模電期末自測題A

1、模電自測練習題（A）一、填空 二極管 1半導體中有 空穴 和 自由電子 兩種載流子參與導電。PN結在 正偏 時導通， 反偏 時截止，這種特性稱為 單向導電 性。PN結具有 單向導電性能，即加正向電壓時，PN結導通 ，加反向電壓時，PN結 截止 。導通后，硅管的管壓降約為 0.7V ，鍺管約為 0.2V 。2本征半導體中，若摻入微量的五價元素，則形成 N 型半導體，其多數載流子是 電子 ；若摻入微量的三價元素，則形成 P 型半導體，其多數載流子是 空穴 。3、PN結的正向接法是P型區(qū)接電源的正 極，N型區(qū)接電源的負 極。P型半導體中的多數載流子是 空穴 ，少數載流子是電子。N型半導體中

2、的多數載流子是 電子 、少數載流子是 空穴 。4當溫度升高時，二極管的反向飽和電流將 增大 ，正向壓降將 減小 。5整流電路是利用二極管的 單向導電 性，將交流電變?yōu)閱蜗蛎}動的直流電。穩(wěn)壓二極管是利用二極管的 反向擊穿 特性實現穩(wěn)壓的。8硅穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓電路是由 限流電阻 、 硅穩(wěn)壓二極管 與 負載電阻 組成。6發(fā)光二極管是一種通以 正向 電流就會 發(fā)光 的二極管。7光電二極管能將 光 信號轉變?yōu)?電 信號，它工作時需加 反向 偏置電壓。8半導體是一種導電能力介于導體 與 絕緣體 之間的物質。半導體按導電類型分為 N 型半導體與 P型半導體。N型半導體主要靠 電子 來導電，P型半導體主要靠

3、空穴 來導電。半導體中的空穴帶 正 電。9、PN結中的內電場阻止多數載流子的 擴散 運動，促進少數載流子的 漂移 運動。10晶體二極管主要參數是 最大正向電流 與 最高反向電壓 。11晶體二極管按所用的材料可分為鍺和硅 兩類，按PN結的結構特點可分為 點接觸型 和面接觸型 兩種。按用途可把晶體二極管分為檢波二極管，整流二極管；穩(wěn)壓二極管；開關二極管，變容二極管等。12、點接觸型晶體二極管因其結電容 小，可用于 高頻 和超高頻的場合；面接觸型晶體二極管因其接觸面積大，可用于 大功率 的場合。13、2AP系列晶體二極管是 鍺 材料做成的，其工作溫度較 低。2P、2系列晶體二極管是 硅材料做成的，其

4、工作溫度較 高 。三極管1晶體管從結構上可以分成 PNP 和 NPN 兩種類型，它工作時有 2 種載流子參與導電。硅管以 NPN 型居多，鍺管以 PNP 型居多。2晶體管具有電流放大作用的外部條件是發(fā)射結 正偏 ，集電結 反偏 。3晶體管的輸出特性曲線通常分為三個區(qū)域，分別是 放大 、 飽和 、 截止 。4當溫度升高時，晶體管的參數 增大 ，ICBO 增大 ，導通電壓UBE 減小 。5某晶體管工作在放大區(qū)，如果基極電流從10A變化到20A時，集電極電流從1mA變?yōu)?.99 mA，則交流電流放大系數約為 99 。6某晶體管的極限參數ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V，

5、因此，當工作電壓UCE=10V時，工作電流IC不得超過 10 mA；當工作電壓UCE=1V時，IC不得超過 20 mA；當工作電流IC=2 mA時，UCE不得超過 30 V。7晶體三極管三個電極分別稱為發(fā)射極、 基極和 集電 極，它們分別用字母E、 b 和 C 表示。8. 當晶體管工作在放大區(qū)時，各極電位關系為： NPN 管的 uC  > uB  > uE   ,  PNP管的 uC   <   uB  <

