實(shí)驗(yàn)報(bào)告-電力電子課程設(shè)計(jì)_第1頁(yè)
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1、電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)報(bào)告院 系:電氣與電子工程學(xué)院班 級(jí): 電氣1309班 學(xué) 號(hào): 1131540517 學(xué)生姓名: 王睿哲 指導(dǎo)教師: 姚蜀軍 成 績(jī): 日期:2017年 1月2日目 錄實(shí)驗(yàn)一 晶閘管仿真實(shí)驗(yàn)3實(shí)驗(yàn)二 單相橋式全控整流電路仿真實(shí)驗(yàn)9實(shí)驗(yàn)三 三相橋式全控整流電路仿真實(shí)驗(yàn)14實(shí)驗(yàn)四 Buck-Boost降壓-升壓斬波電路仿真實(shí)驗(yàn)19實(shí)驗(yàn)五 相控式三相交流調(diào)壓電路仿真實(shí)驗(yàn)23實(shí)驗(yàn)六 電壓型單相SPWM半橋逆變器電路仿真實(shí)驗(yàn)30實(shí)驗(yàn)七 電壓型三相SPWM逆變器電路仿真實(shí)驗(yàn)35實(shí)驗(yàn)一 晶閘管仿真實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康恼莆站чl管仿真模型模塊各參數(shù)的含義。理解晶閘管的特性。實(shí)驗(yàn)設(shè)備:MATLA

2、B/Simulink/PSB實(shí)驗(yàn)原理 晶閘管測(cè)試電路如圖1-1所示。u2為電源電壓,ud為負(fù)載電壓,id為負(fù)載電流,uVT為晶閘管陽(yáng)極與陰極間電壓。圖1-1 晶閘管測(cè)試電路實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 啟動(dòng)Matlab,建立如圖1-2所示的晶閘管測(cè)試電路結(jié)構(gòu)模型圖。圖1-2 帶電阻性負(fù)載的晶閘管仿真測(cè)試模型 雙擊各模塊,在出現(xiàn)的對(duì)話框內(nèi)設(shè)置相應(yīng)的模型參數(shù),如圖1-3、1-4、1-5所示。圖1-3 交流電壓源模塊參數(shù)圖1-4 晶閘管模塊參數(shù)圖1-5 脈沖發(fā)生器模塊參數(shù) 固定時(shí)間間隔脈沖發(fā)生器的振幅設(shè)置為5V,周期與電源電壓一致,為0.02s(即頻率為50Hz),脈沖寬度為2(即7.2º),初始相位(即控制

3、角)設(shè)置為0.0025s(即45º)。 串聯(lián)RLC分支模塊Series RLC Branch與并聯(lián)RLC分支模塊Parallel RLC Branch的參數(shù)設(shè)置方法如表1-1所示。表1-1 RLC分支模塊的參數(shù)設(shè)置元件串聯(lián)RLC分支并聯(lián)RLC分支類別電阻數(shù)值電感數(shù)值電容數(shù)值電阻數(shù)值電感數(shù)值電容數(shù)值單個(gè)電阻R0infRinf0單個(gè)電感0LinfinfL0單個(gè)電容00CinfinfC 在本系統(tǒng)模型中,雙擊Series RLC Branch模塊,設(shè)置參數(shù)如圖1-6所示。圖1-6 負(fù)載模塊參數(shù) 系統(tǒng)仿真參數(shù)設(shè)置如圖1-7所示。圖1-7 系統(tǒng)仿真參數(shù) 運(yùn)行仿真模型系統(tǒng)即可得到控制角為45

4、86;時(shí),電源電壓、觸發(fā)信號(hào)、流過晶閘管的電流、晶閘管陽(yáng)極和陰極兩端電壓、負(fù)載電流、負(fù)載電壓的仿真波形,如圖1-8所示。圖1-8 控制角為45º時(shí)的仿真波形(帶電阻性負(fù)載) 改變固定時(shí)間間隔脈沖發(fā)生器模塊的初始相位(即控制角)參數(shù),可以得到不同控制角度下的仿真波形。例如將初始相位設(shè)置為0s,可以得到控制角為0º時(shí)的仿真波形,如圖1-9和1-10所示。圖1-9 脈沖發(fā)生器模塊參數(shù)圖1-10 控制角為0º時(shí)的仿真波形(帶電阻性負(fù)載) 改變串聯(lián)RLC分支模塊的參數(shù)即可改變負(fù)載類型。例如,設(shè)置該模塊的參數(shù)R=1,L=0.01H,電容為inf,即為阻感性負(fù)載,如圖1-11所

