電氣性能報(bào)告模板tes10t102測(cè)試報(bào)告

1、項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B目錄目錄21.2.測(cè)試匯總表3測(cè)試環(huán)境和條件32.1 測(cè)性質(zhì)32.22.32.4試樣（DUT）3儀器和輔助設(shè)備3測(cè)試、時(shí)間和地點(diǎn)33.4.測(cè)試依據(jù)和參考標(biāo)準(zhǔn)4測(cè)試模型及配置44.1 DUT 配置44.2 實(shí)驗(yàn)儀器設(shè)備配置4時(shí)鐘測(cè)試55.1 測(cè)試結(jié)果55.2 測(cè)試步驟55.5.3 檢測(cè)點(diǎn)和判據(jù)65.4 測(cè)試.66.CPU 端電平測(cè)試96.1 測(cè)試結(jié)果96.2 測(cè)試步驟106.36.4檢測(cè)點(diǎn)和測(cè)試判據(jù)11. 117.DDR SDRAM 端電平測(cè)試197.1 測(cè)試結(jié)果197.2 測(cè)試步驟197.3 檢測(cè)點(diǎn)和7.4 測(cè)試判據(jù)20.208.DDR S

2、DRAM 讀操作時(shí)序測(cè)試328.1 測(cè)試結(jié)果328.2 測(cè)試步驟338.3 檢測(cè)點(diǎn)和8.4 測(cè)試判據(jù)33.339.DDR SDRAM 寫操作時(shí)序測(cè)試379.1 測(cè)試結(jié)果379.2 測(cè)試步驟379.3 檢測(cè)點(diǎn)和9.4 測(cè)試測(cè)試判據(jù)38.38. 4910.11.測(cè)試發(fā)現(xiàn)的問題和分析49第 2 頁(yè) 共 49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B1. 測(cè)試匯總表2. 測(cè)試環(huán)境和條件2.1 測(cè)性質(zhì)如：樣機(jī)例試、bug回歸等2.2試樣（DUT）2.3儀器和輔助設(shè)備2.4測(cè)試、時(shí)間和地點(diǎn)第 3 頁(yè) 共 49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝測(cè)

3、試項(xiàng)執(zhí)行人開始時(shí)間結(jié)束時(shí)間環(huán)境溫度環(huán)境濕度測(cè)試地點(diǎn)時(shí)鐘測(cè)試Cpu 端電平測(cè)試DDR SDRAM 端電平測(cè)試DDR SDRAM 讀時(shí)序測(cè)試DDR SDRAM 寫時(shí)序測(cè)試設(shè)備名稱設(shè)備型號(hào)規(guī)格說(shuō)明數(shù)量示波器SDA62001 臺(tái)探頭HFP25003 把萬(wàn)用表FLUKE 15B1 個(gè)型號(hào)硬件版本軟件版本（boot、CTL、Main）測(cè)試程序版本生產(chǎn)序列號(hào)測(cè)試項(xiàng)目結(jié)果（Pass/Fail）測(cè)試審核時(shí)鐘測(cè)試Cpu 端電平測(cè)試DDR SDRAM 端電平測(cè)試DDR SDRAM 讀時(shí)序測(cè)試DDR SDRAM 寫時(shí)序測(cè)試項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B3. 測(cè)試依據(jù)和參考標(biāo)準(zhǔn)4. 測(cè)試模型及配

4、置4.1 DUT 配置硬件配置為：M7606-CM IIIV1.0樣機(jī)軟件配置為：Boot：10.2.45514Ctrl: RGNOS 10.3.00(3),Main：無(wú)Hardware_test：31117Release(50932)4.2實(shí)驗(yàn)儀器設(shè)備配置第 4 頁(yè) 共 49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝測(cè)試項(xiàng)目示波器測(cè)試模板萬(wàn)用表時(shí)鐘測(cè)試CPU 端時(shí)鐘測(cè)試DDR SDRAM 端時(shí)鐘測(cè)試：電阻檔-在試樣上電之前測(cè)試示波器地和試樣地之間的電阻值； AC 電壓檔-在試樣上電之后測(cè)試示波器地和試樣地之間的AC 電壓值。Cpu 端電平測(cè)試電阻檔-在試樣上電之前測(cè)試示波器地和試樣地之間的電

