無取向電工鋼晶粒長(zhǎng)大過程中織構(gòu)的發(fā)展_圖文

1、 維普資訊 年第 期 · 一 一 塒 一 ， 一 科 程 中 ， （ ） （ ） 個(gè) 取 向 晶 和 兩 棗 蔽求 曝 墨 霹霉 措 ， 一 粒 在強(qiáng) 度 方 拍 加 的 原 因 ， 方法 測(cè) 稿 柚 面增 筠 仆 伯 摹 用 量 這 些 取 向 晶 粒 相 關(guān) 取 向誤 差 分 布 ， 析 分 一 ，為 ， 一 一 ， （ ） 晶粒 所 （ ） 和 （ ） 用 晶界數(shù) 分 別 為 和 ， 。圖 給 出 試 樣 在 退 火 時(shí) ， 三 種取 向 晶粒 的取 這 向誤 差 角 分 布 ， （ ） 晶粒 具 有低 角 度 “ 。 囊 晶界 頻 率 最 高 （ 向誤 差 小 于 ， 一 方

2、 取 ）另 ， 舯 謝 瑚 枷 面 ， （ ） 晶粒 發(fā) 生 高 角 和 （ ） 度 晶界 頻率 高于 晶粒 ， （ ） 一般 來說 ， 高角 度晶界 遷移 率高于那 些低 角度 晶界 的遷 移率 ， 而且 高角 度 晶界 的 晶界能 也 高 于 低 角 度 晶界 的 晶界能 ， 另外 ， 等 人和 一 一 一 一 一 一 一 一 圖 試樣 在 退 火 時(shí)不同層 面 的 斷 圖 等人 假 定 在 鋼 中 ， 能 量 晶界 高 遷移 率高 于那 些 低 能量 晶界遷 移 率 ， 種 差 這 別 可能空 位機(jī) 理 解 釋 。眾所 周 知 ， 晶界 遷移 的發(fā)生是 原子 在 晶粒 和空 位 之 間進(jìn)

3、 行 交換 ， 高能量 晶界 比低能 量晶界 更有能力 吸收 和放 出空位 ， 這是 因 為空 位 數(shù) 與 晶界 結(jié)構(gòu) 的無 序 狀態(tài)密切 相關(guān) ， 由于高 晶界能 具 有較 強(qiáng) 的無 序結(jié)構(gòu) ， 因此 空 位數(shù) 和 位 錯(cuò)較 高 的 晶粒 導(dǎo) 致 了高遷 移率 ， 高角 度 、 晶界能 晶粒長(zhǎng)大 速率 高 較高 ， 與之相 反 ， 低 角度 、 晶界 能包 圍 的 被 低 晶粒 不 能 長(zhǎng) 大 ， 果 和 結(jié) （ ） （ ） 向晶粒 比 和 隨機(jī) 取 向 晶 取 （） 圖 樣 在 退 火溫 度 條件 下各 種 取 試 向 晶 粒 的 面 積 分 數(shù) 粒更 有可 能發(fā)生 變 化 。對(duì) 比圖 和

4、 圖 ， 可 以發(fā) 現(xiàn)在 樣 中 ， （ ） 試 和 （ ） 向具有 高角度 ， 晶界 能 的頻率 高 于 取 高 （ 取 向 誤 差 高 。 試 樣 中 高 斯 和 比 ） 晶 粒 。另 一 方 面 ， 樣 （ ） 在 試 中 ， （ ） 晶粒 具 有 低 角度 晶界 的頻 率 高 于 晶粒 ， 是 具有 高頻 率 低 角 （） 但 度 晶界 的 晶粒似 乎沒 有起 到抑 制 （ ） 晶粒長(zhǎng) 大 的作 用 ， 因?yàn)?晶 粒分 布 （） 均勻并且 沒 有象 圖 中高 斯 晶粒 形 成 晶 團(tuán) ， 用 測(cè) 量方法 可 證實(shí) 這個(gè) 事 實(shí) 。在 晶粒 圖 樣 在退 火溫度 條 件 下各 種 取 試

