《固體電子學(xué)》課件：2.5晶體缺陷

1、 在實際晶體中，由于原子（或離子、分子）的在實際晶體中，由于原子（或離子、分子）的熱運動，以及晶體的形成條件、冷熱加工過程和其熱運動，以及晶體的形成條件、冷熱加工過程和其它輻射、雜質(zhì)等因素的影響，實際晶體中原子的排它輻射、雜質(zhì)等因素的影響，實際晶體中原子的排列不可能那樣規(guī)則、完整，常存在各列不可能那樣規(guī)則、完整，常存在各 種偏離理想種偏離理想結(jié)構(gòu)的情況，即晶體缺陷。晶體缺陷對晶體的性能，結(jié)構(gòu)的情況，即晶體缺陷。晶體缺陷對晶體的性能，特別是對那些結(jié)構(gòu)敏感的性能，如屈服強度、斷裂特別是對那些結(jié)構(gòu)敏感的性能，如屈服強度、斷裂強度、塑性、電阻率、磁導(dǎo)率等有很大的影響。另強度、塑性、電阻率、磁導(dǎo)率等有很

2、大的影響。另外晶體缺陷還與擴散、相變、塑性變形、再結(jié)晶、外晶體缺陷還與擴散、相變、塑性變形、再結(jié)晶、氧化、燒結(jié)等有著密切關(guān)系。因此，研究晶體缺陷氧化、燒結(jié)等有著密切關(guān)系。因此，研究晶體缺陷具有重要的理論與實際意義。具有重要的理論與實際意義。Schottky Schottky 缺陷（肖特基缺陷）缺陷（肖特基缺陷）Frenkel Frenkel 缺陷（缺陷（弗侖克爾弗侖克爾缺陷）缺陷）有序合金中的錯位有序合金中的錯位化學(xué)缺陷化學(xué)缺陷置換式置換式填隙式填隙式本征缺陷本征缺陷1.1 1.1 弗侖克爾缺陷（弗侖克爾缺陷（Frenkel defectFrenkel defect） 金屬和離子晶體中都會由于

3、熱運動的能量漲金屬和離子晶體中都會由于熱運動的能量漲落，使原子或離子脫離格點進入晶體中的間隙位落，使原子或離子脫離格點進入晶體中的間隙位置，從而同時出現(xiàn)空位和填隙原子（離子）。這置，從而同時出現(xiàn)空位和填隙原子（離子）。這種成對的空位和填隙原子稱為弗侖克爾缺陷。種成對的空位和填隙原子稱為弗侖克爾缺陷。 在離子晶體中，正、負(fù)離子都可以各自形在離子晶體中，正、負(fù)離子都可以各自形成成“空穴空穴填隙離子對填隙離子對”（弗侖克爾缺陷）。（弗侖克爾缺陷）。Frenkel 缺陷（空位缺陷（空位-間隙缺陷）間隙缺陷）1.2 肖特基缺陷（Schottky defect）。 在一定溫度，晶體中原子由于熱漲落獲得足夠

4、能量，離開格點位置，遷移至晶體表面，于是在晶體中出現(xiàn)不被原子占據(jù)的空格點，稱為空位，也稱肖特基缺陷。 肖特基缺陷是最表面的原子位移到一個新的位置，晶體內(nèi)不伴隨填隙原子產(chǎn)生。因此產(chǎn)生肖特基缺陷時，伴隨表面原子的增多，晶體的質(zhì)量密度會有所減小。注意 形成填隙原子時，原子擠入間隙位置所需要的能量比產(chǎn)生肖特基空位所需能量大，因此當(dāng)溫度不太高時，肖特基缺陷的數(shù)目要比弗侖克爾缺陷的數(shù)目大得多。Schottky 缺陷（空位缺陷）缺陷（空位缺陷）有序合金中的錯位有序合金中的錯位化學(xué)缺陷化學(xué)缺陷置換式置換式填隙式填隙式正離子正離子負(fù)離子負(fù)離子離子晶體中的點缺陷離子晶體中的點缺陷 純凈鹵化堿晶體在光譜的整個可見光

