海信TPW32V69等離子彩電原理與維修

1、海信TPW32V69等離子彩電原理與維修該機(jī)采用MST 9U19B 機(jī)芯，也稱之為“M9機(jī)芯”?！?9”系列外殼，是公司的一款高檔電視。采用LG PDP32F1（852*480）等離子屏， 本機(jī)其主要功能特點(diǎn)： （1） 多媒體功能 具有D-sub 15 針VGA 接口，可以做為高性能電視顯示器用，實(shí)現(xiàn)多媒體功能。 （2） 全數(shù)字平板顯示 整個(gè)畫面真實(shí)完美再現(xiàn)，無邊緣模糊和非線性失真等現(xiàn)象。 （3） 多種畫質(zhì)改善電路 3D梳狀濾波器，色彩優(yōu)化等功能，運(yùn)動(dòng)畫面和靜態(tài)畫面改善電路。 （4） 自動(dòng)搜索記憶系統(tǒng) 采用頻率合成式高頻頭，可記200個(gè)頻道。 （5） LVDS 編碼技術(shù) 通過LVDS編碼、解碼

2、技術(shù)，減低傳輸噪聲。 （6） 多模式寬屏顯示 全屏16：9、4：3、縮放1、縮放2、全景等多種寬高比可供選擇。 （7） 采用PHILIPS 公司新型D 類聲音功放電路。 更高的動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)完美再現(xiàn)聲音，高效節(jié)能。 （8） 中英文菜單可選 （9） 節(jié)電保護(hù)模式 多媒體端口? 1路PC信號(hào)輸入、1路HDMI輸入、2路視頻（AV1、AV2）輸入、1路S視頻輸入、1路分量信號(hào)（YPBPR）輸入、3路音頻輸入、1路音頻輸出、 一、高中頻部分 該機(jī)的高中頻采用U15和U17組成,射頻信號(hào)（RF）經(jīng)高頻頭U15接收，在內(nèi)部進(jìn)行帶通濾波后再進(jìn)行混頻放大后輸出38M的中頻信號(hào)，38M的中頻信號(hào)經(jīng)過C133、R22

3、9分成2路，其中1路由C142耦合后經(jīng)D54進(jìn)入聲表面濾波器U16（HS9455）輸出伴音中頻信號(hào)以平衡的方式輸入到U17 的23 腳和24 腳。另1路由C148進(jìn)入聲表面濾波器（HS6274）U18，輸出的圖像中頻信號(hào)同樣以平衡的方式進(jìn)入U(xiǎn)17的1腳和2腳。另外U16和U18均有一個(gè)制式切換開關(guān)，受控于U5，其中U16受控于U17的22腳，U18受控于U17的第3腳。如果單純的要求PAL D/K制，聲表的控制腳接地即可。伴音中頻信號(hào)在U17處理后由第8腳輸出伴音信號(hào).圖像信號(hào)經(jīng)U17處理后由17腳經(jīng)R236、Q20射隨后再經(jīng)R241 （75）輸出全電視信號(hào)。此信號(hào)進(jìn)入U(xiǎn)8的54和55腳。另外

4、由U17的14腳AGC電壓輸出經(jīng)R233來控制高頻頭的1腳AGC腳。來自U8的170腳輸出的IF-AFT信號(hào)控制U17 的第21 腳。該機(jī)采用的高中頻處理多用分離件組成，與前期生產(chǎn)的TPW4233系列有很大的區(qū)別，前期的采用均為射頻一體化高頻頭，相對(duì)簡(jiǎn)單一些。在高頻頭內(nèi)進(jìn)行高中頻等處理，處理后可直接輸出全電視信號(hào)和伴音信號(hào)。12腳輸出的伴音載波差頻信號(hào)經(jīng)C165、Q23射隨后經(jīng)R257、C166輸出TV-SIFP信號(hào)。 此單元重要元件 1、高頻頭U15 引腳 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 含義 AGC NC AS SCL SDA 5VA 5VB NC 33V 空 IF 電壓

