會(huì)影響正常點(diǎn)膠,需更換;點(diǎn)膠頭損壞無(wú)法正常工作,也需要更換。而點(diǎn)膠頭工作超過(guò)2小時(shí)不一定就需要更換,所以答案是BCD。5.屬于絕緣介質(zhì)膜的是()。A、多晶硅B、氮化硅C、二氧化硅D、砷化鎵正確答案:BC答案解析:二氧化硅和氮化硅屬于絕緣介質(zhì)膜,砷化鎵和多晶硅屬于半導(dǎo)體膜。6.切筋成型前進(jìn)行芯片檢查,下列需要進(jìn)行剔除的芯片有()。A、塑封體缺損B、鍍錫露銅C、引腳斷裂D、引線框架不平正確答案:ABC7.一般情況下,轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)()環(huán)節(jié)。A、分選B、光檢C、編帶D、測(cè)試正確答案:ABCD答案解析:一般情況下,轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的工作原理是先將待測(cè)芯片上料,然后經(jīng)過(guò)主轉(zhuǎn)盤工位進(jìn)行光檢、測(cè)試、分選等流程,最終將符合條件的合格品放入載帶進(jìn)行編帶包裝。8.OUTEN是單片機(jī)GPIO接口的輸出使能寄存器,它的功能是()。A、1:將GPIO引腳配置為輸出B、0:將GPIO引腳配置為輸出C、1:將GPIO引腳配置為輸入D、0:將GPIO引腳配置為輸入正確答案:AD9.LK32T102單片機(jī)有不同引腳數(shù)量的封裝形式包括()。A、TSSOP-30(30引腳薄型小外形封裝)B、LQFP-48(48引腳薄型方型扁平式封裝)C、LQFP-64(64引腳薄型方型扁平式封裝)D、LQFP-72(72引腳薄型方型扁平式封裝)正確答案:ABC10.去飛邊的工藝方法有()。A、介質(zhì)去飛邊B、溶劑去飛邊C、水去飛邊D、等離子體去飛邊正確答案:ABC11.單晶硅生長(zhǎng)是將電子級(jí)純的多晶硅轉(zhuǎn)化為單晶硅錠,要實(shí)現(xiàn)這一條件需滿足三個(gè)條件:A、排列好的原子能穩(wěn)定下來(lái)B、要有一個(gè)排列標(biāo)準(zhǔn)C、不能含有任何雜質(zhì)D、原子具有一定的動(dòng)能正確答案:ABD答案解析:?jiǎn)尉Ч枭L(zhǎng)是把電子級(jí)純的多晶硅轉(zhuǎn)化成單晶硅錠,要實(shí)現(xiàn)這一條件必須滿足:①原子具有一定的動(dòng)能,以便重新排列;②要有一個(gè)排列標(biāo)準(zhǔn);③排列好的原子能穩(wěn)定下來(lái)。12.直徑大于8英寸的單晶硅錠可以用()方法制備出來(lái)。A、FZ法B、CZ法C、直拉法D、懸浮區(qū)熔法正確答案:BC答案解析:只有直拉法能制造處直徑大于200mm的單晶硅錠,直拉法又稱CZ法,其中8英寸的晶圓直徑為200mm。13.IC制造中用的光刻膠一般由()組成。A、感光劑B、增感劑C、溶劑D、去離子水正確答案:ABC答案解析:光刻膠一般由感光劑、增感劑和溶劑組成。感光劑是光刻膠的核心成分,它在光照下會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng);增感劑用于增強(qiáng)感光劑對(duì)光的敏感度;溶劑則起到溶解其他成分并調(diào)節(jié)光刻膠粘度等性質(zhì)的作用。而去離子水不是光刻膠的組成部分。14.第四道光檢主要是針對(duì)哪些工藝的檢查?A、去飛邊及電鍍B、激光打字C、引線鍵合D、切筋成型E、塑封F、芯片粘接正確答案:ABDE答案解析:切筋成型之后需要進(jìn)行第四道光檢,針對(duì)后段工序的產(chǎn)品進(jìn)行檢查、剔除。后段工序包括塑封、激光打字、去飛邊、電鍍、切筋成型。芯片粘接和引線鍵合主要是通過(guò)第三道光檢進(jìn)行檢查15.典型芯片包裝形式有()三種。A、編帶包裝B、塑封包裝C、管裝包裝D、料盤包裝正確答案:ACD16.以下元器件屬于數(shù)字電路的是()。A、驅(qū)動(dòng)器B、定時(shí)器C、計(jì)數(shù)器D、數(shù)據(jù)選擇器正確答案:ACD17.塑料封裝的主要特點(diǎn)有()、()和()。A、防水、耐高溫B、工藝簡(jiǎn)單C、材料柔和,不損害芯片D、成本低廉、質(zhì)量輕E、外殼堅(jiān)硬防劃傷F、便于自動(dòng)化生產(chǎn)正確答案:BDF答案解析:塑料封裝工藝簡(jiǎn)單,不需要復(fù)雜的設(shè)備和技術(shù),易于掌握和操作;成本低廉,不需要使用昂貴的封裝材料和設(shè)備,降低了生產(chǎn)成本;質(zhì)量輕,減少了產(chǎn)品的重量,便于運(yùn)輸和安裝。