5、示。當(dāng)控制角設(shè)置為45º時(shí)的仿真波形如圖1-12所示。圖1-11 負(fù)載模塊參數(shù)圖1-12 控制角為45º時(shí)的仿真波形(帶阻感性負(fù)載) 同理,在帶阻感性負(fù)載的情況下,改變固定時(shí)間間隔脈沖發(fā)生器模塊的初始相位(即控制角)參數(shù),可以得到不同控制角度下的仿真波形。例如將初始相位設(shè)置為0.0075s,可以得到控制角為135º時(shí)的仿真波形,如圖1-13所示。圖1-13 控制角為135º時(shí)的仿真波形(帶阻感性負(fù)載)實(shí)驗(yàn)二 單相橋式全控整流電路仿真實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康恼莆諉蜗鄻蚴饺卣麟娐贩抡婺P偷慕⒓澳K參數(shù)和仿真參數(shù)的設(shè)置。理解單相橋式全控整流電路的工作原理及仿真波形。

6、實(shí)驗(yàn)設(shè)備:MATLAB/Simulink/PSB實(shí)驗(yàn)原理 單相橋式全控整流電路如圖2-1所示。u2為電源電壓,ud為負(fù)載電壓,id為負(fù)載電流,uVT為晶閘管陽(yáng)極與陰極間電壓。圖2-1 單相橋式全控整流電路實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 啟動(dòng)Matlab,建立如圖2-2所示的單相橋式全控整流電路結(jié)構(gòu)模型圖。圖2-2 單相橋式全控整流電路模型 雙擊各模塊,在出現(xiàn)的對(duì)話框內(nèi)設(shè)置相應(yīng)的模型參數(shù),如圖2-3、2-4、2-5、2-6所示。圖2-3 交流電壓源模塊參數(shù)圖2-4 脈沖發(fā)生器1模塊參數(shù) 脈沖的幅值為2V,周期為0.02s(即50Hz),脈沖寬度為7.2º,初始相位(即控制角)為60º。圖2-5 脈

7、沖發(fā)生器2模塊參數(shù) 脈沖發(fā)生器2的幅值也設(shè)置為2V,周期也為0.02s,脈沖寬度也為7.2º,初始相位設(shè)置為240º。脈沖發(fā)生器1和脈沖發(fā)生器2的初始相位相差180º,但兩者的控制角都是60º。圖2-6 負(fù)載模塊參數(shù) 系統(tǒng)仿真參數(shù)設(shè)置如圖2-7所示。圖2-7 系統(tǒng)仿真參數(shù) 運(yùn)行仿真模型系統(tǒng)即可得到控制角為60º時(shí),電源電壓、觸發(fā)信號(hào)、負(fù)載電流、負(fù)載電壓、流過晶閘管VT3的電流、晶閘管VT3陽(yáng)極與陰極間電壓的仿真波形,如圖2-8所示。圖2-8 控制角為60º時(shí)的仿真波形(帶電阻性負(fù)載) 改變固定時(shí)間間隔脈沖發(fā)生器模塊的初始相位角,即可得

8、到不同工作情況下的仿真波形。例如將晶閘管控制角取為120º,即將脈沖發(fā)生器1的初始相位設(shè)置為120º(0.02/3s),將脈沖發(fā)生器2的初始相位設(shè)置為300º(0.05/3s),此時(shí)的仿真波形如圖2-9所示。圖2-9 控制角為120º時(shí)的仿真波形(帶電阻性負(fù)載) 改變串聯(lián)RLC分支模塊的參數(shù)即可改變負(fù)載類型。例如,設(shè)置負(fù)載模塊的參數(shù)R=10,L=0.04H,電容為inf,即為阻感性負(fù)載,當(dāng)晶閘管控制角取為90º時(shí)的仿真波形如圖2-10所示。此時(shí)脈沖發(fā)生器1的初始相位設(shè)置為90º(0.005s),將脈沖發(fā)生器2的初始相位設(shè)置為270&#