5、阻值； AC 電壓檔-在試樣上電之后測(cè)試示波器地和試樣地之間的AC 電壓值。DDR SDRAM 端電平測(cè)試電阻檔-在試樣上電之前測(cè)試示波器地和試樣地之間的電阻值； AC 電壓檔-在試樣上電之后測(cè)試示波器地和試樣地之間的AC 電壓值。DDR SDRAM 讀時(shí)序測(cè)試電阻檔-在試樣上電之前測(cè)試示波器地和試樣地之間的電阻值； AC 電壓檔-在試樣上電之后測(cè)試項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B5. 時(shí)鐘測(cè)試5.1 測(cè)試結(jié)果5.2 測(cè)試步驟1) 按照測(cè)試準(zhǔn)備.doc文檔進(jìn)試前的準(zhǔn)備：測(cè)試準(zhǔn)備.doc2）將 HFP2500 探頭SDA6000 的第一通道；3） 打開 SDA6000 示波

6、器，并調(diào)用測(cè)試模板：Cpu_clock_6000.lss；4） 點(diǎn)擊示波器的 clear 按鈕將示波器清屏；5） 進(jìn)行 CPU 的輸入時(shí)鐘測(cè)試，并保存時(shí)鐘波形； 6）調(diào)用測(cè)試模板：ddr_sdram_clock_6000.lss； 7）點(diǎn)擊示波器的 clear 按鈕將示波器清屏；8）進(jìn)行 DDR SDRAM 的輸入時(shí)鐘測(cè)試，并保存時(shí)鐘波形；9）拍攝 1 張?bào)w現(xiàn)如下信息：(命名為：（被測(cè)信號(hào)名）.jpg；如 CLKIN.jpg) 時(shí)鐘信號(hào)對(duì)應(yīng)探頭的點(diǎn)觸位置靠近 CPU 端； 大致體現(xiàn)出示波器上的顯示波形; 測(cè)試完成！第 5 頁(yè) 共 49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝測(cè)試項(xiàng)目規(guī)格結(jié)果P

7、ass / Fail時(shí)鐘測(cè)試外部輸入時(shí)鐘需要滿足 CPU_CLKIN 時(shí)鐘指標(biāo)要求外部輸入時(shí)鐘需要滿足 Sdram 的 clk 時(shí)鐘指標(biāo)要求變更說(shuō)明變更無(wú)無(wú)結(jié)論和說(shuō)明： 無(wú)示波器地和試樣地之間的AC 電壓值。DDR SDRAM 寫時(shí)序測(cè)試電阻檔-在試樣上電之前測(cè)試示波器地和試樣地之間的電阻值； AC 電壓檔-在試樣上電之后測(cè)試示波器地和試樣地之間的AC 電壓值。項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B5.3 檢測(cè)點(diǎn)和判據(jù)5.4 測(cè)試5.4.1 測(cè)試指標(biāo)指標(biāo)可直接參見測(cè)試表ØCK/CK#_信號(hào)測(cè)試（時(shí)鐘測(cè)試）【以 NBR2500_HY5DU161622 為例】表（8.1.

8、1）Miron_Ddr_Sdram_時(shí)鐘最大值要求（MT46V16M16）表（8.1.1）hynix_ HY5DU161622_時(shí)鐘指標(biāo)要求第 6 頁(yè) 共 49福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以頁(yè)拷貝-上圖說(shuō)明：時(shí)鐘的電平最值指標(biāo)備注：Hynix 的 DDR_Sdram中對(duì)時(shí)鐘的電平最大最小值沒有要求，因此參考 MicronDDR_Sdram中的時(shí)鐘要求。檢驗(yàn)點(diǎn)判據(jù)是否（Y/N）備注防靜電是否已經(jīng)帶上靜電環(huán)？接地試樣地和示波器地是否接觸充分？電平測(cè)試指標(biāo)當(dāng)前被測(cè) CPU，電平指標(biāo)是否已經(jīng)更新？項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B由 表（8.1.1）Miron_Ddr_Sdra

