模電填空題答案

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上專(zhuān)心-專(zhuān)注-專(zhuān)業(yè)專(zhuān)心-專(zhuān)注-專(zhuān)業(yè)精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上專(zhuān)心-專(zhuān)注-專(zhuān)業(yè)第一章一、填空題1雜質(zhì)半導(dǎo)體分為（ N ）型和（ P ）型。自由電子是（ N ）型半導(dǎo)體中的多子。空穴是（ N ）型半導(dǎo)體中的中的少子。2雜質(zhì)半導(dǎo)體中的少子因（本征激發(fā)）而產(chǎn)生，多子主要因（ 雜質(zhì)電離 ）而產(chǎn)生。3常溫下多子濃度等于（ 雜質(zhì) ）濃度,而少子濃度隨（ 溫度 ）變化顯著。4半導(dǎo)體中的（ 擴(kuò)散 ）電流與載流子濃度梯度成正比；（ 漂移 ）電流與電場(chǎng)強(qiáng)度成正比。5當(dāng)（ P ）區(qū)外接高電位而（ N ）區(qū)外接低電位時(shí)，PN結(jié)正偏。6PN結(jié)又稱(chēng)為（ 空間電荷區(qū) ），（

2、耗盡層 ），（ 阻擋層 ）和（ 勢(shì)壘區(qū) ）。7PN結(jié)的伏安方程為（ ）。該方程反映出PN結(jié)的基本特性是（ 單向?qū)щ?）特性。此外，PN結(jié)還有（ 電容 ）效應(yīng)和（ 反向擊穿 ）特性。8PN結(jié)電容包括（ 勢(shì)壘 ）電容和（ 擴(kuò)散 ）電容。PN結(jié)反偏時(shí)，只存在（ 勢(shì)壘 ）電容。反偏越大，該電容越（ 小 ）。9普通Si二極管的導(dǎo)通電壓的典型值約為（ 0.7 ）伏，而Ge二極管導(dǎo)通電壓的典型值約為（ 0.3 ）伏。10（ 鍺 ）二極管的反向飽和電流遠(yuǎn)大于（ 硅 ）二極管的反向飽和電流。11PN結(jié)的反向擊穿分為（ 雪崩 ）擊穿和（ 擊納 ）擊穿兩種機(jī)理。12穩(wěn)壓管是利于PN結(jié)（ 反向擊穿電壓穩(wěn)定的 ）特性工

3、作的二極管。13. 變?nèi)荻O管是利于PN結(jié)（ 反偏時(shí)勢(shì)壘電容 ）特性工作的二極管。14二極管交流電阻rd的定義式是（ ），rd的估算式（ ），其中熱電壓VT 在T=300K時(shí)值約為（ 26 ）mV。第二章一填空題1當(dāng)發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時(shí)，BJT工作在（ 放大 ）區(qū)，當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都（ 正偏 ）時(shí)，BJT飽和；當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都（ 反偏 ）時(shí)，BJT截止。2放大偏置的NPN管，三電極的電位關(guān)系是（ ）。而放大偏置的PNP管，三電極的關(guān)系是（ ）。3為了提高值，BJT在結(jié)構(gòu)上具有發(fā)射區(qū)雜質(zhì)密度（ 遠(yuǎn)大于 ）基區(qū)雜質(zhì)密度和基區(qū)（ 很薄 ）的特點(diǎn)。4ICBO 表示（ 集電結(jié)反向飽和電流 ），下標(biāo)

4、O 表示（ 發(fā)射極開(kāi)路 ）。ICEO表示（ 穿透電流 ），下標(biāo)O表示（ 基極開(kāi)路 ），兩個(gè)電流之間的關(guān)系是（ ）。5在放大區(qū)，iC 與iB 的關(guān)系為（ ），對(duì)Si 管而言，iC （ ）。6.共射直流放大系數(shù)與共基直流電流放大系數(shù)的關(guān)系是（ ）。7.在放大區(qū)，iE iC 和iB 近似成（ 線(xiàn)性 ）關(guān)系，而這些電流與vBE則是（ 指數(shù) ）關(guān)系。8放大偏置的BJT 在集電結(jié)電壓變化時(shí)，會(huì)通過(guò)改變基區(qū)寬度而影響各級(jí)電流，此現(xiàn)象稱(chēng)為（ 基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng) ）。9一條共射輸入特性曲線(xiàn)對(duì)應(yīng)的函數(shù)關(guān)系是（ ）。一條共射輸出特性曲線(xiàn)對(duì)應(yīng)的函數(shù)關(guān)系是（ ）。10當(dāng)溫度增加時(shí)，（ 增加 ），ICBO （ 增加 ），而