同時(shí),塑料封裝也便于自動(dòng)化生產(chǎn),可以提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。外殼堅(jiān)硬防劃傷不是塑料封裝的主要特點(diǎn),材料柔和不損害芯片也不準(zhǔn)確,塑料封裝防水性和耐高溫性較差。18.進(jìn)入芯片封裝工藝過(guò)程中塑封之后的工序車間必須穿戴的是()和()。A、眼罩B、防靜電帽或發(fā)罩C、一次性橡膠手套D、口罩E、無(wú)塵衣F、防靜電服正確答案:BF答案解析:塑封工序之后芯片已經(jīng)被包裹起來(lái),處于非裸露狀態(tài),故進(jìn)入車間前必須要穿戴的是防靜電帽子或發(fā)罩以及防靜電服。19.編帶外觀檢查前需要準(zhǔn)備的工具是()。A、紙膠帶B、保護(hù)帶C、放大鏡D、防靜電鋁箔袋正確答案:ABC20.平移式分選機(jī)的分選機(jī)構(gòu)主要由()組成。A、吸嘴B、收料架C、料盤D、出料梭正確答案:ABCD答案解析:平移式分選機(jī)的分選機(jī)構(gòu)主要由出料梭、吸嘴、料盤、收料架組成。21.平移式分選機(jī)芯片檢測(cè)結(jié)束后,后續(xù)工作有()。A、將測(cè)試結(jié)果記錄在隨件單上B、臨時(shí)捆扎C、核對(duì)測(cè)試后芯片數(shù)量和分選機(jī)顯示屏上數(shù)量一致D、放到待檢查品貨架上正確答案:ABCD答案解析:平移式分選機(jī)在分選完成要進(jìn)行清料。清料是為了確保芯片測(cè)試前后的總數(shù)一致、測(cè)試后芯片的不良品、合格品的數(shù)量和分選機(jī)顯示屏上記錄的數(shù)量一致,并將測(cè)試結(jié)果記錄在隨件單上;為便于核對(duì)實(shí)際芯片的數(shù)量,對(duì)料盤進(jìn)行臨時(shí)捆扎,核對(duì)無(wú)誤后,將料盤和隨件單放入對(duì)應(yīng)的中轉(zhuǎn)箱中,把中轉(zhuǎn)箱放到“待檢查品貨架”等待外觀檢查。22.以下屬于產(chǎn)生靜電而造成的危害有()。A、干擾飛機(jī)無(wú)線電設(shè)備的正常工作B、因靜電火花點(diǎn)燃某些易燃物體而發(fā)生爆炸C、電火花會(huì)引起爆炸D、造成集成電路和半導(dǎo)體元件的污染正確答案:ABCD答案解析:選項(xiàng)A中,靜電會(huì)干擾飛機(jī)無(wú)線電設(shè)備正常工作;選項(xiàng)B,靜電火花能點(diǎn)燃易燃物體引發(fā)爆炸;選項(xiàng)C,電火花會(huì)引起爆炸也是靜電可能造成的危害;選項(xiàng)D,靜電會(huì)造成集成電路和半導(dǎo)體元件的污染。這些都屬于靜電造成的危害。23.在全自動(dòng)探針臺(tái)上進(jìn)行扎針測(cè)試時(shí),需要根據(jù)晶圓測(cè)試隨件單在探針臺(tái)輸入界面上輸入的信息有()。A、晶圓片號(hào)B、晶圓產(chǎn)品名稱C、晶圓尺寸D、晶圓印章批號(hào)正確答案:ABCD答案解析:在全自動(dòng)探針臺(tái)上進(jìn)行扎針測(cè)試時(shí),依據(jù)晶圓測(cè)試隨件單,需要在探針臺(tái)輸入界面輸入的信息包含晶圓產(chǎn)品名稱、晶圓印章批號(hào)、晶圓片號(hào)以及晶圓尺寸等。這些信息對(duì)于準(zhǔn)確進(jìn)行扎針測(cè)試、識(shí)別和追蹤晶圓測(cè)試情況至關(guān)重要。24.襯底接觸的設(shè)計(jì)要盡量保證包圍住整個(gè)差分對(duì)管,這樣做的目的是()。A、提高差分的匹配度B、減小柵極上的寄生電阻C、保證差分對(duì)管的對(duì)稱性D、避免閂鎖效應(yīng)正確答案:CD25.以下屬于技術(shù)文件的是()。A、各個(gè)層的定義B、符號(hào)化層的定義C、層、物理和電學(xué)規(guī)則等的定義D、版圖轉(zhuǎn)換成GDSII時(shí)所用到的層號(hào)和定義正確答案:ABCD答案解析:技術(shù)文件通常涵蓋多個(gè)方面,各個(gè)層的定義明確了不同功能或結(jié)構(gòu)所在的層次;符號(hào)化層的定義有助于將復(fù)雜信息以符號(hào)形式呈現(xiàn)和理解;層、物理和電學(xué)規(guī)則等的定義對(duì)于規(guī)范設(shè)計(jì)和制造流程至關(guān)重要;版圖轉(zhuǎn)換成GDSII時(shí)所用到的層號(hào)和定義則是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換和準(zhǔn)確制造的關(guān)鍵信息,所以以上選項(xiàng)均屬于技術(shù)文件。26.組裝電子產(chǎn)品有很高的技術(shù)要求,包括嚴(yán)格的安裝順序如()。