固體磁性第六章

1、第六章第六章技術(shù)磁化基本原理技術(shù)磁化基本原理 1、 三種磁化過程三種磁化過程 iiisVMMcos退磁態(tài) , 在外加磁場下, 磁化強(qiáng)度改變?yōu)?M HMisiiiiisiiisHMVVMVMMcoscoscosVi , 疇壁位移 DWD,cos i , 磁疇轉(zhuǎn)動 DR,MS , 內(nèi)稟磁化, 飽和磁化強(qiáng)度的增加,6 -1 磁化過程磁化過程, 磁化曲線及磁滯回線磁化曲線及磁滯回線 2、可逆及不可逆磁化、可逆及不可逆磁化初始磁化曲線磁滯回線* 可逆過程, RP較小的磁場變化也會產(chǎn)生較大的非連續(xù)的 變化, Barkhausen跳躍. 磁場有 變化時有滯后效應(yīng), 主要在磁化曲線及磁滯回線的陡峻部分.MH隨

2、著外場H的變化,M連續(xù)變化. 對非常小的場變化H, M也變化很小并且是可逆的.主要在磁化曲線的初始部分及膝點(diǎn)以上部分.* 不可逆過程 , IRP, 導(dǎo)致回線. rriiirrmax,: 微增磁化率; r: 可逆; i: 初始; ir:不可逆. 3、磁化曲線及磁滯回線的基本特點(diǎn)、磁化曲線及磁滯回線的基本特點(diǎn)HM （1） 曲線 a、初始部分. 主要為RDWD 和RDR. b、陡峻部分. IRDWD (多疇) 為主; IRDR (單疇). c、膝點(diǎn)以上. 主要為 RDR .d、高場, 趨近飽和律. 順行磁化過程.SM（2） 磁滯回線a、小回線和最大回線b. 回線中不同部分的三種磁化過程.6 -2 可

3、逆及不可逆磁化過程可逆及不可逆磁化過程 1、可逆及不可逆、可逆及不可逆DWD （1） 平衡條件和RDWD H=0時，疇壁按總自由能最低分布. 時, 疇壁位移到總自由能最小的平衡位置.0Hmin.UUiH0EEUUiHiHdV.dVEdVEoriHMKexiEEEEEEGenerally,a、等效外壓力一疇壁在外場H下處于平衡狀態(tài)下的疇壁元面積 , 設(shè)有一從j到k的虛位移 , 導(dǎo)致在體積元 中的磁化方向變化及外場作用能變化jkSx, xSvjkjkjkjksHvHMU)cos(cos)cos(coskjsjkHeHMUP對180疇壁, 令 kj,cos2seHMP 正的Pe 方向?yàn)閺膉指向k .

4、b、DWD的內(nèi)部阻滯力jkjkiUPDWD導(dǎo)致在 內(nèi)Ms從一個易軸方向k轉(zhuǎn)到另一個易軸方向j. 對無缺陷的理想單晶體, ; 在實(shí)際晶體中, 由于缺陷導(dǎo)致 波動, 使得 . 為疇壁位置的函數(shù).jk0iP0iPjkUc、疇壁平衡方程iePPeP為減小磁場作用能UH, 是疇壁位移發(fā)生的驅(qū)動力隨H變化, 疇壁的平衡位置發(fā)生變化, 導(dǎo)致RDWD及磁化變化.jkUd、可逆磁化率 r (RDWD) 當(dāng)H增加 , 疇壁移動 ,HxxdxdPPieHdxdPMdxdPPxikjsiecoscosHdSdxdPMxdSMMjkikjsjkkjsjk22coscoscoscos,iePP由kjjkHMMkjiikk

5、jsHrdxdPdSMHM)cos(cos22r為各向異性, 與疇壁面積S成正比,與 成反比, 依賴于能量Ei的起伏dxdPie. RDWD的特點(diǎn)疇壁為連續(xù)的較小的移動. M當(dāng)外場變化 很小時, 磁化強(qiáng)度變化 可以趨近無窮小 H（2） 不可逆 DWD Pi 在材料中有起伏.當(dāng)疇壁移動到b時, 疇壁處于不穩(wěn)定平衡, 任何Pe或Pi的瞬時漲落, 可能導(dǎo)致疇壁發(fā)生一巨大的非連續(xù)性的跳躍過程, 直到在a和c之間的新的平衡位置.,maxiiPP 磁場H降低時,疇壁不會沿原路線跳回, 而是沿斜線變化, 直到加反向場才有可能發(fā)生反向跳躍. )cos(cosmax0kjsiMPH對180 DWDcos2max