5、波段中是透明的 引入化學(xué)雜質(zhì) 引入過量的金屬離子 X 射線或 g 射線輻射，中子或電子轟擊 電解 色心是能吸收可見光的晶體缺陷 尋常的晶格空位并不使鹵化堿晶體賦色，雖然它會影響紫外區(qū)的吸收。有好幾種方法可使晶體賦色色心F 心 名字“F 心”來自德文 Farbe (彩色) 一詞。一般產(chǎn)生色心的方法是將晶體在過量堿金屬中加熱或用 X 射線輻射鹵化堿晶體中與 F 心聯(lián)系的中心吸收帶 ( F 帶) 用電子自旋共振方法對 F 心的研究表明，它由一個負(fù)離子晶格空位束縛一個電子構(gòu)成 束縛于負(fù)離子空位的電子主要分布在近鄰晶格空位的諸正金屬離子上 當(dāng)超量的堿金屬原子加入到鹵化堿晶體中時，就會產(chǎn)生相應(yīng)個數(shù)的負(fù)離子

6、空位。堿金屬原子的價電子并不被原子束縛，最終被束縛于一個負(fù)離子晶格空位 在完整晶格中，一個負(fù)離子晶格空位的作用猶如一個孤立的正電荷，它能吸引一個電子并將它束縛 F 心是鹵化堿晶體中最簡單的俘獲電子中心，其光吸收是由于中心通過電偶躍遷躍至一個束縛激發(fā)態(tài)所引起鹵化堿晶體中的其他色心 F 心六個最近鄰離子中的某一個若為另一個不同的堿金屬離子所代換，就成為 FA 心兩個相鄰的 F 心構(gòu)成一個 M 心 復(fù)合的俘獲電子中心由 F 心小組構(gòu)成三個相鄰的 F 心構(gòu)成一個 R 心這是 NaCl 結(jié)構(gòu)中 111 面上的一組三個負(fù)離子空位+三個電子 也能通過俘獲空穴而形成色心 空穴色心有別于電子色心：鹵素離子填滿的

7、 p6 殼層中出現(xiàn)一個空穴將使此離子具有正電子組態(tài) p5，而在 p6 殼層已填滿的堿金屬離子中添加一電子其電子組態(tài)即為 p6s p6s 組態(tài)像一球?qū)ΨQ的離子； p5 卻像一個非對稱的離子，并通過楊-特勒 (Jahn-Teller) 效應(yīng)使其在晶體中的近鄰局域常發(fā)生畸變 F 心的反形體是一個被陷俘于一正離子晶格空位的空穴，但這中色心還沒有在鹵化堿晶體的相關(guān)實驗中被證實 絕緣體氧化物中的O-(稱為 V-)缺陷是典型的空穴色心 最典型的空穴色心是 VK 心。鹵化堿晶體中，一個空穴陷俘于一鹵離子時即形成這種色心VK 心類似于一負(fù)的鹵族分子離子。如 KCl 中，它像一 離子-2Cl 1-大的置換原子 4

8、-復(fù)合空位 2-肖脫基空位 5-弗蘭克爾空位 3-異類間隙原子 6-小的置換原子2. 2. 點缺陷與材料行為點缺陷與材料行為 結(jié)構(gòu)變化結(jié)構(gòu)變化：晶格畸變（如空位引起晶格收縮，間隙晶格畸變（如空位引起晶格收縮，間隙原子引起晶格膨脹，置換原子可引起收縮或膨脹）。原子引起晶格膨脹，置換原子可引起收縮或膨脹）。 性能變化性能變化：點缺陷可以使材料的物理性質(zhì)與力學(xué)點缺陷可以使材料的物理性質(zhì)與力學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生變化。性質(zhì)產(chǎn)生變化。（1 1）引起金屬材料電阻的增加。）引起金屬材料電阻的增加。 晶體中存在點缺陷時，破壞了原子排列的規(guī)律性，晶體中存在點缺陷時，破壞了原子排列的規(guī)律性， 使電子遷移時的散射增加，從而增加

9、了電阻。使電子遷移時的散射增加，從而增加了電阻。（2 2）晶體密度下降。）晶體密度下降?？瘴坏拇嬖谑咕w的密度下降?？瘴坏拇嬖谑咕w的密度下降。（3 3）高溫蠕變。）高溫蠕變?？瘴坏拇嬖诩捌溥\動是晶體高溫下發(fā)生蠕變的重要原因?？瘴坏拇嬖诩捌溥\動是晶體高溫下發(fā)生蠕變的重要原因。 熱振動產(chǎn)生的點缺陷屬于熱力學(xué)平衡缺陷，即熱振動產(chǎn)生的點缺陷屬于熱力學(xué)平衡缺陷，即在一定的溫度下，晶體中一定存在一定數(shù)量的點缺在一定的溫度下，晶體中一定存在一定數(shù)量的點缺陷。平衡濃度的點缺陷對材料的力學(xué)性能的影響并陷。平衡濃度的點缺陷對材料的力學(xué)性能的影響并不大，但在高溫下空位的濃度很高，空位在材料變不大，但在高溫下空位的

