微機(jī)原理與接口技術(shù)微機(jī)存儲器64課件_第1頁
微機(jī)原理與接口技術(shù)微機(jī)存儲器64課件_第2頁
微機(jī)原理與接口技術(shù)微機(jī)存儲器64課件_第3頁
微機(jī)原理與接口技術(shù)微機(jī)存儲器64課件_第4頁
微機(jī)原理與接口技術(shù)微機(jī)存儲器64課件_第5頁
已閱讀5頁,還剩22頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

微機(jī)原理與接口技術(shù)微機(jī)存儲器微機(jī)存儲器1半導(dǎo)體存儲器2存儲器與系統(tǒng)的連接3現(xiàn)代存儲器體系結(jié)構(gòu)1.1半導(dǎo)體存儲器的性能指標(biāo)

半導(dǎo)體存儲器具有集成度高、功耗低、可靠性好、存取速度快、成本低等優(yōu)點,是構(gòu)成存儲器的最主要的存儲器件。

◆存儲容量:存儲器容量是數(shù)據(jù)存儲能力的指標(biāo),用存儲器的最大字節(jié)數(shù)表示?!舸嫒∷俣龋捍鎯ζ鞯拇嫒∷俣扔米畲蟠嫒r間或存取周期描述,單位為納秒(ns)。

◆功耗:功耗指每個存儲單元的功耗,單位為微瓦/單元(μW/單元),或給出每塊芯片的總功耗,單位為毫瓦/芯片(mW/芯片)。◆可靠性:可靠性是指存儲器對電磁場、溫度等外界變化因素的抗干擾能力,一般用平均無故障時間來描述。1.2半導(dǎo)體存儲器的分類及特點掩膜ROM可編程ROM(PROM)紫外線擦除可編程ROM(EPROM)電擦除可編程ROM(E2PROM)快擦寫存儲器(FlashMemory)半導(dǎo)體存儲器(Memory)隨機(jī)存取存儲器(RAM)只讀存儲器(ROM)雙極型RAMMOS型RAM靜態(tài)RAM(SRAM)動態(tài)RAM(DRAM)常用半導(dǎo)體存儲器件的特點

◆雙極型RAM:基本存儲電路的管子較多,存取速度快,與MOS型RAM相比集成度低、功耗大、成本高。◆MOS型RAM:制造工藝簡單、集成度高、功耗低、價格便宜,存取速度不及雙極型RAM。靜態(tài)RAM(SRAM)以雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器做基本存儲電路,集成度較高。動態(tài)RAM(DRAM)利用電容電荷存儲信息,需附加刷新電路,采用的元件比靜態(tài)RAM少,集成度更高,功耗更小。。從總體來看,DRAM優(yōu)于SRAM。◆EPROM:是一種可用紫外線進(jìn)行多次(脫線)擦除,可用編程器固化信息的ROM。EPROM可以多次改寫,但編程速度較慢?!鬍2PROM:是一種可用特定電信號進(jìn)行(在線)擦除和編程的ROM。E2PROM比EPROM使用更加方便,但存取速度較慢,價格也較高?!艨觳翆懘鎯ζ鳎菏窃贓2PROM基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,但比E2PROM擦除和改寫速度快得多。

1.3存儲器芯片的基本組成◆半導(dǎo)體存儲器芯片是把成千上萬個基本存儲電路以矩陣陣列的組織形式(稱為存儲體)集成在數(shù)平方厘米上的大規(guī)模集成電路?!艋敬鎯﹄娐肥谴鎯σ晃欢M(jìn)制信息的電路,由一個具有兩個穩(wěn)定狀態(tài)(“0”和“1”)的電子元件組成。◆半導(dǎo)體存儲器芯片主要由存儲體、存儲單元譯碼電路、數(shù)據(jù)緩沖電路、讀/寫控制邏輯電路組成?!舭雽?dǎo)體存儲器芯片的引腳主要有存儲單元地址線Am-1~A0、數(shù)據(jù)線Dn-1~D0、片選通線CS、讀/寫控制線OE和WE等。存儲器芯片的基本組成