6、0siMPH,cos10Hmax0iPH DWD 是連續(xù)的RDWD和不連續(xù)的IRDWD相間進(jìn)行的.IRDWD的特點(diǎn): 非連續(xù)性, 大的跳躍即使在 無窮小 H附近為磁化曲線最陡的部分.0H發(fā)生IRDWD的臨界場為 Barkhausen跳躍2、可逆及不可逆磁疇轉(zhuǎn)動、可逆及不可逆磁疇轉(zhuǎn)動（1）外場H的扭矩導(dǎo)致疇中磁化轉(zhuǎn)動總自由能 最低, 和 定義為 在極坐標(biāo)中的角度.),(EsM, 0E0E, 022E022EHKEEEE（2） 以鐵形晶體為例. H / (忽略E)110,cos1cos24221sHKHMKEEE, 0ddEor ,ddEddEKHiHLLsHMKcos1cos2221,cossM

7、M .12221sssHMMMMMK 依據(jù) , 022dEdA至E為能量極小. RDR.cHH由當(dāng)E至F為能量極大. 在 HC, a、 RDR 如果Ms原來沿110方向,當(dāng)H減小至0時).(2點(diǎn)DMMs當(dāng)H增加時, M增加并沿DCBA變化, 到B點(diǎn)飽和 BA 為水平線 .sMM .21ssMKH .022dEdcHH由當(dāng)L至F為能量極小. RDR.1cos612212KMdHdMsr 當(dāng) , 0H124KMSirb、 IRDR and cH當(dāng)H從 減小時, M從A到E可逆地減小 . 同樣地, 當(dāng) H從 增加時, M從L到F可逆地變化, 在這些過程中均為能量極小. 而在從E到F一段, 為能量極大

8、cH原理如圖所示. 在E和F , , 開始在 HC處出現(xiàn)不可逆轉(zhuǎn)動.022dEdsaturationDRIRDRRDRR3、初始磁化率、初始磁化率 iRiwiDR 過程對具有高 的軟磁材料 .iRiWi 對高頻鐵氧體, iRiKMsiR2ii4、高場磁化曲線、高場磁化曲線, 趨近飽和律趨近飽和律高場磁化曲線包含RDWD和RDR的末尾過程, 以及順行磁化部分. （1） 趨近飽和律 . HHaHaMMps 2211i比較 的理論計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果, 可以判斷 的機(jī)理. a. 極高場極高場 HMMpssM0Hp ， 可外推至 獲得. 可由實(shí)驗(yàn)測定. b. 較高場較高場or 11HaMMs1aMMMM

9、HMssc. 中等高場中等高場 , 122HaMMsMs 和 a2 可由實(shí)驗(yàn)測定d. 利用計(jì)算機(jī)對高場磁化曲線擬合利用計(jì)算機(jī)對高場磁化曲線擬合, 可確定可確定a1, a2, p 和和 MS .( 2 ) 的來源. DR過程的最后階段.22Ha 當(dāng) 很小時 , sin0sKHMEE0EEEiKsLEEHMLsin 當(dāng)H沿一般方向時 0EEK僅當(dāng) 時 趨近于0 H 2121cos2HbMMMMsss222sKMEEb對立方晶體的無織構(gòu)多晶材料 21112100222212122322535005811551610581KKKKMbas 如果 , Ki 可由 得到. 此外, 的確定也可以用于研究內(nèi)應(yīng)

10、力21, KKis2a2a.在多晶體中可通過 曲線觀察到. 0KEsHsHHdHMdnn( 3 ) 奇點(diǎn)檢測 當(dāng)H沿晶體對稱軸時, . 存在有限的飽和場 .樣品磁化曲線在 處出現(xiàn)奇點(diǎn). 飽和場或各向異性場可由此精確測定HdHMd22對單軸晶體的 RE-TM 合金.( 4 ) 項(xiàng) . DWD的最后部分.1a 來源于缺陷 : 內(nèi)應(yīng)力, 位錯, 雜質(zhì)等, 這些因素使得飽和磁化難于達(dá)到. 1a( 5 ) , 鐵磁態(tài)中的順磁磁化率.HpHTp自旋波理論: 對巡游鐵磁模型 00 p. When , .0T0pdLvvsdpaulip,局域模型.6-3 反磁化過程1. 反磁化的兩種過程和矯頑力的三種機(jī)理(1

