CMOS倒相器版圖

1、柵極負(fù)責(zé)施加控制電壓柵極負(fù)責(zé)施加控制電壓源極、漏極負(fù)源極、漏極負(fù)責(zé)電流的流進(jìn)責(zé)電流的流進(jìn)流出流出導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道一、單個(gè)一、單個(gè)MOS管的版圖實(shí)現(xiàn)管的版圖實(shí)現(xiàn)有源區(qū)有源區(qū)柵柵導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道 有源區(qū)注入雜質(zhì)有源區(qū)注入雜質(zhì)形成晶體管，形成晶體管， 柵與有源區(qū)重疊柵與有源區(qū)重疊的區(qū)域確定器件的區(qū)域確定器件尺寸，尺寸，稱為稱為導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道1、圖形關(guān)系、圖形關(guān)系 只要源極、漏極以及導(dǎo)電溝道所覆蓋的只要源極、漏極以及導(dǎo)電溝道所覆蓋的區(qū)域稱為區(qū)域稱為有源區(qū)有源區(qū)。 芯片中有源區(qū)以外的區(qū)域定義為芯片中有源區(qū)以外的區(qū)域定義為場(chǎng)區(qū)。場(chǎng)區(qū)。版圖圖層名稱版圖圖層名稱含義含義NwellN阱阱Active有源擴(kuò)散區(qū)

2、有源擴(kuò)散區(qū)PselectP型注入掩膜型注入掩膜NselectN型注入掩膜型注入掩膜Poly多晶硅多晶硅cc引線孔引線孔Metal1第一層金屬第一層金屬M(fèi)etal2第二層金屬第二層金屬Via通孔通孔常用圖層常用圖層注意：注意：n不同軟件對(duì)圖層名稱定義不同；不同軟件對(duì)圖層名稱定義不同；n嚴(yán)格區(qū)分圖層作用。嚴(yán)格區(qū)分圖層作用。版圖圖層名稱版圖圖層名稱含義含義cc（或（或cont）引線孔（引線孔（連接金屬與多晶硅連接金屬與多晶硅或有源區(qū)或有源區(qū)）Via通孔（通孔（連接第一和第二層金連接第一和第二層金屬屬）MOS器件版圖圖層器件版圖圖層PMOSnN阱阱NWELLnP型注入掩模型注入掩模PSELECTn有源

3、擴(kuò)散區(qū)有源擴(kuò)散區(qū)ACTIVEn多晶硅柵多晶硅柵POLYn引線孔引線孔CCn金屬一金屬一METAL1n通孔一通孔一VIAn金屬二金屬二METAL2PMOS版圖結(jié)構(gòu)圖圖3.70 截面觀察截面觀察MOS器件版圖圖層器件版圖圖層NMOSnN型注入掩模型注入掩模NSELECTn有源擴(kuò)散區(qū)有源擴(kuò)散區(qū)ACTIVEn多晶硅柵多晶硅柵POLYn引線孔引線孔CCn金屬一金屬一METAL1n通孔一通孔一VIAn金屬二金屬二METAL2NMOS版圖結(jié)構(gòu)圖圖3.74 NMOS截面截面n版圖設(shè)計(jì)中不需要繪制基片襯版圖設(shè)計(jì)中不需要繪制基片襯底材料以及氧化層底材料以及氧化層2、阱與襯底連接、阱與襯底連接n通常將通常將PMOS

4、管的襯底接高電位（正壓）管的襯底接高電位（正壓）；NMOS管的襯底接低電位（負(fù)壓），管的襯底接低電位（負(fù)壓），以保以保證電路正常工作證電路正常工作n襯底材料導(dǎo)電性較差，為了保證接觸的效襯底材料導(dǎo)電性較差，為了保證接觸的效果，需要在接觸區(qū)域制作一個(gè)同有源區(qū)類果，需要在接觸區(qū)域制作一個(gè)同有源區(qū)類似的似的摻雜區(qū)域摻雜區(qū)域降低接觸電阻，形成接觸區(qū)。降低接觸電阻，形成接觸區(qū)。n襯底半導(dǎo)體材料要與電極接觸，同樣需要襯底半導(dǎo)體材料要與電極接觸，同樣需要引線孔（引線孔（CC）；二、CMOS倒相器的版圖VDDVVinoutt特點(diǎn)：特點(diǎn)：VinVin作為作為PMOSPMOS和和NMOSNMOS的共柵極；的共柵極；VoutVout作為共漏極；作為共漏極；V VDDDD作為作為PMOSPMOS的源極和體端；的源極和體端；GNDGND作為作為NMOSNMOS的源極的源極和體端和體端VVinout反相器的邏輯符號(hào)反相器的邏輯符號(hào)n若輸入為若輸入為“0”(Vin = 0V)：VGSN = 0V， VGSP=VDDNMOS截止，截止，PMOS導(dǎo)通導(dǎo)通輸出輸出“1”