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9.3.1 雙極型功率晶體管（BJT）,1. 功率管的選擇,(1) PCM0.2Pom,(2) |U(BR)CEO|2VCC,(3) ICMVCC/RC,9.3 功率器件與散熱,在互補(bǔ)推挽功率放大電路中,功率管的極限參數(shù)應(yīng)滿足以下關(guān)系,2二次擊穿的影響,二次擊穿,一次擊穿,S/B曲線,二次擊穿現(xiàn)象,二次擊穿臨界曲線,1. V型NMOS管的結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)剖面圖,9.3.2 功率MOSFET,2. V型NMOS管的主要特點(diǎn),(1) 開(kāi)關(guān)速度高,(2) 驅(qū)動(dòng)電流小,(3) 過(guò)載能力強(qiáng),(4) 易于并聯(lián),9.3.3 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的主要特點(diǎn)：,(1) 輸入阻抗高,(2) 工作速度快,(3) 通態(tài)電阻低,(4) 阻斷電阻高,(5) 承受電流大,兼顧了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，成為當(dāng)前功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的重要方向。,9.3.4 功率器件的散熱,晶體管的散熱示意圖,功率器件的散熱分析方法,導(dǎo)電回路和散熱回路參數(shù)對(duì)照表,電熱模擬法,即用電路來(lái)模擬功率器件的散熱回路。,Tj集電結(jié)的結(jié)溫,Tc 功率管的殼溫,Ts 散熱器溫度,Ta 環(huán)境溫度,Rjc 集電結(jié)到管殼的熱阻,Rcs 管殼至散熱片的熱阻,Rsa 散熱片至環(huán)境的

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