(以靜態(tài)存儲器為例)

半導(dǎo)體存儲器芯片通常由存儲矩陣、單元地址譯碼、數(shù)據(jù)緩沖/驅(qū)動和讀/寫控制邏輯四部分組成。數(shù)據(jù)緩沖器基本存儲電路組成的存儲矩陣(體)

地址譯碼器

片選通

讀/寫選通

讀/寫控制邏輯

D0A0A1Am-1......Dn-1D1......存儲器芯片的容量表示◆存儲器芯片的容量表示:存儲芯片的單元數(shù)×單元位數(shù) 例如,1K×48K×116K×8◆存儲器芯片組成存儲器的芯片數(shù)計算:存儲器字節(jié)數(shù)8 芯片單元數(shù)芯片位數(shù)例如,一個64KB的RAM存儲器,若用動態(tài)RAM2116(16K×1)芯片組成,則64/16×8=32片;若用靜態(tài)RAM6116(2K×8)芯片組成,則64/2×1=32片。常用存儲器芯片的引腳芯片型號M×N地址線數(shù)據(jù)線控制線SRAM6116(靜態(tài)RAM)2K×8A10~A0

D7~D0

CS,OE,WEDRAM2164(動態(tài)RAM)64K×1A7~A0(行列地址復(fù)用)

DinDout

RAS,CAS,WEEPROM27648K×8A12~A0

O7~O0

CE,OE/VPP,PGME2PROM28172K×8A10~A0

I/O7~I(xiàn)/O0

CE,OE,WE,RDY/BUSY◆數(shù)據(jù)線的連接:存儲器芯片的數(shù)據(jù)端Dn-1~D0可以直接和系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線(DB)相應(yīng)的數(shù)據(jù)位掛接起來。◆地址線的連接: 存儲器芯片的地址端Am-1~A0可以直接和系統(tǒng)地址總線(AB),從A0開始的低位地址部分相應(yīng)的地址線掛接起來。2.1數(shù)據(jù)、地址和讀/寫線的連接讀/寫控制線的連接

◆把CPU讀/寫操作控制信號(RD,WR和M/IO)進(jìn)行邏輯組合,產(chǎn)生存儲器讀MEMR和存儲器寫MRMW信號,分別接存儲器芯片的輸出(讀)允許OE和寫允許WE信號。

與與MEMRMEMWRDM/IOWR◆當(dāng)單個存儲器芯片的容量不能滿足系統(tǒng)存儲器要求時,需要用多個存儲器芯片組合,以擴(kuò)充存儲器的容量?!魯U(kuò)充存儲器容量的連接方法:

存儲器位擴(kuò)充 若擴(kuò)充存儲單元(以字節(jié)為單位)的數(shù)據(jù)位數(shù),稱為位擴(kuò)充。

存儲器字節(jié)擴(kuò)充 若擴(kuò)充存儲單元的字節(jié)個數(shù),稱為字節(jié)擴(kuò)充。2.2存儲器容量的擴(kuò)充

存儲器位擴(kuò)充連接示意圖

D3~D0

D7~D4

CSWEA9~A02114(1K×4)D3~D0CSWEA9~A0

2114(1K×4)D3~D0A9~A0MEMWA19~A10譯碼器存儲器字節(jié)擴(kuò)充連接示意圖

MEMWMEMRA19A188088系統(tǒng)A15~A0D7~D02-4譯碼器CSOEWR6116(2)A10~A0D7~D0CSOEWR6116(1)A10~A0D7~D0CSOE27512(2)A15~A0D7~D0CSOE27512(1)A15~A0D7~D016161111◆CPU對存儲單元的尋址必須要保證其尋址惟一性?!舸鎯ζ鲉卧獙ぶ贩謨杉夁M(jìn)行: 首先根據(jù)提供的片選地址碼,通過存儲器芯片外部譯碼電路,產(chǎn)生存儲器芯片選通信號(CS/CE); 然后在片選信號有效的前提下,根據(jù)片內(nèi)地址碼由芯片內(nèi)部譯碼電路,產(chǎn)生片內(nèi)尋址,選中該芯片中(惟一的)一個存儲單元。◆產(chǎn)生存儲器片選信號的方法:

