電化學(xué)阻抗譜PPT課件.ppt

第6章電化學(xué)阻抗譜ElectrochemicalImpedanceSpectroscopy 胡會利電化學(xué)教研室 引言 定義以小振幅的正弦波電勢 或電流 為擾動信號 使電極系統(tǒng)產(chǎn)生近似線性關(guān)系的響應(yīng) 測量電極系統(tǒng)在很寬頻率范圍的阻抗譜 以此來研究電極系統(tǒng)的方法就是電化學(xué)阻抗法 ACImpedance 現(xiàn)稱為電化學(xué)阻抗譜 引言 定義對于一個穩(wěn)定的線性系統(tǒng)M 如以一個角頻率為 的正弦波電信號X 電壓或電流 輸入該系統(tǒng) 相應(yīng)的從該系統(tǒng)輸出一個角頻率為 的正弦波電信號Y 電流或電壓 此時電極系統(tǒng)的頻響函數(shù)G就是電化學(xué)阻抗 X Y G G Y X 引言 定義在一系列不同角頻率下測得的一組這種頻響函數(shù)值就是電極系統(tǒng)的電化學(xué)阻抗譜 若在頻響函數(shù)中只討論阻抗與導(dǎo)納 則G總稱為阻納 引言 優(yōu)點用小幅度正弦波對電極進行極化不會引起嚴(yán)重的濃度極化及表面狀態(tài)變化使擾動與體系的響應(yīng)之間近似呈線性關(guān)系是頻域中的測量速度不同的過程很容易在頻率域上分開速度快的子過程出現(xiàn)在高頻區(qū) 速度慢的子過程出現(xiàn)在低頻區(qū) 引言 優(yōu)點可判斷出含幾個子過程 討論動力學(xué)特征可以在很寬頻率范圍內(nèi)測量得到阻抗譜 因而EIS能比其它常規(guī)的電化學(xué)方法得到更多的電極過程動力學(xué)信息和電極界面結(jié)構(gòu)信息 引言 阻納的基本條件因果性條件線性條件有限性條件穩(wěn)定性條件 電極系統(tǒng)只對擾動信號進行響應(yīng) 電極過程速度隨狀態(tài)變量發(fā)生線性變化 在頻率范圍內(nèi)測定的阻抗或?qū)Ъ{是有限的 引言 穩(wěn)定性條件 穩(wěn)定 不穩(wěn)定 可逆反應(yīng)容易滿足穩(wěn)定性條件 不可逆電極過程 只要電極表面的變化不是很快 當(dāng)擾動幅度小 作用時間短 擾動停止后 系統(tǒng)也能夠恢復(fù)到離原先狀態(tài)不遠(yuǎn)的狀態(tài) 電化學(xué)阻抗譜導(dǎo)論 曹楚南 導(dǎo)言第1章阻納導(dǎo)論第2章電化學(xué)阻抗譜與等效電路第3章電極過程的表面過程法拉第導(dǎo)納第4章表面過程法拉第阻納表達式與等效電路的關(guān)系4 2除電極電位E以外沒有或只有一個其他狀態(tài)變量4 3除電極電位E外還有兩個狀態(tài)變量X1和X2第5章電化學(xué)阻抗譜的時間常數(shù)5 1狀態(tài)變量的弛豫過程與時間常數(shù)5 2EIS的時間常數(shù)第6章由擴散過程引起的法拉第阻抗6 1由擴散過程引起的法拉第阻抗6 2平面電極的半無限擴散阻抗 等效元件W 6 3平面電極的有限層擴散阻抗 等效元件0 6 4平面電極的阻擋層擴散阻抗 等效元件T 6 5球形電極W6 6球形電極的O6 7球形電極的T6 8幾個值得注意的問題第7章混合電位下的法拉第阻納第8章電化學(xué)阻抗譜的數(shù)據(jù)處理與解析第9章電化學(xué)阻抗譜在腐蝕科學(xué)中的應(yīng)用 科學(xué)出版社 2002 交流阻抗譜原理及應(yīng)用 史美倫 第一章基本電路的交流阻抗譜第二章電化學(xué)阻抗譜第三章交流極譜第四章線性動態(tài)系統(tǒng)的傳遞函數(shù)第五章穩(wěn)定性和色散關(guān)系第六章交流阻抗譜的測量與數(shù)據(jù)處理第七章在材料研究中的應(yīng)用第八章固體表面第九章在器件上的應(yīng)用第十章在生命科學(xué)中的應(yīng)用 國防工業(yè)出版社 2001 主要內(nèi)容與學(xué)習(xí)要求 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識6 2電解池的等效電路6 3理想極化電極的EIS6 4溶液電阻可以忽略時電化學(xué)極化的EIS6 5溶液電阻不能忽略的電化學(xué)極化電極的EIS6 6電化學(xué)極化和濃差極化同時存在的電極的EIS6 7阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路6 9電化學(xué)阻抗譜的應(yīng)用 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識 復(fù)數(shù) 1復(fù)數(shù)的概念 2 復(fù)數(shù)的輻角 即相位角 1 復(fù)數(shù)的模 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識 復(fù)數(shù) 3 虛數(shù)單位乘方 4 共軛復(fù)數(shù) 