BTS7960中文資料

1、BTS7960智能功率芯片中文資料TheBTS7960ispartoftheNovalithICfamilycontainingthreeseparatechipsinonepackage:Onep-channelhighsideMOSFETandonen-channellowsideMOSFETtogetherwithadriverIC,formingafullyintegratedhighcurrenthalf-bridge.Allthreechipsaremountedononecommonleadframe,usingthechiponchipandchipbychiptechnolo

2、gy.ThepowerswitchesutilizeverticalMOStechnologiestoensureoptimumonstateresistance.Duetothep-channelhighsideswitchtheneedforachargepumpiseliminatedthusminimizingEMI.InterfacingtoamicrocontrollerismadeeasybytheintegrateddriverICwhichfeatureslogiclevelinputs,diagnosiswithcurrentsense,slewrateadjustment

3、,deadtimegenerationandprotectionagainstovertemperature,overvoltage,undervoltage,overcurrentandshortcircuit.TheBTS7960canbecombinedwithotherBTS7960toformH-bridgeand3-phasedriveconfigurations.BTS796Q1NovalithIC家族三個獨立的芯片的一部分：一是p型通道的高電位場效應晶體管，二是一個n型通道的低電位場效應晶體管，結(jié)合一個驅(qū)動晶片，形成一個完全整合的高電流半橋。所有三個芯片是安裝在一個共同的引線框

4、，利用芯片對芯片和芯片芯片技術(shù)。電源開關(guān)應用垂直場效應管技術(shù)來確保最佳的阻態(tài)。由于p型通道的高電位開關(guān)，需要一個電荷泵消除電磁干擾。通過驅(qū)動集成技術(shù)，邏輯電平輸入、電流取樣診斷、轉(zhuǎn)換速率調(diào)整器，失效發(fā)生時間、防止欠電壓、過電流、短路結(jié)構(gòu)輕易地連接到一個微處理器上。BTS7960可結(jié)合其他的BTS7960B成全橋和三相驅(qū)動結(jié)構(gòu)。圖框如下:INHISOUTGND下圖顯示使用的數(shù)據(jù)表IVS'D(HS)dvs-JIN%NJINH口INHMnh/srISRJisBTS7960outd.SRGNDISGND/D(LS)2引腳結(jié)構(gòu)VqutBTS7960PP-TO-220-782.1引腳分配BTS79

5、60bP-TO-263-78BBFVVWWVVMWJ12&45§7上視圖是BTS7960BandBTS7960P的引腳結(jié)構(gòu)引腳的定義和功能PinSymbolI/OFunction1GND=Ground2IN1InputDefineswhetherhigh-orlowsideswitchisactivated3INH1InhibitWhensettolowdevicegoesinsleepmode4,8OUToPoweroutputotthebridge5SR1SlewRateTheslewrateofthepowerswitchescanbeadjustedbyconnect

6、ingaresistorbetweenSRandGND6ISoCurrentSenseandDiagnosis7VS-Supply引腳的定義和功能PINSYMBOLI/O功能1GND-接地2INI輸入，高電位開關(guān)、低電位開關(guān)是否開啟決定3INHI抑制，當設(shè)定為低電平進入睡眠狀態(tài)4,f3OUTO功率輸出5SRI轉(zhuǎn)換速率功率開關(guān)的轉(zhuǎn)換速率通過SR和GND連接的電阻調(diào)整6ISO電流取樣診斷7VS-電源應用事例下圖是智能功率芯片BTS796Q應用于電機驅(qū)動的大電流半橋高集成芯片MicrocontrolleVoltageRegulatorReversePolarityProtectionpcL-D-ZF

7、-CZHDTLE4278GGNDI/OI/OI/OI/OTTTTHighCurrentH-BridgeFaultcondition:errorflagmodeNormaloperation:currentsensemodeSenseoutputlogicvs0qESD-ZDZEIS.RsoVSkE皿口SenseoutputlogicISMm上圖是正常模式和故障模式下電流檢測智能功率芯片BTS796W應用于電機驅(qū)動的大電流半橋高集成芯片，它帶有一個P溝道的高邊MOSFET一個N溝道的低邊MOSFEV口一個驅(qū)動Ic,如圖1所示。集成的驅(qū)動Ic具有邏輯電平輸入、電流診斷、斜率調(diào)節(jié)、死區(qū)時間產(chǎn)生和過溫、過壓、欠壓、過流及短路保護的功能。BTS7960®態(tài)電阻典型值為16mQ驅(qū)動電流可達43A。智能功率芯片BTS796妙應用于電機驅(qū)動的大電流半橋高集成芯片，它帶有一個P溝道的高邊MOSFET一個N溝道的低邊MOSFE下口一個驅(qū)動Ic,如圖1所示。集成的驅(qū)動Ic具有邏輯電平輸入、電流診斷、斜率調(diào)節(jié)、死區(qū)時間產(chǎn)生和過溫、過壓、欠壓、過流及短路保護的功能。BTS7960®態(tài)電阻典型值為16mQ驅(qū)動電流可達43A。BTS7960勺弓唧Is具有電流檢測功能，正常模式下，從Is引腳流出的電流與流經(jīng)高邊MOS管的電流