9、186;(0.015s)。圖2-10 控制角為90º時(shí)的仿真波形(帶阻感性負(fù)載) 同理,在帶阻感性負(fù)載的情況下,改變固定時(shí)間間隔脈沖發(fā)生器模塊的初始相位角即可得到不同工作情況下的仿真波形。例如將晶閘管控制角取為120º,即將脈沖發(fā)生器1的初始相位設(shè)置為120º(0.02/3s),將脈沖發(fā)生器2的初始相位設(shè)置為300º(0.05/3s),此時(shí)的仿真波形如圖2-11所示。圖2-11 控制角為120º時(shí)的仿真波形(帶阻感性負(fù)載)實(shí)驗(yàn)總結(jié)1、總結(jié)單相橋式全控整流電路的控制規(guī)律。圖2-1 單相橋式全控整流電路在單相橋式全控整流電路中,每一個(gè)導(dǎo)電回路中有2

10、個(gè)晶閘管,即用2個(gè)晶閘管同時(shí)導(dǎo)通以控制導(dǎo)電的回路。和組成一對(duì)橋臂,在正半周(即a點(diǎn)電位高于b點(diǎn)電位)承受電壓,若在觸發(fā)角處給晶閘管和施加觸發(fā)脈沖使其開通,電流從電源a端經(jīng)、負(fù)載、流回電源b端,。在過零時(shí)關(guān)斷。假設(shè)電路已工作于穩(wěn)態(tài),的平均值不變。負(fù)載中有電感時(shí)電流不能突變,電感對(duì)負(fù)載電流起平波作用,負(fù)載電感很大時(shí),負(fù)載電流連續(xù)且近似為一水平直線,過零變負(fù)時(shí),由于電感的作用晶閘管和仍流過電流,并不關(guān)斷。和組成另一對(duì)橋臂,在正半周承受反向電壓,至?xí)r刻,給和施加觸發(fā)脈沖,因?yàn)楹捅疽呀?jīng)承受正向電壓,故兩管導(dǎo)通,在過零時(shí)關(guān)斷。和導(dǎo)通后,和上施加反向電壓使其關(guān)斷。流過和的電流迅速轉(zhuǎn)移到和上,此過程稱為換相,

11、亦稱換流。在下一周期重復(fù)相同過程,如此循環(huán)。若4個(gè)晶閘管均不導(dǎo)通,則負(fù)載電流為零,負(fù)載電壓也為零。實(shí)驗(yàn)三 三相橋式全控整流電路仿真實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康恼莆杖鄻蚴饺卣麟娐贩抡婺P偷慕⒓澳K參數(shù)和仿真參數(shù)的設(shè)置。理解三相橋式全控整流電路的工作原理及仿真波形。實(shí)驗(yàn)設(shè)備:MATLAB/Simulink/PSB實(shí)驗(yàn)原理 三相橋式全控整流電路如圖3-1所示。u2為電源電壓,ud為負(fù)載電壓,id為負(fù)載電流,uVT為晶閘管陽(yáng)極與陰極間電壓。圖3-1 三相橋式全控整流電路實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 啟動(dòng)Matlab,建立如圖3-2所示的三相橋式全控整流電路結(jié)構(gòu)模型圖。圖3-2 三相橋式全控整流電路模型 雙擊各模塊,在出現(xiàn)的對(duì)話框