6、60; uE ；工作在飽和區(qū)時 iC  <  iB ；工作在截止區(qū)時，若忽略 ICBO 和 ICEO ，則 iB   =    0 ， iC   =   0 。9由晶體三極管的輸出特性可知，它存在 截止區(qū)、 放大區(qū)和飽和區(qū)三個區(qū)域。為了使晶體三極管在放大器中正常工作，發(fā)射結須加正向 電壓，集電結須加 反向 電壓。10、晶體三極管是由兩個PN結構成的一種半導體器件，其中一個PN結叫做集電結 ，另一個叫做 發(fā)射結 。11晶體三極管具有電流放大作

7、用的條件是:第一（內部條件），使發(fā)射區(qū)的多數載流子濃度高， 集電 區(qū)的面積大， 基 區(qū)盡可能地?。坏诙ㄍ獠織l件），使 發(fā)射 結正向偏置， 集電結反向偏置。12晶體三極管發(fā)射極電流Ie、基極電流Ib和集電極電流Ic之間的關系是 e=bC 。其中Ic/Ib叫做 直流電流放大系數 ，用字母表示;Ie/Ib叫做 交流電流放大系數 ，用字母表示。13晶體三極管的電流放大作用，是通過改變 基極 電流來控制 集電極 電流的，其實質是以 微小電流控制 較大電流。14硅晶體三極管發(fā)射結的導通電壓約為0.7，飽和電壓降為 0.3 ，鍺晶體三極管發(fā)射結的導通電壓約為0.3,飽和電壓降為 0.1V 。15當晶體三極

8、管處于飽和狀態(tài)時，它的發(fā)射結必定加 正向 電壓，集電結必定加正向 或零電壓。16當晶體三極管的隊ce一定時，基極與發(fā)射極間的電壓be與基極電流b間的關系曲線稱為 輸入特性曲線 ;當基極電流Ib一定時，集電極與發(fā)射極間的電壓Uce與集電極電流人Ic關系曲線稱為 輸出特性曲線 。17晶體三極管的輸入特性曲線和晶體二極管的伏安特性 相似，晶體三極管輸入特性的最重要參數是交流輸入電阻，它是be的增量和 Ib的增量 的比值。18晶體三極管的電流放大系數太小時，電流放大作用將 較差 ;而電流放大系數太大時，又會使晶體三極管的性能 不穩(wěn)定 。19 按晶體三極管在電路中不同的連接方式，可組成共發(fā)射極 、 共集

9、極和 共基極三種基本放大電路。20晶體三極管的穿透電流Iceo隨溫度的升高而增大，由于硅三極管的穿透電流比鍺三極管 小得多 ，所以硅三極管的 熱穩(wěn)定性 比鍺三極管好。1、在判別鍺、硅晶體二極管時，當測出正向電壓為 0.2V 時，就認為此晶體二極管為鍺二極管；當測出正向電壓為0.V時，就認為此二極管為硅二極管。2、NPN型晶體三極管的發(fā)射區(qū)是 N型半導體，集電區(qū)是N型半導體，基區(qū)是P 型半導體。3、有一個晶體管繼電器電路，其晶體管與繼電器的吸引線圈相串聯，繼電器的動作電流為6A。若晶體三極管的直流電流放大系數=50，便使繼電器開始動作，晶體三極管的基極電流至少為 0.12A 。4共發(fā)射極電路的輸

10、入端由發(fā)射極和基極組成，輸出端由集電極 和 發(fā)射極 組成，它不但具有電流 放大、 電壓 放大作用，而且其功率增益也是三種基本線路中最大的。5晶體三極管是依靠基極電流控制集電極電流的，而場效應晶體管則是以柵極電壓控制 漏極電流 的，所以它的輸入阻抗很高。6共發(fā)射極單管放大電路，輸出電壓與輸入電壓相位差為 180° ，這是放大器的重要特征，稱為 放大器的倒相作用 。7常用的耦合方式有 阻容耦合 、 變壓器耦合和 直接耦合 三種形式。晶體三極管低頻小信號電壓放大電路通常采用 阻容 耦合電路8放大器的靜態(tài)是指沒有輸入信號 時的工作狀態(tài)，靜態(tài)工作點可根據電路參數用 估算 方法確定，也可以用 圖