10、濃度很高，空位在材料變形時的作用就不能忽略了。形時的作用就不能忽略了。 （4 4）原子或分子的擴散就是依靠點缺陷的運動實現(xiàn)的。）原子或分子的擴散就是依靠點缺陷的運動實現(xiàn)的。 晶體中的點缺陷處于不斷的運動狀態(tài)。當(dāng)空位周圍晶體中的點缺陷處于不斷的運動狀態(tài)。當(dāng)空位周圍原子的熱運動動能超過激活能時，就可能脫離原來的結(jié)原子的熱運動動能超過激活能時，就可能脫離原來的結(jié)點位置而跳躍到空位。正是依據(jù)這一機制，空位發(fā)生不點位置而跳躍到空位。正是依據(jù)這一機制，空位發(fā)生不斷的遷移，同時伴隨原子的反向遷移。間隙原子也在晶斷的遷移，同時伴隨原子的反向遷移。間隙原子也在晶格的間隙中不斷運動?？瘴缓烷g隙原子的運動是晶體內(nèi)格

11、的間隙中不斷運動?？瘴缓烷g隙原子的運動是晶體內(nèi)原子擴散的內(nèi)部原因，原子的擴散就是依靠點缺陷的運原子擴散的內(nèi)部原因，原子的擴散就是依靠點缺陷的運動而實現(xiàn)的。動而實現(xiàn)的。2.2.2 2.2.2 線缺陷（位錯）線缺陷（位錯） 位錯是晶體中已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的交線，位錯線并不是位錯是晶體中已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的交線，位錯線并不是幾何學(xué)所定義的線，從微觀看來，它是有一定寬度的管道。幾何學(xué)所定義的線，從微觀看來，它是有一定寬度的管道。 人們是從研究晶體的塑性變形中才認(rèn)識到晶體中存在著位人們是從研究晶體的塑性變形中才認(rèn)識到晶體中存在著位錯。位錯對晶體的強度與斷裂等力學(xué)性能起著決定性的作用。錯。位錯對晶體的強度

12、與斷裂等力學(xué)性能起著決定性的作用。同時，位錯對晶體的擴散與相變等過程也有一定的影響。同時，位錯對晶體的擴散與相變等過程也有一定的影響。 1. 1. 位錯的類型位錯的類型位錯位錯刃位錯刃位錯螺位錯螺位錯 當(dāng)晶體內(nèi)沿著某一條線附近的原子排列發(fā)生畸變，破壞了當(dāng)晶體內(nèi)沿著某一條線附近的原子排列發(fā)生畸變，破壞了晶格周期性時就形成了線缺陷。線缺陷就是晶格周期性時就形成了線缺陷。線缺陷就是“位錯位錯”。 晶體中已滑移區(qū)與未滑移區(qū)的邊界線（即位錯線）晶體中已滑移區(qū)與未滑移區(qū)的邊界線（即位錯線）若垂直于若垂直于滑移方向滑移方向，則會存在一多余半排原子面，則會存在一多余半排原子面，它象一把刀刃插入晶體中，使此處上

13、下兩部分晶體它象一把刀刃插入晶體中，使此處上下兩部分晶體產(chǎn)生原子錯排，這種晶體缺陷稱為刃位錯。多余半產(chǎn)生原子錯排，這種晶體缺陷稱為刃位錯。多余半排原子面在滑移面上方的稱正刃型位錯，記為排原子面在滑移面上方的稱正刃型位錯，記為“”；相反，半排原子面在滑移面下方的稱負(fù)刃；相反，半排原子面在滑移面下方的稱負(fù)刃型位錯，記為型位錯，記為“”刃位錯（刃位錯（edge dislocation）：）：刃位錯刃位錯刃位錯的運動刃位錯的運動（a a）正攀移）正攀移（半原子面縮短）（半原子面縮短）(b)(b)未攀移未攀移（c c）負(fù)攀移）負(fù)攀移（半原子面伸長）（半原子面伸長）位錯攀移在低溫下是難以進行的，只有在高溫

