淮陰工學(xué)院《現(xiàn)代工程材料及應(yīng)用A》2023-2024學(xué)年第二學(xué)期期末試卷

學(xué)校________________班級(jí)____________姓名____________考場(chǎng)____________準(zhǔn)考證號(hào)學(xué)校________________班級(jí)____________姓名____________考場(chǎng)____________準(zhǔn)考證號(hào)…………密…………封…………線…………內(nèi)…………不…………要…………答…………題…………第1頁(yè)，共3頁(yè)淮陰工學(xué)院

《現(xiàn)代工程材料及應(yīng)用A》2023-2024學(xué)年第二學(xué)期期末試卷題號(hào)一二三四總分得分批閱人一、單選題（本大題共20個(gè)小題，每小題1分，共20分．在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的．）1、在研究陶瓷材料的壓電性能時(shí)，以下哪種陶瓷材料具有優(yōu)異的壓電性能？（）A.鈦酸鋇B.氧化鎂C.氧化鋁D.氧化硅2、對(duì)于半導(dǎo)體材料，其導(dǎo)電性能主要取決于載流子的濃度和遷移率。已知一種新型半導(dǎo)體材料在低溫下導(dǎo)電性能較差，但隨著溫度升高導(dǎo)電性能迅速提高。以下哪種因素最可能是導(dǎo)致這種現(xiàn)象的主要原因？（）A.施主雜質(zhì)濃度增加B.受主雜質(zhì)濃度增加C.本征激發(fā)增強(qiáng)D.晶格散射減弱3、對(duì)于非晶態(tài)材料，其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)決定了其性能。以下關(guān)于非晶態(tài)材料結(jié)構(gòu)的描述，哪一項(xiàng)是正確的？（）A.不存在長(zhǎng)程有序和短程有序B.存在短程有序但不存在長(zhǎng)程有序C.存在長(zhǎng)程有序但不存在短程有序D.長(zhǎng)程有序和短程有序都存在，但程度較低4、在陶瓷材料的制備過(guò)程中，為了提高其韌性，常常采用添加纖維增強(qiáng)的方法。以下哪種纖維材料與陶瓷基體的相容性較好，能更有效地提高韌性？（）A.碳纖維B.玻璃纖維C.金屬纖維D.陶瓷纖維5、在高分子材料的聚合反應(yīng)中，逐步聚合和鏈?zhǔn)骄酆系姆磻?yīng)機(jī)理不同。逐步聚合通常（）A.反應(yīng)速度快B.分子量分布窄C.單體轉(zhuǎn)化率高D.以上都是6、在研究材料的抗蠕變性能時(shí)，以下哪種材料通常具有較好的抗蠕變性能？（）A.金屬材料B.陶瓷材料C.高分子材料D.復(fù)合材料7、對(duì)于一種用于航空發(fā)動(dòng)機(jī)渦輪葉片的單晶高溫合金，以下哪種晶體取向的高溫性能最優(yōu)？（）A.B.C.D.隨機(jī)取向8、在研究一種用于核反應(yīng)堆的結(jié)構(gòu)材料時(shí)，需要考慮其在輻射環(huán)境下的性能變化。以下哪種輻射損傷機(jī)制對(duì)材料性能的削弱作用最為嚴(yán)重？（）A.原子移位B.氦泡形成C.空位聚集D.裂變產(chǎn)物沉積9、在陶瓷材料的壓電性能研究中，以下關(guān)于壓電效應(yīng)原理和應(yīng)用的描述，正確的是（）A.壓電效應(yīng)是由于材料的極化引起B(yǎng).所有陶瓷材料都具有壓電性能C.壓電陶瓷主要用于制造壓力傳感器D.壓電性能與材料的化學(xué)成分無(wú)關(guān)10、在研究材料的擴(kuò)散現(xiàn)象時(shí)，發(fā)現(xiàn)擴(kuò)散系數(shù)與溫度之間存在指數(shù)關(guān)系。以下哪種機(jī)制可以解釋這種溫度依賴性？（）A.空位機(jī)制B.間隙機(jī)制C.交換機(jī)制D.表面擴(kuò)散機(jī)制11、在研究金屬材料的強(qiáng)度和塑性時(shí)，發(fā)現(xiàn)一種合金在經(jīng)過(guò)特定的熱處理工藝后，其抗拉強(qiáng)度顯著提高，但塑性略有下降。以下哪種微觀結(jié)構(gòu)的變化最有可能是導(dǎo)致這種現(xiàn)象的原因？（）A.晶粒細(xì)化B.析出強(qiáng)化C.固溶強(qiáng)化D.位錯(cuò)密度增加12、在分析一種用于電磁波屏蔽的材料時(shí)，發(fā)現(xiàn)其屏蔽效能不足。以下哪種改進(jìn)方法可能有助于提高屏蔽效能？（）A.增加導(dǎo)電填料含量B.構(gòu)建多層結(jié)構(gòu)C.提高材料的磁導(dǎo)率D.以上都是13、陶瓷材料的強(qiáng)度測(cè)試通常采用三點(diǎn)彎曲或四點(diǎn)彎曲的方法。