11、解 方法確定。表征放大器中晶體三極管的靜態(tài)工作點的參數有 Ib 、Ie 和 Uce 。場效應晶體管的靜態(tài)工作點由 UGS 、 Id 和 UDS 確定。9晶體三極管放大器按放大信號和輸出信號的強弱可分為 電壓 放大和 功率 放大兩類。10為了使放大器輸出波形不失真，除需設置 適當的靜態(tài)工作點外，還需要采用 穩(wěn)定工作點 的方法，且輸入信號幅度要適中。11在晶體三極管放大電路中，當輸入電流一定時，靜態(tài)工作點設置太低將產生 截止 失真；靜態(tài)工作點設置太高將產生 飽和 失真。12在晶體三極管放大電路中，當輸入電流一定時，靜態(tài)工作點設置太高，會使C的 正 半周及Uce的 負 半周失真；靜態(tài)工作點設置太低時

12、，會使Ic的 負半周及Uce的 正半周失真。13晶體三極管工作在放大狀態(tài)時Uce隨Ib而變化，如果Ib增加，則Uce將 減小 ；如果Ib減小，則Uce將 增大 。因此，Ib可以起調節(jié)電壓作用。14在晶體三極管放大電路中，如果其它條件不變，減小b，則靜態(tài)工作點沿著負載線 上移 ，容易出現 飽和失真；若增大Rb，工作點沿著負載線 下移 ，容易出現 截止 失真。15如果晶體三極管放大器E增大，而其它條件不變，則晶體三極管放大器的靜態(tài)工作點將隨負載線 右移。在晶體三極放大器中RC減小，而其它條件不變，則晶體三極管負載線變 陡 。16對于一個放大器來說，一般希望其輸入電阻 大 些，以減輕信號源的負擔，輸

13、出電阻 小 些，以增大帶動負載的能力。17由于電容具有 隔直流通交流 的作用，所以，交流放大器負載兩端的電壓，只是晶體三極管、e極間總電壓的 交流 部分。18為了保證小信號交流放大器能不失真地進行放大，并且有最大的動態(tài)范圍，靜態(tài)工作點應選在 （或直流負載線的中點） 。19、在一個放大電路中，三只三極管三個管腳、的電位分別如表所示，將每只管子所用材料（ Si   或  Ge) 、類型（ NPN  或  PNP ）及管腳為哪個極（ e 、 b 或  c ）填入表內。 管號T1T2T3管號T1T2T3管腳電位(V)0.76.23電極名稱06

14、10533.7材料類型場效應管1場效應管從結構上可分為兩大類： 結型 、 絕緣柵型 或MOS ；根據導電溝道的不同又可分為 N溝道 、 P溝道 兩類；對于MOSFET，根據柵源電壓為零時是否存在導電溝道，又可分為兩種： 耗盡型 、 增強型 。由于場效應晶體管幾乎不存在 柵流 ，所以其輸入直流電阻 很大 。2UGS(off)表示 夾斷 電壓，IDSS表示 飽和漏極 電流，它們是 耗盡 型場效應管的參數。3. 增強型場效應管當其 UGS =0 時不存在導電溝道。JFET和耗盡型MOS管在柵-源電壓為零時    存在   導電溝道

15、，而增強型 MOS 管則     不存在  導電溝道。 4. MOS 管的直流輸入電阻比結型場效應管的大 。 5場效應晶體管一般采用 自偏壓（或柵極偏壓） 和 分壓式（或分壓式自偏壓 兩種偏置電路。放大電路1放大電路的輸入電壓Ui10 mV，輸出電壓U01 V，該放大電路的電壓放大倍數為 100 ，電壓增益為 40 dB。2放大電路的輸入電阻越大，放大電路向信號源索取的電流就越 小 ，輸入電壓也就越 大 ；輸出電阻越小，負載對輸出電壓的影響就越 小 ，放大電路的負載能力就越 強 。3共集電極放大電路的輸出電壓與輸入