12、內(nèi)設(shè)置相應(yīng)的模型參數(shù),如圖3-3、3-4、3-5、3-6、3-7、3-8、3-9所示。圖3-3 交流電壓源Va模塊參數(shù)圖3-4 交流電壓源Vb模塊參數(shù)圖3-5 交流電壓源Vc模塊參數(shù)圖3-6 同步脈沖發(fā)生器模塊參數(shù)圖3-7 觸發(fā)脈沖控制角常數(shù)設(shè)置圖3-8 觸發(fā)脈沖封鎖常數(shù)設(shè)置圖3-9 負(fù)載模塊參數(shù) 系統(tǒng)仿真參數(shù)設(shè)置如圖3-10所示。圖3-10 系統(tǒng)仿真參數(shù) 運(yùn)行仿真模型系統(tǒng)即可得到控制角為30º時(shí),電源電壓、觸發(fā)信號(hào)、負(fù)載電流、負(fù)載電壓的仿真波形,如圖3-11所示。圖3-11 控制角為30º時(shí)的仿真波形(帶電阻性負(fù)載) 改變同步脈沖發(fā)生器模塊的控制角,即可得到不同工作情況下

13、的仿真波形。例如將晶閘管控制角取為60º,即將觸發(fā)脈沖控制角常數(shù)設(shè)置為60,此時(shí)的仿真波形如圖3-12所示。圖3-12 控制角為60º時(shí)的仿真波形(帶電阻性負(fù)載) 改變串聯(lián)RLC分支模塊的參數(shù)即可改變負(fù)載類型。例如,設(shè)置負(fù)載模塊的參數(shù)R=10,L=0.04H,電容為inf,即為阻感性負(fù)載,當(dāng)晶閘管控制角取為45º(將觸發(fā)脈沖控制角常數(shù)設(shè)置為45)時(shí)的仿真波形如圖3-13所示。圖3-13 控制角為45º時(shí)的仿真波形(帶阻感性負(fù)載) 同理,在帶阻感性負(fù)載的情況下,改變固定時(shí)間間隔脈沖發(fā)生器模塊的初始相位角即可得到不同工作情況下的仿真波形。例如將晶閘管控制角取

14、為0º,即將觸發(fā)脈沖控制角常數(shù)設(shè)置為0,此時(shí)的仿真波形如圖3-14所示。圖3-14 控制角為0º時(shí)的仿真波形(帶阻感性負(fù)載)實(shí)驗(yàn)總結(jié)1、 總結(jié)三相橋式全控整流電路的控制規(guī)律。1) 每個(gè)時(shí)刻均需兩個(gè)晶閘管同時(shí)導(dǎo)通,形成向負(fù)載供電的回路,其中一個(gè)晶閘管是共陰極組(將陰極連接在一起的三個(gè)晶閘管、稱為共陰極組)的,一個(gè)是共陽(yáng)極組的(陽(yáng)極連接在一起的三個(gè)晶閘管、),且不能為同一相的晶閘管。(標(biāo)號(hào)同圖3-1)。2) 對(duì)觸發(fā)脈沖的要求是六個(gè)晶閘管的脈沖按的順序,相位依次差60°,共陰極組和共陽(yáng)極組的脈沖依次差120°,同一相的上下兩個(gè)橋臂,脈沖相差180°。

15、3) 在整流電路合閘啟動(dòng)過程中或電流斷續(xù)時(shí),為確保電路的正常工作,需保證同時(shí)導(dǎo)通的兩個(gè)晶閘管均有脈沖。為此,可采用兩種方法:一種是使脈沖寬度大于60°(一般取80°100°),稱為寬脈沖觸發(fā);另一種方法是,在觸發(fā)某個(gè)晶閘管的同時(shí),給前一個(gè)晶閘管補(bǔ)發(fā)脈沖,即用兩個(gè)窄脈沖代替寬脈沖,兩個(gè)窄脈沖的前沿相差60°,脈寬一般為20°30°,稱為雙脈沖觸發(fā)。4) 整流輸出的電壓即負(fù)載兩端的電壓應(yīng)該是兩相電壓相減后的波形,波頭、均為線電壓的一部分,整流輸出的電壓是上述線電壓的包絡(luò)線。相電壓的交點(diǎn)與線電壓的交點(diǎn)在同一角度位置上,故線電壓的交點(diǎn)也為自然