5、4.5 空 地 3.4 3.4 5 5 空 33 空 0說明第9腳的供電是由9V通過升壓電路完成。 2、聲表面濾波器U16、U18 （其中HS9455分離出伴音中頻、HS6274用于分離圖像中頻）。HS9455支持B/G、 D/K、 I、 M/NHS6274 支持D/K? B/G M/N 引腳 1 2 3 4 5 功能 中頻輸入 控制 地 輸出 輸出 3、 中頻處理芯片U17 TDA9885/TDA9886TDA9885/TDA9886是PHILIPS公司的中頻處理IC，兩者均支持（PAL、NTSC）， TDA9886增加支持SECAM功能，本機(jī)采用的是TDA9886，該中頻塊的具體功能如下：

6、 （1） 總線控制圖像中頻可選（33.4M、33.9M、38M、38.9M、45.75M、58.75M）； （2）AFC 數(shù)據(jù)，進(jìn)行精確的AFC 控制； （3）AGC中的TOP點(diǎn)通過總線來完成； （4）4路可選地址； （5）PLL鎖相環(huán)中頻解調(diào)器（外掛4M晶體）。 引腳 1 2 3 4 5 6 7 8 稱呼 VIF1 VIF2 OUT1 FMPLL DEEM AFD D-GND AUD OUT 含義 差分輸入1差分輸入2控制輸出 頻率鎖相濾波解調(diào)穩(wěn)壓音頻輸入 地 音頻輸出 電容 退藕引腳 9 10 11 12 13 14 15 16稱呼 TOP SDA SCL SIOMAD NC T AGC

7、REF V-AGC 含義 射頻AGC 總線數(shù)據(jù) 總線時(shí)鐘伴音載波差拍輸出 空 射頻AGC 4M 晶體 視頻AGC 穩(wěn)壓電容 引腳 17 18 19 20 21 22 23 24 稱呼 CVBS AGNDVPLL VP AFC OP2 SIF1 SIF2 含義 全電視信號(hào) 模擬地 視頻鎖相+5V 供電 AFC 輸出 未用 差分 輸入 差分輸入 內(nèi)部框圖如下： 綜上所述，該機(jī)采用高中頻處理方案和公司前期生產(chǎn)的等離子電視TPW4233M基本一樣。 二、伴音電路 1路AV1伴音、1路PC/YPBPR伴音復(fù)用、1路S視頻伴音和1路AV2伴音復(fù)用輸入。HDMI 自帶數(shù)字音頻輸入。各路音頻信號(hào)輸入到U8 M

8、ST9U88L 塊內(nèi)在塊內(nèi)進(jìn)行高音、低音、平衡、重低音等伴音效果處理后。一路進(jìn)入伴音功放電路MP7722。另一路進(jìn)入耳機(jī)功放LM833，驅(qū)動(dòng)耳機(jī)發(fā)聲，還有1路伴音輸出（此路伴音不受音量大小調(diào)節(jié)的控制）。 從U8第85腳輸出的伴音信號(hào)TV1-L左聲道信號(hào)，經(jīng)LM833放大后輸出AMP L信號(hào)，由U8 的第86 腳輸出AMP R（右聲道）信號(hào)經(jīng)LM833 輸出AMP R 信號(hào)。一路驅(qū)動(dòng)耳機(jī)發(fā)聲，AMP LIN進(jìn)入U(xiǎn)33 的第2 腳，另一路經(jīng)進(jìn)入U(xiǎn)33 的15 腳。在塊內(nèi)進(jìn)行音效的各項(xiàng)處理后驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器發(fā)聲。 LM833是低供電雙通道運(yùn)算放大器。 其主要特點(diǎn)是，低電壓噪聲、15M帶寬、底失真度0.00

