電子工程師必備基礎(chǔ)知識手冊半導(dǎo)體器件

1、 電子工程師必備基礎(chǔ)知識手冊電子工程師必備基礎(chǔ)知識手冊(五:半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件一、 中國半導(dǎo)體器件型號命名方法中國半導(dǎo)體器件型號命名方法半導(dǎo)體器件型號由五部分(場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN 型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分組成。五個部分意義如下:第一部分:用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管第二部分:用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時:A-N 型鍺材料、B-P 型鍺材料、C-N 型硅材料、D-P 型硅材料。表示三極管時:A-PNP 型鍺材料、B-NPN 型鍺材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN 型硅材料。

2、第三部分:用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W、G-高頻小功率管(f>3MHz,Pc<1W、D-低頻大功率管(f<3MHz,Pc>1W、A-高頻大功率管(f>3MHz,Pc>1W、T-半導(dǎo)體晶閘管(可控整流器、 Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。第四部分:用數(shù)字表示序號第五部分:用漢語拼

3、音字母表示規(guī)格號例如:3DG18 表示NPN 型硅材料高頻三極管二、日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到前五個部分,其各部分的符號意義如下:第一部分:用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電(即光敏二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2 三極或具有兩個pn 結(jié)的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn 結(jié)的其他器件、依此類推。第二部分:日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA 注冊標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA 注 第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP 型高頻管、B-PNP 型低頻管、C-

4、NPN型高頻管、D-NPN 型低頻管、F-P 控制極可控硅、G-N 控制極可控硅、H-N 基極單結(jié)晶體管、J-P 溝道場效應(yīng)管、K-N 溝道場效應(yīng)管、M-雙向可控硅。第四部分:用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA 登記的順序號。兩位以上的整數(shù)-從“11”開始,表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA 登記的順序號;不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號;數(shù)字越大,越是近期產(chǎn)品。第五部分: 用字母表示同一型號的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F 表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法三、美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法美國晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)

5、協(xié)會半導(dǎo)體分立器件命名方法如下:第一部分:用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、(無-非軍用品。第二部分:用數(shù)字表示pn 結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn 結(jié)器件、n-n 個pn 結(jié)器件。第三部分:美國電子工業(yè)協(xié)會(EIA注冊標(biāo)志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會(EIA注冊登記。第四部分:美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。第五部分:用字母表示器件分檔。A、B、C、D、-同一型號器件的不同檔別。如: JAN2N3251A 表示PNP 硅高頻小功率開關(guān)三極管,JAN-軍級、2-三極

6、管、N-EIA 注冊標(biāo)志、3251-EIA 登記順序號、A-2N3251A 檔。國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體器件型號命名方法四、國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體器件型號命名方法德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家,大都采用國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成,各部分的符號及意義如下: 第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.61.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.01.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E

7、-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料第二部分:用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復(fù)合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關(guān)管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關(guān)管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極管。第三部分:用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號、一個字母加二位數(shù)字-表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號。第四部分

8、:用字母對同一類型號器件進(jìn)行分檔。A、B、C、D、E-表示同一型號的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。除四個基本部分外,有時還加后綴,以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類。常見后綴如下:1、穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個字母,表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍,字母A、B、C、D、E 分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后綴第二部分是數(shù)字,表示標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值;后綴的第三部分是字母V,代表小數(shù)點,字母V 之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。2、整流二極管后綴是數(shù)字,表示器件的最大反向峰值耐壓值,單位是伏特。3、晶閘管

9、型號的后綴也是數(shù)字,通常標(biāo)出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個電壓值。如:BDX51-表示NPN 硅低頻大功率三極管,AF239S-表示PNP 鍺高頻小功率三極管。五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號命名法歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號命名法歐洲有些國家,如德國、荷蘭采用如下命名方法。第一部分:O-表示半導(dǎo)體器件第二部分:A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。 第四部分:A、B、C-表示同一型號器件的變型產(chǎn)品。俄羅斯半導(dǎo)體器件型號命名法由于使用少,在此不介紹。一、半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號及其意義半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號及其意義CT-勢壘電容C

10、j-結(jié)(極間電容, 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容Cjv-偏壓結(jié)電容Co-零偏壓電容Cjo-零偏壓結(jié)電容Cjo/Cjn-結(jié)電容變化Cs-管殼電容或封裝電容Ct-總電容CTV-電壓溫度系數(shù)。在測試電流下,穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比 CTC-電容溫度系數(shù)Cvn-標(biāo)稱電容IF-正向直流電流(正向測試電流。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF 下,通過極間的電流;硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下,在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流(平均值,硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流;測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流IF(AV-正向平均電流IFM(IM-正向

