晶體管放大電路

1、電子技術(shù)基礎(chǔ)第十章第十章 晶體管放大電路晶體管放大電路講解者講解者:鄒歡鄒歡E-mail: 第第 10章章 晶體管放大電路晶體管放大電路10.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管10.3 半導(dǎo)體三極管半導(dǎo)體三極管10.4 基本放大電路及其分析方法基本放大電路及其分析方法10.5 共射極放大電路的靜態(tài)分析共射極放大電路的靜態(tài)分析10.6 共射極放大電路的動(dòng)態(tài)分析共射極放大電路的動(dòng)態(tài)分析10.7 靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的放大電路10.8 多級(jí)放大電路多級(jí)放大電路10.9 運(yùn)算放大器運(yùn)算放大器10.10 負(fù)反饋放大電路負(fù)反饋放大電路10.11 功率放大器功率放大器 10.1 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性

2、半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性退出退出第第 10.1 章章 半導(dǎo)體二極管和三極管半導(dǎo)體二極管和三極管10.1.1 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性 本征半導(dǎo)體就是完全純凈的、具本征半導(dǎo)體就是完全純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。 1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體 自由電子自由電子空穴空穴共價(jià)鍵共價(jià)鍵SiSiSiSi本征半導(dǎo)體中自由本征半導(dǎo)體中自由電子和空穴的形成電子和空穴的形成 用得最多的半導(dǎo)體是硅或鍺用得最多的半導(dǎo)體是硅或鍺,它它們都是四價(jià)元素。將硅或鍺材料提純們都是四價(jià)元素。將硅或鍺材料提純并形成單晶體后，便形成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。并形成單晶體后，便形成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。在獲得一定能量在獲得一定能量( (熱、

3、光等熱、光等) )后，少量后，少量?jī)r(jià)電子即可掙脫價(jià)電子即可掙脫共價(jià)鍵的束縛成為共價(jià)鍵的束縛成為自自由電子由電子，同時(shí)在共價(jià)鍵中就留下一個(gè)，同時(shí)在共價(jià)鍵中就留下一個(gè)空位，稱(chēng)為空位，稱(chēng)為空穴空穴。自由電子和空穴總。自由電子和空穴總是成對(duì)出現(xiàn)，同時(shí)又不斷復(fù)合。是成對(duì)出現(xiàn)，同時(shí)又不斷復(fù)合。在外電場(chǎng)的作用下，在外電場(chǎng)的作用下，自由電子逆著電場(chǎng)方向定自由電子逆著電場(chǎng)方向定向運(yùn)動(dòng)形成向運(yùn)動(dòng)形成電子電流電子電流。帶。帶正電的空穴吸引相鄰原子正電的空穴吸引相鄰原子中的價(jià)電子來(lái)填補(bǔ)，而在中的價(jià)電子來(lái)填補(bǔ)，而在該原子的共價(jià)鍵中產(chǎn)生另該原子的共價(jià)鍵中產(chǎn)生另一個(gè)空穴?？昭ū惶钛a(bǔ)和一個(gè)空穴?？昭ū惶钛a(bǔ)和相繼產(chǎn)生的現(xiàn)象，可

4、以看相繼產(chǎn)生的現(xiàn)象，可以看成空穴順著電場(chǎng)方向移動(dòng)，成空穴順著電場(chǎng)方向移動(dòng)，形成形成空穴電流空穴電流?？梢?jiàn)在半導(dǎo)體中有可見(jiàn)在半導(dǎo)體中有自由自由電子電子和和空穴空穴兩種載流子，它兩種載流子，它們都能參與導(dǎo)電。們都能參與導(dǎo)電?？昭ㄒ苿?dòng)方向空穴移動(dòng)方向 電子移動(dòng)方向電子移動(dòng)方向 SiSiSiSiSiSiSi2 N 型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體1）. N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體在硅或鍺的晶體中摻入五價(jià)元素磷，當(dāng)某一個(gè)硅原在硅或鍺的晶體中摻入五價(jià)元素磷，當(dāng)某一個(gè)硅原子被磷原子取代時(shí)，磷原子的五個(gè)價(jià)電子中只有四個(gè)用子被磷原子取代時(shí)，磷原子的五個(gè)價(jià)電子中只有四個(gè)用于組成共價(jià)鍵，多余的一個(gè)很容易掙脫磷原

