光電技術(shù)考試試卷

1、  1、當(dāng)物質(zhì)中的電子吸收足夠高的光子能量，電子將逸出物質(zhì)表面成為真空中的自由電子，這種現(xiàn)象稱為（B） P20     A、內(nèi)光電效應(yīng)     B、外光電效應(yīng)     C、光磁電效應(yīng)     D、光子牽引效應(yīng)  2、已知某種光電器件的本征吸收長波限為1.4um，則該材料的禁帶寬度為（A）      A、0.886eV   

2、60; B、1eV     C、2eV     D、1.3eV  3、電磁波譜中可見光的波長范圍為 (A)     A、0.380.78um     B、0.381um     C、13um     D、812um  判斷題(每題10分,共5題)4、光通量的單位是坎德拉 (×)  

3、0;  正確     不正確  5、黑體的發(fā)射率是一個小于1的常數(shù)。(×)     正確     不正確   6、當(dāng)熱輻射發(fā)射的總輻通量與黑體的總輻通量相等時，以黑體的溫度標(biāo)度該熱輻射體的溫度，這種溫度稱為色溫。（×） P11      正確     不正確   7、發(fā)生本征吸收的條件是光子能量必須大于半導(dǎo)體的禁帶寬度

4、。（A） P19     正確     不正確   8、被光激發(fā)所產(chǎn)生的載流子（自由電子或空穴）仍在物質(zhì)內(nèi)部運(yùn)動，使物質(zhì)的電導(dǎo)率發(fā)生變化或產(chǎn)生光生伏特的現(xiàn)象，稱為內(nèi)光電效應(yīng)。 （A）     正確     不正確 9、光敏電阻的主要作用是（D）      A、光電探測     B、紅外探測    

5、C、光電開關(guān)      D、光電探測與控制  10、以下選項(xiàng)中哪個不是光敏電阻的主要噪聲（D）      A、熱噪聲     B、產(chǎn)生復(fù)合噪聲     C、低頻噪聲     D、散粒噪聲 11、對于同一種型號的光敏電阻來講，在不同的光照度和不同環(huán)境溫度下，其光電導(dǎo)靈敏度與時間常數(shù)（），如果照度相同而溫度不同時，二者（B）     

6、; A、相同，不同     B、不同，不同     C、不同，相同     D、相同，相同12、本征光電導(dǎo)器件在越微弱的輻射作用下，時間響應(yīng)越（），靈敏度越（A）      A、長，高     B、長，低     C、短，高     D、短，低 13、光敏電阻是（）器件，屬于（D）   &

7、#160;  A、光電導(dǎo)器件，外光電效應(yīng)     B、光電發(fā)射器件，外光電效應(yīng)     C、光生伏特器件，內(nèi)光電效應(yīng)     D、光電導(dǎo)器件，內(nèi)光電效應(yīng)  判斷題(每題10分,共5題) 14、光敏電阻的前列效應(yīng)是由于被光照過后所產(chǎn)生的光生電子與空穴的復(fù)合需要很長的時間，而且，隨著復(fù)合的進(jìn)行，光生電子與空穴的濃度與復(fù)合幾率不斷減小，使得光敏電阻恢復(fù)被照前的阻值需要很長時間這一特性的描述。(B)    

8、0; 正確     不正確  15、光敏電阻的阻值與環(huán)境溫度有關(guān)，溫度升高光敏電阻的阻值也隨之升高。(B) （熱敏電阻也是溫度升高，阻值降低）     正確     不正確  16、光敏電阻的恒壓偏置電路比恒流偏置電路的電壓靈敏度要高一些。 (B)     正確     不正確   17、在測量某光電導(dǎo)器件的 值時，背景光照越強(qiáng)，其 值越小。(A) 

9、0;    正確     不正確   18、光電導(dǎo)器件在方波輻射的作用下，其上升時間大于下降時間。(B)      正確     不正確  19、用光電法測量某高速轉(zhuǎn)軸的轉(zhuǎn)速時，最好選用（D ）為光電接收器件。      A、PMT     B、CdS光敏電阻     C、2CR42硅光電池

10、0;    D、3DU型光電三極管  20、（A ）電路的特點(diǎn)是光生伏特器件在自偏置電路中具有輸出功率，且當(dāng)負(fù)載電阻為最佳負(fù)載時具有最大的輸出功率。      A、自偏置     B、恒流      C、零伏偏置     D、反向偏置  21、PN結(jié)型硅光電二極管的最高工作頻率小于等于（C ）？ P12      A、1GHz&

11、#160;    B、100MHz     C、10MHz     D、1MHz  22、（B ）的靈敏度最高。 P72     A、光電二極管     B、光敏電阻     C、光電三極管     D、硅光電池  23、硅光電池的主要作用是（ ）。    &

12、#160; A、光電探測     B、紅外探測     C、光電開關(guān)     D、光電探測與開關(guān)  判斷題(每題10分,共5題)  24、PIN型光電二極管不僅提高了PN結(jié)光電二極管的時間響應(yīng)，還能提高器件的光電靈敏度。 (B)     正確     不正確  25、硅光電池是一種需要加偏置電壓才能把光能轉(zhuǎn)換成電能的PN結(jié)光電器件。(B) P50&