16、換相點(diǎn)。同時(shí)可看出,三相橋式全控整流電壓在一個(gè)周期內(nèi)脈動(dòng)6次,脈動(dòng)頻率為,比三相半波時(shí)大一倍。5) 三相橋式整流電路在任何瞬間僅有2個(gè)橋臂導(dǎo)通,其余4個(gè)橋臂的元件均承受著變化的反向電壓,晶閘管承受的反向最大電壓即為線電壓的峰值。實(shí)驗(yàn)四 Buck-Boost降壓-升壓斬波電路仿真實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康恼莆誃uck-Boost降壓-升壓斬波電路仿真模型的建立及模塊參數(shù)和仿真參數(shù)的設(shè)置。理解Buck-Boost降壓-升壓斬波電路的工作原理及仿真波形。實(shí)驗(yàn)設(shè)備:MATLAB/Simulink/PSB實(shí)驗(yàn)原理 Buck-Boost降壓-升壓斬波電路如圖4-1所示。ug為IGBT門極觸發(fā)信號(hào),iT為流過IGBT集電

17、極的電流,iL為流過儲(chǔ)能電感的電流,iD為流過二極管的電流,iC為流過儲(chǔ)能電容的電流,id為負(fù)載電流,ud為負(fù)載電壓。圖4-1 Buck-Boost降壓-升壓斬波電路實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 啟動(dòng)Matlab,建立如圖4-2所示的Buck-Boost降壓-升壓斬波電路結(jié)構(gòu)模型圖。圖4-2 Buck-Boost降壓-升壓斬波電路模型 雙擊各模塊,在出現(xiàn)的對(duì)話框內(nèi)設(shè)置相應(yīng)的模型參數(shù),如圖4-3、4-4、4-5、4-6、4-7所示。圖4-3 直流電壓源模塊參數(shù)圖4-4 脈沖發(fā)生器模塊參數(shù)圖4-5 電感模塊參數(shù)圖4-6 電容模塊參數(shù)圖4-7 負(fù)載模塊參數(shù) 系統(tǒng)仿真參數(shù)設(shè)置如圖4-8所示。圖4-8 系統(tǒng)仿真參數(shù) 運(yùn)行仿

18、真模型系統(tǒng)即可得到IGBT門極觸發(fā)信號(hào)、流過IGBT集電極的電流、流過儲(chǔ)能電感的電流、流過二極管的電流、流過儲(chǔ)能電容的電流、負(fù)載電流、負(fù)載電壓的仿真波形,如圖4-9所示。圖4-9 Buck-Boost降壓-升壓斬波電路仿真波形 改變IGBT觸發(fā)脈沖發(fā)生器模塊的周期或脈沖寬度,改變儲(chǔ)能電感或電容的大小,改變負(fù)載模塊的參數(shù)(或改變負(fù)載類型),即可得到不同工作情況下的仿真波形。例如將IGBT觸發(fā)脈沖的周期仍然設(shè)置為0.001s,但觸發(fā)脈沖寬度設(shè)置為20%,此時(shí)的仿真波形如圖4-10所示。圖4-10 觸發(fā)脈沖寬度為20%時(shí)的仿真波形實(shí)驗(yàn)總結(jié)1、 總結(jié)Buck-Boost降壓-升壓斬波電路的工作原理。當(dāng)

19、可控開關(guān)處于通態(tài)時(shí),電源經(jīng)可控開關(guān)向電感供電使其儲(chǔ)存能量。同時(shí)電容維持輸出電壓基本恒定并向負(fù)載供電。此后,使關(guān)斷,電感中儲(chǔ)存的能量向負(fù)載釋放。可見,負(fù)載電壓極性為上負(fù)下正,與電源電壓極性相反。根據(jù)穩(wěn)態(tài)時(shí)一個(gè)周期內(nèi)電感的能量變化為0,可得出,可解出。改變占空比,輸出電壓既可以比電源電壓高,也可以比電源電壓低。當(dāng)時(shí)為降壓,當(dāng)時(shí)為升壓。實(shí)驗(yàn)五 相控式三相交流調(diào)壓電路仿真實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康恼莆障嗫厥饺嘟涣髡{(diào)壓電路仿真模型的建立及模塊參數(shù)和仿真參數(shù)的設(shè)置。理解相控式三相交流調(diào)壓電路的工作原理及仿真波形。實(shí)驗(yàn)設(shè)備:MATLAB/Simulink/PSB實(shí)驗(yàn)原理 相控式三相交流調(diào)壓電路如圖5-1所示。圖5-1