9、m_時(shí)鐘最大值要求和表（8.1.1）hynix_ddr_sdram_時(shí)鐘指標(biāo)要求得出如下時(shí)鐘指標(biāo)：表（8.1.1）CK/CK#_時(shí)鐘指標(biāo)提?。ㄌ筋^測(cè)試）表（8.1.1）測(cè)試說(shuō)明第 7 頁(yè) 共 49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝被測(cè)信號(hào)：CK/CK#時(shí)鐘交叉點(diǎn)電平(V)電平最大值(V)電平最小值(V)時(shí)鐘周期（ns）上升時(shí)間下降時(shí)間測(cè)試函數(shù)CrossMaxMinPeriodleve lRise#levelfalllevel測(cè)試函數(shù)設(shè)置/設(shè)置電平高電平設(shè)置為：1.56V 低電平設(shè)置為：0.94V注意：測(cè)試之前要進(jìn)行探頭校準(zhǔn)，并保存探頭校準(zhǔn)波形。被測(cè)信號(hào)時(shí)鐘交叉點(diǎn)電平(V)電平最大值(V

10、)電平最小值(V)時(shí)鐘周期（ns）上升時(shí)間（ns）下降時(shí)間（ns）CK/CK#1.05,1.452.8-0.36,12按照上升下降時(shí)間用于選擇建立保持時(shí)間-上圖說(shuō)明：上升下降時(shí)間需要測(cè)試。-上圖說(shuō)明：時(shí)鐘周期指標(biāo)-上圖說(shuō)明：時(shí)鐘交叉點(diǎn)電平指標(biāo)項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：BØ8.1.2 CK/CK#_信號(hào)測(cè)試（差分探頭測(cè)試）【以 HY5DU161622 為例】表（8.1.2）HY5DU161622 時(shí)鐘指標(biāo)由表（8.1.2）HY5DU161622 時(shí)鐘指標(biāo)，得到時(shí)鐘的信號(hào)指標(biāo)如下：表（8.1.2）CK/CK#_時(shí)鐘指標(biāo)提取（差分探頭測(cè)試）表（8.1.2）測(cè)試說(shuō)明

11、5.4.2 測(cè)試表格1.CK/CK#_信號(hào)測(cè)試（時(shí)鐘測(cè)試）第 8 頁(yè) 共49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝被測(cè)信號(hào): CK/CK#時(shí)鐘交叉點(diǎn)電平(V)電平最大值(V)電平最小值(V)時(shí)鐘周期（ns）上升時(shí)間（ns）下降時(shí)間（ns）測(cè)試指標(biāo)1.05,1.452.8-0.36,12按照上升下降時(shí)間用于選擇建立保持時(shí)間CK0/CK0#實(shí)測(cè)值Pass/fail/CK1/CK1#實(shí)測(cè)值被測(cè)信號(hào)： CK/CK#高電間低電間電平最大值電平最小值Jitter測(cè)試函數(shù)widthlevelwidthlevelMaxMinJitterlevel測(cè)試函數(shù)設(shè)置電平設(shè)置為 0V，邊沿為 pos電平設(shè)置為 0V

12、，邊沿為 neg/被測(cè)信號(hào)： CK/CK#高電間低電間電平最大值電平最小值Jitter測(cè)試指標(biāo)0.45,0.5 5TCK0.45,0.5 5TCK3.1V0.7VDDR_SDRAM 的 jitter 指標(biāo)在JEDEC 指南和 DDR_SDRAM 顆粒的上沒有說(shuō)明。經(jīng)過sumsang 的技術(shù)工程師確認(rèn)： jitter 一般需要小于 TCK 的 5%！-上圖說(shuō)明：時(shí)鐘高低電間-上圖說(shuō)明：差分探頭測(cè)得時(shí)鐘的電平最值項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B2CK/CK#_信號(hào)測(cè)試（差分探頭測(cè)試）5.4.3波形6. CPU 端電平測(cè)試6.1 測(cè)試結(jié)果第 9 頁(yè) 共 49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)