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識 復(fù)數(shù) 2復(fù)數(shù)表示法 1 坐標(biāo)表示法 2 三角表示法 3 指數(shù)表示法 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識 復(fù)數(shù) 3復(fù)數(shù)的運算法則 1 加減 2 乘除 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識 電工學(xué) 1正弦交流電流經(jīng)過各元件時電流與電壓的關(guān)系 1 純電阻元件 電阻兩端的電壓與流經(jīng)電阻的電流是同頻同相的正弦交流電 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識 電工學(xué) 2 純電感元件 電感兩端的電壓與流經(jīng)的電流是同頻率的正弦量 但在相位上電壓比電流超前 V 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識 電工學(xué) 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識 電工學(xué) 3 純電容元件 電容器的兩端的電壓和流經(jīng)的電流是同頻率的正弦量 只是電流在相位上比電壓超前 I t 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識 電工學(xué) 6 1有關(guān)復(fù)數(shù)和電工學(xué)知識 電工學(xué) 2復(fù)阻抗的概念 1 復(fù)阻抗的串聯(lián) 2 復(fù)阻抗的并聯(lián) 復(fù)阻抗Z是電路元件對電流的阻礙作用和移相作用的反映 6 2電解池的等效電路 1 2 3 4 5 6 2電解池的等效電路 電路描述碼 CircuitDescriptionCode CDC 規(guī)則如下 元件外面的括號總數(shù)為奇數(shù)時 該元件的第一層運算為并聯(lián) 外面的括號總數(shù)為偶數(shù)時 該元件的第一層運算為串聯(lián) 演練 6 3理想極化電極的電化學(xué)阻抗譜 電解池阻抗的復(fù)平面圖 Nyquist圖 6 3理想極化電極的電化學(xué)阻抗譜 1 圖 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) Bode圖 6 3理想極化電極的電化學(xué)阻抗譜 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) Bode圖 2 圖 6 3理想極化電極的電化學(xué)阻抗譜 時間常數(shù) 6 4溶液電阻可忽略時電化學(xué)極化的EIS 6 4 1Nyquist圖 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) 6 4溶液電阻可忽略時電化學(xué)極化的EIS 6 4 2Bode圖 1 圖 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) 6 4溶液電阻可忽略時電化學(xué)極化的EIS 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) 2 圖 6 4溶液電阻可忽略時電化學(xué)極化的EIS 6 4 2Bode圖 3時間常數(shù) 在Nyquist圖中 半圓上 的極大值處的頻率就是 特征頻率 令 6 4溶液電阻可忽略時電化學(xué)極化的EIS 6 4 2Bode圖 6 4溶液電阻可忽略時電化學(xué)極化的EIS Bode圖 RC RC Nyquist圖 6 5溶液電阻不可忽略時電化學(xué)極化的EIS Cd與Rp并聯(lián)后與RL串聯(lián)后的總阻抗為 實部 虛部 Cd與Rp并聯(lián)后的總導(dǎo)納為 6 5 1Nyquist圖 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) 6 5溶液電阻不可忽略時電化學(xué)極化的EIS 6 5 2Bode圖 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) 6 5溶液電阻不可忽略時電化學(xué)極化的EIS 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) 6 5 2Bode圖 6 5溶液電阻不可忽略時電化學(xué)極化的EIS 6 5溶液電阻不可忽略時電化學(xué)極化的EIS 3時間常數(shù) 6 5 2Bode圖 補充內(nèi)容 常見的規(guī)律總結(jié) 在阻抗復(fù)數(shù)平面圖上 第1象限的半圓是電阻和電容并聯(lián)所產(chǎn)生的 叫做容抗弧 在Nyquist圖上 第1象限有多少個容抗弧就有多少個 RC 電路 有一個 