5、子核的束縛于組成共價(jià)鍵，多余的一個(gè)很容易掙脫磷原子核的束縛而成為自由電子。因而自由電子的數(shù)量大大增加，是多而成為自由電子。因而自由電子的數(shù)量大大增加，是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子，將這種半導(dǎo)體稱(chēng)為數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子，將這種半導(dǎo)體稱(chēng)為 N 型型半導(dǎo)體。半導(dǎo)體。 SiSiSiSiSiSiSiP多余價(jià)電子多余價(jià)電子本征半導(dǎo)體中由于本征半導(dǎo)體中由于載流子數(shù)量極少，導(dǎo)電載流子數(shù)量極少，導(dǎo)電能力很低。如果在其中能力很低。如果在其中參入微量的雜質(zhì)參入微量的雜質(zhì)( (某種元某種元素素) )將使其導(dǎo)電能力大大將使其導(dǎo)電能力大大增強(qiáng)。增強(qiáng)。2）. P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 在硅或鍺的晶體中在硅或鍺的晶體中摻

6、入三價(jià)元素硼，在組摻入三價(jià)元素硼，在組成共價(jià)鍵時(shí)將因缺少一成共價(jià)鍵時(shí)將因缺少一個(gè)電子而產(chǎn)生一個(gè)空位，個(gè)電子而產(chǎn)生一個(gè)空位，相鄰硅原子的價(jià)電子很相鄰硅原子的價(jià)電子很容易填補(bǔ)這個(gè)空位，而容易填補(bǔ)這個(gè)空位，而在該原子中便產(chǎn)生一個(gè)在該原子中便產(chǎn)生一個(gè)空穴，使空穴的數(shù)量大空穴，使空穴的數(shù)量大大增加，成為多數(shù)載流大增加，成為多數(shù)載流子，電子是少數(shù)載流子，子，電子是少數(shù)載流子，將這種半導(dǎo)體稱(chēng)為將這種半導(dǎo)體稱(chēng)為 P 型型半導(dǎo)體。半導(dǎo)體。 SiSiSiSiSiSiSiB空位空位B空穴空穴價(jià)電子填補(bǔ)空位價(jià)電子填補(bǔ)空位3 PN 結(jié)及其單向?qū)щ娦越Y(jié)及其單向?qū)щ娦?）. PN 結(jié)的形成結(jié)的形成 用專(zhuān)門(mén)的制造工藝在同一塊

7、半導(dǎo)體單晶上，形成用專(zhuān)門(mén)的制造工藝在同一塊半導(dǎo)體單晶上，形成 P 型半型半導(dǎo)體區(qū)域和導(dǎo)體區(qū)域和 N 型半導(dǎo)體區(qū)域，在這兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成型半導(dǎo)體區(qū)域，在這兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成了一個(gè)特殊的薄層，稱(chēng)為了一個(gè)特殊的薄層，稱(chēng)為 PN 結(jié)。結(jié)。 P 區(qū)區(qū)N 區(qū)區(qū)N區(qū)的電子向區(qū)的電子向P區(qū)擴(kuò)散并與空穴復(fù)合區(qū)擴(kuò)散并與空穴復(fù)合PN 結(jié)結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向內(nèi)電場(chǎng)方向2）. PN 結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦? (1) ) 外加正向電壓外加正向電壓內(nèi)電場(chǎng)方向內(nèi)電場(chǎng)方向E外電場(chǎng)方向外電場(chǎng)方向RIP 區(qū)區(qū)N 區(qū)區(qū)外電場(chǎng)驅(qū)使外電場(chǎng)驅(qū)使P區(qū)的空穴進(jìn)入空間區(qū)的空穴進(jìn)入空間電荷區(qū)抵消一部分負(fù)空間電荷電荷區(qū)抵消一部分負(fù)空間電荷N

