電子技術(shù)基礎(chǔ)期末復(fù)習(xí)

1、章一、填空題：（每空分，共 25 分）1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子，少數(shù)載流子為 空穴，不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴，少數(shù)載流子為自由電子，不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶負(fù)電。2、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由基 區(qū)、 發(fā)射 區(qū)、引岀電極分別是 基 極、 發(fā)射 極和 集電 極。集電區(qū)及 發(fā)射 結(jié)和 集電 結(jié)組成的。三極管對(duì)外3、PN結(jié)正向偏置時(shí)，外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)的方向相反，有利于多數(shù)載流子的擴(kuò)散 運(yùn)動(dòng)而不利于 少子 的 漂移；PN結(jié)反向偏置時(shí)，外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)的

2、方向相同，有利于少子 的 漂移 運(yùn)動(dòng)而不利于 多子 的 擴(kuò)散，這種情況下的電流稱(chēng)為反向飽和 電流。4、PN結(jié)形成的過(guò)程中，P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子空穴 向N區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散，N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子 自由電子 向P區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散。擴(kuò)散的結(jié)果使它們的交界處建立起一個(gè)空間電荷區(qū)，其方向由N區(qū)指向P區(qū)?？臻g電荷區(qū) 的建立，對(duì)多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 起削弱作用，對(duì)少子的 漂移運(yùn)動(dòng) 起增強(qiáng)作用，當(dāng)這兩種運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí),PN結(jié)形成。5、檢測(cè)二極管極性時(shí)，需用萬(wàn)用表歐姆擋的RX 1K檔位，當(dāng)檢測(cè)時(shí)表針偏轉(zhuǎn)度較大時(shí)，則紅表棒接觸的電極是二極管的陰 極；黑表棒接觸的電極是二極管的陽(yáng) 極。檢測(cè)二極管好壞時(shí)，兩表棒位置調(diào)換

3、前后萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)都很大時(shí)，說(shuō)明二極管已經(jīng)被擊穿損；兩表棒位置調(diào)換前后萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)都很小時(shí)，說(shuō)明該二極管已經(jīng)絕緣老化不通。單極型晶體管又稱(chēng)為MOS管。其導(dǎo)電溝道分有 N溝道和 P溝道。穩(wěn)壓管是一種特殊物質(zhì)制造的面接觸型硅晶體二極管，正常工作應(yīng)在特性曲線(xiàn)的反向擊穿 區(qū)。MOS管在不使用時(shí)應(yīng)避免極懸空，務(wù)必將各電極短接。二、判斷正誤：（每小題1分，共10分）1、P型半導(dǎo)體中不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶負(fù)電，說(shuō)明P型半導(dǎo)體呈負(fù)電性。（錯(cuò)）2、自由電子載流子填補(bǔ)空穴的“復(fù)合”運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生空穴載流子。3、用萬(wàn)用表測(cè)試晶體管時(shí)，選擇歐姆檔RX10K檔位。（錯(cuò)）（錯(cuò)）4、PN結(jié)正向偏置時(shí)，其內(nèi)外電場(chǎng)方向一致。（錯(cuò)）5

4、、無(wú)論在任何情況下，三極管都具有電流放大能力。（錯(cuò)）6、雙極型晶體管是電流控件，單極型晶體管是電壓控件。（對(duì)）7、8、二極管只要工作在反向擊穿區(qū)，一定會(huì)被擊穿損壞。當(dāng)三極管的集電極電流大于它的最大允許電流IcM時(shí)，該管必被擊穿。（錯(cuò)）（錯(cuò)）9、雙極型三極管和單極型三極管的導(dǎo)電機(jī)理相同。（錯(cuò)）10、雙極型三極管的集電極和發(fā)射極類(lèi)型相同，因此可以互換使用。（錯(cuò)）三、選擇題：（每小題2分，共20分）1、單極型半導(dǎo)體器件是（C）。D、穩(wěn)壓管。A、二極管；B、雙極型三極管；C、場(chǎng)效應(yīng)管；2、P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中加入微量的（ A）元素構(gòu)成的。A、三價(jià);B、四價(jià)；C、五價(jià);D、六價(jià)。3、穩(wěn)壓二極管的正