A、先低后高B、先一般元器件后特殊元器件C、先易后難D、先重后輕正確答案:ABC27.為減少自摻雜現(xiàn)象,可以采取的措施有:()。A、用兩步外延法B、低壓外延法C、降低外延生長(zhǎng)溫度D、襯底背面用高純硅或二氧化硅覆蓋正確答案:ABD答案解析:降低外延生長(zhǎng)溫度可以減少外擴(kuò)散現(xiàn)象,減少外延層的自摻雜現(xiàn)象可采取以下措施:①襯底背面用高純硅或二氧化硅覆蓋;②用兩步外延法;③低壓外延法。28.在進(jìn)入集成電路制造車間前注意著裝規(guī)范,其目的是為了防止人體、衣物等產(chǎn)生()和()對(duì)芯片造成損害。A、灰塵B、潮氣C、熱量D、靜電正確答案:AD答案解析:在著裝方面,進(jìn)入車間前都需穿戴對(duì)應(yīng)的無(wú)塵衣或防靜電服,其目的是為了防止人體、衣物等產(chǎn)生灰塵、靜電對(duì)芯片造成損害。29.相較于高溫銅質(zhì)花籃,高溫實(shí)心花籃有()等特點(diǎn)。A、制造成本低B、花籃本身重C、質(zhì)輕D、制造成本高正確答案:AC答案解析:高溫銅質(zhì)花籃本身較重,制造成本高,一般用于尺寸較小的晶圓,如5英寸、6英寸。高溫實(shí)心花籃具有質(zhì)輕、制造成本低等特點(diǎn),目前工業(yè)上一般多用高溫實(shí)心花籃。三、判斷題(共39題,每題1分,共39分)1.料軌與氣軌銜接處裝有反射式傳感器,當(dāng)檢測(cè)到反面(有引腳)朝上的芯片時(shí),會(huì)自動(dòng)進(jìn)行剔除(回到料斗中等待下一次檢測(cè)),保證進(jìn)入到氣軌中的芯片均正面朝上。()A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:A2.在外檢過(guò)程中,使用油墨筆進(jìn)行剔除時(shí),直接用桌上的油墨筆在晶圓臟污的位置進(jìn)行標(biāo)記。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:B答案解析:使用油墨筆進(jìn)行剔除時(shí),需要在白紙上劃幾筆,去除筆尖上的油墨,防止沾污。3.去膠時(shí),無(wú)金屬表面和有金屬表面會(huì)進(jìn)行區(qū)分,進(jìn)而采用不同的去膠方法。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:A答案解析:溶劑去膠一般用于去除金屬表面的光刻膠(MOS器件除外),氧化劑去膠一般用于去除無(wú)金屬表面的光刻膠。4.平移式分選機(jī)進(jìn)行分選時(shí),吸嘴同時(shí)吸取出料梭上的芯片。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:A5.Cadence軟件中,圖層的顏色決定了圖層的性質(zhì)和作用。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:B6.光刻質(zhì)量的好壞會(huì)直接影響器件的電學(xué)性能,涉及產(chǎn)品的可靠性和合格率。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:A7.封裝工藝中,激光打標(biāo)可以留下永久性標(biāo)記。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:A8.將烘烤完成的晶圓從烘箱中取出后,不需要核對(duì)晶圓印章批號(hào)和晶圓測(cè)試隨件單信息。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:B答案解析:將烘烤完的晶圓從烘箱中取出,用晶圓鑷子從高溫花籃中夾取晶圓,核對(duì)晶圓印章批號(hào)和晶圓測(cè)試隨件單是否一致,核對(duì)無(wú)誤后,根據(jù)晶圓片號(hào),依次放入常溫花籃對(duì)應(yīng)的花槽內(nèi),準(zhǔn)備進(jìn)行外檢。9.塑封工藝中塑封料的顏色必須是黑色的。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:B答案解析:根據(jù)用戶需要,環(huán)氧塑封料可制成各種不同顏色,一般使用黑、紅、綠三種顏色,其中黑色最為常見(jiàn)。10.注塑機(jī)需要進(jìn)行人工上料。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:A答案解析:注塑機(jī)注塑前,需要人工將排完片的引線框架模具放到注塑區(qū),并將預(yù)熱的塑封料經(jīng)注塑口放入轉(zhuǎn)移成型的轉(zhuǎn)移罐中。11.