11、)兩種過程a. DR: RDR 和IRDR. b. DWD: 反向疇成核, RDWD 和 IRDWD. (2)磁化反轉(zhuǎn)及矯頑力的三個關(guān)鍵機(jī)制a.H0R of IDR, HC=H0R, 對單疇材料.b.Hn, 反向疇成核場.c.H0W : IRDWD的臨界場.d.If Hn H0, HC= Hn. If H0 Hn, HC= H0.2. 單疇顆粒的DR及其HCEK為各種各向異性能對單軸各向異性: 磁晶各向異性能, 磁彈性能以及形狀各向異性能等.( 1 ) 均勻轉(zhuǎn)動均勻轉(zhuǎn)動, 0)(HKEEEcos)(sin002sHMKEor ,1uKK or , 23s2)(21sLSMNN 0ddE0sin

12、)(2sin00sHMKcossMM 對單軸各向異性 (磁晶各向異性能 or/and 磁彈性能 or/and 形狀各向異性能)a.特殊情況, 000sincossin20sHMKE0)cos2(sin0sHMK Solution 1:, 0sin, 0cos2cos2022sHMKdEd when ,201scMKHH0 when ,cHH is min. is energy min. Solution 2:KHMs2cos0,or ,220KHMMs1cosKKMHdEds22222022 when sMKH020 EMaxE when sMKH02, 0 EscMkH02sRMMsMMcH

13、cHHl 一般情況 , 005磁化反轉(zhuǎn) : DR+IRDR. 和 隨 增加而減小 當(dāng) 時, 隨 增加而減小 當(dāng) 時, 隨 增加而增加, 但 在減小RMcH00H4000H040cH20, 0cH,20ssMKH ,0RMc.對取向混亂的單軸的單疇顆粒集合體,2479. 00scMKHsRMM5 . 0,64. 001scMKHsRMM832. 0對混亂取向的三軸單疇顆粒集合體無回線.d. 結(jié)論 單軸的單疇顆粒具有高的HC , 可達(dá) . 較大的K可導(dǎo)致較高的HC. 具有最高HC的為有高度織構(gòu)的集合體,其易軸與H平行. 一個單疇永磁體需要高的單軸各向異性, 高的TC 及室溫下高的Ms. sMK2(

14、 2 ) 非均勻轉(zhuǎn)動非均勻轉(zhuǎn)動 細(xì)長單疇顆粒中的非均勻IDR具有較小的 .cHa 均勻DR a 球鏈模型的均勻轉(zhuǎn)動.b. 球鏈模型的扭旋式. 退磁能減小.b. 橢球體中的扭旋式轉(zhuǎn)動. 退磁能降低, 交換能增加.c.橢球體中的渦旋式轉(zhuǎn)動. 退磁能降低, 交換能增加.非均勻DR過程導(dǎo)致的Hc依賴于顆粒尺寸.sccMHh20RRr sMAR2/ 10對無限長圓柱,有( 3 ) Hc 對顆粒尺寸的依賴關(guān)系對顆粒尺寸的依賴關(guān)系 多疇, M通過IRDWD反轉(zhuǎn), HC相對較低, 缺陷可增加HC 單疇 , , 非均勻轉(zhuǎn)動. :critDD critcritDDdcHD ,:critDD ,thdD ,D,cH

15、熱激發(fā)有助于M反轉(zhuǎn).,spdD 0cH23)(1DdHHspcoc當(dāng) critthdDd均勻轉(zhuǎn)動, HC達(dá)極大值.( 4 ) 超順磁性超順磁性 .KVU 當(dāng)V很小時, 熱運(yùn)動能kT接近于KV,kT可能Ms在易磁化軸不同方向的變化, 提供磁化反轉(zhuǎn)的可能性, 和正常的順磁性類似, 但單疇顆粒的磁矩為MsV, 遠(yuǎn)大于順磁行為的原子磁矩. 剩磁的弛豫時間一個體積為V的單軸各向異性的單疇顆粒的勢壘為,1kTKVef tRReMtM0)( :磁化反轉(zhuǎn)運(yùn)動頻率fHz. 10102109sKMKHf對單疇顆粒, 若 , 在,以及 時, , 若 ,36/10cmergK KT300nmD4 . 3sec101n

