低壓無功補(bǔ)償系統(tǒng)基礎(chǔ)知識(shí)

1、低壓無功補(bǔ)償系統(tǒng)基礎(chǔ)知識(shí)一、低壓無功補(bǔ)償系統(tǒng)低壓無功補(bǔ)償系統(tǒng)發(fā)展至今常見的形式分為2種：1、以電容器、電抗器、投切開關(guān)、功率因數(shù)控制器及補(bǔ)償系統(tǒng) 配套的其他保護(hù)元件組成的傳統(tǒng)類型的補(bǔ)償系統(tǒng)，補(bǔ)償后功率因數(shù)可 達(dá)0.96以上。2、以IGBT為核心元件通過對(duì)線路進(jìn)行實(shí)時(shí)分析，可發(fā)出無功對(duì) 線路進(jìn)行雙向補(bǔ)償，補(bǔ)償后功率因數(shù)接近于lo第一種形式的補(bǔ)償系統(tǒng)一一組成：電容、電抗、投切開關(guān)、功率 因數(shù)控制器及配套保護(hù)裝置。存在形式：1、組件+投切開關(guān)+功率因數(shù)控制器及配套保護(hù)裝置;2、智能模組（含電容器+電抗器+投切開關(guān)+保護(hù)）+功率因數(shù)控制器。丄共補(bǔ)分補(bǔ)第二種形式：常見類型為模塊化靜止無共發(fā)生器SVG/A

2、SVGoSVG/ASVG-300KvarZMvarS100*3SVG圖紙表現(xiàn)形式二、低壓無功補(bǔ)償系統(tǒng)一一產(chǎn)品組成組件+投切開關(guān)+功率因數(shù)控制器組件：電客器組件：電容+電抗共補(bǔ)分補(bǔ)電容器：干式自愈式低壓電容器（帶電抗類型）常規(guī)類型5Kvar. 10Kvar> 15Kvar. 20Kver、25Kvar> 30Kvaro 一般組件規(guī)格 40Kvar 電容 器組為2只20Kvar電容器配置，50Kvar電容器組為2只25Kvar配置, 以此類推；電抗器：與電容器配套使用，減少 WH次諧波對(duì)電容器影響, 可與5Kvar-80Kvar電容器/電容器組匹配。投切開關(guān)r?投切開關(guān)：晶聞米偸（可挖

3、屈）電容器投切分為動(dòng)態(tài)投切和靜態(tài)投切，國標(biāo)規(guī)定響應(yīng)時(shí)間1秒以 內(nèi)為動(dòng)態(tài)投切；超過3秒為靜態(tài)投切，投切開關(guān)按動(dòng)態(tài)投切使用：晶 閘管開關(guān)（可控硅）；又稱無觸點(diǎn)投切，過零投切，無涌流，通過控 制器控制輸出12V直流電壓來控制開關(guān)的通斷。靜態(tài)投切使用：電容投切專用接觸器，此種接觸器采用延時(shí)投切 技術(shù)控制電容器投切時(shí)涌流的出現(xiàn)。控制器通過無源觸點(diǎn)控制接觸 器。功率因數(shù)控制器。不同的投切開關(guān)控制方式不同，因此對(duì)應(yīng)控制器也是不同的。即 控制器型號(hào)是由投切開關(guān)（投切方式）決定的。例如：如果投切開關(guān) 為晶閘管類型（需12V直流電源觸發(fā)控制），采用正爾ZM-PFC16T； 如果投切開關(guān)為接觸器投切，通過無源觸點(diǎn)控制，采用ZM-PFC16Ro 配套保護(hù)裝置。配套保護(hù)裝置由做無功補(bǔ)償整柜方做柜子時(shí)提供，一般補(bǔ)償供 應(yīng)商提供：電容器+電抗器+投切開關(guān)+功率因數(shù)控制器；由成套商提 供補(bǔ)償柜內(nèi)其他保護(hù)元件，組成柜體供給客戶。智能模組+功率因數(shù)控制器智能模組智能模組包含電容器（純電容）或者電容+電抗、投切開關(guān)、控 制部分、保護(hù)裝置。由于模組為模塊化，要求內(nèi)部設(shè)備體積小，扇熱好，一般不會(huì)采 用晶閘管開關(guān)（此種開關(guān)發(fā)熱量大自帶扇熱風(fēng)扇體積大）或者接觸器; 一般模組的投切開關(guān)采用同步開關(guān)技術(shù)或者復(fù)合開關(guān)（過零投切，無 涌流，體積?。９β室驍?shù)控制器功率因數(shù)控制器與模組之間控制