GB/T 29658-2013電子薄膜用高純鋁及鋁合金濺射靶材

ICS7712010

H61..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29658—2013

電子薄膜用高純鋁及鋁合金濺射靶材

High-puritysputteringaluminiumandaluminium

alloytargetusedinelectronicfilm

2013-09-06發(fā)布2014-05-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T29658—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位有研億金新材料股份有限公司

:。

本標(biāo)準(zhǔn)參加起草單位寧波江豐電子材料有限公司新疆眾和股份有限公司

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人萬(wàn)小勇羅俊鋒廖贊尚再艷楊華朱曉光孫秀霖何金江熊曉東王興權(quán)

:、、、、、、、、、、

王學(xué)澤錢(qián)紅兵喻潔劉杰洪濤努力古宋玉萍

、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29658—2013

電子薄膜用高純鋁及鋁合金濺射靶材

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子薄膜制備用高純鋁及鋁合金靶材的要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志包裝運(yùn)

、、、、

輸存貯訂貨單或合同等內(nèi)容

、、()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子薄膜用各類(lèi)高純鋁及鋁合金濺射靶材以下簡(jiǎn)稱(chēng)鋁靶

()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本標(biāo)

。,

準(zhǔn)凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本標(biāo)準(zhǔn)

。,()。

一般公差未注公差的線(xiàn)性和角度尺寸的公差

GB/T1804

金屬平均晶粒度測(cè)定方法

GB/T6394

金屬材料中氫氧氮碳和硫分析方法通則

GB/T14265、、、

無(wú)損檢測(cè)氦泄漏檢測(cè)方法

GB/T15823

鋁及鋁合金化學(xué)分析方法第部分電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法

GB/T20975.2525:

變形金屬超聲檢驗(yàn)方法

GJB1580A

鋁制焊接容器

JB/T4734

濺射靶材背板結(jié)合質(zhì)量超聲波檢驗(yàn)方法

YS/T837-

高純鋁化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素的測(cè)定輝光放電質(zhì)譜法

YS/T871

3要求

31產(chǎn)品分類(lèi)

.

311按照應(yīng)用領(lǐng)域分為半導(dǎo)體布線(xiàn)用高純?yōu)R射靶材半導(dǎo)體封裝用高純?yōu)R射靶材平板顯示器用高

..:、、

純?yōu)R射靶材和太陽(yáng)能電池用高純?yōu)R射靶材

。

312按照結(jié)構(gòu)形式分為單體和焊接兩種

..。

313按外形分為圓形矩形和三角形等

..、。

32合金成分與純度

.

321根據(jù)合金材料不同可分為純鋁靶鋁硅合金靶鋁銅合金靶鋁硅銅合金靶四種靶材

..,、、、。

322高純鋁合金靶中合金元素含量應(yīng)不超過(guò)規(guī)定成分的

..±10%。

323鋁靶合金成分及雜質(zhì)元素要求應(yīng)符合表規(guī)定

..1。

表1鋁靶合金成分和對(duì)應(yīng)的雜質(zhì)元素

成分

AlAlSiAlCuAlSiCu

或合金含量不小于

AlAl

99.9999.99999.999599.99599.99999.999599.99999.999599.99999.999