13、本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝測(cè)試項(xiàng)目規(guī)格結(jié)果Pass / FailCPU 端信號(hào)電平測(cè)試DDR SDRAM 發(fā)出信號(hào)的 DC 電平需要滿足CPU 的輸入指標(biāo)要求備注：每個(gè)信號(hào)需要保存 1 幅波形波形被測(cè)信號(hào)：高電間低電間電平最大值電平最小值Jitter測(cè)試指標(biāo)0.45,0.5 5TCK0.45,0.5 5TCK3.1V0.7VDDR_SDRAM 的 jitter 指標(biāo)在JEDEC 指南和 DDR_SDRAM 顆粒的上沒有說(shuō)明。經(jīng)過sumsang 的技術(shù)工程師確認(rèn)： jitter 一般需要小于 TCK 的 5%！CK0/CK0#實(shí)測(cè)值Pass/failCK1/CK1#實(shí)測(cè)值Pass/failCK2/C

14、K2#實(shí)測(cè)值Pass/failPass/failCK2/CK2#實(shí)測(cè)值Pass/fail項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B6.2 測(cè)試步驟1) 按照測(cè)試準(zhǔn)備.doc文檔進(jìn)試前的準(zhǔn)備：測(cè)試準(zhǔn)備.doc2）將 PP007SDA6050 的通道 1；3） 打開 SDA6050 示波器，并調(diào)用測(cè)試模板：Cpu_dianping_6050.lss；4） 安裝測(cè)試程序，并進(jìn)入測(cè)試程序界面；5） 按照預(yù)先選擇的測(cè)試點(diǎn)，進(jìn)行信號(hào)測(cè)試；6）在測(cè)試程序下，用 ddr_sdram_rd 0x3000000 0x3F00000 0xAAAAAAAA 0x55555555 10000發(fā)起對(duì) DDR

15、SDRAM 的讀操作，并確認(rèn)讀操作7） 點(diǎn)擊示波器的 clear 按鈕將示波器清屏；8） DC 電平測(cè)試：；由于測(cè)試程序發(fā)出的 DDR SDRAM 讀操作中沒有參雜寫操作，因此可以用 Top 和Base 函數(shù)來(lái)統(tǒng)計(jì) DC 電平值；9） 保存 DC 電平測(cè)試波形；10） 點(diǎn)擊示波器的 clear 按鈕將示波器清屏；11） 上沖測(cè)試：由于測(cè)試程序發(fā)出的 DDR sdram 讀操作中沒有參雜寫操作，因此可以用 max函數(shù)來(lái)統(tǒng)計(jì)出上沖的最大值；用數(shù)據(jù)信號(hào)作為觸發(fā)，得到上沖盡量嚴(yán)重的信號(hào)，用游標(biāo)卡出數(shù)據(jù)信號(hào)在2.625V 處的時(shí)間寬度，保存波形；如果過沖沒有超過 2.625V，那么將光標(biāo)放在 2.625

16、V處，保存波形；12） 點(diǎn)擊示波器的 clear 按鈕將示波器清屏；13） 下沖測(cè)試：由于測(cè)試程序發(fā)出的 DDR SDRAM 讀操作中沒有參雜寫操作，因此可以用 min函數(shù)來(lái)統(tǒng)計(jì)出下沖的最小值；用數(shù)據(jù)信號(hào)作為觸發(fā)，得到下沖盡量嚴(yán)重的信號(hào)，用游標(biāo)卡出數(shù)據(jù)信號(hào)在-0.3V 處的時(shí)間寬度，保存波形；如果下沖沒有低于-0.3V，那么將光標(biāo)放在-0.3V 處，保存波形；14） 按照步驟7）到 13）完成所有信號(hào)測(cè)試；15）拍攝 1 張?bào)w現(xiàn)如下信息：(命名為：（被測(cè)信號(hào)名）.jpg；如 DQ1.jpg) 數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)探頭的點(diǎn)觸位置靠近 CPU 端； 大致體現(xiàn)出示波器上的顯示波形;第 10 頁(yè) 共 49 頁(yè)