14、下才可能發(fā)生。位錯攀移在低溫下是難以進行的，只有在高溫下才可能發(fā)生。 BC螺位錯螺位錯（screw dislocationscrew dislocation）假定在一塊簡單假定在一塊簡單立方晶體中，沿某一晶面切立方晶體中，沿某一晶面切一刀至一刀至BCBC處，處，然后在晶體的右側(cè)上部施加一切應(yīng)力，然后在晶體的右側(cè)上部施加一切應(yīng)力，使右端上下兩部分晶體相對滑移一個原子間距，由于使右端上下兩部分晶體相對滑移一個原子間距，由于BCBC線左邊晶體未線左邊晶體未發(fā)生滑移，于是出現(xiàn)了已滑移區(qū)與未滑移區(qū)的邊界發(fā)生滑移，于是出現(xiàn)了已滑移區(qū)與未滑移區(qū)的邊界BC.BC.從俯視角度看，從俯視角度看，在滑移區(qū)上下兩層原

15、子發(fā)生了錯動，晶體點陣畸變最嚴(yán)重的區(qū)域內(nèi)的在滑移區(qū)上下兩層原子發(fā)生了錯動，晶體點陣畸變最嚴(yán)重的區(qū)域內(nèi)的兩層原子平面變成螺旋面?；儏^(qū)的尺寸與長度相比小得多，在這畸兩層原子平面變成螺旋面?；儏^(qū)的尺寸與長度相比小得多，在這畸變區(qū)范圍內(nèi)稱為螺型位錯，已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的變區(qū)范圍內(nèi)稱為螺型位錯，已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的交線交線BCBC稱之為螺型稱之為螺型位錯線。位錯線。螺位錯的運動螺位錯的運動螺位錯與刃位錯的主要區(qū)別：螺位錯與刃位錯的主要區(qū)別：螺型位錯線與晶體滑移方向平行，且位錯線的移動方向與螺型位錯線與晶體滑移方向平行，且位錯線的移動方向與晶體滑移方向互相垂直。晶體滑移方向互相垂直。純螺型位錯的滑移面

16、不是唯一的。凡是包含螺型位錯線純螺型位錯的滑移面不是唯一的。凡是包含螺型位錯線的平面都可以作為它的滑移面。但實際上，滑移通常是的平面都可以作為它的滑移面。但實際上，滑移通常是在那些原子在那些原子密排面密排面上進行。上進行。刃型位錯線與晶體滑移方向垂直，位錯線的移動方向與刃型位錯線與晶體滑移方向垂直，位錯線的移動方向與晶體滑移方向互相平行。晶體滑移方向互相平行。刃型位錯滑移面只有一個。刃型位錯滑移面只有一個。 混合位錯混合位錯混合位錯的滑移混合位錯的滑移2. 2. 線缺陷與材料的行為線缺陷與材料的行為由于晶體中位錯的滑移，使得實際材料的屈服強度較由于晶體中位錯的滑移，使得實際材料的屈服強度較理想

17、晶體的屈服強度低理想晶體的屈服強度低2-4個數(shù)量級。個數(shù)量級。按位錯滑移方式發(fā)生塑性變形要比兩個相鄰原子面整體相對滑按位錯滑移方式發(fā)生塑性變形要比兩個相鄰原子面整體相對滑移容易得多，因此晶體的實際強度比理論強度低得多。移容易得多，因此晶體的實際強度比理論強度低得多。去除外力的作用后，能恢復(fù)的變形稱之為去除外力的作用后，能恢復(fù)的變形稱之為彈性變形彈性變形，不能恢復(fù)的變形稱之為不能恢復(fù)的變形稱之為塑性變形塑性變形。 無論是何種材料，在載荷的作用下，都要產(chǎn)生一些無論是何種材料，在載荷的作用下，都要產(chǎn)生一些變化，我們管它叫變化，我們管它叫變形變形。 對材料力學(xué)性能的影響對材料力學(xué)性能的影響位錯不能中斷

18、于晶體內(nèi)部，可在表面露頭，或終止位錯不能中斷于晶體內(nèi)部，可在表面露頭，或終止于晶界或相界，于晶界或相界， 或與其它位錯相交，或自行封閉成或與其它位錯相交，或自行封閉成環(huán)。環(huán)。 屈服強度（屈服強度（yield strength）: 屈服強度是試樣在拉伸屈服強度是試樣在拉伸過程中，開始產(chǎn)生塑性變形所須的應(yīng)力。過程中，開始產(chǎn)生塑性變形所須的應(yīng)力。強度（強度（strength）:是材料或物件經(jīng)得起變形的能力。是材料或物件經(jīng)得起變形的能力。實際金屬發(fā)生塑性變形是通過位錯的運動來實現(xiàn)的實際金屬發(fā)生塑性變形是通過位錯的運動來實現(xiàn)的. .實際晶體的強度實際晶體的強度, ,主要取決于位錯運動的阻力主要取決于位錯