5、共射輸入特性曲線(xiàn)（ 左移 ）。（外部偏置電路一定時(shí)，這種左移使偏壓減小。）11BJT的三個(gè)主要極限參數(shù)是（ ），（ ）和（ ）。12交流的定義式為（ ）；交流的定義式為（ ）。13當(dāng)| | =1 時(shí)的頻率稱(chēng)為BJT的（ 特征頻率 ）。14在工程上，可將不等式（ mV ）作為雙極性晶體管的線(xiàn)性模型成立條件。15BJT的小信號(hào)跨導(dǎo)gm定義式為（ ），估算式為（ ）。16rbe 和交流其實(shí)是兩個(gè)共射H 參數(shù)，它們與混合參數(shù)的關(guān)系是rbe =（ ）, =（ ）。（后面的題號(hào)不太對(duì)應(yīng)，但都能找到答案）17引入厄利電壓VA是為了便于估算反映基調(diào)效應(yīng)的混合參數(shù)（ ）和（ ）。1場(chǎng)效應(yīng)管（FET）依靠（ ）控

6、制漏極電流iD,故稱(chēng)為（ 電壓 ）控制器件。2FET工作于放大區(qū)，又稱(chēng)為（ 飽和 ）區(qū)或（ 恒流 ）區(qū)。此時(shí)iD主要受（ ）電壓控制，而iD 幾乎不隨（ ）電壓的改變而變化。3N溝道FET放大偏置時(shí)，iD 的方向是從（ 漏 ）極到（ 源 ）極；P 溝道FET放大偏置時(shí)，iD 的方向是從（ 源 ）極到（ 漏 ）極。6符號(hào)IDSS 的含義是（ 零偏（）飽和漏電流 ）。7溝道預(yù)夾斷是指溝道在（ 靠近漏極端 ）位置剛好消失的狀態(tài)。此時(shí)，vDS 與vGS 滿(mǎn)足的關(guān)系式稱(chēng)為（ 預(yù)夾斷 ）方程。8耗盡 型FET的小信號(hào)跨導(dǎo)定義為gm=（ ）。對(duì)于耗盡型管gm（ ）或（ ）；對(duì)于增強(qiáng)型管gm （ ）。9在放大

7、區(qū)，耗盡型管轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)近似滿(mǎn)足的平方律關(guān)系式為（ ），而增強(qiáng)型管的平方律關(guān)系式為（ ）。10根據(jù)FET在放大區(qū)的外特性，它的柵極、源極和漏極分別與BJT的（ 基 ）極、（ 發(fā)射 ）極和（ 集電 ）極相似。第三章一、填空題1放大器的直流通路可用來(lái)求（ 工作點(diǎn) ）。在畫(huà)直流通路時(shí)，應(yīng)將電路元件中的（ 電容 ）開(kāi)路，（ 電感 ）短路。 2交流通路只反映（ 交流 ）電壓與（ 交流 ）電流之間的關(guān)系。在畫(huà)交流通路時(shí)，應(yīng)將耦合和傍路電容及恒壓源（ 短路 ）。圖F3-13圖F3-1所示共射放大器的輸出直流負(fù)載線(xiàn)方程近似為（ ）。該電路的交流負(fù)載線(xiàn)是經(jīng)過(guò)（ 工作 ）點(diǎn)，且斜率為（ ）的一條直線(xiàn)。共射放大器的

8、交流負(fù)載線(xiàn)是放大器工作時(shí)共射輸出特性曲線(xiàn)上的動(dòng)點(diǎn)（ , ）的運(yùn)動(dòng)軌跡。圖F3-14CE放大器工作點(diǎn)選在（ 交流負(fù)載線(xiàn) ）的中點(diǎn)時(shí)，無(wú)削波失真的輸出電壓最大。5放大器的信號(hào)源的等效負(fù)載是放大器的（ 輸入 ）電阻，而向放大器的負(fù)載RL輸出功率的等效信號(hào)源的內(nèi)阻是放大器的（ 輸出 ）電阻。6多級(jí)放大器的增益等于各級(jí)增益分貝數(shù)（ 相加 ）。若放大器AV70.7倍，則AV的分貝數(shù)（ 37 ）。7級(jí)聯(lián)放大器常用的級(jí)間耦合方式有（ 電容 ）耦合，（ 變壓器 ）耦合和（ 直接 ）耦合。8放大器級(jí)間產(chǎn)生共電耦合的原因是（ 電源不是理想恒壓源，存在內(nèi)阻 ），消除共電耦合的方法是采用（ 電源去耦 ）電路。9高增益直