對(duì)于同一種陶瓷材料，在三點(diǎn)彎曲和四點(diǎn)彎曲試驗(yàn)中，得到的強(qiáng)度值是否相同？（）A.相同B.不同C.有時(shí)相同，有時(shí)不同D.取決于加載速度14、在研究材料的阻尼性能時(shí)，阻尼系數(shù)是一個(gè)重要的參數(shù)。對(duì)于高分子阻尼材料，其阻尼系數(shù)通常與什么因素有關(guān)？（）A.分子量B.結(jié)晶度C.交聯(lián)度D.以上因素均有關(guān)15、在陶瓷材料的增韌機(jī)制中，相變?cè)鲰g是一種重要的方法。以下關(guān)于相變?cè)鲰g原理和效果的描述，正確的是（）A.相變?cè)鲰g是通過(guò)改變陶瓷的晶體結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)B.相變?cè)鲰g會(huì)降低陶瓷材料的強(qiáng)度C.只有部分陶瓷材料可以通過(guò)相變?cè)鲰gD.相變?cè)鲰g對(duì)陶瓷材料的耐磨性沒(méi)有影響16、對(duì)于一種高溫結(jié)構(gòu)材料，需要其在高溫下具有良好的抗氧化和抗蠕變性能。以下哪種材料最有可能滿足這些要求？（）A.鎳基高溫合金B(yǎng).鈦基高溫合金C.鐵基高溫合金D.鈷基高溫合金17、在研究一種用于芯片制造的光刻膠材料時(shí)，發(fā)現(xiàn)其分辨率難以滿足先進(jìn)制程的要求。以下哪種改進(jìn)途徑可能最為有效？（）A.開(kāi)發(fā)新型光刻技術(shù)B.優(yōu)化光刻膠的化學(xué)配方C.改進(jìn)光刻設(shè)備D.以上都是18、對(duì)于一種光學(xué)玻璃材料，要降低其折射率，以下哪種成分的調(diào)整可能有效？（）A.增加堿金屬氧化物含量B.增加二氧化硅含量C.增加重金屬氧化物含量D.增加氟化物含量19、對(duì)于納米材料，由于其尺寸效應(yīng)，表現(xiàn)出與常規(guī)材料不同的性能。納米材料的比表面積通常（）A.小于常規(guī)材料B.等于常規(guī)材料C.大于常規(guī)材料D.與材料尺寸無(wú)關(guān)20、在電子材料領(lǐng)域，半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能對(duì)器件性能起著關(guān)鍵作用。以下哪種半導(dǎo)體材料的禁帶寬度較大？（）A.硅B.鍺C.砷化鎵D.磷化銦二、簡(jiǎn)答題（本大題共5個(gè)小題，共25分)1、（本題5分）詳細(xì)解釋材料的摩擦學(xué)性能，包括摩擦系數(shù)、磨損機(jī)制等，說(shuō)明如何改善材料的摩擦學(xué)性能。2、（本題5分）詳細(xì)分析材料疲勞裂紋擴(kuò)展行為的研究方法和影響因素，討論如何通過(guò)材料設(shè)計(jì)和工藝優(yōu)化來(lái)抑制疲勞裂紋擴(kuò)展。3、（本題5分）闡述超導(dǎo)材料在強(qiáng)磁場(chǎng)應(yīng)用中的關(guān)鍵問(wèn)題和挑戰(zhàn)，分析如何提高超導(dǎo)材料在強(qiáng)磁場(chǎng)下的性能，并探討其在磁懸浮、核聚變等領(lǐng)域的應(yīng)用前景。4、（本題5分）詳細(xì)闡述陶瓷材料的制備工藝，包括原料制備、成型和燒結(jié)等過(guò)程，說(shuō)明每個(gè)工藝環(huán)節(jié)的關(guān)鍵技術(shù)和影響因素。5、（本題5分）詳細(xì)說(shuō)明高溫陶瓷材料的種類和性能特點(diǎn)，分析其在高溫爐窯等領(lǐng)域的應(yīng)用。三、計(jì)算題（本大題共5個(gè)小題，共25分)1、（本題5分）某種復(fù)合材料的彎曲強(qiáng)度為300MPa，一個(gè)矩形截面的復(fù)合梁，寬度為20毫米，高度為30毫米，跨度為500毫米，計(jì)算該梁能承受的最大彎矩。2、（本題5分）已知某種材料的泊松比為0.25，彈性模量為180GPa，在單軸拉伸時(shí)，縱向應(yīng)變?yōu)?.0015，計(jì)算橫向應(yīng)變。3、（本題5分）一種金屬材料在室溫下進(jìn)行疲勞試驗(yàn)，應(yīng)力比為0.1，最大應(yīng)力為400MPa，經(jīng)過(guò)10^7次循環(huán)后發(fā)生斷裂，計(jì)算其疲勞強(qiáng)度。4、（本題5分）某晶體的晶格常數(shù)為a=b=0.4納米，c=0.6納米，計(jì)算其晶胞體積。假設(shè)為六方晶系。5、（本題5分）一塊厚度為5mm的塑料板，介電常數(shù)為3，要使其在1MHz的交流電場(chǎng)下的介質(zhì)損耗角正切值為0.05，計(jì)算其電導(dǎo)率。四、論述題（本大題共3個(gè)小題，共30分)1、（本題10分）詳細(xì)