20、相控式三相交流調(diào)壓電路實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 啟動(dòng)Matlab,建立如圖5-2所示的相控式三相交流調(diào)壓電路結(jié)構(gòu)模型圖。(a) 三相反并聯(lián)晶閘管子系統(tǒng)(b) 三相交流調(diào)壓電路模型圖5-2 相控式三相交流調(diào)壓電路模型 雙擊各模塊,在出現(xiàn)的對(duì)話框內(nèi)設(shè)置相應(yīng)的模型參數(shù),如圖5-3、5-4、5-5、5-6、5-7、5-8、5-9、5-10所示。圖5-3 交流電壓源ua的模塊參數(shù)圖5-4 交流電壓源ub的模塊參數(shù)圖5-5 交流電壓源uc的模塊參數(shù)圖5-6 控制角a常數(shù)模塊參數(shù)圖5-7 觸發(fā)脈沖封鎖常數(shù)模塊參數(shù)圖5-8 三相V-I測(cè)量模塊參數(shù)圖5-9 三相負(fù)載模塊參數(shù)圖5-10 同步6脈沖發(fā)生器模塊參數(shù) 系統(tǒng)仿真參數(shù)設(shè)置

21、如圖5-11所示。圖5-11 系統(tǒng)仿真參數(shù)運(yùn)行仿真模型系統(tǒng)即可得到三相電源電壓、三相電源電流、負(fù)載電壓uab、負(fù)載電壓ubc、負(fù)載電壓uca的仿真波形,如圖5-12所示。圖5-12 相控式三相交流調(diào)壓電路仿真波形(控制角為30º,阻感性負(fù)載)改變晶閘管的控制角,改變負(fù)載模塊的參數(shù)(或改變負(fù)載類型),即可得到不同工作情況下的仿真波形。例如將晶閘管控制角設(shè)置為30º,設(shè)置負(fù)載模塊的R=1,L=0H,C=inf,此時(shí)的仿真波形如圖5-13所示。圖5-13 相控式三相交流調(diào)壓電路仿真波形(控制角為30º,電阻性負(fù)載)實(shí)驗(yàn)總結(jié)1、 總結(jié)相控式三相交流調(diào)壓電路的工作原理。1)

22、當(dāng)為電阻負(fù)載時(shí),任一相在導(dǎo)通時(shí)必須和另一相構(gòu)成回路,同三相橋式全控整流電路,電流流通路徑中有兩個(gè)晶閘管,所以應(yīng)采用雙脈沖或?qū)捗}沖觸發(fā)。三相的觸發(fā)脈沖應(yīng)依次相差120°,同一相的兩個(gè)反并聯(lián)晶閘管觸發(fā)脈沖應(yīng)相差180°。因此同三相橋式全控整流電路,觸發(fā)脈沖順序也是,依次相差60°。把相電壓過零點(diǎn)定為觸發(fā)延遲角的起點(diǎn),三相三線電路中,兩相間導(dǎo)通是靠線電壓導(dǎo)通的,而線電壓超前相電壓30°,因此角的移相范圍是0°150°。在任一時(shí)刻,電路可以根據(jù)晶閘管導(dǎo)通狀態(tài)分為三種情況:一種是三相中各有一個(gè)晶閘管導(dǎo)通,這時(shí)負(fù)載相電壓就是電源相電壓;另一種是兩

