(工藝技術(shù))納米加工平臺(tái)工藝申請(qǐng)表

1、納米加工平臺(tái)工藝申請(qǐng)表（2010 年 8 月版）批號(hào):申請(qǐng)人申請(qǐng)人電話申請(qǐng)人郵箱申請(qǐng)人簽字付費(fèi)人課題編號(hào)付費(fèi)人郵箱付費(fèi)人簽字申請(qǐng)日期所屬單位試驗(yàn)?zāi)康募罢f(shuō)明樣品材料樣品尺寸|樣品數(shù)量與編號(hào)序號(hào)工藝名稱工藝要求及說(shuō)明日期工藝記錄和檢測(cè)結(jié)果工藝員計(jì)價(jià)和確認(rèn)備注清洗樣品數(shù)量：2片；需清洗材料：氮化鋁，尺寸：4英寸；預(yù)去除污染物：清洗液：使用設(shè)備：八槽清洗機(jī)/超聲清洗機(jī)/手動(dòng)容器廢液處理方法：設(shè)備類型開(kāi)始時(shí)間完成時(shí)間廢液處理:檢測(cè)結(jié)果方式：本步工藝程序確認(rèn)：合格（簽字）：不合格 （簽字） ：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：勻膠KS-L150ST22+KW-4A加工數(shù)量：3片；襯底：材料：硅片，尺寸：4英

2、寸、6英寸； 光刻膠類型：AZ1500;厚度：1.20.4微米HDMS處理：需要；使用勻膠機(jī)類型：SSE國(guó)產(chǎn)小勻膠機(jī)、Track勻膠機(jī)類2開(kāi)始時(shí)間完成時(shí)間襯底尺寸勻膠次數(shù)型:本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：檢測(cè)結(jié)果：光刻MA6/BA6URE-2000/35加工數(shù)量：3片；襯底材料/尺寸/厚度：硅片/4英寸/525微米；光刻膠類型/厚度：AZ150O 1-1.6微米；光刻最小線寬：2微米；套刻要求：正反面對(duì)準(zhǔn)，對(duì)準(zhǔn)精度：土5微米；使用光刻機(jī)類型：Suss MA6/BA6,國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)光刻機(jī)類型： 開(kāi)始時(shí)間： 完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人

3、確認(rèn)：步進(jìn)式光刻機(jī)NSR1755i7B加工數(shù)量：3片；襯底材料/尺寸/厚度：硅片/4英寸/525微米；光刻膠類型/厚度：EPL 1-1.6微米；光刻最小線寬：2微米；套刻精度：土1微米；開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：電子束光刻JBX-5500ZA加工數(shù)量：1片；襯底材料/尺寸/厚度：硅片/4英寸/525微米；光刻膠類型/厚度：AZ150O 1-1.6微米；光刻最小線寬：30nm套刻要求：套刻誤差小于40nm；拼接要求：誤差小于40nm開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：顯影OP

4、TIspin ST22加工數(shù)量：3片；襯底：材料：硅片，尺寸：4英寸；顯影液類型：標(biāo)配TMAH使用顯影機(jī)類型：SSE,Track顯影機(jī)類型： 開(kāi)始時(shí)間： 完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)： 檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：干法去膠M4L加工數(shù)量：3片；批次：1批 材料：硅片，尺寸：4英寸或碎片； 需去除光刻膠類型：AZ1500需去除膠厚：50nm；去膠功率：300W開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：噴膠ST20i加工數(shù)量：3片；襯底材料：硅片，尺寸：4英寸；光刻膠類型：AZ4620;目標(biāo)膠厚：30微米圖形深寬比：1:2開(kāi)

5、始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：晶片鍵合CB6L加工數(shù)量：3對(duì)；材料：硅片和玻璃 尺寸：4英寸；鍵合類型：陽(yáng)極鍵合；是否需要套刻：是（套刻精度：5微米）鍵合對(duì)數(shù)：?jiǎn)未捂I合用時(shí)：開(kāi)始時(shí)間： 完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：磁控濺射LAB 18加工數(shù)量：3片；批次：1批 襯底材料：硅片，尺寸：2英寸濺射批數(shù)： 開(kāi)始時(shí)間：本步工藝計(jì)價(jià)：膜層材料/厚度：Ti/AI/Ti/Au, 50nm/200nm/50nm/100nm厚度均勻性要求：土5%襯底加熱溫度：200C工藝氣體：Ar或N2完成時(shí)間：本

6、工藝總用時(shí)：濺射各層材料/厚度：檢測(cè)結(jié)果：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：電子束蒸發(fā)ei-5zEBE-09加工數(shù)量：3片；批次：1批 襯底材料：硅片，尺寸：6英寸 膜層材料和厚度：Ti/Al/Ti/Au, 50nm/200nm/50nm/100nm厚度均勻性要求：土5%襯底溫度：200C蒸發(fā)臺(tái)類型：ei-5 z,EBE-09使用蒸發(fā)臺(tái)：蒸鍍批數(shù)：開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間：本工藝總用時(shí)： 蒸鍍各層材料/厚度：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：熱蒸發(fā)EVA-09-2加工數(shù)量：1片；批次：1批襯底材料：硅片，尺寸：2英寸膜層材料和厚度：AG/Au, 500nm/200nm厚度均勻性要

7、求：土5%襯底溫度：蒸鍍次數(shù)：開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)： 蒸鍍材料/厚度：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：PECVDOXFORD 100加工數(shù)量：3片；批次：3批 襯底材料：硅片，尺寸：6英寸 膜層材料和用途：SiO2、絕緣層厚度：1000nm折射率:1.46厚度均勻性要求：土5%襯底溫度：300C開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：光學(xué)薄膜蒸發(fā)OTFC-900加工數(shù)量：3片；批次：1批襯底材料：硅片，尺寸：4英寸膜層材料和厚度：SiO2/ITO, 50nm/200nm厚度均勻性要求：土2%襯底溫度：20