9、2%、防靜電（2KV）設(shè)計(jì)、具備較好的頻率特性。 內(nèi)部框圖如下：在線測(cè)試電壓： 引腳 1 2 3 4 5 6 7 8 功能 輸出 反相輸入正相輸入地 正相輸入反相輸入 輸出 供電 電壓（V） 5.8 5.8 5.4 0 5.4 5.8 5.8 12 靜音電路 該機(jī)的靜音電路和33系列的機(jī)型的靜音電路基本一致。 遙控靜音具體動(dòng)作過程如下：來自U8的第185腳的AMP MUTE靜音控制信號(hào)低電平控制 Q40的B極，Q40截止，Q27、Q41導(dǎo)通，將伴音激勵(lì)信號(hào)（AMP L/R）短路到地，另一路信號(hào)控制導(dǎo)通u33第7腳（ENGAGE）電平拉底到0V。該腳聲音正常時(shí)為4V.從而讓功放塊達(dá)到靜音效果。當(dāng)

10、U8的185腳高電平時(shí)靜音解除. N 換臺(tái)靜音是CPU發(fā)出一個(gè)低電平，該電平的時(shí)間稍長(zhǎng)于換臺(tái)時(shí)間，控制U33在換臺(tái)時(shí)靜音.方法遙控靜音。 開機(jī)靜音是利用CPU發(fā)出一個(gè)低電平，該電平的時(shí)間稍長(zhǎng)于換臺(tái)時(shí)間，控制U33在換臺(tái)時(shí)靜音插耳機(jī)時(shí)主聲道靜音是當(dāng)耳機(jī)插入耳機(jī)插座時(shí)，將靜音腳（MP7722 的第7 腳）接地，實(shí)現(xiàn)主聲道無聲。 三、整機(jī)外部接口 說明：由于MST 9U19B共有4路音頻輸入外加一路中頻處理過的音頻，而本機(jī)伴音輸入有2路AV，1路PC，1路YPBPR，1路S端子，共5路，所以端口不夠，本機(jī)采用伴音通道復(fù)用做法。AV1輸入、AV2輸入、AV輸出電路、耳機(jī)輸出 PC信號(hào)輸入 RGB 信號(hào)

11、是由輸入接口有VGA 端子輸入的R、G、B 信號(hào)和HS RGB、VS RGB 信號(hào)，在R、G、B 信號(hào)輸入的3 個(gè)針上分別接有保護(hù)壓敏電阻。當(dāng)RGB 輸入電平過高時(shí)擊穿二極管。將電平拉底，反之，電壓底于0V 時(shí)，二極管也導(dǎo)通，即確保RGB 的輸入電平在0-5V（不考慮二極管的壓降）。 YPBPR信號(hào)輸入 S-VIDEO輸入 CVBS輸入 1路是由本機(jī)高中放處理得到的CVBS信號(hào)，由U17的第17腳輸出經(jīng)Q20射隨后輸出經(jīng)C166進(jìn)入輸入U(xiǎn)8。四、供電圖示 五、MST 9U19B的相關(guān)資料超級(jí)單芯片，模擬時(shí)代終結(jié)版1 1. 2D 視頻解碼，并有4 組CVBS 輸入和2 組S-VIDEO 輸入 2

12、 2. NICAM/BTSC/A2/EIA-J 等伴音解碼 3 3. 一組HDMI/DVI 輸入 4 4. 3 組YPBPR/RGB 輸入 5 5. 5 組伴音輸入，并有音效處理：高音、低音、平衡、重低音等 6 6. 1000 頁圖文 7 7. 帶OSD的MCU 8 8. 三組AUDIO DAC 提供模擬輸出，同時(shí)伴音信號(hào)I2S 數(shù)字輸出，無需伴音ADC 9 9. 高性能3D 逐行處理 10 .運(yùn)動(dòng)自適用3D降躁處理 11 ADC，內(nèi)帶3 組高速視頻切換開關(guān) 12 第3 代彩色處理技術(shù) 13 .全通道10BIT數(shù)字信號(hào)處理 14 TX 15 10BIT LVDS。 16 .兩層板設(shè)計(jì)，中高端全