13、#160;    正確     不正確   26、要產(chǎn)生光電效應(yīng)，光電二極管必須工作在0.7V以上。(×)      正確     不正確   27、以GaAs為材料制造出的光生伏特器件目前應(yīng)用最廣泛。（×）P52      正確     不正確   28、越遠(yuǎn)離PSD幾何中心位置的光點(diǎn)，

14、其位置檢測誤差越小。(×)P66      正確     不正確 29、光電倍增管的主要噪聲有（）      A、散粒噪聲，熱噪聲     B、散粒噪聲，產(chǎn)生復(fù)合噪聲     C、熱噪聲，產(chǎn)生復(fù)合噪聲     D、電流噪聲，熱噪聲 30、光電倍增管的短波限和長波限由什么因素決定？（）      A、

15、光電陰極材料、倍增級材料和窗口材料      B、光電陰極材料和倍增級材料     C、窗口材料和倍增級材料      D、光電陰極材料和窗口材料 31、某光電倍增管的陽極靈敏度為10A/lm，為什么還要限制它的陽極輸出電流在50100A？()      A、因?yàn)殛枠O電流過大會使測量數(shù)據(jù)不穩(wěn)定     B、陽極輸出電流在50100A時，電子流不能被陽極所吸收，達(dá)到飽和區(qū) 

16、60;   C、因?yàn)殛枠O電流過大會加速光電倍增管的疲勞與老化     D、引起光電倍增管的非線性32、光電倍增管按倍增級結(jié)構(gòu)可分為（）      A、端窗式和測窗式     B、聚焦型和非聚焦型     C、百葉窗型和盒柵式     D、瓦片靜電聚焦型和圓形屬籠式  33、下面說法正確的是：（）      A、光電倍增

17、管不應(yīng)在氦氣中使用，因?yàn)樗鼤铀俟怆姳对龉艿钠谂c老化     B、光電倍增管應(yīng)貯存在黑暗中，使用前最好先接通高壓電源，在黑暗中存放幾小時     C、光電倍增管的輸出信號采用運(yùn)算放大器做電流電壓變換，以保證高的轉(zhuǎn)換效率     D、在設(shè)計(jì)光電倍增管電路時，總是力圖使散粒噪聲遠(yuǎn)小于負(fù)載電阻的熱噪聲  判斷題(每題10分,共5題)  34、 為使陰極面各處的靈敏度均勻，受光均勻，常把光電倍增管的光電陰極做成球面。   

18、   正確     不正確   35、為得到最穩(wěn)定的相對光譜靈敏度函數(shù)，光電倍增管應(yīng)讓其自然老化數(shù)年。      正確     不正確  36、根據(jù)窗口材料的不同，將直接影響光電倍增管光譜響應(yīng)的長波限。      正確     不正確 37、光電倍增管的暗電流是指在施加規(guī)定電壓后測定的陽極電流。      正

19、確     不正確  38、陰極和第一倍增級之間，以及末級倍增級和陽極之間的級間電壓應(yīng)設(shè)計(jì)的與總電壓無關(guān)      正確     不正確 39、下面那個是當(dāng)原子在E1E2兩個能級之間產(chǎn)生躍遷時不會產(chǎn)生的過程？      A、自發(fā)吸收     B、自發(fā)輻射     C、受激輻射     D、受激吸收 

20、 40、下面哪個不是光電耦合器件的應(yīng)用：      A、電平轉(zhuǎn)換     B、光電檢測     C、邏輯門電路     D、隔離方面的應(yīng)用  41、下面哪個不是產(chǎn)生激光的必要條件？      A、需要泵浦源     B、要有大量的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)     C、要有一個諧振腔  

21、;   D、需要負(fù)載 42、下面屬于冷光源的是：      A、太陽     B、白熾燈     C、發(fā)光二極管     D、鹵鎢燈  43、下面哪一項(xiàng)可以作為光電耦合器件的發(fā)光件：      A、光電三極管     B、光電池     C、光敏電阻 

22、0;   D、半導(dǎo)體激光器  判斷題(每題10分,共5題) 44、由發(fā)光二極管和光電三極管構(gòu)成的光電耦合器件的電流傳輸比不可能大于1.      正確     不正確 45、光電耦合器件既具有耦合特性又具有隔離特性。      正確     不正確   46、光電耦合器件的發(fā)送端與接收端是電、磁絕緣的。      正確 

23、;    不正確  47、發(fā)光二極管的響應(yīng)時間取決于注入載流子非發(fā)光復(fù)合的壽命和發(fā)光能級上躍遷的幾率      正確     不正確  48、1.發(fā)光光譜與器件的幾何形狀和封裝方式有關(guān)。      正確     不正確  49、下列哪個不屬于比較常用的CCD的驅(qū)動方式（）      A、數(shù)字邏輯電路驅(qū)動     B、單片機(jī)驅(qū)動方式