8、0C蒸鍍次數(shù)：開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)： 蒸鍍各層材料/厚度：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)氧化HDC8000A加工數(shù)量：20片；批次：1批襯底材料尺寸：6英寸氧化類型：干氧、濕氧、干濕氧厚度：1000nm厚度均勻性要求：土3%開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：快速退火RTP-500加工數(shù)量：3片；批次：1批 襯底材料/尺寸：GaN片/2英寸 退火溫度和時(shí)間：600C,15sec開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：管式退火爐L4508-07-1L4

9、508-07-2加工數(shù)量：3片；批次：1批 襯底材料/尺寸：GaN片/2英寸 退火溫度/時(shí)間：600C/120min退火氣氛：N2、壓縮空氣、氫氣開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：IBE刻蝕IBE-A-150加工數(shù)量：3片；批次：1批需刻蝕材料：硅片，尺寸：2英寸或碎片； 掩膜材料：光刻膠，Ti等刻蝕深度：2微米；粘片：需要開(kāi)始時(shí)間： 完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：RIETegal903e加工數(shù)量：3片；批次：3批需刻蝕材料：SiO2/SiNx，尺寸：6英寸或4英寸；掩膜材料：光刻膠刻

10、蝕尺寸：深度：2微米；線寬：2微米粘片：需要開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：III/V ICP刻蝕ICP 180加工數(shù)量：3片；批次：1批需刻蝕材料/尺寸：GaN片/2英寸或碎片；掩膜材料：SiO2刻蝕尺寸：深度：2微米；線寬：2微米 粘片：需要開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：深硅刻蝕STS MPX HRM加工數(shù)量：3片；批次：3批材料：Si片/SOI，尺寸：6英寸；掩膜材料：SiO2、光刻膠刻蝕尺寸：深度：10微米；線寬：2微米側(cè)壁陡直度/粗糙度：89+/-1度/ 100n

11、m開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：解理TitanOSM-80TP-YLoomis LSD100加工數(shù)量：3片；需解理材料/尺寸：藍(lán)寶石/2英寸管芯形狀：長(zhǎng)方形；管芯大?。?80X320um；切深要求：24微米；使用劃片機(jī)類型:Titan、OSM-80TP-Y LSD100劃片機(jī)類型： 開(kāi)始時(shí)間： 完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)： 解理刀數(shù)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：壓焊747677E壓焊點(diǎn)數(shù)：30點(diǎn)；焊盤(pán)：材料：金，尺寸：80X80微米； 焊線：材料：金，線徑：25微米； 壓焊工藝類型：球焊，楔焊；開(kāi)始時(shí)間：完

12、成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：裂片OBM-90TP加工數(shù)量：3片；需裂片材料/尺寸/片厚：GaN/2英寸/80微米；管芯形狀：長(zhǎng)方形；管芯尺寸：300X300微米；開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：倒裝焊FC150加工數(shù)量：3片；基底：材料：Si,尺寸：10X10毫米； 基底焊盤(pán)材料：金，尺寸：50X50微米； 芯片：材料：Si，尺寸：10X10毫米；芯片焊盤(pán)材料：金，尺寸：50X50微米；焊料：金錫 溫度/時(shí)間：200C/30min工藝氣體：甲酸、N2開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)

13、：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：焊接工藝類型：熱壓焊，回流焊；回流爐SRO702加工數(shù)量：3片；批次：1批基底：材料：Si，尺寸：10X10毫米；基底焊盤(pán)材料：金，尺寸：50X50微米；芯片：材料：Si，尺寸：10X10毫米；芯片焊盤(pán)材料：金，尺寸：50X50微米；焊料：金錫溫度/時(shí)間：200C/30min真空度：5mTorr開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：CMP減薄HRG-150加工數(shù)量：3片；批次：3批需減薄材料/尺寸/厚度：Si/4英寸/400微米 減薄后厚度：100微米；開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總

14、用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：CMP研 磨AL-380F加工數(shù)量：3片；批次：2批需研磨材料/尺寸/厚度：Si/4英寸/100微米 研磨后厚度：90微米；開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：CMF拋 光AP-380F加工數(shù)量：3片；批次：2批需拋光材料/尺寸/厚度：Si/4英寸/90微米 拋光后厚度：80微米；開(kāi)始時(shí)間： 完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：八槽清洗機(jī)HL-071004加工數(shù)量：3片；批次：1批需清洗材料/尺寸/厚度：Si/4英寸/525微米使用

15、清洗液：1號(hào)液、2號(hào)液、硫酸雙氧水開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：Lift-offWet SB 30加工數(shù)量：3片；批次：3批需剝離襯底材料/尺寸/厚度：Si/4寸/525微米光刻膠類型：AZ4620;圖形線寬/厚度：100nm/200nm開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：SEMJSM-6390加工數(shù)量：3片；材料：碳納米線，尺寸：50nm；是否噴金：是掃描模式：二次電子像/背散射開(kāi)始時(shí)間： 完成時(shí)間： 本工藝總用時(shí)： 噴金次數(shù)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：噴金儀JFC-1600加工數(shù)量：3片；批次：1批襯底材料：硅片，尺寸：10X10毫米；噴Pt厚度：10nm開(kāi)始時(shí)間：完成時(shí)間：噴金次數(shù)：檢測(cè)結(jié)果：本步工藝計(jì)價(jià)：工藝負(fù)責(zé)人確認(rèn)：工藝申請(qǐng)人確認(rèn)：分光光度計(jì)Lambd