標(biāo)準(zhǔn)解讀

《T/CEMIA 024-2021 半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝生產(chǎn)規(guī)范》是中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，主要針對(duì)用于半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)過(guò)程中的石英坩堝的生產(chǎn)活動(dòng)進(jìn)行規(guī)范。該標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了石英坩堝從原材料選擇到成品檢驗(yàn)的全過(guò)程，確保了產(chǎn)品的質(zhì)量和一致性，滿足半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)高純度、高性能材料的需求。

在原材料方面，標(biāo)準(zhǔn)明確了所使用的石英原料需達(dá)到特定純度要求，并且需要通過(guò)嚴(yán)格的檢測(cè)程序來(lái)保證其質(zhì)量符合規(guī)定。此外，還對(duì)其他輔助材料的選擇提出了具體指導(dǎo)原則，以避免引入雜質(zhì)影響最終產(chǎn)品的性能。

關(guān)于生產(chǎn)工藝流程，文件詳細(xì)描述了從原料準(zhǔn)備到成型、燒結(jié)等各個(gè)環(huán)節(jié)的操作步驟和技術(shù)參數(shù)。特別強(qiáng)調(diào)了溫度控制、氣氛管理等因素對(duì)于形成高質(zhì)量石英坩堝的重要性。同時(shí)，也指出了在加工過(guò)程中需要注意的安全事項(xiàng)和環(huán)境保護(hù)措施。

產(chǎn)品規(guī)格與性能測(cè)試部分，則定義了不同類型石英坩堝的具體尺寸范圍及其物理化學(xué)性質(zhì)指標(biāo)，如熱穩(wěn)定性、抗侵蝕性等。并規(guī)定了一系列試驗(yàn)方法用來(lái)評(píng)估這些特性是否達(dá)標(biāo)。

最后，在包裝運(yùn)輸及儲(chǔ)存方面，《T/CEMIA 024-2021》同樣給出了明確指示，旨在防止因不當(dāng)處理而造成的產(chǎn)品損壞或污染。這包括采用適當(dāng)?shù)陌b材料、方式以及在搬運(yùn)時(shí)遵循輕拿輕放的原則等。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2021-07-15 頒布
  • 2021-12-25 實(shí)施
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T/CEMIA 024-2021半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝生產(chǎn)規(guī)范_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29045

CCSL.90

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CEMIA024—2021

半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝生產(chǎn)規(guī)范

Quartzcruciblemanufacturingpracticesforsemiconductormonosilicongrowth

2021-07-15發(fā)布2021-12-25實(shí)施

中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布

T/CEMIA024—2021

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)提出并歸口

。

本文件主要起草單位錦州佑鑫石英科技有限公司內(nèi)蒙古歐晶科技股份有限公司江西中昱新材

:、、

料科技有限公司

。

本文件參與起草單位寧波寶斯達(dá)坩堝保溫制品有限公司常州裕能石英科技有限公司江陰龍?jiān)?/p>

:、、

石英制品有限公司江蘇中天科技股份有限公司北京雅博石光照明器材有限公司隆基綠能科技股份

、、、

有限公司廊坊赫爾勞斯太陽(yáng)能光伏有限公司湖南黎輝新材料科技有限公司中國(guó)建筑材料科學(xué)研究

、、、

總院有限公司

。

本文件主要起草人陳曼何文兵蘇光都李宗輝杜興林王文慶朱旦徐曉軍朱劍李曉航

:、、、、、、、、、、

王君偉王慧韓東李秀英錢(qián)宜剛賈建亮萬(wàn)鵬遠(yuǎn)潘志華楊軍周銳

、、、、、、、、、。

Ⅰ

T/CEMIA024—2021

半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝生產(chǎn)規(guī)范

1范圍

本文件確立了半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝從業(yè)人員生產(chǎn)設(shè)備主要原輔材料生產(chǎn)工藝作業(yè)環(huán)

、、、、

境及產(chǎn)品質(zhì)量管控的程序和總體原則

。

本文件適用于半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝的生產(chǎn)過(guò)程

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)

GB8978

工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)

GB12348

大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)

GB16297

危險(xiǎn)廢物貯存污染控制標(biāo)準(zhǔn)

GB18597

一般工業(yè)固體廢物貯存和填埋污染控制標(biāo)準(zhǔn)

GB18599

建筑照明設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)

GB50034

潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范

GB50073

工作場(chǎng)所有害因素職業(yè)接觸限值第部分化學(xué)有害因素

GBZ2.11:

職業(yè)健康監(jiān)護(hù)技術(shù)規(guī)范

GBZ188

工作場(chǎng)所物理因素測(cè)量第部分噪聲

GBZ/T189.88:

石英玻璃術(shù)語(yǔ)

JC/T2205—2014

光伏單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝生產(chǎn)規(guī)范

T/CEMIA005—2018

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

JC/T2205—2014、T/CEMIA005—2018。

31

.

電弧熔制electricarcfusion

利用高溫電弧熔融石英砂原料的過(guò)程

。

來(lái)源有修改

[:T/CEMIA005—2018,3.1,]

32

.

外表面處理outersurfacetreatment

利用研磨器具或外力沖擊作用去除石英坩堝外表面未完全熔融石英砂的過(guò)程

。

來(lái)源

[:T/CEMIA005—2018,3.2]

33

.

切邊倒棱cuttingandchamfering

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