RC 電路就有一個時間常數(shù) 補充內(nèi)容 常見的規(guī)律總結(jié) 一般說來 如果系統(tǒng)有電極電勢E和另外n個表面狀態(tài)變量 那么就有n 1個時間常數(shù) 如果時間常數(shù)相差5倍以上 在Nyquist圖上就能分辨出n 1個容抗弧 第1個容抗弧 高頻端 是 RpCd 的頻響曲線 補充內(nèi)容 常見的規(guī)律總結(jié) 有n個電極反應(yīng)同時進行時 如果又有影響電極反應(yīng)的x個表面狀態(tài)變量 此時時間常數(shù)的個數(shù)比較復(fù)雜 一般地說 時間常數(shù)的個數(shù)小于電極反應(yīng)個數(shù)n和表面狀態(tài)變量x之和 這種現(xiàn)象叫做混合電勢下EIS的退化 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EIS 6 6 1電極的等效電路 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EIS 實部 虛部 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EIS 6 6 2濃差極化電阻RW和電容CW 稱為Warburg系數(shù) 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EIS 6 6 3Nyquist圖 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EIS 6 6 4Bode圖 1 圖 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EIS 6 6 4Bode圖 1 圖 濃度極化對幅值圖的影響 2 低頻區(qū) 討論 1 高頻區(qū) 6 6 4Bode圖 2 圖 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EIS 6 6 4Bode圖 2 圖 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EIS 濃度極化對相角圖的影響 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EIS 3時間常數(shù) 令 根據(jù) 6 6 4Bode圖 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EIS 6 6 5Randles圖 當(dāng)高頻區(qū)半圓發(fā)生畸變從而使按Nyquist圖求變得不大可靠時 可以嘗試這種獨特的作圖法 Randles圖可以從另一側(cè)面確定Warburg阻抗的存在 6 6電化學(xué)極化和濃度極化同時存在的電極的EIS 6 6 5Randles圖 阻抗擴散的直線可能偏離45 原因 電極表面很粗糙 以致擴散過程部分相當(dāng)于球面擴散 除了電極電勢外 還有另外一個狀態(tài)變量 這個變量在測量的過程中引起感抗 補充內(nèi)容 作Nyquist圖的注意事項 1 2 3 EIS譜圖實例 鋅鋁涂層在海水浸泡過程中的EIS EIS譜圖實例 EIS譜圖實例 不恰當(dāng)?shù)膱D例 6 7阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 在實際電化學(xué)體系的阻抗測定中 人們常常觀察到阻抗圖上壓扁的半圓 depressedsemi circle 即在Nyquist圖上的高頻半圓的圓心落在了x軸的下方 因而變成了圓的一段弧 該現(xiàn)象又被稱為半圓旋轉(zhuǎn) 6 7阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 一般認(rèn)為 出現(xiàn)這種半圓向下壓扁的現(xiàn)象 亦即通常說的阻抗半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象的原因與電極 電解液界面性質(zhì)的不均勻性有關(guān) 固體電極的雙電層電容的頻響特性與 純電容 并不一致 而有或大或小的偏離 這種現(xiàn)象 一般稱為 彌散效應(yīng) 雙電層中電場不均勻 這種不均勻可能是電極表面太粗糙引起的 界面電容的介質(zhì)損耗 6 7阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 6 7阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 雙電層電容Cd Rp與一個與頻率成反比的電阻并聯(lián)的等效電路 實部 虛部 6 7阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 實部 虛部 6 7阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 6 7阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 常相位角元件 ConstantPhaseElement CPE 具有電容性質(zhì) 它的等效元件用Q表示 Q與頻率無關(guān) 因而稱為常相位角元件 常相位角元件 通常n在0 5和1之間 對于理想電極 表面平滑 均勻 Q等于雙層電容 n 1 n 1時 6 7阻抗譜中的半圓旋轉(zhuǎn)現(xiàn)象 上面介紹的公式中的b與n實質(zhì)上都是經(jīng)驗常數(shù) 缺乏確切的物理意義 但可以把它們理解為在擬合真實體系的阻抗譜時對電容所做的修正 6 8 1阻抗實驗注意點 1 參比電極的影響 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 1 實驗準(zhǔn)備 雙參比電極結(jié)構(gòu)示意圖 6 8 1阻抗實驗注意點 2 要盡量減少測量連接線的長度 減小雜散電容 電感的影響 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 1 實驗準(zhǔn)備 互相靠近和平行放置的導(dǎo)線會產(chǎn)生電容 長的導(dǎo)線特別是當(dāng)它繞圈時就成為了電感元件 測定阻抗時要把儀器和導(dǎo)線屏蔽起來 6 8 1阻抗實驗注意點 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 2 頻率范圍要足夠?qū)?一般使用的頻率范圍是105 10 4Hz 阻抗測量中特別重視低頻段的掃描 反應(yīng)中間產(chǎn)物的吸脫附和成膜過程 只有在低頻時才能在阻抗譜上表現(xiàn)出來 測量頻率很低時 實驗時間會很長 電極表面狀態(tài)的變化會很大 所以掃描頻率的低值還要結(jié)合實際情況而定 6 8 1阻抗實驗注意點 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 3 阻抗譜必須指定電極電勢 電極所處的電勢不同 測得的阻抗譜必然不同 阻抗譜與電勢必須一一對應(yīng) 為了研究不同極化條件下的電化學(xué)阻抗譜 可以先測定極化曲線 在電化學(xué)反應(yīng)控制區(qū) Tafel區(qū) 混合控制區(qū)和擴散控制區(qū)各選取若干確定的電勢值 然后在響應(yīng)電勢下測定阻抗 6 8 1阻抗實驗注意點 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 阻抗譜測試中的主要參數(shù)設(shè)置 InitialFreq HighFreqFinalFreq LowFreqPoints decadeCyclesDCVoltage InitialEACVoltage Amplitude 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 6 8 2阻抗譜的分析思路 1 現(xiàn)象分析 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 2 圖解分析 6 8 2阻抗譜的分析思路 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 3 數(shù)值計算 6 8 2阻抗譜的分析思路 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 4 計算機模擬 6 8 2阻抗譜的分析思路 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 6 8阻抗實驗注意點和阻抗譜分析思路 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 6 9 1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用 1 15V 1 10V 鍍鋅 鍍銅 6 9 1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用 a 基礎(chǔ)鍍液A b A 60mg LCl c B 300mg LOP 21 d B 30mg LPEG A 0 3mol LCuSO4 1 94H2SO4 B 10mg LTDY 60mg LCl A 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 鍍銅 6 9 1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用 無Cl 時含不同量AQ的Nyquist圖 含60ml LCl 的Nyquist圖 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 鍍鉻 6 9 1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用 鐵電極在含2g L硫酸的鍍鉻溶液中 