11、峰值電流(正向最大電流。在額定功率下,允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。IH-恒定電流、維持電流。Ii- 發(fā)光二極管起輝電流IFRM-正向重復(fù)峰值電流IFSM-正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流Io-整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov-正向過載電流IL-光電流或穩(wěn)流二極管極限電流ID-暗電流IB2-單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流IEM-發(fā)射極峰值電流IEB10-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流IEB20-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流ICM-最大輸出平均電流 IP-峰點電流IV-谷點電流IGT-晶閘管控制極觸發(fā)電流IGD-晶閘管控制極

12、不觸發(fā)電流IGFM-控制極正向峰值電流IR(AV-反向平均電流IR(In-反向直流電流(反向漏電流。在測反向特性時,給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中,加反向電壓規(guī)定值時,所通過的電流;硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR 時所通過的電流;穩(wěn)壓二極管在反向電壓下,產(chǎn)生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM-反向峰值電流IRR-晶閘管反向重復(fù)平均電流IDR-晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流IRRM-反向重復(fù)峰值電流IRSM-反向不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流Irp-反向恢復(fù)電流Iz-穩(wěn)定電壓電流(反向測試電流。測試反向電參數(shù)時,給定的反向電流Izk-穩(wěn)壓管膝點電流IOM-最大

13、正向(整流電流。在規(guī)定條件下,能承受的正向最大瞬時電流;在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流IZSM-穩(wěn)壓二極管浪涌電流IZM-最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流iF-正向總瞬時電流iR-反向總瞬時電流ir-反向恢復(fù)電流Iop-工作電流Is-穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流f-頻率n-電容變化指數(shù);電容比Q-優(yōu)值(品質(zhì)因素vz-穩(wěn)壓管電壓漂移di/dt-通態(tài)電流臨界上升率dv/dt-通態(tài)電壓臨界上升率PB-承受脈沖燒毀功率PFT(AV-正向?qū)ㄆ骄纳⒐β蔖FTM-正向峰值耗散功率PFT-正向?qū)偹矔r耗散功率Pd-耗散功率 PGM-門極峰值功率PC-控

14、制極平均功率或集電極耗散功率Pi-輸入功率PK-最大開關(guān)功率PM-額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150 度所能承受的最大功率PMP-最大漏過脈沖功率PMS-最大承受脈沖功率Po-輸出功率PR-反向浪涌功率Ptot-總耗散功率Pomax-最大輸出功率Psc-連續(xù)輸出功率PSM-不重復(fù)浪涌功率PZM-最大耗散功率。在給定使用條件下,穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率RF(r-正向微分電阻。在正向?qū)〞r,電流隨電壓指數(shù)的增加,呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量V,正向電流相應(yīng)增加I,則V/I 稱微分電阻RBB-雙基極晶體管的基極間電阻RE-射頻電阻RL-負(fù)載電阻Rs(rs-串聯(lián)電阻Rth

15、-熱阻R(thja-結(jié)到環(huán)境的熱阻Rz(ru-動態(tài)電阻R(thjc-結(jié)到殼的熱阻r -衰減電阻r(th-瞬態(tài)電阻Ta-環(huán)境溫度Tc-殼溫td-延遲時間tf-下降時間tfr-正向恢復(fù)時間tg-電路換向關(guān)斷時間tgt-門極控制極開通時間Tj-結(jié)溫 ton-開通時間toff-關(guān)斷時間tr-上升時間trr-反向恢復(fù)時間ts-存儲時間tstg-溫度補償二極管的貯成溫度a-溫度系數(shù)p-發(fā)光峰值波長 -光譜半寬度-單結(jié)晶體管分壓比或效率VB-反向峰值擊穿電壓Vc-整流輸入電壓VB2B1-基極間電壓VBE10-發(fā)射極與第一基極反向電壓VEB-飽和壓降VFM-最大正向壓降(正向峰值電壓VF-正向壓降(正向直流電

16、壓VF-正向壓降差VDRM-斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VGT-門極觸發(fā)電壓VGD-門極不觸發(fā)電壓VGFM-門極正向峰值電壓VGRM-門極反向峰值電壓VF(AV-正向平均電壓Vo-交流輸入電壓VOM-最大輸出平均電壓Vop-工作電壓Vn-中心電壓Vp-峰點電壓VR-反向工作電壓(反向直流電壓VRM-反向峰值電壓(最高測試電壓V(BR-擊穿電壓Vth-閥電壓(門限電壓VRRM-反向重復(fù)峰值電壓(反向浪涌電壓VRWM-反向工作峰值電壓V v-谷點電壓Vz-穩(wěn)定電壓Vz-穩(wěn)壓范圍電壓增量 av-電壓溫度系數(shù)Vk-膝點電壓(穩(wěn)流二極管VL -極限電壓雙極型晶體管參數(shù)符號及其意義二、雙極型晶體管參數(shù)符號及其意義Cc