19、運動的阻力. .對材料化學(xué)性能的影響對材料化學(xué)性能的影響 位錯區(qū)域能量高，有利于化學(xué)反應(yīng)的成核。位錯區(qū)域能量高，有利于化學(xué)反應(yīng)的成核。 從微觀來看，位錯線是有一定寬度的管道，它從微觀來看，位錯線是有一定寬度的管道，它們可以組成列管式的小角度晶界，或者發(fā)生交互們可以組成列管式的小角度晶界，或者發(fā)生交互作用形成四通八達(dá)的三維網(wǎng)絡(luò)，加快粒子的擴散作用形成四通八達(dá)的三維網(wǎng)絡(luò)，加快粒子的擴散及化學(xué)反應(yīng)。及化學(xué)反應(yīng)。透射電子顯微鏡下觀察到不銹鋼的位錯線與位錯線纏結(jié)透射電子顯微鏡下觀察到不銹鋼的位錯線與位錯線纏結(jié)2.2.3 2.2.3 面缺陷面缺陷面缺陷面缺陷是發(fā)生在晶格二維平面上的缺陷，其特征是發(fā)生在晶格

20、二維平面上的缺陷，其特征是在一個方向上的尺寸很小，而另兩個方向上的是在一個方向上的尺寸很小，而另兩個方向上的尺寸很大，也可稱二維缺陷。尺寸很大，也可稱二維缺陷。面缺陷面缺陷晶界晶界亞晶界亞晶界孿晶界孿晶界相界相界堆垛層錯堆垛層錯1. 面缺陷的分類面缺陷的分類材料的表面是最顯而易見的面缺材料的表面是最顯而易見的面缺陷。在垂直于表面方向上，平移陷。在垂直于表面方向上，平移對稱性被破壞了。由于材料是通對稱性被破壞了。由于材料是通過表面與環(huán)境及它其材料發(fā)生相過表面與環(huán)境及它其材料發(fā)生相互作用，所以表面的存在對材料互作用，所以表面的存在對材料的物理化學(xué)性能有重要的影響。的物理化學(xué)性能有重要的影響。常見的

21、氧化、腐蝕、磨損等自然常見的氧化、腐蝕、磨損等自然現(xiàn)象都與表面狀態(tài)有關(guān)?，F(xiàn)象都與表面狀態(tài)有關(guān)。晶界是不同取向的晶粒之間的界面，由于晶界原子需晶界是不同取向的晶粒之間的界面，由于晶界原子需要同時適應(yīng)相鄰兩個晶粒的位向，就必須從一種晶粒要同時適應(yīng)相鄰兩個晶粒的位向，就必須從一種晶粒位向逐步過渡到另一種晶粒位向，成為不同晶粒之間位向逐步過渡到另一種晶粒位向，成為不同晶粒之間的過渡層，因而晶界上的原子多處于無規(guī)則狀態(tài)或兩的過渡層，因而晶界上的原子多處于無規(guī)則狀態(tài)或兩種晶粒位向的折衷位置上。種晶粒位向的折衷位置上。晶界晶界( ( grain boundaries ) )多多晶晶體體結(jié)結(jié)構(gòu)構(gòu)示示意意圖圖鋼

22、中的晶粒（其中黑線為晶界）鋼中的晶粒（其中黑線為晶界） 圖圖2-50 純鐵的微觀結(jié)構(gòu)照片純鐵的微觀結(jié)構(gòu)照片亞晶界（亞晶界（sub-boundaries）晶粒內(nèi)部也不是理想晶體，而晶粒內(nèi)部也不是理想晶體，而是由位向差很小的稱為嵌鑲塊是由位向差很小的稱為嵌鑲塊的小塊所組成，稱為亞晶粒。的小塊所組成，稱為亞晶粒。亞晶粒的交界稱為亞晶界。亞晶粒的交界稱為亞晶界。晶粒之間位向差較大，亞晶粒晶粒之間位向差較大，亞晶粒之間位向差較小。大于之間位向差較小。大于10101515的晶界稱為大角度晶界。的晶界稱為大角度晶界。各晶粒之間的界面屬于大角度各晶粒之間的界面屬于大角度晶界。亞晶界是小角度晶界，晶界。亞晶界是