5、 向 晶 粒 的 平 均 晶 粒 直 徑 長(zhǎng)大初 期 ， 當(dāng)退火 溫度增 加時(shí) ， 兩個(gè) 最強(qiáng) 織構(gòu) 組分 和 在破 壞 隨機(jī) 取 （ ） （ ） 向晶粒 基礎(chǔ) 上 被增 強(qiáng) ， 些 取 向 晶粒 的 尺 寸 這 我們 需要 研究 樣在 晶粒 長(zhǎng) 大過 試 維普資訊 年第 期 超過 那 些 隨機(jī) 取 向晶 粒 的 尺 寸 ， 外 ， 另 （ ） 取 向 晶 粒 比那 些 和 （ ） （ ） 向晶粒更具 有利 于 晶界 特征 分布 ， 取 基 于 這兩 個(gè)原 因 ， 晶粒 長(zhǎng) 大 階段 ， （ ） 在 和 織構(gòu)組 分被 增強(qiáng) 。 （） 晶 團(tuán) 中（ 就是發(fā) 生低 角度 ， 晶界能頻 率 較 也

6、低 高） 的晶粒 不能連 續(xù)長(zhǎng) 大 ， 終被 別 的晶粒取 最 代 。因此 ， 們 可 以斷 言 ： 晶粒 長(zhǎng) 大 過 程 我 在 中 ， 使一個(gè) 織構(gòu) 組分 連續(xù)增 強(qiáng) ， 若 具有特 別取 向 的晶粒不 僅在尺 寸方 面超過 那些 其它 取 向 晶粒 ， 而且發(fā) 生高 角度 ， 晶界能頻 率高 。 高 結(jié) 論 在 試樣 的晶 粒長(zhǎng) 大 過程 中。 主要 術(shù) 織構(gòu)組 分 高 斯 和 組 分 較 差 ， （ ） 隨機(jī) 織構(gòu)較 強(qiáng) ， 斯 和 取 向 晶粒 尺 寸 高 （） 小于 那些 隨機(jī) 取 向 晶粒 尺 寸 ， 晶粒 長(zhǎng)大 開 從 鑊 卜 始 時(shí)期 ， 斯織構(gòu) 組分 強(qiáng)度連 續(xù)減 少 ，

7、高 因?yàn)楦?斯 晶粒含低 角度 ， 低遷 移率 晶界 的比例 較高 。 在 試 樣 中 ， 要 織 構(gòu) 組 分 主 取向偏差 角 。 （ ） 組 分 在 取 代 隨 機(jī) 取 向 晶 和 （ ） 粒后 變 強(qiáng) ， （ ） 取 向 晶 和 （ ） 粒尺 寸高 于 隨機(jī) 取 向晶 粒 尺 寸 ， 另外 ， （ ） 取 向 晶粒 發(fā)生 高 角度 ， 和 （ ） 高 晶界能 的頻率 高于那 些組 分逐漸 減少 的 （ ） 向晶粒 。 取 基 于試驗(yàn) 得 到結(jié) 果 ， 出無 取 向 電工 鋼 提 圖 試 樣 在 退 火 時(shí) （ ） 和 取 ， （ ） （ ） 向 晶 粒 的取 向 偏 差 角 分 布 關(guān)

8、系 正 如上述所 說 ， 晶粒 長(zhǎng)大 過 程 中關(guān) 于 在 織 構(gòu)變化 有兩 種不 同結(jié)果 ， 樣 中 ， 在 試 主要織 構(gòu) 組 分 ， 如高 斯 和 組 分 例 （ ） 強(qiáng) 度減少 ， 些 取 向 晶粒 平 均 尺 寸小 于 那 些 這 隨機(jī) 取 向晶 粒 尺 寸 。 與 之 相 反 ， 在 試 晶粒長(zhǎng) 大過程 中控 制織 構(gòu) 變 化 的一 般 規(guī) 律 ， 在 晶粒 長(zhǎng)大過 程 中， 果 具有 特 別 取 向 的 晶 如 粒不僅 尺寸 超過 那 些 其它 取 向晶 粒 ， 且 發(fā) 而 生高 角度 ， 晶界能 的頻 率高 ， 高 這個(gè)織 構(gòu)組 分 樣 中 ， 要 織 構(gòu) 組 分 ， 如 和 主 例 （ 組 分在 破壞 隨 機(jī)取 向組 分 基礎(chǔ) 上 （） 變強(qiáng) 。 和 取 向晶 粒尺 （ ） （ ） 寸大于 那些 隨機(jī) 取 向 晶粒 ， 是 它 不 能成 為 但 晶粒長(zhǎng) 大過 程 中織 構(gòu)增 強(qiáng) 的充 分 條件 ， 圖 從 可 以被 加強(qiáng) ，