13、系列平臺(tái) 17 .色彩擴(kuò)展技術(shù)、景深擴(kuò)展技術(shù)和6+1彩色單獨(dú)可調(diào)，可以開窗口對(duì)比演示 18 設(shè)計(jì)此芯片考慮到最優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)以減低系統(tǒng)成本：具體的方法 19 2層板設(shè)計(jì)。單面貼件，一片DDR存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)3D解碼和3D逐行高清。該芯片采用了208 腳PQFP 封裝模式，便于生產(chǎn)，芯片高度集成化，也有利于售后維修。七、集成電路總匯 本機(jī)的集成電路明細(xì): 位號(hào) 名稱 功能 U3/U3 0544M HDMI 電平切換 U6 AP1520 DC-DC 可調(diào)穩(wěn)壓塊（2A） U5 LD117A L3.3V 3.3V 穩(wěn)壓 U10 ATMEL 24C32 32K 存儲(chǔ)器 U9 PS2SL V4040 E0601

14、 4M FLASH U1 L7805 5V 穩(wěn)壓塊 U19 U20 U22 LM833 雙通道運(yùn)算放大器 U8 MST9U19B 圖像處理，MCU，SCALER U6 LD1117A-L50A 5V 穩(wěn)壓 U15 TDQ-6FT/W116H 頻率合成式高頻頭 U33 MP7722 伴音功放 U17 TDA9885TS 鎖相環(huán)中頻處理 U16 HS9455 聲音聲表面濾波器 U18 HS6274 圖像聲表面濾波器 D56 uPC574 33V 穩(wěn)壓塊 U12 24C02 2K 存儲(chǔ)器 Y3 JAS4K/SMD（4 M） 服務(wù)TDA9885TS Y2 JAS14C（14.318180M） 服務(wù)MS

15、T9U19A MST機(jī)芯與PHOTOBIA機(jī)芯的區(qū)別： 方案 PHOTOBIA 機(jī)芯 （PWX300+PWX18） MST 機(jī)芯 （MST9U19A） 項(xiàng)目 HDMI 數(shù)字信號(hào)處理 無（外加SIL9011 或NOX9011） 有 音效處理 無（外接音效處理MSP34X0G） 有 10 位ADC（數(shù)模轉(zhuǎn)換） 有 有 GDD R（雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率） 3 片（PW? X300 1 片 PW X18 2 片） PCB（線路板） 4 層（雙面貼件） 2 層（單面貼件）MUX 高速切換開關(guān) 無（通過外掛P15V330Q 來切換）3 組3D 視頻解碼 有 2D 本身芯片 2 只 1 只 八、總線內(nèi)容： 使用

16、本機(jī)遙控器CN-21655，按菜單鍵到“聲音平衡”選項(xiàng)，將數(shù)值調(diào)為0。連續(xù)按動(dòng)數(shù)字鍵“0、5、3、2”進(jìn)入工廠調(diào)試狀態(tài)。屏幕的右上角此時(shí)顯示一個(gè)綠色的“M”。用“頻道增減”鍵選擇要調(diào)整的項(xiàng)目，按“音量加減”鍵調(diào)整數(shù)據(jù)后按“菜單”鍵退出總線即可。數(shù)據(jù)此時(shí)已經(jīng)保存或者按遙控“待機(jī)”鍵讓機(jī)器待機(jī)，或交流關(guān)機(jī)即可保存調(diào)整數(shù)據(jù)。 分為2組菜單（工廠菜單和設(shè)計(jì)菜單） FACTORY MEAU（工廠菜單） 白平衡調(diào)整 項(xiàng)目 含義 參考值 RDRV 紅驅(qū)動(dòng) 10 GDRV 綠驅(qū)動(dòng) 10 BDRV 藍(lán)驅(qū)動(dòng) 10 RCUT 紅截止 117 GCUT 綠截止 122 BCUT 藍(lán)截止 125 BRIGHT- H 高