在刻蝕上料的過(guò)程中,需要對(duì)待刻蝕的硅片進(jìn)行檢查,如果遇到缺角、對(duì)角裂紋、中間裂紋等問(wèn)題需要進(jìn)行報(bào)廢處理。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:A12.在進(jìn)行反相器電路設(shè)計(jì)過(guò)程中,在Array一行中,可以填入行數(shù)與列數(shù),以陣列形式放置器件。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:A13.組裝工作是由多種基本技術(shù)構(gòu)成的。如元器件的篩選與引線成形技術(shù);線材加工處理技術(shù);焊接技術(shù);安裝技術(shù);質(zhì)量檢驗(yàn)技術(shù)等。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:A14.MotorolaAnalogTimerCircuit.IntLib是常用接插件庫(kù)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:B15.整批芯片編帶完成后,由于編帶是4000顆芯片為一盤,所以不需要再核對(duì)芯片的數(shù)量。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:B答案解析:整批芯片全部編帶完成后,需要核對(duì)編帶的數(shù)量是否與顯示屏上的數(shù)量一致。核對(duì)一致后,在隨件單上記錄相關(guān)信息。16.根據(jù)切割工具的形式,晶圓切割的方式只有機(jī)械切割,一般采用砂輪劃片的方法。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:B答案解析:晶圓切割通常使用機(jī)械切割和激光切割兩種方式,其中機(jī)械切割一般采用砂輪劃片的方法。17.芯片檢測(cè)工藝中,對(duì)料盤進(jìn)行外觀檢查是采用全檢的方式。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:A18.看到以下軟件流程圖,會(huì)想到用循環(huán)嵌套結(jié)構(gòu)來(lái)寫(xiě)程序。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:A19.在管裝外觀檢查中,如果發(fā)現(xiàn)芯片的方向不一致,要用零頭盒中合格的芯片進(jìn)行替換。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:B答案解析:芯片方向不一致時(shí),可以將芯片方向進(jìn)行調(diào)整,不需要替換芯片。20.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的測(cè)試分選工序主要依靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)來(lái)執(zhí)行,旋轉(zhuǎn)臺(tái)上搭載機(jī)械手,機(jī)械手上的吸嘴只能實(shí)現(xiàn)待測(cè)芯片的取環(huán)節(jié)。()A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:B21.編帶完成后,將編帶機(jī)上的卷盤取下并放入對(duì)應(yīng)的中轉(zhuǎn)箱即可。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:B答案解析:詳解:一盤編帶完成后,需要在卷盤上貼標(biāo)簽,便于后期識(shí)別,整批芯片全部完成編帶后,還需要核對(duì)芯片數(shù)量,核對(duì)一致后放入中轉(zhuǎn)箱中。22.在版圖設(shè)計(jì)中,使用源漏共享可以減小版圖面積。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:A23.<100>晶向的單晶硅錠有四根或八根對(duì)稱的棱線。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:A答案解析:<100>晶向的單晶硅錠有四根或八根對(duì)稱的棱線。24.利用蒸餾法可將混合液體加以初步分離和提純。在高純度硅的生產(chǎn)中采取簡(jiǎn)單的一次性蒸餾就可以達(dá)到高純度的要求。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:B

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