17、福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝DDR SDRAM 發(fā)出信號(hào)的上下沖需要滿足CPU 的輸入指標(biāo)要求變更說(shuō)明變更無(wú)無(wú)結(jié)論和說(shuō)明： 無(wú)項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B測(cè)試完成！6.3 檢測(cè)點(diǎn)和判據(jù)6.4 測(cè)試6.4.1 測(cè)試指標(biāo)指標(biāo)可以直接參見測(cè)試表【以 MPC8541（core：300mhz）為例】數(shù)據(jù)線和 DQS 信號(hào)按照 1：1 的比例進(jìn)Cpu_DC 電平指標(biāo)試。Ø圖（8.2.2）MPC8541_CPU_DC 指標(biāo)表（8.2.1）MPC8541_CPU_DDR_DC 指標(biāo)提取ØCpu_上沖/下沖指標(biāo)圖（8.2.2）MPC8541_CPU 上沖和

18、下沖指標(biāo)第 11 頁(yè) 共 49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝參數(shù)Symbol指標(biāo)(V)備注High-level input voltageVih1.43，2.8Low-level input voltageVil-0.3,1.07檢驗(yàn)點(diǎn)判據(jù)是否（Y/N）備注防靜電是否已經(jīng)帶上靜電環(huán)？接地試樣地和示波器地是否接觸充分？數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試點(diǎn)測(cè)試點(diǎn)是否靠近 CPU 端？抓取的波形抓取的波形是否是對(duì) DDR sdram讀操作的波形？信號(hào)質(zhì)量差的信號(hào)（過沖大，有臺(tái)階）信號(hào)質(zhì)量差的信號(hào)是否已經(jīng)加入到 DDR sdram 讀操作的時(shí)序測(cè)試中？電平測(cè)試指標(biāo)當(dāng)前被測(cè) CPU，電平指標(biāo)是否已經(jīng)更新？項(xiàng)目名稱

19、 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B按照?qǐng)D（8.2.2）MPC8541_CPU 上沖和下沖指標(biāo)進(jìn)行指標(biāo)提取，得到：表（8.2.2）MPC8541_CPU 上沖和下沖指標(biāo)提取表（8.2.2）測(cè)試說(shuō)明6.4.2 測(cè)試表格【以 MPC8541（core：300mhz）為例】數(shù)據(jù)線和 DQS 信號(hào)按照 1：1 的比例進(jìn)試。1CPU_DC 電平測(cè)試表（6.4.2.1）DC 測(cè)試_表格第 12 頁(yè)共 49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試點(diǎn)Vih 指標(biāo)(V)Vil 指標(biāo) Vih 測(cè)試值Vil 測(cè)試值PASS/FAIL測(cè)試說(shuō)明當(dāng) CE#信號(hào)和 WE#信號(hào)為高電平，此時(shí)的數(shù)據(jù)線為

20、 CPU 的輸入信號(hào)，測(cè)試此時(shí)的數(shù)據(jù)線電平。指南要求測(cè)試軟件能嚴(yán)格區(qū)分 Ddr_Sdram 讀寫操作（即：測(cè)試軟件發(fā)起寫操作中不參雜讀操作， 測(cè)試軟件發(fā)起讀操作中不參雜寫操作），此項(xiàng)測(cè)試就不需要使用 CE#和 WE#作為參考信號(hào)，直接點(diǎn)測(cè)數(shù)據(jù)和 DQS 信號(hào)。測(cè)試方法用 TOP 和 BASE 統(tǒng)計(jì)出信號(hào)的 DC 值；用 max 和 min 統(tǒng)計(jì)出信號(hào)的最大最小值；如果上沖超過 2.625V，則卡出 2.625V 處的電平寬度（或調(diào)用 widelevel 函數(shù)測(cè)量），上沖沒 有超過 2.625V，則將光標(biāo)放在 2.625V 處；如果下沖小于-0.3V，則卡出-0.3V 處的電平寬度（或調(diào)用wid

21、elevel 函數(shù)測(cè)量），如果下沖大于-0.3V，則將光標(biāo)放在-0.3V 處；參數(shù)指標(biāo)備注CPU 輸入信號(hào)上沖上沖：-,3VGVdd=2.5VTsys=10ns2.625V 處的上度:-, 1 nsCPU 輸入信號(hào)下沖下沖:-0.7,-V-0.3V 處的下度: -, 1 ns項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B第 13 頁(yè) 共 49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝(V)(V)(V)（1）DQ01.43，2.8-0.3,1.07DQ1同上同上DQ2同上同上DQ3同上同上DQ4同上同上DQ5同上同上DQ6同上同上DQ7同上同上DQ8同上同上DQ9同上同上DQ10同上同上