17、b-集電極與基極間電容Cce-發(fā)射極接地輸出電容Ci-輸入電容Cib-共基極輸入電容Cie-共發(fā)射極輸入電容Cies-共發(fā)射極短路輸入電容Cieo-共發(fā)射極開路輸入電容Cn-中和電容(外電路參數(shù)Co-輸出電容Cob-共基極輸出電容。在基極電路中,集電極與基極間輸出電容Coe-共發(fā)射極輸出電容Coeo-共發(fā)射極開路輸出電容Cre-共發(fā)射極反饋電容Cic-集電結(jié)勢壘電容CL-負(fù)載電容(外電路參數(shù)Cp-并聯(lián)電容(外電路參數(shù)BVcbo-發(fā)射極開路,集電極與基極間擊穿電壓BVceo-基極開路,CE 結(jié)擊穿電壓BVebo- 集電極開路EB 結(jié)擊穿電壓BVces-基極與發(fā)射極短路CE 結(jié)擊穿電壓BV cer

18、-基極與發(fā)射極串接一電阻,CE 結(jié)擊穿電壓D-占空比fT-特征頻率fmax-最高振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于1 時的工作頻率hFE-共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)hIE-共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗hOE-共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo)h RE-共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)hie-共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗hre-共發(fā)射極小信號開路電壓反饋系數(shù)hfe-共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數(shù)hoe-共發(fā)射極小信號開路輸出導(dǎo)納 Ic-集電極直流電流或交流電流的平均值IE-發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值Icbo-基極接地,發(fā)射極對地開路,在規(guī)定的VCB 反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流Iceo-發(fā)射極接地,基極對地開

19、路,在規(guī)定的反向電壓VCE 條件下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Iebo-基極接地,集電極對地開路,在規(guī)定的反向電壓VEB 條件下,發(fā)射極與基極之間的反向截止電流Icer-基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R,集電極與發(fā)射極間的電壓VCE 為規(guī)定值時,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Ices-發(fā)射極接地,基極對地短路,在規(guī)定的反向電壓VCE 條件下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Icex-發(fā)射極接地,基極與發(fā)射極間加指定偏壓,在規(guī)定的反向偏壓VCE 下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流ICM-集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。IBM-在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi),能連續(xù)地通過基極的直流電流的

20、最大值,或交流電流的最大平均值ICMP-集電極最大允許脈沖電流ISB-二次擊穿電流IAGC-正向自動控制電流Pc-集電極耗散功率PCM-集電極最大允許耗散功率Pi-輸入功率Po-輸出功率Posc-振蕩功率Pn-噪聲功率Ptot-總耗散功率ESB-二次擊穿能量rbb'-基區(qū)擴展電阻(基區(qū)本征電阻rbb'Cc-基極-集電極時間常數(shù),即基極擴展電阻與集電結(jié)電容量的乘積rie-發(fā)射極接地,交流輸出短路時的輸入電阻roe-發(fā)射極接地,在規(guī)定VCE、Ic 或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻RE-外接發(fā)射極電阻(外電路參數(shù)RB-外接基極電阻(外電路參數(shù)Rc -外接集電極電阻(外

21、電路參數(shù)RBE-外接基極-發(fā)射極間電阻(外電路參數(shù)RL-負(fù)載電阻(外電路參數(shù) Rth-熱阻Ta-環(huán)境溫度Tc-管殼溫度Ts-結(jié)溫Tjm-最大允許結(jié)溫Tstg-貯存溫度td-延遲時間tr-上升時間ts-存貯時間tf-下降時間ton-開通時間toff-關(guān)斷時間VCB-集電極-基極(直流電壓VCE-集電極-發(fā)射極(直流電壓VBE-基極發(fā)射極(直流電壓VCBO-基極接地,發(fā)射極對地開路,集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓 VEBO-基極接地,集電極對地開路,發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓 VCEO-發(fā)射極接地,基極對地開路,集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓 VCER-發(fā)射極接地,基