線選譯碼法 局部(部分)譯碼法 全局(完全)譯碼法2.3片選信號的產(chǎn)生

存儲器片選信號的產(chǎn)生例

M/IOA19A18A17A16A15A14A13G1G2AG2B

74LS138CBAMY0~MY7或或MY0~MY7的地址范圍:10000H~1FFFFH

2.4微機(jī)內(nèi)存儲器組織

微機(jī)內(nèi)存空間結(jié)構(gòu)由多個模塊(板)構(gòu)成內(nèi)存儲器空間。系統(tǒng)總線ROM模塊RAM模塊模塊i模塊j模塊n模塊1內(nèi)存儲器模塊(板)結(jié)構(gòu)地址譯碼地址總線

MEMRMEMWREADY模塊選擇存儲器接口數(shù)據(jù)控制地址數(shù)據(jù)總線存儲芯片矩陣IBMPC微機(jī)內(nèi)存空間分配40KB基本ROMFFFFFHF6000HC8000HC0000HA0000H40000H00000H256KBROM空間768KBRAM空間640KB基本RAM256KBRAM(系統(tǒng)板)384KBRAM(選件板)128KB顯示緩沖區(qū)硬盤驅(qū)動程序(4KB)微機(jī)存儲器設(shè)計要點

◆芯片的選擇

◆總線的負(fù)載

◆速度的匹配

◆地址的分配(要保證對存儲器尋址的惟一性)

◆高性能微機(jī)系統(tǒng)的高速度、大容量、低價格是評價存儲器性能和存儲體系設(shè)計的三大主要指標(biāo)?!籼岣叽鎯ζ黧w系性能的三大技術(shù):提高信息吞吐量的多體存儲器(并行主存)結(jié)構(gòu)提高CPU訪存速度的高速緩沖存儲器(Cache)擴(kuò)大編程邏輯空間的虛擬存儲器(VirtualMemory)3現(xiàn)代存儲器體系結(jié)構(gòu)微機(jī)存儲器體系結(jié)構(gòu)

CPU主存輔存CacheCache控制器MMUDOS存儲管理Cache-內(nèi)存-輔存三級存儲層次結(jié)構(gòu)3.2高速緩沖存儲器◆現(xiàn)代存儲器系統(tǒng)是用靜態(tài)RAM組成一個小容量存儲器,稱為高速緩沖存儲器(Cache);用動態(tài)RAM(DRAM)組成大容量的主存儲器,構(gòu)成一個兩級存儲器結(jié)構(gòu),既Cache—主存結(jié)構(gòu)?!鬋ache位于主存與微處理器之間,其容量一般為(8~32)KB。高檔微處理器(如,80486,Pentium)甚至在微處理器芯片內(nèi)又集成了Cache,形成了兩級Cache結(jié)構(gòu)。CPUCacheCache控制器主存CacheCache存儲系統(tǒng)基本結(jié)構(gòu)不命中Cache主存儲器地址總線多字寬CPUCacheCache替換控制Cache地址寄存器主存地址寄存器主存↓Cache地址變換數(shù)據(jù)總線單字寬命中3.3虛擬存儲器◆虛擬存儲器(VirtualMemory)是建立在主存-輔存物理結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)之上,由負(fù)責(zé)主存-輔存之間信息調(diào)度的硬件裝置——存儲管理部件(MMU)和操作系統(tǒng)的存儲管理軟件所組成的一種存儲體系層次。◆主存-輔存存儲系統(tǒng)對于應(yīng)用者來說,好像有一個比實際主存大得多的,可使編程空間不受限制的虛(主)存空間存在,并可用接近主存的速度在這個虛擬存儲器上運行。主存輔存

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論