16、mD4 . 4sec108spD , and ,spDD0RM0cH Dsp 依賴于溫度T, 若測量時間為sec,100阻塞溫度.25kTKV .25kKVTB 對 , Fe: ; Co: KTB300nmDsp5 .12.4nmDsp 與順磁性類似, 單疇顆粒集合的磁化曲線可由下式給出 LCothMMs1kTHVMs注意單疇顆粒的磁矩MsV遠(yuǎn)大于原子磁矩3. 疇壁過程的磁化反轉(zhuǎn)疇壁過程的磁化反轉(zhuǎn) ( 1 ) 理想飽和理想飽和: 無DW. 因此 反轉(zhuǎn)需要sMa.出現(xiàn)反向磁化疇)(nHH b. IRDWD , 0HH c. When , ; When , ; 如何區(qū)分兩種情況? 比較初始 曲線與

17、磁滯回線.0HHnncHH 0HHn0 HHcHM Hn: 成核場成核型釘扎型比較初始磁化曲線與磁滯回線0HHn0HHn( 2 ) 成核場成核場KnHH WnHH00nHa.在反磁化核中Ms反轉(zhuǎn)180o. 對理想晶體,應(yīng)有 在實(shí)驗(yàn)上 , . 為什么 ?,20snMKHwssnHMMKH02snMKH02為何 ?甚至 及 ? b. 解釋來源于缺陷 () 缺陷處小的各向異性場KsMK02() 局域退磁場 MNLHeffM() 多晶中晶粒易磁化方向與外場不一致 ,20sMK.20KsMK在實(shí)際材料中的成核場seffpksnMNMKH02nH 可以小于平均的 !20sMK0nH 可能 , 成核現(xiàn)象出現(xiàn)

18、在第二象限.0nH甚至 , 成核出現(xiàn)在第一象限.4 . 剩磁及磁滯回線形狀剩磁及磁滯回線形狀MMMsR當(dāng)外場從Hs降到0時, M從MS降到MRa. 設(shè) 在均勻外場下,cossMM : H與最近的易磁化軸的夾角(1) 剩磁剩磁( i ) 對簡單單軸各向異性單晶或高織構(gòu)多晶, 及強(qiáng)感生各向異性材料當(dāng) , . ./ aeH; 1SRMM.aeH0SRMM, 0nH( ii ) 非織構(gòu)多晶 單軸晶體: 如Co, BaM, RE-TM.鐵型晶體 : 鎳型晶體 : 內(nèi)應(yīng)力可能導(dǎo)致降低 ,21dsincos20SRMM,831. 0cosSRMM.866. 0SRMM.SRMM0nH.SRMMb. 極大降低

19、極大降低 ( 2 ) 磁滯回線形狀磁滯回線形狀. 0RMc. 立方對稱性: 較為復(fù)雜.d. 多晶體: 平均效應(yīng), 依賴于織構(gòu)情況.e. 無外加場退火, 細(xì)腰型回線.a. 單軸各向異性: 磁場或應(yīng)力退火, 當(dāng)He.a., HnHw00, 方形回線 MRMs. 當(dāng) He.a., 回線傾向于直線,b. 織構(gòu)材料. 與上類似i. 單疇顆粒及納米線當(dāng)H / e.a時,矩形回線, Hc=HK. Hc隨角度偏離而減小. 當(dāng)He.ae.a時時, ,回線基本為直線,H Hs s=H=HK K. .當(dāng)測量方向稍偏離法線方向時, ,回線具有一較小的Hc 及較模糊的Hs. Hc隨角度偏離而增加.e. 顆粒及線ii.

20、大顆粒及線 如果M通過疇壁位移反轉(zhuǎn), 回線形狀可能依賴于不同因素有各種各樣. 如果MR異常小, Hn 可能為負(fù)值.6 -4. 固體缺陷及對技術(shù)磁化影響固體缺陷及對技術(shù)磁化影響1. 缺陷及與磁化的相互作用 ( 1 ) 點(diǎn)缺陷點(diǎn)缺陷 : 原子空位, 雜質(zhì)原子(替代型及空隙型 ) 線缺陷線缺陷: 位錯 ; 面缺陷面缺陷 : 晶界 , 表面 , 層錯 , 反相疇界面, 巨觀缺陷巨觀缺陷: (沉淀物 , 空洞, 縫隙).( 2 ) 與磁化的相互作用與磁化的相互作用 相關(guān)能量 , , , , and exEKEEME.HE兩類相互作用.a. 長程作用長程作用.(i) 應(yīng)力場 : 通過磁彈性相互作用 . 對