22、極與發(fā)射極間串接電阻R,集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓VCES-發(fā)射極接地,基極對地短路,集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓 VCEX-發(fā)射極接地,基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓,集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓Vp-穿通電壓。VSB-二次擊穿電壓VBB-基極(直流電源電壓(外電路參數(shù)Vcc-集電極(直流電源電壓(外電路參數(shù)VEE-發(fā)射極(直流電源電壓(外電路參數(shù)VCE(sat-發(fā)射極接地,規(guī)定Ic、IB 條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降VBE(sat-發(fā)射極接地,規(guī)定Ic、IB 條件下,基極-發(fā)射極飽和壓降(前向壓降 VAGC-正向自動增益控制電壓Vn(p-p-輸入端等效

23、噪聲電壓峰值V n-噪聲電壓Cj-結(jié)(極間電容, 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容 Cjv-偏壓結(jié)電容Co-零偏壓電容Cjo-零偏壓結(jié)電容Cjo/Cjn-結(jié)電容變化 Ct-總電容CTV-電壓溫度系數(shù)。在測試電流下,穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比 CTC-電容溫度系數(shù)Cvn-標(biāo)稱電容IF-正向直流電流(正向測試電流。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF 下,通過極間的電流;硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下,在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流(平均值,硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流;測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流IF(AV-正向平均電流IFM(

24、IM-正向峰值電流(正向最大電流。在額定功率下,允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。IH-恒定電流、維持電流。Ii- 發(fā)光二極管起輝電流IFRM-正向重復(fù)峰值電流IFSM-正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流Io-整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov-正向過載電流IL-光電流或穩(wěn)流二極管極限電流ID-暗電流IB2-單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流IEM-發(fā)射極峰值電流IEB10-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流IEB20-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流ICM-最大輸出平均電流IFMP-正向脈沖電流IP-峰點電流IV-谷點電流IGT-晶閘管控制

25、極觸發(fā)電流IGD-晶閘管控制極不觸發(fā)電流IGFM-控制極正向峰值電流IR(AV-反向平均電流IR(In-反向直流電流(反向漏電流。在測反向特性時,給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中,加反向電壓規(guī)定值時,所通過的電流;硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR 時所通過的電流;穩(wěn)壓二極管在反向電壓下,產(chǎn)生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM-反向峰值電流IRR-晶閘管反向重復(fù)平均電流IDR-晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流 IRSM-反向不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流Irp-反向恢復(fù)電流Iz-穩(wěn)定電壓電流(反向測試電流。測試反向電參數(shù)時,給定的反向電流Izk-穩(wěn)壓管膝點電流IOM

26、-最大正向(整流電流。在規(guī)定條件下,能承受的正向最大瞬時電流;在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流IZSM-穩(wěn)壓二極管浪涌電流IZM-最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流iF-正向總瞬時電流iR-反向總瞬時電流ir-反向恢復(fù)電流Iop-工作電流Is-穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流f-頻率n-電容變化指數(shù);電容比Q-優(yōu)值(品質(zhì)因素vz-穩(wěn)壓管電壓漂移di/dt-通態(tài)電流臨界上升率dv/dt-通態(tài)電壓臨界上升率PB-承受脈沖燒毀功率PFT(AV-正向?qū)ㄆ骄纳⒐β蔖FTM-正向峰值耗散功率PFT-正向?qū)偹矔r耗散功率Pd-耗散功率PG-門極平均功率PGM

27、-門極峰值功率PC-控制極平均功率或集電極耗散功率Pi-輸入功率PK-最大開關(guān)功率PM-額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150 度所能承受的最大功率PMP-最大漏過脈沖功率PMS-最大承受脈沖功率Po-輸出功率PR-反向浪涌功率Ptot-總耗散功率Pomax-最大輸出功率Psc-連續(xù)輸出功率PSM-不重復(fù)浪涌功率 RF(r-正向微分電阻。在正向?qū)〞r,電流隨電壓指數(shù)的增加,呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量V,正向電流相應(yīng)增加I,則V/I 稱微分電阻RBB-雙基極晶體管的基極間電阻RE-射頻電阻RL-負(fù)載電阻Rs(rs-串聯(lián)電阻Rth-熱阻R(thja-結(jié)到環(huán)境的熱阻Rz(ru-動態(tài)電阻R(thjc-結(jié)到殼的熱阻r -衰減電阻r(th-瞬態(tài)電阻Ta-環(huán)境溫度Tc-殼溫td-延遲時間tf-下降時間tfr-正向恢復(fù)時間tg-電路換向關(guān)斷時間tgt-門極控制極開通時間Tj-結(jié)溫Tjm-最高結(jié)溫ton-開通時間toff-關(guān)斷時間tr-上升時間trr-反向恢復(fù)時間ts-存儲時間tstg-溫度補償二極管的貯成溫度a-溫度系數(shù)p-發(fā)光峰值波長 -光譜半寬度-單結(jié)晶體管分壓