Intersil推出采用小尺寸QFN封裝集成了PWM、驅(qū)動(dòng)器、MOSFET和電感器的高集成度功率模……

1、Intersil推出采用小尺寸QFN封裝，集成了PWM、驅(qū)動(dòng)器、MOSFET和電感器的高集成度功率模塊Intersil公司 時(shí)間:2008年11月21日 字 體: 大 中 小關(guān)鍵詞:? ?ISL8201M是高效率、低噪聲、高集成度的DC/DC電源解決方案，在熱增強(qiáng)的QFN封裝內(nèi)集成了PWM控制器、MOSFET驅(qū)動(dòng)器、功率MOSFET、電感器，以及優(yōu)化的補(bǔ)償電路。?ISL8201M使電源的設(shè)計(jì)過(guò)程大為簡(jiǎn)化，只需輸入和輸出電容器，以及一個(gè)電阻器，即可實(shí)現(xiàn)一個(gè)完整的電源方案。在電信、數(shù)據(jù)通信、電子數(shù)據(jù)處理、無(wú)線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、醫(yī)療儀器，以及基于負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用的分布式總線架構(gòu)等應(yīng)用中，ISL8201M小巧的尺寸

2、可大大節(jié)省電路板面積，同時(shí)高集成度又降低了采購(gòu)和倉(cāng)儲(chǔ)成本。另外，板上的輸入濾波器支持超低噪聲的操作，從而減少EMI。?ISL8201M的QFN封裝能夠?qū)崃客ㄟ^(guò)PCB板順暢地傳遞出去，從而實(shí)現(xiàn)了高達(dá)93%的轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)異的熱性能。在封裝底部的大面積覆銅使ISL8201M的功率密度達(dá)到了近200W/in3，幾乎是目前開(kāi)放式模塊的4倍，因此也不需要使用散熱片。其他特性包括：內(nèi)部軟啟動(dòng)、自動(dòng)恢復(fù)的過(guò)電流保護(hù)、可選的ENABLE引腳，以及預(yù)偏置的輸出啟動(dòng)能力。?定價(jià)及供貨情況?高集成度、高性能的ISL8201M采用小尺寸15mm x 15mm x 3.5mm QFN封裝。ISL8201M將很快提供采用15引線QFN封裝的樣片。?Intersil 公司是一家全球公認(rèn)的電源管理解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商，提供可簡(jiǎn)化各種電源設(shè)計(jì)的豐富的產(chǎn)品組合。Intersil公司的電源管理IC系列涉及的范圍極廣，從諸如電荷泵等構(gòu)建模塊到高度集成、多輸出和多相位PWM產(chǎn)品，以及四路電壓熱交換控制器。作為超過(guò)20億片出貨量的PWM 控制器 IC 領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)廠商，Intersil公司可滿足包括計(jì)算、通信、外設(shè)、顯示、網(wǎng)絡(luò)、電信、工業(yè)、儀器儀表和電池供電產(chǎn)品在內(nèi)的多種應(yīng)用的電源管理需求。?欲了解更多信息，請(qǐng)登錄Intersil電源管理網(wǎng)站。?關(guān)