22、DQ11同上同上DQ12同上同上DQ13同上同上DQ14同上同上DQ15同上同上DQ16同上同上DQ17同上同上DQ18同上同上DQ19同上同上DQ20同上同上DQ21同上同上DQ22同上同上DQ23同上同上DQ24同上同上DQ25同上同上DQ26同上同上DQ27同上同上DQ28同上同上DQ29同上同上DQ30同上同上DQ31同上同上DQ32同上同上DQ33同上同上DQ34同上同上DQ35同上同上DQ36同上同上DQ37同上同上DQ38同上同上DQ39同上同上DQ40同上同上DQ41同上同上項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：BNote(1):Vih 和 Vil 這兩個(gè)參數(shù)都達(dá)

23、標(biāo)，則填入：PASS；否則填入：FAIL。2CPU_DC 電平過沖/下沖測(cè)試表（6.4.2.2）過沖下沖測(cè)試_表格第 14 頁(yè)共 49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝數(shù) 據(jù)信號(hào)測(cè)試點(diǎn)上沖指標(biāo)下沖指標(biāo)上沖實(shí)測(cè)值下沖實(shí)測(cè)值PASS/FAILDQ0上沖：-,3V下沖:-0.7,-V2.625V 處的上度:-, 1 ns-0.3V 處的下度: -, 1 nsDQ42同上同上DQ43同上同上DQ44同上同上DQ45同上同上DQ46同上同上DQ47同上同上DQ48同上同上DQ49同上同上DQ50同上同上DQ51同上同上DQ52同上同上DQ53同上同上DQ54同上同上DQ55同上同上DQ56同上同

24、上DQ57同上同上DQ58同上同上DQ59同上同上DQ60同上同上DQ61同上同上DQ62同上同上DQ63同上同上DQS0同上同上DQS1同上同上DQS2同上同上DQS3同上同上DQS4同上同上DQS5同上同上DQS6同上同上DQS7同上同上項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B第 15 頁(yè) 共 49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝DQ1同上同上同上同上DQ2同上同上同上同上DQ3同上同上同上同上DQ4同上同上同上同上DQ5同上同上同上同上DQ6同上同上同上同上DQ7同上同上同上同上DQ8同上同上同上同上DQ9同上同上同上同上DQ10同上同上同上同上DQ11同上同上同

25、上同上DQ12同上同上同上同上DQ13同上同上同上同上DQ14同上同上同上同上DQ15同上同上同上同上DQ16同上同上同上同上DQ17同上同上同上同上DQ18同上同上同上同上DQ19同上同上同上同上DQ20同上同上同上同上DQ21同上同上項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B第 16 頁(yè) 共 49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝同上同上DQ22同上同上同上同上DQ23同上同上同上同上DQ24同上同上同上同上DQ25同上同上同上同上DQ26同上同上同上同上DQ27同上同上同上同上DQ28同上同上同上同上DQ29同上同上同上同上DQ30同上同上同上同上DQ31同上同上同上

26、同上DQ32同上同上同上同上DQ33同上同上同上同上DQ34同上同上同上同上DQ35同上同上同上同上DQ36同上同上同上同上DQ37同上同上同上同上DQ38同上同上同上同上DQ39同上同上同上同上DQ40同上同上同上同上DQ41同上同上同上同上項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B第 17 頁(yè) 共 49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝DQ42同上同上同上同上DQ43同上同上同上同上DQ44同上同上同上同上DQ45同上同上同上同上DQ46同上同上同上同上DQ47同上同上同上同上DQ48同上同上同上同上DQ49同上同上同上同上DQ50同上同上同上同上DQ51同上同上同上同