23、相中各有一個(gè)晶閘管導(dǎo)通,另一相不導(dǎo)通,這時(shí)導(dǎo)通相的負(fù)載相電壓是電源線電壓的一半;第三種是三相晶閘管均不導(dǎo)通,這時(shí)負(fù)載電壓為零。電流波形中不含3的整數(shù)倍次諧波,因?yàn)樵谌鄬?duì)稱時(shí),它們不能流過三相三線電路。2)當(dāng)為阻感負(fù)載、時(shí),負(fù)載電流最大且為正弦波,相當(dāng)于晶閘管全部被短接時(shí)的情況。一般來說,電感大時(shí),諧波電流的含量要小一些。實(shí)驗(yàn)六 電壓型單相SPWM半橋逆變器電路仿真實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康恼莆针妷盒蛦蜗郤PWM半橋逆變器仿真模型的建立及模塊參數(shù)和仿真參數(shù)的設(shè)置。理解電壓型單相SPWM半橋逆變器的工作原理及仿真波形。實(shí)驗(yàn)設(shè)備:MATLAB/Simulink/PSB實(shí)驗(yàn)原理 電壓型單相SPWM半橋逆變器如圖6

24、-1所示。圖6-1 電壓型單相SPWM半橋逆變器電路實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 啟動(dòng)Matlab,建立如圖6-2所示的電壓型單相SPWM半橋逆變器結(jié)構(gòu)模型圖。圖6-2 電壓型單相SPWM半橋逆變器模型 雙擊各模塊,在出現(xiàn)的對(duì)話框內(nèi)設(shè)置相應(yīng)的模型參數(shù),如圖6-3、6-4、6-5、6-6、6-7所示。圖6-3 直流電壓源Ed/1-1模塊參數(shù)圖6-4 直流電壓源Ed/1-2模塊參數(shù)圖6-5 通用橋模塊參數(shù)圖6-6 PWM發(fā)生器模塊參數(shù)圖6-7 負(fù)載模塊參數(shù) 系統(tǒng)仿真參數(shù)設(shè)置如圖6-8所示。圖6-8 系統(tǒng)仿真參數(shù) 運(yùn)行仿真模型系統(tǒng)即可得到輸出端負(fù)載電流和輸出端負(fù)載電壓的仿真波形,如圖6-9所示。圖6-9 電壓型單相SP

25、WM半橋逆變器仿真波形(輸出頻率為50Hz) 在PWM發(fā)生器模塊中,將半橋逆變器輸出電壓頻率設(shè)置為200Hz,此時(shí)的仿真波形如圖6-10所示。圖6-10 電壓型單相SPWM半橋逆變器仿真波形(輸出頻率為200Hz) 改變PWM發(fā)生器模塊的輸出電壓頻率參數(shù),或改變負(fù)載模塊的參數(shù),即可得到不同工作情況下的仿真波形。例如將半橋逆變器輸出電壓頻率設(shè)置為25Hz,此時(shí)的仿真波形如圖6-11所示。圖6-11 電壓型單相SPWM半橋逆變器仿真波形(輸出頻率為25Hz)實(shí)驗(yàn)總結(jié)1、 總結(jié)電壓型單相SPWM半橋逆變器的工作原理。如上圖。采用雙極性方式時(shí),在的半個(gè)周期內(nèi),三角波載波是有正有負(fù),所得的PWM波也是有

26、正有負(fù)。仍然在調(diào)制信號(hào)和載波信號(hào)的交點(diǎn)時(shí)刻控制各開關(guān)器件的通斷。在的正負(fù)半周,對(duì)各開關(guān)器件的控制規(guī)律相同。即當(dāng)時(shí),給以導(dǎo)通信號(hào),給以關(guān)斷信號(hào),這時(shí)如,則通,如,則通,不管哪種情況都是輸出電壓。當(dāng)時(shí),給以導(dǎo)通信號(hào),給以關(guān)斷信號(hào),這時(shí)如,則通,如,則通。不管哪種情況都是。實(shí)驗(yàn)七 電壓型三相SPWM逆變器電路仿真實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)?zāi)康恼莆针妷盒腿郤PWM逆變器電路仿真模型的建立及模塊參數(shù)和仿真參數(shù)的設(shè)置。理解電壓型三相SPWM逆變器電路的工作原理及仿真波形。實(shí)驗(yàn)設(shè)備:MATLAB/Simulink/PSB實(shí)驗(yàn)原理 電壓型三相SPWM逆變器電路如圖7-1所示。圖7-1 電壓型三相SPWM逆變器電路實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 啟動(dòng)Matlab

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