21、直線位錯 , . 位錯偶極子 , . 點(diǎn)缺陷應(yīng)力場 , .r121r31r(ii) 局部退磁場(散磁場), 局域且非均勻. b. 短程作用短程作用. 在點(diǎn)缺陷,層錯及面缺陷, 在缺陷位置局部 , , 發(fā)生局域變化.c.對軟磁材料, 疇壁較寬 , 長程作用較為重要,短程作用?？陕匀? d. 非常硬的磁性材料(如RE+TM合金). 具有較高的K及較窄的疇壁. 短程作用更為重要AKsnm102. 早期的模型早期的模型, 內(nèi)應(yīng)力和摻雜理論內(nèi)應(yīng)力和摻雜理論( 1 ) 內(nèi)應(yīng)力理論內(nèi)應(yīng)力理論. 描述內(nèi)應(yīng)力起伏對疇壁移動的阻滯作用.a.低彌散度內(nèi)應(yīng)力低彌散度內(nèi)應(yīng)力 (i) 內(nèi)應(yīng)力不變號,但強(qiáng)度有起伏 . l,

22、180 DWForbkxAas)(23dxdpHMpisecos20,2sin2)(00lxx l: 波長 ,:20 振幅.當(dāng)H=0時, 180DW出現(xiàn)在能量極小處 . 0dxddxdpHMxis/cos20DxHMsi1cos2cos2/max0siMpH DlMxssi1cos3402022lMHss000cos43l(ii) 符號變化的內(nèi)應(yīng)力起伏. DW. , DW 出現(xiàn)在 .o90lxsin00DlMxss1cos34200220b. 高彌散度內(nèi)應(yīng)力高彌散度內(nèi)應(yīng)力 . )(lo90020143xchls000cos3 . 0lMHss0066. 0 x釘扎.c.結(jié)論結(jié)論. , ) i

23、(2siMD1 , 10s , cos ) ii (2i,20l,1 ) iii (0iH. ) (ivl: 最大的阻滯效應(yīng), 低 i, 高0H,or 02l( 2 ) 摻雜理論摻雜理論a. 三種可能影響三種可能影響 .(i) DW中穿洞, 改變DW的面積及能量 .(ii) 出現(xiàn)磁荷分布,退磁能隨疇壁位置改變.(iii) 出現(xiàn)次級疇 b.兩種DWD(i) 平面DW.(ii) 彎曲 DW.b. 低彌散度摻雜， (i) 球狀摻雜顆粒, 直徑為d , 間距為l的簡立方分布. 180 平面DW. 當(dāng)平面DW通過摻雜且離球心為x時, 一個單胞上DW面積為d, 4222xdls2221cos2lxdxds

24、lpHMpise32022232cos621dKMsi36ld, 摻雜體積分?jǐn)?shù).,cos6232320dMKHsd(ii) 片狀摻雜 spMcH20c.高彌散度摻雜高彌散度摻雜d,2602230 xchKld,cos61232202232dKMsid320320cos639dMKHs最大效應(yīng)發(fā)生在 d(3) 彌散退磁場理論彌散退磁場理論不均勻應(yīng)力及摻雜造成體磁荷分布和彌散的退磁場不均勻應(yīng)力及摻雜造成體磁荷分布和彌散的退磁場. 能量依賴于疇壁的位置及疇壁位移.內(nèi)應(yīng)力: 21206 . 4log39. 105. 1isssisMMH: 不均勻應(yīng)力影響區(qū)域的體積分?jǐn)?shù).摻雜 : 21202log213

25、9. 02KMMKHss: 摻雜的體積分?jǐn)?shù).)K High ( 3601 . 2 :Fe0HHc) high ( 97330 : Nis0HHc3. 缺陷與磁化相互作用的精確理論缺陷與磁化相互作用的精確理論 ( 1 ) 位錯位錯位錯與磁化間相互作用主要通過磁彈性效應(yīng).a. 位錯位錯疇壁疇壁(i) 基本計(jì)算. 疇壁能在位錯應(yīng)力場中變化，受力pw. 相應(yīng)的，位錯處于疇壁的應(yīng)力場中，受到作用力pd.wMdpbsdp ds : 位錯包圍面積的面積元.: 疇壁產(chǎn)生的應(yīng)力張量.M: Bergers矢量. b由Stokes定理 bl dpMddl : 位錯線元.基于上式方程, 位錯對DWD產(chǎn)生阻滯力， 和