9、流放大器要解決的一個(gè)主要問(wèn)題是（ 克服零點(diǎn)漂移 ）。 10在多級(jí)放大器中，中間某一級(jí)的（ 輸入 ）電阻是上一級(jí)的負(fù)載。11任何正常工作的放大器的（ 功率 ）增益總是大于一。12從頻譜分析的角度而言，放大器非線(xiàn)性失真的主要特征是（ 輸出信號(hào)的頻率分量比輸入信號(hào)多 ）。13圖F3-2和圖F3-3是兩個(gè)無(wú)源單口網(wǎng)絡(luò)。圖F3-2的端口等效電阻是Ra 等于（51.1 ）。圖F3-3的端口等效電阻等于（ ）。 圖F3-2 圖F3-314圖F3-4是某放大器的通用模型。如果該放大器的端電壓增益AV100，則該放大器的AVS=（ 39.2 ） dB，AVO=（ 40.4 ） dB ,AI=（ 34 ） dB

10、，AP=（ 15 ） dB 。15在BJT三種基本放大器中，CE組態(tài)使用較多的一個(gè)原因是（ 功率 ）增益最大。16當(dāng)溫度增加時(shí)，晶體管的直流參數(shù)（ ）和（ ）增加，而（ ）減小，使圖F3-5偏置電路的工作點(diǎn)向（ 飽和區(qū) ）移動(dòng)。17當(dāng)溫度增加時(shí)，圖F3-5偏置電路的（ 基極 ）電流幾乎不變，而（ 集電極 ）電流明顯增大，（ 集射間 ）電壓明顯減小。該偏置電路稱(chēng)為（固定基流）電路。18圖F3-6所示偏置電路稱(chēng)為（ 基極分壓射極）偏置電路。當(dāng)電路滿(mǎn)足條件（ （或） ）或（ ）時(shí)，穩(wěn)Q效果較好。 圖F3-4 圖F3-519圖F3-6 電路中，只有電阻（ ）對(duì)IC 幾乎無(wú)影響，但RC增加時(shí) ,工作點(diǎn)會(huì)

11、移向（ 飽和 ）區(qū)。 11在FET分立元件放大電路中，常采用的偏置電路是（ 源極自給偏壓 ）電路和（ 混合偏置 ）電路。但（源極自偏）電路不能用于增強(qiáng)型MOSFET。12FET的基本放大組態(tài)：CS組態(tài)、CD組態(tài)和CG組態(tài)，其放大特性分別與BJT的（ CE ）組態(tài)、（ CC ）組態(tài)和（ CB ）組態(tài)相似。13FET的（ 溝道長(zhǎng)度調(diào)制 ）效應(yīng)與BJT的基區(qū)寬調(diào)效應(yīng)相似?；鶇^(qū)寬調(diào)效應(yīng)使集電結(jié)反偏電壓變化對(duì)各極電位有影響，而FET的該反應(yīng)使（ ）電壓的變化對(duì)iD 產(chǎn)生影響。14FET的小信號(hào)參數(shù)（ ）是溝道調(diào)制效應(yīng)的反映。第四章一、填空題1在半導(dǎo)體集成電路（IC）中，（ 晶體管 ）元件占芯片面積最小，

12、（ 電阻 ）和（ 電容 ）元件的值越大，占芯片面積越大，而（ 電感 ）元件無(wú)法集成。2Si集成放大器的偏置電路往往采用（ 恒流源 ）電路。而集成放大器的負(fù)載常采用（ 有源 ）負(fù)載，其目的是為了（ 提高電壓增益 ）。3IC中的恒壓源和恒流源電路其模型中的電阻都是（ 交流 ）電阻。前者有很小的（ 交流 ）電阻，后者的（ 交流 ）電阻很大。4圖F51所示CE基本差動(dòng)放大器的差模輸入電壓vid的線(xiàn)性范圍約為（ 28 ）mV。5在圖F51中，當(dāng)vid 超過(guò)大約（ 100 ）mV時(shí)，輸出出現(xiàn)明顯限幅。6差動(dòng)放大器依靠電路的（ 對(duì)稱(chēng)性 ）和（ 共模 ）負(fù)反饋來(lái)抑制零點(diǎn)漂移。圖F5-17一般情況下，單端輸入的差動(dòng)放大器其輸出電壓與同一信號(hào)差模輸入時(shí)的輸出電壓幾乎相同，其原因是（ 很大，使單端輸入時(shí)，共模分量的輸出很小 ）。8采用恒流源偏置的差動(dòng)放大器可以明顯提高（ 共模負(fù)反饋 ）。10NPN-PNP互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)乙類(lèi)功放在每管工作時(shí)，都是（ CC ）組態(tài)。在這種功放里，對(duì)發(fā)射結(jié)加入一定正偏的目的是為了克服（ 交越失真 ）。11圖F5-2所示復(fù)合管等效為一支（ PNP ）管（標(biāo)出各電極）。其等效