16、電壓 同 相，電壓放大倍數近似為 1 ，輸入電阻 大 ，輸出電阻 小 。差分放大電路1差分放大電路的輸入電壓Ui11 V，Ui20.98 V，則它的差模輸入電壓Uid 0.02 V，共模輸入電壓UiC 0.99 V。2差分放大電路對 差模 輸入信號具有良好的放大作用，對 共模 輸入信號具有很強的抑制作用，差分放大電路的零點漂移 很小 。3兩級放大電路，第一級電壓增益為40 dB，第二級電壓放大倍數為10倍，則兩級總電壓放大倍數為 1000 倍，總電壓增益為 60 dB。4集成運算放大器輸入級一般采用 差分 放大電路，其作用是用來減小 零點漂移 。5理想集成運算放大器工作在線性狀態(tài)時，兩輸入端電

17、壓近似 相等，稱為 虛短 ；輸入電流近似為 0 ，稱為虛斷 。6集成運算放大器的兩輸入端分別稱為 同相輸入 端和 反相輸入 端，前者的極性與輸出端 反相 ，后者的極性與輸出端 同相 。7.電壓負反饋穩(wěn)定輸出電壓，電流負反饋穩(wěn)定輸出電流。使輸入量減小的反饋是負反饋。引入直流負反饋可以穩(wěn)定靜態(tài)工作點。負反饋越深，電路的性能越穩(wěn)定。 8.同相比例運算放大電路是一個深度的電壓串聯負反饋電路；反相比例運算放大電路是一個深度的電壓并聯負反饋電路。9. 參數理想對稱的雙端輸入雙端輸出差分放大電路只能放大差模信號，不能放大共模信號。1將交流電轉換為直流電的過程稱為 整流 。把脈動直流電變成較為平穩(wěn)的直流電的過

18、程，稱為 濾波 。2單相整流電路按其電路結構特點來分，有半波整流電路、全波整流電路和橋式 整流電路。3乙類互補對稱功放由 NPN 和 PNP 兩種類型晶體管構成，其主要優(yōu)點是 效率高 。二、選擇題 二極管1. P 型半導體中的多數載流子是  B ， N 型半導體中的多數載流子是 A 。          A. 電子     B. 空穴  C. 正離子      D. 負離子 2

19、. 雜質半導體中少數載流子的濃度  C 本征半導體中載流子濃度。   A. 大于     B. 等于     C. 小于 3. 室溫附近 , 當溫度升高時 , 雜質半導體中 C 濃度明顯增加。          A. 載流子      B. 多數載流子     C. 少數載流子 4雜質半導體中，多數

20、載流子的濃度主要取決于( C )。A溫度 B摻雜工藝 C摻雜濃度D晶格缺陷5PN結形成后，空間電荷區(qū)由( D )構成。A價電子 B自由電子 C空穴 D雜質離子6. 硅二極管的正向導通壓降比鍺二極管 A ，反向飽和電流比鍺二極管B。  A. 大    B. 小    C. 相等 7. 溫度升高時，二極管在正向電流不變的情況下的正向電壓  B，反向電流 A。          A. 增大    

21、60;B. 減小     C. 不變 8硅二極管的反向電流很小，其大小隨反向電壓的增大而( B )。 A減小 B基本不變 C增大9流過二極管的正向電流增大，其直流電阻將( C )。 A增大 B基本不變 C減小10變容二極管在電路中主要用作( D )。 A整流 B穩(wěn)壓 C發(fā)光 D可變電容器11當 PN結兩端加正向電壓時，那么參加導電的是 （A ）。A.多數載流子; B.少數載流子; C.既有多數載流子又有少數載流子12如果晶體二極管的正、反向電阻都很大，則該晶體二極管（C ）。A.正常;B.已被擊穿; C.內部斷路13如果晶體二極管的正、反向電阻都很小或為

