右軸承座組件工藝及夾具設(shè)計(jì)外文中

1、MEMS20，CMOS，CMOSMEMS1.MEMS的實(shí)現(xiàn) MEMS 和 CMOS 共同工作是MEMS20，CMOS，CMOSMEMS1.MEMS的實(shí)現(xiàn) MEMS 和 CMOS 共同工作是分別制造 MEMS 傳感器和 CMOS 集成電路，然后，從各自的謂的混合（hybrid）方法。這種方法不會(huì)產(chǎn)生 MEMS 制造過程對(duì) CMOS 電路的污染，同時(shí)，兩本，提出把 MEMS 部分做在和 CMOS 電路同一塊襯底上，也就是產(chǎn)生了與 CMOS 工藝兼容單片集成 MEMS 技術(shù)或叫 CMOS-MEMS 技術(shù)。這種方法相對(duì)混合方法總的來說有如下優(yōu)勢：第一，性能譯（pre-CMOS）ermediate-CM

2、OS）t-CMOS）t-CMOSCMOSMEMSMEMSMEMSt-CMOS要問題是MEMS 加工工藝溫度會(huì)對(duì)前面的CMOS 電路性能產(chǎn)生影響更為嚴(yán)重的是后面高溫MEMSCMOSMEMS為例，使磷硅玻璃致密化退火溫度為 950400-450時(shí)，CMOSMEMSCMOSMEMS3MEMS400-450時(shí)，CMOSMEMSCMOSMEMS3MEMSermediate-CMOSCMOSMEMSCMOSBiCMOS2.MEMSMEMSt-CMOSCMOSCMOSMEMSMEMSofCMOSwithmicro-structuresMICS作為犧牲層的表面微細(xì)加工技術(shù)。采用難熔金屬鎢的金屬化互連代替鋁金屬

3、化互連以承受后面的生產(chǎn)多晶硅微結(jié)構(gòu)所需要的高溫，但是，在 600時(shí)，鎢容易與硅形成反應(yīng)，伯克利大TiNMICSCMOS30010-10nm（LTO200力。最后，刻蝕多晶硅結(jié)構(gòu)圖形以及腐蝕掉其下面的犧牲層（PSG）2.1.2多晶硅鍺不僅有與多力。最后，刻蝕多晶硅結(jié)構(gòu)圖形以及腐蝕掉其下面的犧牲層（PSG）2.1.2多晶硅鍺不僅有與多晶硅相似的優(yōu)良機(jī)械性能，而且，淀積溫度低與 CMOS 工藝兼容，所以，目前被廣泛研究。伯克利大學(xué)開發(fā)的基于硅鍺結(jié)構(gòu)層的工藝與 MICS 工藝基本相似。主要技術(shù)革新：第一，保護(hù)層采用不同的材料，以前 MICS 工藝采用 835的 LPCVD 氮化硅，而現(xiàn)在則是采用兩層

4、LTO 和中間夾一層不定型硅（a-Si）作為 CMOS 電路保護(hù)層，其中，a-Si 分兩步淀積，第一步淀積在 450；第二步淀積則在 410，這樣溫度是不會(huì)損壞鋁金屬化 CMOS只有 400，采用快速退火溫度也僅為 550，時(shí)間為 30s。而 MICS 工藝淀積多晶硅結(jié)構(gòu)溫度則超過 600。從以上兩點(diǎn)可知，由于整個(gè)后續(xù) MEMS 加工溫度不超過 450，所以，不會(huì)CMOS采用鋁作為結(jié)構(gòu)層材料也會(huì)獲得很大成功，最為成功的是德州儀器開發(fā)低溫表面微細(xì)加（DMD單元不被破壞 。傳感器以及微執(zhí)行器。PZTCMOSCMOSMEMSCMOSCMOS，這種方法被稱作犧牲鋁蝕刻laluminumetching，

5、SALE）122（4）2.2.2單體硅活化蝕刻和金屬化法（single crystal reactiveetching and metallization， CMOSCMOS300CMOS2.2.3CMOS-MEMSGamegle MelloaCMOSCMOS0.5upmN單體硅活化蝕刻和金屬化法（single crystal reactiveetching and metallization， CMOSCMOS300CMOS2.2.3CMOS-MEMSGamegle MelloaCMOSCMOS0.5upmN離子蝕刻（RIE），3，CMOS3CMOS SP6O2 等離子在不蝕刻微結(jié)構(gòu)側(cè)壁情況下各向同性蝕刻硅襯底。狹窄的絕緣層和導(dǎo)電層融2.2.4CMOS-MEMSMEMS大KOHXeF2t-CMOSXeP2劑，蝕刻速度很高，它是惰性氣體氙的一種稀有化合物。XeP2ICXeF2，CMOS3.ICMOSIS.EuropracticeCroonsCMO