8、區(qū)電子進(jìn)入空間電荷區(qū)區(qū)電子進(jìn)入空間電荷區(qū)抵消一部分正空間電荷抵消一部分正空間電荷空間電荷區(qū)變窄空間電荷區(qū)變窄 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，形擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，形成較大的正向電流成較大的正向電流P 區(qū)區(qū)N 區(qū)區(qū)內(nèi)電場(chǎng)方向內(nèi)電場(chǎng)方向ER空間電荷區(qū)變寬空間電荷區(qū)變寬 外電場(chǎng)方向外電場(chǎng)方向IR2）. 外加反向電壓外加反向電壓外電場(chǎng)驅(qū)使空間電荷區(qū)兩側(cè)的空穴和自由電子移走外電場(chǎng)驅(qū)使空間電荷區(qū)兩側(cè)的空穴和自由電子移走少數(shù)載流子越過(guò)少數(shù)載流子越過(guò) PN 結(jié)結(jié)形成很小的反向電流形成很小的反向電流 多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)難于進(jìn)行多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)難于進(jìn)行返回返回10.2.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管1 基本結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu) 將將 PN

9、 結(jié)加上相應(yīng)的電極引線(xiàn)和管殼，就成為半導(dǎo)體二極結(jié)加上相應(yīng)的電極引線(xiàn)和管殼，就成為半導(dǎo)體二極管。按結(jié)構(gòu)分，有點(diǎn)接觸型和面接觸型兩類(lèi)。管。按結(jié)構(gòu)分，有點(diǎn)接觸型和面接觸型兩類(lèi)。點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型表示符號(hào)表示符號(hào)正極正極負(fù)極負(fù)極金銻合金金銻合金面接觸型面接觸型N型鍺型鍺 正極引線(xiàn)正極引線(xiàn)負(fù)極引線(xiàn)負(fù)極引線(xiàn) PN 結(jié)結(jié)底座底座鋁合金小球鋁合金小球引線(xiàn)引線(xiàn)觸絲觸絲N 型鍺型鍺外殼外殼2 伏安特性伏安特性 二極管和二極管和 PN 結(jié)一樣，具有單向?qū)щ娦裕煞蔡匦郧€(xiàn)結(jié)一樣，具有單向?qū)щ娦?，由伏安特性曲線(xiàn)可見(jiàn)，當(dāng)外加正向電壓很低時(shí)，電流很小，幾乎為零。正向電可見(jiàn)，當(dāng)外加正向電壓很低時(shí)，電流很小，幾乎為零。正向電

10、壓超過(guò)一定數(shù)值后，電流很快增大，將這一定數(shù)值的正向電壓壓超過(guò)一定數(shù)值后，電流很快增大，將這一定數(shù)值的正向電壓稱(chēng)為死區(qū)電壓。通常，硅管的死區(qū)電壓約為稱(chēng)為死區(qū)電壓。通常，硅管的死區(qū)電壓約為0.5V，鍺管約為，鍺管約為0.1V。導(dǎo)通時(shí)的正向壓降，硅管約為。導(dǎo)通時(shí)的正向壓降，硅管約為0.6 0.7V，鍺管約為，鍺管約為0.2 0.3V。604020 0.02 0.0400.4 0.82550I / mAU / V正向特性正向特性硅管的伏安特性硅管的伏安特性死區(qū)電壓死區(qū)電壓擊穿電壓擊穿電壓U(BR)反向特性反向特性I / mAU / V0.20.4 25 50510150.010.02鍺管的伏安特性鍺管

11、的伏安特性0 在二極管上加反向電壓時(shí)，反向電流很小。但當(dāng)反向電在二極管上加反向電壓時(shí)，反向電流很小。但當(dāng)反向電壓增大至某一數(shù)值時(shí)，反向電流將突然增大。這種現(xiàn)象稱(chēng)為壓增大至某一數(shù)值時(shí)，反向電流將突然增大。這種現(xiàn)象稱(chēng)為擊穿，二極管失去單向?qū)щ娦?。產(chǎn)生擊穿時(shí)的電壓稱(chēng)為反向擊穿，二極管失去單向?qū)щ娦浴．a(chǎn)生擊穿時(shí)的電壓稱(chēng)為反向擊穿電壓擊穿電壓 U(BR)。3 主要參數(shù)主要參數(shù) 1. 最大整流電流最大整流電流 IOM 最大整流電流是指二極管長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí)，允許流過(guò)二極管最大整流電流是指二極管長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。的最大正向平均電流。 2. 反向工作峰值電壓反向工作峰值電壓 URWM