22、零，則該晶體二極管（B ）。A.正常; B.已被擊穿; C.內部斷路14晶體二極管的陽極電位是-20V，陰極電位是-10V，則該二極管處于（A）。A.反偏，B.正偏，C.零偏15當環(huán)境溫度升高時，晶體二極管的反向電流將（A）。 A.增大； B.減??； C.不變16在晶體二極管特性的正向區(qū)，晶體二極管相當于（B）。A.大電阻；B.接通的開關；C.斷開的開關三極管1當晶體三極管的兩個PN結都反偏時，則晶體三極管處于（ C ）。A.飽和狀態(tài);B.放大狀態(tài);C.截止狀態(tài)2當晶體三極管的兩個PN結都正偏時，則晶體三極管處于（C ）。A.截止狀態(tài);B.放大狀態(tài);C.飽和狀態(tài)3當晶體三極管的發(fā)射結正偏，集電

23、結反偏時，則晶體三極管處于（ A ）。A.放大狀態(tài); B飽和狀態(tài)；C.截止狀態(tài)4晶體三極管處于飽和狀態(tài)時，它的集電極電流將 （ C ）。A.隨基極電流的增加而增加； B.隨基極電流的增加而減小，C.與基極電流變化無關，只決定于Uce5當晶體三極管的基極電源使發(fā)射結反問時，則晶體三極管的集電極電流將（C ）。A.反向；B.增大；C.中斷6當溫度升高時，半導體電阻將（ B ）。A.增大； ，減小 ；C.不變7. 工作在放大狀態(tài)的晶體管 , 流過發(fā)射結的 是 A電流，流過集電結的是 B電流。  A. 擴散  B. 漂移 8. 晶體管電流由  

24、0;  B      形成，而場效應管的電流由     A      形成。因此，晶體管電流受溫度的影響比場效應管     C       。               A. 一種載流子  

25、;   B. 兩種載流子     C. 大     D. 小 9. 晶體管通過改變     A      來控制      C      ；而場效應管是通過改變     B      控制  

26、0;   D      ，是一種     F     控制器件。             A. 基極電流     B. 柵 - 源電壓     C. 集電極電流     D. 漏極電流  &

27、#160;   E. 電壓     F. 電流 10某NPN型管電路中，測得UBE=0 V，UBC= 5 V，則可知管子工作于( C )狀態(tài)。 A放大 B飽和 C截止 D不能確定11根據國產半導體器件型號的命名方法可知，3DG6為( B )。 ANPN型低頻小功率硅晶體管 BNPN型高頻小功率硅晶體管 CPNP型低頻小功率鍺晶體管 DNPN型低頻大功率硅晶體管12輸入( C )時，可利用H參數小信號電路模型對放大電路進行交流分析。 A正弦小信號 B低頻大信號 C低頻小信號 D高頻小信號13·在絕對零度（0K）時，本

28、征半導體中_B_ 載流子。 A. 有 B. 沒有 C. 少數 D. 多數14·在熱激發(fā)條件下，少數價電子獲得足夠激發(fā)能，進入導帶，產生_D_。A. 負離子 B. 空穴 C. 正離子 D. 電子-空穴對15、半導體中的載流子為_D_。A. 電子 B. 空穴 C. 正離子 D. 電子和空穴16、N型半導體中的多子是_A_。A. 電子 B. 空穴 C. 正離子 D. 負離子17、P型半導體中的多子是_ B _。A. 電子 B. 空穴 C. 正離子 D. 負離子18、當PN結外加正向電壓時，擴散電流_A_漂移電流。A. 大于 B. 小于 C. 等與19、當PN結外加反向電壓時，擴散電流_ B

29、 _漂移電流。A. 大于 B. 小于 C. 等于20、在單級共射放大電路中，若輸入電壓為正弦波形，則uo和ui的相位_B。A. 同相B. 反相C.相差90度D. 不確定21、在單級共基放大電路中，若輸入電壓為正弦波形，則uo和uii的相位_A_。A. 同相B. 反相C.相差90度D.不確定22、既能放大電壓，也能放大電流的是_ A _組態(tài)放大電路。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不確定23、在單級共集放大電路中，若輸入電壓為正弦波形，則uo和uii的相位_A。A. 同相B. 反相C.相差90度D.不確定24、可以放大電壓，但不能放大電流的是_C_組態(tài)放大電路。A. 共射 B. 共集