0 9V時的Nyquist圖 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 在合金電鍍研究中的應(yīng)用 6 9 1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用 Zn Fe合金電鍍 1 45V 1 1 5V 2 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 a 只含Co2 b c d Co2 Ni2 5 1 1 1 1 5 e 只含Ni2 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 6 9 1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用 在合金電鍍研究中的應(yīng)用 用于擬合的等效電路 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 6 9 1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用 在合金電鍍研究中的應(yīng)用 在復(fù)合鍍研究中的應(yīng)用 6 9 1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用 Ni SiC納米復(fù)合鍍液的電化學(xué)阻抗圖 a 200rpm b 100rpm 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 在化學(xué)鍍研究中的應(yīng)用 6 9 1在金屬電沉積研究中的應(yīng)用 化學(xué)鍍鎳中次亞磷酸鈉陽極氧化行為 基礎(chǔ)液 0 10mol L 1NaH2PO2體系 基礎(chǔ)液 0 10mol L 1NaH2PO2體系 0 10mol L 1NaH2PO2體系 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 6 9 2在電化學(xué)反應(yīng)機理和參數(shù)測量中的應(yīng)用 堿性溶液中析氫反應(yīng)的阻抗復(fù)平面圖Ag電極 2000rpm 過電勢 1 130mV 2 190mV 3 250mV 4 310mV 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 6 9 2在電化學(xué)反應(yīng)機理和參數(shù)測量中的應(yīng)用 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 6 9 3在腐蝕科學(xué)研究中的應(yīng)用 在涂料防護性能研究方面的應(yīng)用 干的富鋅涂層的EIS 測定富鋅涂層EIS的裝置示意圖 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 6 9 3在腐蝕科學(xué)研究中的應(yīng)用 在涂料防護性能研究方面的應(yīng)用 在人工海水中浸泡不同時間后富鋅涂層的EIS 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 6 9 3在腐蝕科學(xué)研究中的應(yīng)用 有機涂層下的金屬電極的阻抗譜 浸泡初期涂層體系的EIS 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 RL 溶液電阻 RC 涂層電阻 CC 涂層電容 CC不斷增大 RC逐漸減小 浸泡初期涂層體系相當(dāng)于一個 純電容 求解涂層電阻會有較大的誤差 而涂層電容可以較準(zhǔn)確地估算 6 9 3在腐蝕科學(xué)研究中的應(yīng)用 有機涂層下的金屬電極的阻抗譜 浸泡中期涂層體系的EIS 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 RPO 通過涂層微孔途徑的電阻值 電解質(zhì)是均勻地滲入涂層體系且界面的腐蝕電池是均勻分布的 6 9 3在腐蝕科學(xué)研究中的應(yīng)用 有機涂層下的金屬電極的阻抗譜 浸泡中期涂層體系的EIS 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 涂層中含有顏料 填料等添加物 有的有機涂層中還專門添加阻擋溶液滲入的片狀物 電解質(zhì)的滲入較困難 參與界面腐蝕反應(yīng)的反應(yīng)粒子的傳質(zhì)過程就可能是個慢步驟 EIS中往往會出現(xiàn)擴散過程引起的阻抗 6 9 3在腐蝕科學(xué)研究中的應(yīng)用 有機涂層下的金屬電極的阻抗譜 浸泡后期涂層體系的EIS 6 9EIS在電化學(xué)中的應(yīng)用 隨著宏觀孔的形成 原本存在于有機涂層中的濃度梯度消失 另在界面區(qū)因基底金屬的復(fù)式反應(yīng)速度加快而形成新的濃度梯度層 6 9 3在腐蝕科