27、上DQ52同上同上同上同上DQ53同上同上同上同上DQ54同上同上同上同上DQ55同上同上同上同上DQ56同上同上同上同上DQ57同上同上同上同上DQ58同上同上同上同上DQ59同上同上同上同上DQ60同上同上同上同上DQ61同上同上同上同上項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B6.4.3波形第 18 頁(yè) 共 49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝備注：上下沖測(cè)試保存在同一幅波形。波形每個(gè)信號(hào)可保存 3 幅波形：DC 電平測(cè)試波形，上沖測(cè)試波形和下沖測(cè)試波形；也可將電平測(cè)試和DQ62同上同上同上同上DQ63同上同上同上同上DQS0同上同上同上同上DQS1同上同上同上同上

28、DQS2同上同上同上同上DQS3同上同上同上同上DQS4同上同上同上同上DQS5同上同上同上同上DQS6同上同上同上同上DQS7同上同上同上同上DQS0同上同上同上同上項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B7. DDR SDRAM 端電平測(cè)試7.1 測(cè)試結(jié)果7.2 測(cè)試步驟1）按照測(cè)試準(zhǔn)備.doc文檔進(jìn)試前的準(zhǔn)備：測(cè)試準(zhǔn)備.doc2）將 PP007SDA6050 的通道 1；3） 打開 SDA6050 示波器，并調(diào)用測(cè)試模板：ddr_sdram_dianping_6050.lss；4） 安裝測(cè)試程序，并進(jìn)入測(cè)試程序界面；5） 按照預(yù)先選擇的測(cè)試點(diǎn)，進(jìn)行信號(hào)測(cè)試；6）在測(cè)試程序下

29、，用 ddr_sdram_wr 0x3000000 0x3F00000 0xAAAAAAAA 0x55555555 1000發(fā)起對(duì) DDR SDRAM 的寫操作,并確認(rèn)寫操作7） 點(diǎn)擊示波器的 clear 按鈕將示波器清屏；8） DC 電平測(cè)試：；由于測(cè)試程序發(fā)出的 DDR SDRAM 寫操作中沒有參雜讀操作，因此可以用 Top和 Base 函數(shù)來(lái)統(tǒng)計(jì) DC 電平值；9） 保存 DC 電平測(cè)試波形；10） 點(diǎn)擊示波器的 clear 按鈕將示波器清屏；11） 上沖測(cè)試：用光標(biāo)卡出盡可能大的 2.5V 處的上度，超過 2.5V 的電平值為信號(hào)的 max 值減去2.5V，由于示波器沒有計(jì)算面積的函數(shù)

30、，因此采用2.5V 處的上度x超過 2.5V 的電平值/2,得到上度的面積。Ex：2.5V 處的上度=3ns，超過 2.5V 的電平值=1V，那么上沖的面積為 1.5V-ns；12）點(diǎn)擊示波器的 clear 按鈕將示波器清屏；第 19 頁(yè) 共 49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝測(cè)試項(xiàng)目規(guī)格結(jié)果Pass / FailDDR SDRAM 端電平測(cè)試CPU 發(fā)出信號(hào)的DC 電平需要滿足 DDR SDRAM 的輸入指標(biāo)要求CPU 發(fā)出信號(hào)的上下沖需要滿足 DDR SDRAM 的輸入指標(biāo)要求變更說(shuō)明變更無(wú)無(wú)結(jié)論和說(shuō)明： 無(wú)項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B13）下沖測(cè)試：

31、用光標(biāo)卡出盡可能大的 0V 處的下度，低于 0V 的電平值為信號(hào)的 min 值，由于示波器沒有計(jì)算面積的函數(shù)，因此采用0V 處的下度x低于 0V 的電平值/2,得到下度的面積。Ex：0V 處的電平寬度=3ns，低于 0V 的電平值=1V，那么下沖的面積為 1.5V-ns；14）按照步驟7）到 13）完成除 OE#外的所有待測(cè)信號(hào)測(cè)試；15）拍攝 1 張?bào)w現(xiàn)如下信息：(命名為：（被測(cè)信號(hào)名）.jpg；如 DQ1.jpg)需要體現(xiàn)出：被測(cè)信號(hào)的點(diǎn)觸位置靠近 DDRSDRAM 端； 需要大致體現(xiàn)出示波器上的顯示波形測(cè)試完成！7.3 檢測(cè)點(diǎn)和判據(jù)7.4 測(cè)試7.4.1 測(cè)試指標(biāo)指標(biāo)可以直接參見測(cè)試【以