30、C. 共基 D. 不確定25、可以放大電流，但不能放大電壓的是_ B _ 組態(tài)放大電路。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不確定26、在共射、共集和共基三種基本放大電路組態(tài)中，電壓放大倍數小于1的是_ B _組態(tài)。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不確定27、在共射、共集和共基三種基本放大電路組態(tài)中，輸入電阻最大的是_ B_組態(tài)。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不確定28、在共射、共集和共基三種基本放大電路組態(tài)中，輸入電阻最小的是_ C _組態(tài)。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不確定29、在共射、共集和共基三種基本放大電路組態(tài)中，輸出電阻最小的是_B_組態(tài)。

31、A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不確定30、三極管是_D_器件。A. 電壓控制電壓 B. 電流控制電壓 C. 電壓控制電流 D. 電流控制電流1測量某放大電路負載開路時輸出電壓為3 V，接入2 k的負載后，測得輸出電壓為1 V，則該放大電路的輸出電阻為( D )k。 A0.5 B1.0 C2.0 D42為了獲得反相電壓放大，則應選用(A)放大電路。 A共發(fā)射極B共集電極 C共基極 D共柵極3為了使高內阻的信號源與低阻負載能很好配合，可以在信號源與負載之間接入( B )放大電路。 A共發(fā)射極 B共集電極 C共基極 D共源極4放大電路如圖T31所示，已知RSRD，且電容器容量足夠大，則

32、該放大電路兩輸出電壓u0l與u02之間的大小關系為( B )。 A u0l = u02 Bu0l = u02 C u0lu02 D u0lu02 5在晶體三極管放大電路中，晶體三極管最高電位的一端應該是（E ）。 A.PNP型的基極；B.PNP型的集電極；C.NPN型的基極； DN PN型的發(fā)射極 EPNP型的發(fā)射極；FNPN型的基極6在NPN型晶體三極管放大電路中，如果基極與發(fā)射極短路，則（ B ）。A.晶體三極管將深度飽和； B晶體三極管將截止；C.晶體三極管的集電結將是正偏7在NPN型晶體三極管放大電路中，如果集電極與基極短路，則（ A ）。A.晶體三極管將深度飽和；B晶體三極管將截止；

33、C.晶體三極管的集電結將是正偏。8在晶體三極管放大電路中，當輸入電流一定時，靜態(tài)工作點設置太低將產生（B ）。A.飽和失真；B.截止失真；C.不失真9在晶體三極管放大電路中，當輸入電流一定時，靜態(tài)工作點設置太高將產生（A ）。A.飽和失真；B.截止失真C.不失真10晶體三極管低頻小信號放大器能（A ）。A放大交流信號；B.放大直流信號；C.放大交流與直流信號11在晶體三極管放大電路中，出現截止失真的原因是工作點（ B ）A.偏高；B.偏低；C.適當12畫放大器直流通道時，電容應視為（ B ）A.短路；B.開路；C.不變13在晶體三極管低頻電壓放大電路中，輸出電壓應視為uo=（ B ）。A. icRc；B. - RciC； C. -IcRc D. IbRc15為了使晶體三極管工作于飽和區(qū)，必須保證（ A ）。A發(fā)射結正偏，集電結正偏； B發(fā)時結正偏，集電結反偏；C.發(fā)射結正偏，集電結零偏16共發(fā)射極放大器的輸出電壓和輸入電壓在相位上的關系是（C ）。A同相位 B.相位差90º C.相位共為10º；D不能確定17在阻容耦合多級級大器中，在輸入信號一定的情況下，為了提高級間耦合的效率，必須（C ）。 A.電阻的阻值盡可能??；B.提高輸入信號的頻