17、亮度 80 CONTRAST-H 高對(duì)比度 80 BRIGHT-L 低亮度 40 CONTRAST-L 低對(duì)比度 40 AUTO CALIBRAT（色溫） AUTO COLOR 自動(dòng)彩色 標(biāo)準(zhǔn) RED COLOR 紅顏色 117 GREEN COLOR 綠顏色 122 BULE COLOR 藍(lán)顏色 125 LOGO（開機(jī)屏顯） 菜單語言 （多種語言可選如：英文、漢語、西班牙語等。本機(jī)只有2 種菜單語 言可選） COUNTRY （國(guó)家選擇有多個(gè)國(guó)家可選） OPTION（選項(xiàng)） SOURCE 信號(hào)源 電視 BRIGHT 0 亮度為0 時(shí)10 BRIGHT 50 亮度為50 時(shí) 110 BRIGHT

18、 100 亮度為100 時(shí) 132 CONTRAST 0對(duì)比度為0 時(shí)60 CONTRAST 50 對(duì)比度為50 時(shí) 125 CONTRAST 100 對(duì)比度為100 時(shí) 170 TOFAC 工廠狀態(tài) U CABLE 連接線 Standard PIXSHIFTNUMER 像素移動(dòng)數(shù)字 1 FACTORY INT（生產(chǎn)工廠標(biāo)識(shí)） TEST 測(cè)試內(nèi)容有：OFF（關(guān)）/白/藍(lán)/黑/紅/綠 VERSION 版本 DESIGN MEAU（設(shè)計(jì)菜單） 圖像模式 標(biāo)準(zhǔn) 亮度 50 對(duì)比度 50 色度 45 明亮 亮度 60 對(duì)比度 60 色度 50 柔和 亮度 45 對(duì)比度 45 色度 45 聲音模式 標(biāo)準(zhǔn)

19、 120HZ 11 500HZ 11 15KHZ 12 5KHZ 14 10KHZ 14 音樂 120HZ 13 500HZ 11 15KHZ 12 5KHZ 14 10KHZ 20 語言 120HZ 6 500HZ 12 15KHZ 14 5KHZ 14 10KHZ 14 音量設(shè)置 節(jié)能 PDP 無此項(xiàng)功能 PIP OPTION （畫中畫選項(xiàng)） 該機(jī)無此項(xiàng)功能 EMI（電磁騷擾設(shè)定） 4 VOLUME 0 無聲音時(shí) 128 VOLUME 1 聲音為1 時(shí)79 VOLUME 20 聲音為20 時(shí) 27 VOLUME 40 聲音為40 時(shí) 23 VOLUME 100 聲音為100 時(shí) 9 TVP

20、RESCALER 聲音優(yōu)化 2 九、場(chǎng)效應(yīng)管介紹 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108109）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)? 范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。在我們的電視中得到很大的應(yīng)用，例如我們熟悉的在高清CRT中的電源/枕校放大管，平板電視中的電源板，驅(qū)動(dòng)

21、板都大量采用了場(chǎng)效應(yīng)管，所以了解場(chǎng)效應(yīng)管的分類、工作原理及測(cè)量方法顯的相當(dāng)重要。 1、場(chǎng)效應(yīng)管的分類場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，應(yīng)用最為廣泛的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管，以及最近剛問世的MOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。 按溝道半導(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，

22、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。 2、場(chǎng)效應(yīng)三極管的型號(hào)命名方法現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，O 代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管，3DO6C 是絕緣柵型N 溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。 第二種命名方法是CS××#，CS代表場(chǎng)效應(yīng)管，××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào)，#用字母代表同一型號(hào)

23、中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。? 三、場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù) 場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)： 1）、I DSS 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓U GS=0 時(shí)的漏源電流。 2）、UP 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。 3）、UT 開啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。 4）、gM 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓UGS 對(duì)漏極電流I D 的控制能力，即漏極電流I D 變化量與柵源電壓UGS 變化量的比值。gM 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。 5）、BU