26、能由之計(jì)算得到。icH(ii) 兩類DW. a.第一類, 如180oDW, 應(yīng)力基本局限在疇壁內(nèi). 僅當(dāng)疇壁穿過位錯時相互作用才存在.因此180oDW易于移動.b. 第二類, 如90oDW, 應(yīng)力延伸到疇壁之外，較長程. 這類疇壁與晶體中所有位錯均有相互作用. 因此90DW難于移動,需要較高磁場.b. 位錯及其他局部缺陷對均勻磁化的影響位錯及其他局部缺陷對均勻磁化的影響. () 分布在疇內(nèi)或整個晶體內(nèi)的均勻磁化在位錯及其他缺陷鄰近可能受到擾動（由于磁彈性作用）. 局域磁化的非均勻可由下式求得0MHkexEEEEE() 交換長度 在位錯或其他缺陷中心處的磁化偏離由易磁化方向或高場下的磁化方向決定

27、的平均方向. 交換作用阻止Ms方向的突變，使得磁化方向在一定的擴(kuò)展區(qū)域內(nèi)逐漸變化（類似疇壁）。交換長度描述缺陷鄰近非均勻的范圍.sMexlsM212sHHMAl高場近飽和區(qū)的交換長度.21KAlK疇的交換長度（磁晶各向異性）. 2122sMMAl考慮到磁化偏離能量的交換長度. ( 2 ) 點(diǎn)缺陷點(diǎn)缺陷 異質(zhì)原子, 空穴及微小雜質(zhì)等a.異質(zhì)原子的局域作用能fffiifiiffSLSiLSSJE2212/1500/ )(/ )(1exfexkfksaaaaMH導(dǎo)致 A, K, Ms 等的變化.( 3 ) 面缺陷面缺陷a. 晶界,表面,堆垛層錯,反相界, 片狀脫溶體.b. 與疇壁相互作用的計(jì)算. 設(shè)

28、面缺陷厚度為D.12xxDD2211,xxdxHMKdxdAisiicossin022當(dāng) 時, 疇壁的能量可以被分成三個部分,.3,2,1i 每個區(qū)域內(nèi)進(jìn)行變分處理.0sincossin22 siiHMKA在不同區(qū)域：,31AAA,31KKK,2AAKK2邊界條件: 00dxd0dxd在區(qū)域間邊界處 .constdxdAiEuler方程:12KKAADMKHs00依據(jù)=min.條件, 可求得 和 隨H而變化, 即疇壁位置隨H而移動. 最大的H為注意缺陷引起的疇壁中 分布的變化.虛線為未受缺陷擾動的自旋分布. 實(shí)線為缺陷影響示意. ( 4 ) 缺陷與反磁化疇成核場缺陷與反磁化疇成核場 a.各種缺

29、陷阻止疇壁移動并且導(dǎo)致高場下難于飽和。另一方面, 缺陷可幫助反向疇成核 降低成核場. 沒有被強(qiáng)場完全去除的在缺陷處的殘留磁疇可能是反向疇的潛在成核位置b. 空泡、非磁性摻雜以及脫溶體等可能成為高M(jìn)s材料反向疇的核.(i) 具有矩形回線的環(huán)狀permivar合金樣品.表面刻痕可降低Hc 虛線: 正常測量實(shí)驗(yàn)證據(jù)實(shí)驗(yàn)證據(jù) 實(shí)線: 迅速將反向場降低至適當(dāng)值, 反磁化仍可繼續(xù)進(jìn)行在cHH 0(ii) 下圖顯示了隨H從 在第一象限內(nèi)降低時, 硅鋼晶體缺陷附近釘狀疇的觀測情況. 殘留的釘狀疇(90o)隨H降低逐漸長大并產(chǎn)生一個180o的反轉(zhuǎn)疇.sHH c. 面缺陷對成核效應(yīng)的更多影響面缺陷對成核效應(yīng)的更多影響() 晶界上的劍狀疇 晶界上一個劍狀疇的能量變化coscos22122nppssMNMEEVHMVNMsDEEE2D: 產(chǎn)生劍狀疇的晶界面積ME 和