23、小角度晶界，位向差小于位向差小于1 ，其結(jié)構(gòu)可以，其結(jié)構(gòu)可以看成是位錯的規(guī)則排列?？闯墒俏诲e的規(guī)則排列。小角傾側(cè)晶界（由一列刃型位錯構(gòu)成）小角傾側(cè)晶界（由一列刃型位錯構(gòu)成）孿晶是指兩個晶體孿晶是指兩個晶體( (或一個晶體的兩部分或一個晶體的兩部分) )沿一個沿一個公共晶面構(gòu)成鏡面對稱的位向關(guān)系，這兩個晶體公共晶面構(gòu)成鏡面對稱的位向關(guān)系，這兩個晶體就稱為就稱為“孿晶孿晶(twin)(twin)”，此公共晶面就稱孿晶面，此公共晶面就稱孿晶面 。孿晶界孿晶界( ( twin boundaries ) ) 共格孿晶界共格孿晶界 半共格孿晶界半共格孿晶界界面共有原子界面共有原子共格孿晶界就是在孿晶面上的

24、原子同時位于兩個晶體點陣的共格孿晶界就是在孿晶面上的原子同時位于兩個晶體點陣的結(jié)點上，為兩個晶體所共有，屬于自然地完全匹配是無畸變結(jié)點上，為兩個晶體所共有，屬于自然地完全匹配是無畸變的完全共格晶面，它的界面能很低，約為普通晶界界面能的的完全共格晶面，它的界面能很低，約為普通晶界界面能的1 11010，很穩(wěn)定，在顯微鏡下呈直線，這種孿晶界較為常見，很穩(wěn)定，在顯微鏡下呈直線，這種孿晶界較為常見半共格界面半共格界面若兩相的點陣常數(shù)差別較大若兩相的點陣常數(shù)差別較大, ,界面就難于保持完全的共格界面就難于保持完全的共格. .即界即界面兩側(cè)的晶面不能一一對應(yīng)面兩側(cè)的晶面不能一一對應(yīng), ,于是界面上便形成了

25、一組刃型位于是界面上便形成了一組刃型位錯來彌補原子間距的差別錯來彌補原子間距的差別, ,這樣可以使界面的彈性應(yīng)變能降低這樣可以使界面的彈性應(yīng)變能降低. .并使共格性得以盡量維持。由于這種界面是由共格區(qū)和非共格并使共格性得以盡量維持。由于這種界面是由共格區(qū)和非共格區(qū)相間組成的區(qū)相間組成的, ,因此稱因此稱半共格界面或部分共格界面半共格界面或部分共格界面。這種孿晶界的能量相對較高，約為普通晶界的這種孿晶界的能量相對較高，約為普通晶界的1 12 2。孿晶界孿晶界相界相界(phase boundaries)具有不同結(jié)構(gòu)的兩相之間的分界面稱為具有不同結(jié)構(gòu)的兩相之間的分界面稱為“相界相界(phase bo

26、undary)(phase boundary)”。按結(jié)構(gòu)特點，相界面可分為。按結(jié)構(gòu)特點，相界面可分為共格相界共格相界、半共格相界半共格相界和和非共格相界非共格相界三種類型。三種類型。共格相界共格相界(coherent phase boundary)(coherent phase boundary)所謂所謂“共格共格”是指界面上的原子同時位于兩相晶格的結(jié)點上，是指界面上的原子同時位于兩相晶格的結(jié)點上，即兩相的晶格是彼此銜接的，界面上的原子為兩者共有。即兩相的晶格是彼此銜接的，界面上的原子為兩者共有。半共格相界半共格相界 (Simi-coherent phase boundary)(Simi-coherent phase boundary)兩相鄰晶體在相界面處的晶面間距相差較大，則在相界面上兩相鄰晶體在相界面處的晶面間距相差較大，則在相界面上不可能做到完全的一一對應(yīng)，于是在界面上將產(chǎn)生一些位錯，不可能做到完全的一一對應(yīng)，于是在界面上將產(chǎn)生一些位錯，以降低界面的彈性應(yīng)變能，這時界面上兩相原子部分地保持以降低界面的彈性應(yīng)變能，這時界面上兩相原子部分地保持匹配，這樣的界面稱為半共格界面或部分共格界面。匹配，這樣的界面稱為