24、DS 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS 一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。 6）、PDSM 最大耗散功率。也是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。 7）、IDSM 最大漏源電流。是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過IDSM? 3、場(chǎng)效應(yīng)管的作用1）、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2）、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常

25、適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。 3）、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。 4）、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。 5）、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。 4、場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試1）、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別： 場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)K時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個(gè)管腳即為柵極G。對(duì)于有4個(gè)管腳的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。 2）、判定柵極 用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分

26、別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小，說明均是正向電阻，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。 制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。 注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。 3）、估測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力 .將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極

27、G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng)，說明管子已經(jīng)損壞。 由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同，因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng)，也可能向左擺動(dòng)。少數(shù)的管子RDS減小，使表針向右擺動(dòng)，多數(shù)管子的RDS增大，表針向左擺動(dòng)。無論表針的擺動(dòng)方向如何，只要能有明顯地?cái)[動(dòng)，就說明管子具有放大能力。 本方法也適用于測(cè)MOS管。為了保護(hù)MOS場(chǎng)效應(yīng)管，必須用手握住螺釘旋具絕緣柄，用金屬桿

28、去碰柵極，以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極上，將管子損壞。 MOS管每次測(cè)量完畢，G-S結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷，建立起電壓UGS，再接著測(cè)時(shí)表針可能不動(dòng)，此時(shí)將G-S極間短路一下即可。 5、常用場(chǎng)效用管1）、MOS場(chǎng)效應(yīng)管? MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor） ，屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達(dá)1K）。它也分N溝道管和P溝道管，符號(hào)如圖1所示。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)

29、VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。 以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。圖1（a）符號(hào)中的前頭方向是從外向電，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí)，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)之間就

30、感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時(shí)，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏極電流ID。 國(guó)產(chǎn)N溝道MOSFET的典型產(chǎn)品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均為單柵管）， 4DO1（雙柵管）。它們的管腳排列（底視圖）見圖2。 MOS場(chǎng)效應(yīng)管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此了廠時(shí)各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內(nèi)，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷。管子不用時(shí)，全部引線也應(yīng)短接。在測(cè)量時(shí)應(yīng)格外小

31、心，并采取相應(yīng)的防靜電感措施。 MOS場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法 （1）準(zhǔn)備工作 測(cè)量之前，先把人體對(duì)地短路后(可以摸水管)，才能摸觸MOSFET的管腳。最好在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導(dǎo)線。 （2）判定電極 將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測(cè)量，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極。 檢查放大能力（跨導(dǎo)） 將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用手指

32、觸摸G極，表針應(yīng)有較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩個(gè)柵極G1、G2。為區(qū)分之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2極。 目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護(hù)二極管，平時(shí)就不需要把各管腳短路了。 本資料共5頁,當(dāng)前在第3頁 1 2 3 4 5 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng)。 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則：（1）MOS 器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳連接在一起，或用錫紙包裝 取出的MOS

33、器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件。 焊接用的電烙鐵必須良好接地。 在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再M(fèi)OS器件焊接完成后在分開。（5）MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)順序相反。 電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)器的各接線端子，再把電路板接上去。 （7）MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護(hù)二極管。在檢修電路時(shí)應(yīng)注意查證原有的保護(hù)二極管是否損壞。 2）、VMOS場(chǎng)效應(yīng)管 VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了

34、MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（108W）、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1A左右）， 還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A100A）、輸出功率高（1250W）、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。 眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，從左下圖上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):第一，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，最后垂直向下到達(dá)漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因?yàn)榱魍ń孛娣e增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS 場(chǎng)效應(yīng)管。 國(guó)內(nèi)生產(chǎn)VMOS場(chǎng)效應(yīng)管的主要廠家有877廠、天津半導(dǎo)體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產(chǎn)品有VN401、