12、 它是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是它是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是反向擊穿反向擊穿電壓的一半或三分之二。電壓的一半或三分之二。 3. 反向峰值電流反向峰值電流 IRM它是指二極管上加反向工作峰值電壓時(shí)的反向電流值。它是指二極管上加反向工作峰值電壓時(shí)的反向電流值。 例例 1 在圖中，輸入電位在圖中，輸入電位 VA = + 3 V， VB = 0 V， 電阻電阻 R 接負(fù)電源接負(fù)電源 12 V。求輸出端電位。求輸出端電位 VY。 解解 因?yàn)橐驗(yàn)?VA 高于高于VB ，所以，所以DA 優(yōu)先導(dǎo)通。如果二極管的正向優(yōu)先導(dǎo)通。如果二極管的正向壓降是壓降是 0.3 V，則

13、，則 VY = + 2.7 V。當(dāng)當(dāng) DA 導(dǎo)通后導(dǎo)通后, DB 因反偏而截止。因反偏而截止。 在這里，在這里，DA 起鉗位作用，起鉗位作用，將輸出端電位鉗制在將輸出端電位鉗制在 + 2.7 V。 二極管的應(yīng)用范圍很廣，主要都是利用它的單向?qū)щ娦?。二極管的應(yīng)用范圍很廣，主要都是利用它的單向?qū)щ娦?。它可用與整流、檢波、限幅、元件保護(hù)以及在數(shù)字電路中作為它可用與整流、檢波、限幅、元件保護(hù)以及在數(shù)字電路中作為開(kāi)關(guān)元件。開(kāi)關(guān)元件。 DA 12VYVAVBDBR返回返回 穩(wěn)壓管是一種特殊的面接穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管。其表示觸型半導(dǎo)體硅二極管。其表示符號(hào)如下圖所示。符號(hào)如下圖所示。 穩(wěn)壓

14、管穩(wěn)壓管工作于反向擊穿區(qū)。工作于反向擊穿區(qū)。從反向特性曲線(xiàn)上可以看出，從反向特性曲線(xiàn)上可以看出，反向電壓在一定范圍內(nèi)變化時(shí)，反向電壓在一定范圍內(nèi)變化時(shí)，反向電流很小。當(dāng)反向電壓增反向電流很小。當(dāng)反向電壓增高到擊穿電壓時(shí)，反向電流突高到擊穿電壓時(shí)，反向電流突然劇增，然劇增，穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管反向擊穿。此反向擊穿。此后，電流雖然在很大范圍內(nèi)變后，電流雖然在很大范圍內(nèi)變化，但化，但穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管兩端的電壓變化兩端的電壓變化很小。利用這一特性，很小。利用這一特性，穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管在電路中能起作用。在電路中能起作用。I/mAU/VOUZIZIZM+ 正向正向 +反向反向 UZ IZ 穩(wěn)壓管的主要參數(shù)有下面幾個(gè)：穩(wěn)壓

15、管的主要參數(shù)有下面幾個(gè)：1. 穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電壓 UZ 4. 穩(wěn)定電流穩(wěn)定電流 IZ 3. 動(dòng)態(tài)電阻動(dòng)態(tài)電阻 rZ2. 電壓溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù) U5. 最大允許耗散功率最大允許耗散功率 PZMZZZIUr 例例 1 圖中通過(guò)穩(wěn)壓管的電流圖中通過(guò)穩(wěn)壓管的電流 IZ 等于多少？等于多少？R 是限流電阻，是限流電阻，其值是否合適？其值是否合適？IZDZ+20R = 1.6 k UZ = 12V IZM = 18 mAIZ例例 1 的圖的圖IZ IZM ，電阻值合適。，電阻值合適。 解解 mA5A105A106 . 1122033Z I1 基本結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu)N 型硅型硅二氧化硅保護(hù)膜二氧化硅保護(hù)膜BEC

