標準解讀
《GB/T 34971-2017 半導體制造用氣體處理指南》是由中國國家標準化管理委員會發(fā)布的一項國家標準,主要針對半導體制造過程中所使用的特種氣體的安全處理、儲存以及運輸?shù)确矫嫣岢隽司唧w要求與指導。該標準適用于半導體材料生產及加工企業(yè),在確保員工健康安全的同時,也保證了環(huán)境不受污染,并提高了產品質量。
在內容上,《GB/T 34971-2017》詳細規(guī)定了從氣體的選擇到最終使用全過程中的注意事項。其中包括但不限于:
- 氣體選擇時需考慮其純度對工藝影響;
- 對于不同種類的氣體(如腐蝕性氣體、毒性氣體等),應根據(jù)其性質采取相應的防護措施;
- 在儲存環(huán)節(jié)強調了容器材質的重要性,指出必須使用符合特定條件的專用儲罐來存放各種氣體;
- 運輸過程中要注意避免震動和碰撞,防止泄露事故發(fā)生;
- 使用現(xiàn)場應當配備完善的通風設施以減少有害物質濃度;
- 強調定期檢查設備狀態(tài),及時更換老化部件,確保系統(tǒng)正常運行;
- 針對突發(fā)事件制定應急預案,包括但不限于泄漏處置方法、人員疏散路線等;
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經官方授權發(fā)布的權威標準文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2017-11-01 頒布
- 2018-02-01 實施



文檔簡介
ICS7104040
G86..
中華人民共和國國家標準
GB/T34971—2017
半導體制造用氣體處理指南
Guideforgaseouseffluenthandlinginsemiconductorindustry
2017-11-01發(fā)布2018-02-01實施
中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
GB/T34971—2017
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出并歸口
(SAC/TC203)。
本標準起草單位中昊光明化工研究設計院有限公司西南化工研究設計院有限公司高麥儀器公
:、、
司廣東華特氣體股份有限公司東莞市聯(lián)臣電子科技有限公司上海華愛色譜分析技術有限公司上海
、、、、
市計量測試技術研究院
。
本標準主要起草人孫福楠牛艷東廖恒易杜漢盛王鴻方華陳鷹周鵬云
:、、、、、、、。
Ⅰ
GB/T34971—2017
半導體制造用氣體處理指南
1范圍
本標準規(guī)定了半導體制造用氣體排放系統(tǒng)的原理及技術
。
本標準適用于半導體制造用氣體的處理
。
2術語和定義
下列術語和定義適用于本文件
。
21
.
效率efficiency
去除的化學物類與其投放量的比率分數(shù)或比例
()。
22
.
管道末端減排end-of-pipeabatement
可在廢氣處理系統(tǒng)的排放點使用的減排技術
。
23
.
使用點減排point-of-useabatement
可在半導體工藝設備氣體排放裝置的排放點使用的減排技術
。
24
.
去除能力removalcapacity
一種物質可被去除的量
。
3縮略語
下列縮略語適用于本文件
。
化學氣相沉積
CVD:(ChemicalVaporDeposition)
外延沉積
EPI:(EpitaxialDeposition)
爆炸下限
LEL:(LowerExplosiveLimit)
低壓化學氣相沉積
LPCVD:(LowPressureChemicalVaporDeposition)
職業(yè)接觸限值
OEL:(OcupationalExposureLimit)
等離子體增強化學氣相沉積
PECVD:(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)
全氟化合物
PFC:(Perfluorocompounds)
使用點
POU:(PointOfUse)
快速熱處理
RTP:(RapidThermalProcess)
揮發(fā)性有機化合物
VOC:(VolatileOrganicCompounds)
4總則
41眾多工藝過程可能排放的氣體混合物也可能在廢氣管中產生有害物質
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