32、 HY5DU161622 為例】數(shù)據(jù)信號(hào)，DQS，地址信號(hào)，表信號(hào)和命令信號(hào)全測(cè)。ØDdr_Sdram_DC 電平指標(biāo)表（8.3.1）HY5DU161622 的 DC 電平指標(biāo)由表（8.3.1）HY5DU161622 的電平指標(biāo)得出：表（8.3.1）Ddr_Sdram_DC 電平指標(biāo)提取ØDdr_Sdram_上沖/下沖指標(biāo)第 20 頁(yè) 共49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝參數(shù)Symbol指標(biāo)(V)備注High-level input voltageVih1.4，2.8/Low-level input voltageVil-0.3,1.1/檢驗(yàn)點(diǎn)判據(jù)是否（Y/N）

33、備注防靜電是否已經(jīng)帶上靜電環(huán)？接地試樣地和示波器地是否接觸充分？數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試點(diǎn)測(cè)試點(diǎn)是否靠近 DDR SDRAM 端？信號(hào)質(zhì)量差的信號(hào)（過沖大，有臺(tái)階）信號(hào)質(zhì)量差的信號(hào)是否已經(jīng)加入到 DDR SDRAM 讀操作的時(shí)序測(cè)試中？電平測(cè)試指標(biāo)當(dāng)前被測(cè) DDR SDRAM，電平指標(biāo)是否已經(jīng)更新？項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B表（8.3.2）地址和信號(hào)的上下沖表（8.3.2）數(shù)據(jù)和 DQS 和 DM 信號(hào)的上下沖由表（8.3.2）地址和信號(hào)的上下沖 和表（8.3.2）數(shù)據(jù)和 DQS 和 DM 信號(hào)的上下沖得出 HY5DU161622 的上下沖指標(biāo)如下表：表（8.3.2）HY5DU

34、161622 的上下沖指標(biāo)提取第 21 頁(yè) 共 49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本公司同意，嚴(yán)禁以拷貝信號(hào)上下沖指標(biāo)備注地址和信號(hào)上沖最大值4.0V下沖最大值-1.5V上沖超過 2.5V 的信號(hào)面積小于 4.5V-ns下沖低于 0V 的信號(hào)面積小于 4.5V-ns數(shù)據(jù) & DQS & DM 信號(hào)上沖最大值3.7V項(xiàng)目名稱 DDR DDR SDRAM 測(cè)試報(bào)告密級(jí)：B表（8.3.2）測(cè)試說(shuō)明7.4.2 測(cè)試表格【以 HY5DU161622 為例】數(shù)據(jù)，地址信號(hào)和信號(hào)全測(cè)。1DDR_SDRAM_DC 測(cè)試_表格表（7.4.2.1）DC 測(cè)試_表格第 22 頁(yè) 共 49 頁(yè)福建星網(wǎng)銳捷網(wǎng)絡(luò)本

35、公司同意，嚴(yán)禁以拷貝數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè) 試點(diǎn)Vih 指標(biāo) (V)Vil 指標(biāo) (V)Vih 測(cè)試值(V)Vil 測(cè)試值(V)PASS/FAIL（1）DQ01.4,2.8-0.3,1.1DQ1同上同上DQ2同上同上DQ3同上同上DQ4同上同上DQ5同上同上DQ6同上同上DQ7同上同上DQ8同上同上DQ9同上同上DQ10同上同上DQ11同上同上DQ12同上同上DQ13同上同上DQ14同上同上DQ15同上同上DQ16同上同上測(cè)試說(shuō)明需要的參考信號(hào)為：CE#和 WE#，在 CE#和 WE#信號(hào)都為低電平區(qū)域，為寫操作數(shù)據(jù)； 在 CE#為低電平區(qū)域，為寫操作地址， 和命令信號(hào)；指南要求測(cè)試軟件能嚴(yán)格區(qū)分 Ddr_Sdram 讀寫操作（即：測(cè)試軟件發(fā)起寫操作中不參雜讀操作，測(cè)試軟件發(fā)起讀操作中不參雜寫操作），此項(xiàng)測(cè)試就不需要使用 CE#和 WE#作為參考信號(hào)，