16、N 型硅型硅P 型硅型硅( (a) ) 平面型平面型N 型鍺型鍺ECB銦球銦球銦球銦球PP( (b) )合金型合金型返回返回1）. NPN 型三極管型三極管集電區(qū)集電區(qū)集電結(jié)集電結(jié)基區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)NN集電極集電極 C基極基極 B發(fā)射極發(fā)射極 EP 不論平面型或合金型，都分成不論平面型或合金型，都分成 NPN 或或PNP 三層，三層，因此又把晶體管分為因此又把晶體管分為 NPN 型和型和 PNP 型兩類(lèi)。型兩類(lèi)。ECB符號(hào)符號(hào)T集電區(qū)集電區(qū)集電結(jié)集電結(jié)基區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)N集電極集電極 C發(fā)射極發(fā)射極 E基極基極 BNPPN2）. PNP 型三極管型三極管CBET符號(hào)

17、符號(hào)2 電流分配和放大原理電流分配和放大原理 我們通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)說(shuō)明晶體管的放大原理和其中的電流分我們通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)說(shuō)明晶體管的放大原理和其中的電流分配，實(shí)驗(yàn)電路采用共發(fā)射極接法，發(fā)射極是基極電路和集電配，實(shí)驗(yàn)電路采用共發(fā)射極接法，發(fā)射極是基極電路和集電極電路的公共端。實(shí)驗(yàn)中用的是極電路的公共端。實(shí)驗(yàn)中用的是 NPN 型管，為了使晶體管具型管，為了使晶體管具有放大作用，電源有放大作用，電源 EB 和和 EC 的極性必須使的極性必須使發(fā)射結(jié)上加正向電發(fā)射結(jié)上加正向電壓壓( (正向偏置正向偏置) )，集電結(jié)加反向電壓，集電結(jié)加反向電壓( (反向偏置反向偏置) )。mA AVVmAICECIBIERB+UB

18、E +UCE EBCEB3DG100 設(shè)設(shè) EC = 6 V，改，改變可變電阻變可變電阻 RB，則，則基極電流基極電流 IB、集電極、集電極電流電流 IC 和發(fā)射極電流和發(fā)射極電流 IE 都發(fā)生變化，測(cè)量都發(fā)生變化，測(cè)量結(jié)果如下表：結(jié)果如下表：基極電路基極電路集電極電路集電極電路晶體管電流測(cè)量數(shù)據(jù)晶體管電流測(cè)量數(shù)據(jù)結(jié)論：結(jié)論：( (1) )BCEIII 符合基爾霍夫定律符合基爾霍夫定律( (2) ) IC 和和 IE 比比 IB 大得多。從第三列和第四列的數(shù)據(jù)可得大得多。從第三列和第四列的數(shù)據(jù)可得, 5 .3704. 050. 1BC II 3 .3806. 030. 2BC II 這就是晶體

19、管的電流放大作用。這就是晶體管的電流放大作用。 稱(chēng)為共發(fā)射極靜態(tài)稱(chēng)為共發(fā)射極靜態(tài)電流電流( (直流直流) )放大系數(shù)。電流放大作用還體現(xiàn)在放大系數(shù)。電流放大作用還體現(xiàn)在基極電流的基極電流的少量變化少量變化 IB 可以引起集電極電流較大的變化可以引起集電極電流較大的變化 IC 。 4002. 080. 004. 006. 050. 130. 2BC II 式中，式中， 稱(chēng)為稱(chēng)為動(dòng)態(tài)電流動(dòng)態(tài)電流( (交流交流) )放大系數(shù)放大系數(shù) ( (3) )當(dāng)當(dāng) IB = 0( (將基極開(kāi)路將基極開(kāi)路) )時(shí)，時(shí)，IC = ICEO，表中，表中 ICEO 0UBC VB VE對(duì)于對(duì)于 PNP 型三極管應(yīng)滿(mǎn)足型