5、常工作狀態(tài)是（C）。A、導(dǎo)通狀態(tài);B、截止?fàn)顟B(tài);C、反向擊穿狀態(tài);D、任意狀態(tài)。4、用萬(wàn)用表檢測(cè)某二極管時(shí)，發(fā)現(xiàn)其正、反電阻均約等于A、已經(jīng)擊穿；B、完好狀態(tài)；C、內(nèi)部老化不通;1KQ，說(shuō)明該二極管（C）oD、無(wú)法判斷。5、PN結(jié)兩端加正向電壓時(shí)，其正向電流是（A）而成。A、多子擴(kuò)散；B、少子擴(kuò)散；C、少子漂移;D、多子漂移。6、測(cè)得NPN型三極管上各電極對(duì)地電位分別為Ve=,Vb =，Vc=，說(shuō)明此三極管處在（A ）。7、9、A、放大區(qū)；B、飽和區(qū)；C、截止區(qū);絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電流（A、較大;D、反向擊穿區(qū)。C）。B、較?。籆、為零;D、無(wú)法判斷。正弦電流經(jīng)過(guò)二極管整流后的波形為（A、

6、矩形方波;B、等腰三角波;C）。C、正弦半波;D、仍為正弦波。三極管超過(guò)（C）所示極限參數(shù)時(shí)，必定被損壞。A、集電極最大允許電流IcM ;B、集一射極間反向擊穿電壓U （ BR） CEO ;C、集電極最大允許耗散功率PcM ;D、管子的電流放大倍數(shù)10、若使三極管具有電流放大能力,必須滿(mǎn)足的外部條件是（C）A、發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏;B、發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏;C、發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏;D、發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏。四、簡(jiǎn)述題：（每小題4分，共28分）1、N型半導(dǎo)體中的多子是帶負(fù)電的自由電子載流子，P型半導(dǎo)體中的多子是帶正電的空穴載流子,因此說(shuō)N型半導(dǎo)體帶負(fù)電， P型半導(dǎo)體帶正電。上述說(shuō)法對(duì)嗎

7、？為什么？答：這種說(shuō)法是錯(cuò)誤的。因?yàn)椋w在摻入雜質(zhì)后，只是共價(jià)鍵上多岀了電子或少了電子，從而獲 得了 N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體，但整塊晶體中既沒(méi)有失電子也沒(méi)有得電子，所以仍呈電中性。12V、管腳3V、管腳，試2、某人用測(cè)電位的方法測(cè)岀晶體管三個(gè)管腳的對(duì)地電位分別為管腳 判斷管子的類(lèi)型以及各管腳所屬電極。答：管腳和管腳電壓相差，顯然一個(gè)硅管，是基極，一個(gè)是發(fā)射極，而管腳比管腳和的電位都高，所以一定是一個(gè)NPN型硅管。再根據(jù)管子在放大時(shí)的原則可判斷岀管腳是發(fā)射極，管腳 是基極，管腳是集電極。3、圖6-23所示電路中，已知 E=5V，Ui 10sin t V，二極管為理想元件（即認(rèn)為正向?qū)〞r(shí)電阻R

8、=0，反向阻斷時(shí)電阻 R= X），試畫(huà)岀U0的波形。U0=Ui，當(dāng)答：分析：根據(jù)電路可知，當(dāng)UiE時(shí)，二極管導(dǎo)通Ui 1的放大器， 反相輸入 運(yùn)算電路可實(shí)現(xiàn) Au R 為（A ）。A、00B、01C、10D、113、4、A、同步和異步B、加計(jì)數(shù)和減計(jì)數(shù)C、二進(jìn)制和十進(jìn)制按計(jì)數(shù)器的進(jìn)位制或循環(huán)模數(shù)分類(lèi)，計(jì)數(shù)器可為（C）計(jì)數(shù)器。A、同步和異步B、加計(jì)數(shù)、減計(jì)數(shù)C、二進(jìn)制、十進(jìn)制或任意進(jìn)制按各觸發(fā)器的狀態(tài)轉(zhuǎn)換與時(shí)鐘輸入CP的關(guān)系分類(lèi)，計(jì)數(shù)器可為（ A ）計(jì)數(shù)器。存在空翻問(wèn)題的觸發(fā)器是（A、 D觸發(fā)器B、鐘控RS觸發(fā)器C、主從JK觸發(fā)器D、維持阻塞D觸發(fā)器四、簡(jiǎn)述題（共10 分）答：主要區(qū)別有兩點(diǎn)：時(shí)序邏輯電路的基本單元是觸發(fā)器，組合邏輯電路的基本單元是門(mén)電路；時(shí)序邏輯電路的輸出只與現(xiàn)時(shí)輸入有關(guān)，不具有記憶性，組合邏輯電路的輸出不僅和現(xiàn)時(shí)輸入有關(guān)，還和現(xiàn)時(shí)狀態(tài)有關(guān)，即具有記憶性。2、何謂“空翻”現(xiàn)象？抑制“空翻”可采取什么措施？（3 分）答：在