20、三極管應(yīng)滿(mǎn)足: UEB 0UCB 0即即 VC VB 0，UBC UBE。BCII ICEC=UCCIBRB+ UBE +UCE EBCEB共發(fā)射極電路共發(fā)射極電路IC / mAUCE /V100 A80A60 A40 A20 AIB =0O 3 6 9 1243212.31.5放放 大大 區(qū)區(qū) 飽和區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)截止區(qū)( (2) ) 截止區(qū)截止區(qū) IB = 0 的曲線(xiàn)以下的的曲線(xiàn)以下的區(qū)域稱(chēng)為截止區(qū)。區(qū)域稱(chēng)為截止區(qū)。IB = 0 時(shí)時(shí), IC = ICEO( (很小很小) )。對(duì)。對(duì) NPN 型硅管，當(dāng)型硅管，當(dāng)UBE 0.5 V 時(shí)，即已開(kāi)始截止，但時(shí)，即已開(kāi)始截止，但為了使晶體管可靠截止

21、，為了使晶體管可靠截止，常使常使 UBE 0，截止時(shí)集，截止時(shí)集電結(jié)也處于反向偏置電結(jié)也處于反向偏置( (UBC 0) )，此時(shí)此時(shí), IC 0 ，UCE UCC 。( (3) ) 飽和區(qū)飽和區(qū) 當(dāng)當(dāng) UCE 0) )，晶體晶體管工作于飽和狀態(tài)。在飽和區(qū)，管工作于飽和狀態(tài)。在飽和區(qū)，IC 和和 IB 不成正比。此時(shí)，發(fā)不成正比。此時(shí)，發(fā)射結(jié)也處于正向偏置，射結(jié)也處于正向偏置，UCE 0 ， IC UCC/RC 。IC / mAUCE /V100 A80 A60 A40 A20 AIB = 0O 3 6 9 1243212.31.5放放 大大 區(qū)區(qū) 當(dāng)晶體管飽和時(shí)，當(dāng)晶體管飽和時(shí)， UCE 0，

22、發(fā)射極與集電極之間如同一，發(fā)射極與集電極之間如同一個(gè)開(kāi)關(guān)的接通，其間電阻很??；當(dāng)晶體管截止時(shí)，個(gè)開(kāi)關(guān)的接通，其間電阻很?。划?dāng)晶體管截止時(shí)，IC 0 ，發(fā)，發(fā)射極與集電極之間如同一個(gè)開(kāi)關(guān)的斷開(kāi)，其間電阻很大，可射極與集電極之間如同一個(gè)開(kāi)關(guān)的斷開(kāi)，其間電阻很大，可見(jiàn)，晶體管除了有放大作用外，還有開(kāi)關(guān)作用。見(jiàn)，晶體管除了有放大作用外，還有開(kāi)關(guān)作用。晶體管的三種工作狀態(tài)如下圖所示晶體管的三種工作狀態(tài)如下圖所示+ UBE 0 ICIB+UCE ( (a) )放大放大 UBC 0+IC 0 IB = 0+ UCE UCC ( (b) )截止截止 UBC 0 IB+ UCE 0 ( (c) )飽和飽和 UBC 0+CCCCRUI 晶體管結(jié)電壓的典型值晶體管結(jié)電壓的典型值4 主要參數(shù)主要參數(shù)1. 電流放大系數(shù)電流放大系數(shù) ， 當(dāng)晶體管接成共發(fā)射極電路時(shí)，在靜態(tài)當(dāng)晶體管接成共發(fā)射極電路時(shí)，在靜態(tài)( (無(wú)輸入信號(hào)無(wú)輸入信號(hào)) )時(shí)集時(shí)集電極電流與基極電流的比值稱(chēng)為電極電流與基極電流的比值稱(chēng)為靜態(tài)電流靜態(tài)電流( (直流直流) )放大放大系數(shù)系數(shù) BCII 當(dāng)晶體管工作在動(dòng)態(tài)當(dāng)晶體管工作在動(dòng)態(tài)( (有輸入信號(hào)有輸入信號(hào)) )時(shí)，基極電流的變化時(shí)，基極電流的變化量為量為 IB ，它引起集電極電流的變化量為，它引起集電極電流的